專利名稱：光罩掩模板的制作方法及用該方法制作的光罩掩模板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平面顯示裝置領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示面板蒸鍍用的光罩掩模板的制作方法及用該方法制作的光罩掩模板。
背景技術(shù)：
平面顯示裝置具有機(jī)身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有的平面顯示裝置主要包括液晶顯示裝置(IXD, Liquid Crystal Display)及有機(jī)發(fā)光顯示裝置(OLED, Organic Light Emitting Display)。請(qǐng)參閱圖1，現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光顯示裝置一般包括:玻璃基板900、形成于玻璃基板900上的透明導(dǎo)電層902、形成于透明導(dǎo)電層902上空穴傳輸層(HTL，Hole TransportLayer)904、形成于空穴傳輸層904上的有機(jī)發(fā)光層(EML, Emitting Material Layer)906、形成于有機(jī)發(fā)光層906上的電子傳輸層(ETL, Electron Transport Layer) 908及形成于電子傳輸層908上的陰極(Cathode ) 909，其中，所述透明導(dǎo)電層902為有機(jī)發(fā)光顯示裝置的陽極(Anode),其一般由銦錫氧化物(IT0, Indium Tin Oxide)形成，當(dāng)該有機(jī)發(fā)光顯示裝置受到直流電(DC, Direct Current)所衍生的順向偏壓時(shí),外加的電壓能量將驅(qū)動(dòng)電子(Electron)與空穴(Hole)分別由陰極909與陽極902注入有機(jī)發(fā)光顯示裝置，當(dāng)電子與空穴兩者在傳導(dǎo)中相遇、結(jié)合，即形成所謂的電子-空穴復(fù)合(Electron-Hole Capture)。而當(dāng)有機(jī)發(fā)光層906的化學(xué)分子受到外來能量激發(fā)后，如果電子自旋(Electron Spin)和基態(tài)電子成對(duì)，則為單重態(tài)(Singlet),其所釋放的光為突光(Fluorescence);反之若激發(fā)態(tài)電子和基態(tài)電子自旋不成對(duì)且平行，則稱為三重態(tài)(Triplet)，其所釋放的光為磷光(Phosphorescence)。當(dāng)電子 的狀態(tài)位置由激態(tài)高能階回到穩(wěn)態(tài)低能階時(shí),其能量將分別以光子(Light Emission)或熱能(Heat Dissipation)的方式放出，其中光子的部分被用于顯示功能。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置的生產(chǎn)制程中，蒸鍍被廣泛應(yīng)用，其通過在光罩掩模板上設(shè)置具有與各層所要求的預(yù)定圖案相對(duì)應(yīng)的蒸鍍孔隙來限定蒸鍍區(qū)域，從而在基板上形成所需圖案。通常蒸鍍制程是在真空室內(nèi)進(jìn)行，以基板的底面作為蒸鍍面，而將光罩掩模板設(shè)置于蒸鍍面與蒸發(fā)源之間，進(jìn)行蒸鍍時(shí)，是將蒸發(fā)源加熱使蒸鍍材料蒸發(fā)，并經(jīng)由光罩掩模板的蒸鍍孔隙附著于蒸鍍面上，進(jìn)而在蒸鍍面上形成所需要的圖案。請(qǐng)參閱圖2,為現(xiàn)有的一種光罩掩模板的結(jié)構(gòu)不意圖,其一般由玻璃、石英、氟化鎂或氟化鈣等熱膨脹系數(shù)與加工元件基板相同或在其下的材料制成，其上以矩陣形態(tài)配置有多個(gè)工作單元11，在工作單元11中，以向內(nèi)部凹設(shè)的形態(tài)形成一厚度約在50-500 iim的遮蔽層12，并于該遮蔽層12上鏤刻有與所要求的預(yù)定圖案相對(duì)應(yīng)的貫穿空槽作為蒸鍍孔隙13，為了防止工作單元11變形而導(dǎo)致蒸鍍精度偏差，在工作單元11的周緣形成具有較大厚度約在50 ii m-數(shù)公分(cm)的肋部14。