一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極層，所述復合陰極層包括依次疊層設置的有機硅小分子層、導電氧化物層和金屬層，所述有機硅小分子層的材料為二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-雙（三苯基硅）苯或p-雙（三苯基硅）苯；所述導電氧化物層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；所述金屬層的材料為銀、鋁、鉑或金。該有機電致發(fā)光器件的復合陰極層能使光進行散射，從而提高器件發(fā)光效率。本發(fā)明還提供了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002] 1987年，美國Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke報道了有機電致發(fā)光 研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發(fā)光器 件（0LED)。在該雙層結構的器件中，10V下亮度達到lOOOcd/m 2,其發(fā)光效率為1. 511m/W、壽 命大于100小時。
[0003] 在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到器件外部，而其 他的部分會以其他形式消耗在器件外部，這是由于界面之間存在折射率的差(如玻璃與ΙΤ0 之間的折射率之差，玻璃折射率為1. 5, ΙΤ0為1. 8,光從ΙΤ0到達玻璃，就會發(fā)生全反射)， 引起了全反射的損失，從而導致發(fā)光器件的整體出光性能較低。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 為克服上述現(xiàn)有技術的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方 法。通過在電子注入層上制備復合陰極層，提高了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0005] -方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極基板、空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極層，所述復合陰極層包 括依次疊層設置的有機硅小分子層、導電氧化物層和金屬層，
[0006] 所述有機娃小分子層的材料為二苯基二（〇-甲苯基）娃（UGH1)、p-二(三苯基娃） 苯（呢!12)、1，3-雙(三苯基硅）苯（呢!13)或？-雙(三苯基硅）苯（呢!14) ;所述導電氧化物層 的材料為銦錫氧化物（ΙΤ0)、鋁鋅氧化物（ΑΖ0)或銦鋅氧化物（ΙΖ0);所述金屬層的材料為 銀（Ag)、鋁（A1)、鉬（Pt)或金（Au)。
[0007] 優(yōu)選地，所述有機娃小分子層的厚度為20?100nm。
[0008] 優(yōu)選地，所述導電氧化物層的厚度為20?80nm。
[0009] 優(yōu)選地，所述金屬層的厚度為200?500nm。
[0010] 復合陰極層包括依次疊層設置的有機硅小分子層、導電氧化物層和金屬層。在電 子注入層之上制備有機硅小分子層，該層的有機硅小分子材料，在室溫下便可進行結晶，結 晶后能使膜層表面呈現(xiàn)波紋狀結構，當光從這邊出射時，可以改變光的折射角，使光進行散 射，減少向器件兩側(cè)發(fā)射的光，然后制備由常用的陽極薄膜材料形成的導電氧化物層，該層 可提高器件的導電性與透過性，最后制備金屬層，能使光線進行反射回到底部出射，這種復 合陰極層最終可有效提高器件的發(fā)光效率。
[0011] 導電陽極基板可以為導電玻璃基板或?qū)щ娪袡C聚對苯二甲酸乙二醇酯基板。優(yōu) 選地，導電陽極基板為銦錫氧化物玻璃（ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃（ΑΖ0)或銦鋅氧化物玻璃 (ΙΖ0)。更優(yōu)選地，導電陽極基板為銦錫氧化物玻璃。
[0012] 空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限 定，本領域現(xiàn)有材料均適用于本發(fā)明。
[0013] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰（M〇03)、三氧化鎢（W03)或五氧化二釩 (V 2〇5)，空穴注入層的厚度為20?80nm。
[0014] 更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03，厚度為35nm。
[0015] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，f -二（p-甲苯基）氨基]苯基] 環(huán)己烷（了六?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)或1^-(1-萘基），4'-二 苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（NPB)，厚度為20?60nm。
[0016] 更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為Ν，Ν' - (1-萘基）-Ν，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二 胺（ΝΡΒ)，厚度為50nm。
[0017] 優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4-(二腈甲基)-2- 丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亞萘基蒽（ADN)、4, 4' -雙（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯（BCzVBi )或8-羥基喹啉鋁（Alq3)，厚度為5?40nm。
[0018] 更優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4, 4'-雙（9-乙基-3-咔唑乙烯基）_1，Γ-聯(lián)苯 (BCzVBi)，厚度為 30nm。
