專(zhuān)利名稱(chēng):一種同軸半波長(zhǎng)腔體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種同軸半波長(zhǎng)腔體,具體涉及一種星載低氣壓條件下功率最優(yōu)的同軸半波長(zhǎng)腔體,屬于微波技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù):
S波段星載多工器、濾波器多選用經(jīng)典的四分之波長(zhǎng)同軸腔組成濾波單元,電場(chǎng)最大處集中在腔內(nèi)諧振子頂端,即使諧振子做倒鈍處理,對(duì)低氣壓功率容量也不利,低氣壓功率容量不超過(guò)1W。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供了一種同軸半波長(zhǎng)腔體,保證有較大的功率容量,并發(fā)揮最大的尺寸利用率。一種同軸半波長(zhǎng)腔體,該腔體為長(zhǎng)方體,其上開(kāi)有貫穿上下端面的通孔,通孔的圓心位于上下端面的對(duì)稱(chēng)中心點(diǎn)上,長(zhǎng)方體相鄰側(cè)面之間為圓弧過(guò)渡,圓弧過(guò)渡由圓外切長(zhǎng)方體形成;所述長(zhǎng)方體上下端面的截面尺寸為42mmX42mm,其高度為68mm,通孔的直徑為21mm,且通孔直徑與長(zhǎng)方體外切圓的直徑比為1/1.75。有益效果:本發(fā)明采用最佳半波長(zhǎng)腔結(jié)構(gòu),使腔內(nèi)電場(chǎng)的分布最均勻,實(shí)現(xiàn)最大低氣壓功率容量。
圖1為本發(fā)明同軸半波長(zhǎng)腔體的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖并舉實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。如附圖1所示,本發(fā)明提供了一種同軸半波長(zhǎng)腔體,該腔體為長(zhǎng)方體,其上開(kāi)有貫穿上下端面的通孔,通孔的圓心位于上下端面的對(duì)稱(chēng)中心點(diǎn)上,長(zhǎng)方體相鄰側(cè)面之間為圓弧過(guò)渡,圓弧過(guò)渡由圓外切長(zhǎng)方體形成。長(zhǎng)方體上下端面的截面尺寸為42mmX42mm,其高度為68mm,通孔的直徑為21mm,通孔直徑與長(zhǎng)方體外切圓的直徑比為1/1.75。上述腔體的高度為二分之一工作波長(zhǎng)的半波長(zhǎng)同軸腔,在相同的同軸截面結(jié)構(gòu)時(shí),半波長(zhǎng)同軸腔的體積比四分之同軸腔結(jié)構(gòu)增加了一倍多,因此功率容量至少增加一倍以上,同時(shí)半波長(zhǎng)腔內(nèi)不存在開(kāi)路端效應(yīng)對(duì)電場(chǎng)的擾動(dòng),其內(nèi)部的電場(chǎng)最大值位于腔內(nèi)導(dǎo)體中段,分布均勻性相比四分之一波長(zhǎng)腔要好的多,這一點(diǎn)使得該結(jié)構(gòu)在增加一倍的體積的時(shí)候,帶來(lái)遠(yuǎn)大于增加一倍 的功率容量的好處,因此從功率容量考慮該結(jié)構(gòu)比四分之一波長(zhǎng)同軸腔具有很大的優(yōu)勢(shì)。綜上所述,以上 僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種同軸半波長(zhǎng)腔體,其特征在于,該腔體為長(zhǎng)方體,其上開(kāi)有貫穿上下端面的通孔,通孔的圓心位于上下端面的對(duì)稱(chēng)中心點(diǎn)上,長(zhǎng)方體相鄰側(cè)面之間為圓弧過(guò)渡,圓弧過(guò)渡由圓外切長(zhǎng)方體形成; 所述長(zhǎng)方體上下端面的截面尺寸為42mmX42mm,其高度為68mm,通孔的直徑為21mm,且通孔直徑與長(zhǎng)方體外切圓的直徑比為1/1.75。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種同軸半波長(zhǎng)腔體,屬于微波技術(shù)領(lǐng)域。該腔體為長(zhǎng)方體,其上開(kāi)有貫穿上下端面的通孔,通孔的圓心位于上下端面的對(duì)稱(chēng)中心點(diǎn)上,長(zhǎng)方體相鄰側(cè)面之間為圓弧過(guò)渡,圓弧過(guò)渡由圓外切長(zhǎng)方體形成;所述長(zhǎng)方體上下端面的截面尺寸為42mm×42mm,其高度為68mm,通孔的直徑為21mm,且通孔直徑與長(zhǎng)方體外切圓的直徑比為1/1.75。本發(fā)明采用最佳半波長(zhǎng)腔結(jié)構(gòu),使腔內(nèi)電場(chǎng)的分布最均勻,實(shí)現(xiàn)最大低氣壓功率容量,在相同的同軸截面結(jié)構(gòu)時(shí),半波長(zhǎng)同軸腔的體積比四分之同軸腔結(jié)構(gòu)增加了一倍多,因此功率容量至少增加一倍以上。
文檔編號(hào)H01P1/207GK103227358SQ201310142848
公開(kāi)日2013年7月31日 申請(qǐng)日期2013年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月23日
發(fā)明者高曉艷, 李鴻斌, 董楠, 韓運(yùn)忠, 王曉天, 田立松 申請(qǐng)人:北京空間飛行器總體設(shè)計(jì)部