在使用時(shí),光罩掩模板由支持機(jī)構(gòu)(未圖不)固定于加工元件基板的蒸鍍面下,但由于其較薄,不易對(duì)位固定,安裝耗時(shí)較長(zhǎng),生產(chǎn)成本相對(duì)較聞。為了解決上述問題，出現(xiàn)了一種由磁力吸附固定的光罩掩模板，其由磁吸材料制成。如圖3與圖4所示，該光罩掩模板上設(shè)有數(shù)個(gè)有效開口區(qū)100及設(shè)于有效開口區(qū)100之間的無效區(qū)300，所述有效開口區(qū)100上設(shè)有對(duì)應(yīng)預(yù)定圖案的蒸鍍孔隙(未圖示)。蒸鍍前通過磁板(未圖示)吸付光罩掩模板有效開口區(qū)100，使得該有效開口區(qū)100完全平貼于基板上，以避免陰影效應(yīng)(shadow effect)。所述有效開口區(qū)100的尺寸大小依據(jù)基板(未圖示)有效區(qū)設(shè)置。然而，由于有效開口區(qū)100設(shè)有數(shù)個(gè)蒸鍍孔隙，這就使得有效開口區(qū)100的質(zhì)量與兩有效開口區(qū)100之間的無效區(qū)300質(zhì)量不同，在磁力吸付光罩掩模板時(shí)會(huì)導(dǎo)致質(zhì)量不同區(qū)塊吸附先后順序不一，造成有效開口區(qū)100未能有效平貼于預(yù)定位置，進(jìn)而導(dǎo)致像素(pixel)位置偏移。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光罩掩模板的制作方法，其通過對(duì)無效區(qū)進(jìn)行半蝕亥IJ，降低制得的光罩掩模板的有效開口區(qū)與相鄰的無效區(qū)的質(zhì)量差異，有效避免光罩掩模板在吸附時(shí)由于有效開口區(qū)與無效區(qū)之間的質(zhì)量差異較大而導(dǎo)致的吸附順序不一的問題。本發(fā)明的另一目的在于提供一種光罩掩模板，其通過在無效區(qū)上設(shè)有凹槽，減小有效開口區(qū)與相鄰的無效區(qū)的質(zhì)量差異，有效保證在光罩掩模板吸附時(shí)，光罩掩模板的有效開口區(qū)能完全平貼于基板上的預(yù)定位置，進(jìn)而保證鍍膜圖案的精度。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種光罩掩模板的制作方法，包括以下步驟:步驟1、提供光罩掩模板半成品，該光罩掩模板半成品設(shè)有數(shù)個(gè)有效開口區(qū)及位于有效開口區(qū)周圍的無效區(qū)；步驟2、 通過半蝕刻制程在無效區(qū)上形成凹槽。所述步驟2減小無效區(qū)的質(zhì)量。所述步驟2減小無效區(qū)的質(zhì)量,使得具有與有效開口區(qū)相同面積的無效區(qū)的質(zhì)量與所述有效開口區(qū)的質(zhì)量相等。步驟I中所述有效開口區(qū)上設(shè)有數(shù)個(gè)蒸鍍孔隙。所述光罩掩模板半成品由磁吸材料制成，其為一體式或拼接式。本發(fā)明還提供一種光罩掩模板，設(shè)有數(shù)個(gè)有效開口區(qū)及位于有效開口區(qū)周圍的無效區(qū)，所述無效區(qū)上設(shè)有凹槽。所述凹槽用于減小無效區(qū)質(zhì)量，具有與有效開口區(qū)相同面積的無效區(qū)的質(zhì)量與所述有效開口區(qū)的質(zhì)量相等。所述有效開口區(qū)上設(shè)有數(shù)個(gè)蒸鍍孔隙。所述凹槽通過半蝕刻制程形成。所述光罩掩模板由磁吸材料制成，其為一體式或拼接式。本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的光罩掩模板的制作方法及用該方法制作的光罩掩模板，通過對(duì)設(shè)于有效開口區(qū)周圍的無效區(qū)進(jìn)行半蝕刻，在無效區(qū)上形成凹槽，降低有效開口區(qū)與無效區(qū)之間的質(zhì)量差異，有效避免在吸附光罩掩模板時(shí)由于有效開口區(qū)與無效區(qū)之間的質(zhì)量差異較大而導(dǎo)致吸附順序不一的問題，進(jìn)而保證光罩掩模板的有效開口區(qū)能完全平貼于基板上的預(yù)定位置，保證鍍膜圖案的精度。
為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。


下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。附圖中，圖1為現(xiàn)有的有機(jī)發(fā)光裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為現(xiàn)有的一種光罩掩模板的局部剖面示意3為現(xiàn)有的另一種光罩掩模板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為圖3所示的光罩掩模板的剖面示意圖；圖5為本發(fā)明光罩掩模板的制作方法的流程圖；圖6為本發(fā)明光罩掩模板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明光罩掩模板的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。請(qǐng)參閱圖5至圖7， 本發(fā)明提供一種光罩掩模板的制作方法，包括以下步驟:步驟1、提供光罩掩模板半成品，該光罩掩模板半成品設(shè)有數(shù)個(gè)有效開口區(qū)22及位于有效開口區(qū)22周圍的無效區(qū)24。所述光罩掩模板半成品通過現(xiàn)有技術(shù)提供，其由磁吸材料制成，該光罩掩模板半成品可為一整張的一體式光罩掩模板(full sheet mask),也可為拼接式光罩掩模板(divide mask)。所述有效開口區(qū)22上設(shè)有數(shù)個(gè)蒸鍍孔隙222，該些蒸鍍孔隙222根據(jù)欲蒸鍍的圖
案設(shè)置。步驟2、通過半蝕刻制程在無效區(qū)24上形成凹槽242。通過半蝕刻制程在無效區(qū)24上形成凹槽242，以減小無效區(qū)24的質(zhì)量，所述凹槽242通過半蝕刻制程形成，操作簡(jiǎn)單，易于控制凹槽242的深度，進(jìn)而有效減小開口區(qū)22與其相鄰的無效區(qū)24的質(zhì)量差異。為使所述有效開口區(qū)22與其相鄰的無效區(qū)24的質(zhì)量差異減小，具有與有效開口區(qū)22相同面積的無效區(qū)24的質(zhì)量與所述有效開口區(qū)22的質(zhì)量大體相等，優(yōu)選具有與有效開口區(qū)22相同面積的無效區(qū)24的質(zhì)量與所述有效開口區(qū)22的質(zhì)量相等；從而避免在吸附光罩掩模板時(shí)由于有效開口區(qū)22與無效區(qū)24之間的質(zhì)量差異較大而導(dǎo)致吸附順序不一的問題，進(jìn)而保證光罩掩模板的有效開口區(qū)22能完全平貼于基板(未圖示)上的預(yù)定位置。在該光罩掩模板使用時(shí)，通過磁板吸附于基板上，由于本發(fā)明的光罩掩模板的有效開口區(qū)22與無效區(qū)24之間的質(zhì)量差異較小，使得有效開口區(qū)22能完全平貼于基板上的預(yù)定位置上，通過加熱蒸發(fā)源(未圖示)使蒸鍍材料(未圖示)蒸發(fā)，并經(jīng)由光罩掩模板的蒸鍍孔隙222附著于基板的蒸鍍面上，進(jìn)而在基板的蒸鍍面上精確的形成所需要的圖案。
請(qǐng)參閱圖6及圖7，本發(fā)明還提供一種光罩掩模板，其上設(shè)有數(shù)個(gè)有效開口區(qū)22及位于有效開口區(qū)22周圍的無效區(qū)24，所述無效區(qū)24上設(shè)有凹槽242。在本實(shí)施例中，所述凹槽242通過半蝕刻制程形成，操作簡(jiǎn)單，易于控制凹槽242的深度，進(jìn)而有效減小開口區(qū)22與其相鄰的無效區(qū)24的質(zhì)量差異。所述光罩掩模板由磁吸材料制成，該光罩掩模板可為一整張的一體式光罩掩模板(full sheet mask),也可為拼接式光罩掩模板(divide mask)。所述有效開口區(qū)22上設(shè)有數(shù)個(gè)蒸鍍孔隙222，該些蒸鍍孔隙222根據(jù)欲蒸鍍的圖案設(shè)置。通過凹槽242的設(shè)置，實(shí)現(xiàn)所述有效開口區(qū)22與其相鄰的無效區(qū)24的質(zhì)量差異減小，優(yōu)選具有與有效開口區(qū)22相同面積的無效區(qū)24的質(zhì)量與所述有效開口區(qū)22的質(zhì)量大體相等，更優(yōu)選具有與有效開口區(qū)22相同面積的無效區(qū)24的質(zhì)量與所述有效開口區(qū)22的質(zhì)量相等，從而避免在吸附光罩掩模板時(shí)由于有效開口區(qū)22與無效區(qū)24之間的質(zhì)量差異較大而導(dǎo)致吸附順序不一的問題，進(jìn)而保證光罩掩模板的有效開口區(qū)22能完全平貼于基板(未圖示)上的預(yù)定位置。在該光罩掩模板使用時(shí)，通過磁板吸附于基板上，由于本發(fā)明的光罩掩模板的有效開口區(qū)22與無效區(qū)24之間的質(zhì)量差異較小，使得有效開口區(qū)22能完全平貼于基板上的預(yù)定位置上，通過加熱蒸發(fā)源(未圖示)使蒸鍍材料(未圖示)蒸發(fā)，并經(jīng)由光罩掩模板的蒸鍍孔隙222附著于基板的蒸鍍面上，進(jìn)而在基板的蒸鍍面上精確的形成所需要的圖案。綜上所述，本發(fā)明的光罩掩模板的制作方法及用該方法制作的光罩掩模板，通過對(duì)設(shè)于有效開口區(qū)周圍的無效區(qū)進(jìn)行半蝕刻形成凹槽，降低有效開口區(qū)與無效區(qū)之間的質(zhì)量差異，有效避免在吸附光罩掩模板時(shí)由于有效開口區(qū)與無效區(qū)之間的質(zhì)量差異較大而導(dǎo)致吸附順序不一的問題，進(jìn)而保證光罩掩模板的有效開口區(qū)能完全平貼于基板上的預(yù)定位置，保證鍍膜圖案的精度。以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種光罩掩模板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1、提供光罩掩模板半成品，該光罩掩模板半成品設(shè)有數(shù)個(gè)有效開口區(qū)及位于有效開口區(qū)周圍的無效區(qū)； 步驟2、通過半蝕刻制程在無效區(qū)上形成凹槽。
2.如權(quán)利要求1所述的光罩掩模板的制作方法，其特征在于，所述步驟2減小無效區(qū)的質(zhì)量。
3.如權(quán)利要求2所述的光罩掩模板的制作方法，其特征在于，所述步驟2減小無效區(qū)的質(zhì)量，使得具有與有效開口區(qū)相同面積的無效區(qū)的質(zhì)量與所述有效開口區(qū)的質(zhì)量相等。
4.如權(quán)利要求1所述的光罩掩模板的制作方法，其特征在于，步驟I中所述有效開口區(qū)上設(shè)有數(shù)個(gè)蒸鍍孔隙。
5.如權(quán)利要求1所述的光罩掩模板的制作方法，其特征在于，所述光罩掩模板半成品由磁吸材料制成，其為一體式或拼接式。
6.一種光罩掩模板，其特征在于，設(shè)有數(shù)個(gè)有效開口區(qū)及位于有效開口區(qū)周圍的無效區(qū)，所述無效區(qū)上設(shè)有凹槽。
7.如權(quán)利要求6所述的光罩掩模板，其特征在于，所述凹槽用于減小無效區(qū)質(zhì)量，具有與有效開口區(qū)相同面積的無效區(qū)的質(zhì)量與所述有效開口區(qū)的質(zhì)量相等。
8.如權(quán)利要求6所述的光罩掩模板,其特征在于,所述有效開口區(qū)上設(shè)有數(shù)個(gè)蒸鍍孔隙。
9.如權(quán)利要求6所述的光罩掩模板，其特征在于，所述凹槽通過半蝕刻制程形成。
10.如權(quán)利要求6所述的光罩掩模板,其特征在于,所述光罩掩模板由磁吸材料制成，其為一體式或拼接式。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光罩掩模板的制作方法及用該方法制作的光罩掩模板，所述方法包括步驟1、提供光罩掩模板半成品，該光罩掩模板半成品設(shè)有數(shù)個(gè)有效開口區(qū)及位于有效開口區(qū)周圍的無效區(qū)；步驟2、通過半蝕刻制程在無效區(qū)上形成凹槽。本發(fā)明的光罩掩模板的制作方法及用該方法制作的光罩掩模板，通過對(duì)設(shè)于有效開口區(qū)周圍的無效區(qū)域進(jìn)行半蝕刻，在無效區(qū)上形成凹槽，降低有效開口區(qū)與無效區(qū)之間的質(zhì)量差異，有效避免在吸附光罩掩模板時(shí)由于有效開口區(qū)與無效區(qū)之間的質(zhì)量差異較大而導(dǎo)致吸附順序不一的問題，進(jìn)而保證光罩掩模板的有效開口區(qū)能完全平貼于基板上的預(yù)定位置，保證鍍膜圖案的精度。
文檔編號(hào)H01L21/027GK103236398SQ20131013846
公開日2013年8月7日 申請(qǐng)日期2013年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月19日
發(fā)明者吳泰必 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司