[0019] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、l，2, 4-三唑衍 生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑（TPBI)，厚度為40?300nm。
[0020] 更優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)，厚度為 250nm〇
[0021] 優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)或氟 化鋰（LiF);厚度為0· 5?10nm。
[0022] 更優(yōu)選地，電子注入層的材料為氟化鋰（LiF)，厚度為lnm。
[0023] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0024] 在導電陽極基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子 注入層；
[0025] 在所述電子注入層上制備復合陰極層：先通過真空蒸鍍的方式在所述電子注入層 上制備有機硅小分子層，再通過磁控濺射的方式在所述有機硅小分子層上制備導電氧化物 層，最后通過真空蒸鍍的方式在導電氧化物層上制備金屬層，得到有機電致發(fā)光器件；
[0026] 所述有機娃小分子層的材料為二苯基二（〇-甲苯基）娃、p_二(三苯基娃）苯、 1，3-雙(三苯基硅）苯或p-雙(三苯基硅）苯；所述導電氧化物層的材料為銦錫氧化物 (ITO)、鋁鋅氧化物（AZO)或銦鋅氧化物（IZO);所述金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金；
[0027] 所述真空蒸鍍過程中，真空度為2X ΚΓ3?5X l(T5Pa，所述有機硅小分子層的材料 蒸鍍速率為〇. 1?lnm/s，所述金屬層的材料蒸鍍速率為1?10nm/s ;所述磁控溉射的加速 電壓為300?800V，磁場為50?200G，功率密度為1?40W/cm2。
[0028] 優(yōu)選地，所述有機娃小分子層的厚度為20?lOOnm。
[0029] 優(yōu)選地，所述導電氧化物層的厚度為20?80nm。
[0030] 優(yōu)選地，所述金屬層的厚度為200?500nm。
[0031] 導電陽極基板可以為導電玻璃基板或?qū)щ娪袡C聚對苯二甲酸乙二醇酯基板。優(yōu) 選地，導電陽極基板為銦錫氧化物玻璃（IT0)、鋁鋅氧化物玻璃（AZ0)或銦鋅氧化物玻璃 (IZ0)。更優(yōu)選地，導電陽極基板為銦錫氧化物玻璃。
[0032] 優(yōu)選地，將陽極基板進行如下清潔處理：依次采用洗潔精、去離子水各超聲清洗 15分鐘，然后再用烘箱烘干待用。
[0033] 空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限 定，本領域現(xiàn)有材料均適用于本發(fā)明?？昭ㄗ⑷雽?、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和 發(fā)光層均可采用真空蒸鍍的方式制備，其具體操作條件不作特殊限定。
[0034] 優(yōu)選地，真空蒸鍍的溫度為100?500°C，真空度為1ΧΚΓ3?lXl(T 5Pa。
[0035] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰（M〇03)、三氧化鎢（W03)或五氧化二釩 (V 2〇5)，空穴注入層的厚度為20?80nm。
[0036] 更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03，厚度為35nm。
[0037] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，f -二（p-甲苯基）氨基]苯基] 環(huán)己烷（了六?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)或1^-(1-萘基），4'-二 苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（NPB)，厚度為20?60nm。
[0038] 更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為Ν，Ν' - (1-萘基）-N，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二 胺（ΝΡΒ)，厚度為50nm。
[0039] 優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4_(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亞萘基蒽（ADN)、4, 4' -雙（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯（BCzVBi )或8-羥基喹啉鋁（Alq3)，厚度為5?40nm。
[0040] 更優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4, 4' -雙（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯 (BCzVBi)，厚度為 30nm。
[0041] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、l，2, 4-三唑衍 生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑（TPBI)，厚度為40?300nm。
[0042] 更優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)，厚度為 250nm〇
[0043] 優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)或氟 化鋰（LiF);厚度為0· 5?10nm。
[0044] 更優(yōu)選地，電子注入層的材料為氟化鋰（LiF)，厚度為lnm。
[0045] 本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果：
[0046] (1)本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，具有復合陰極層結構，復合陰極層包括依次 疊層設置的有機硅小分子層、導電氧化物層和金屬層，有機硅小分子材料易結晶，結晶后能 使膜層表面呈現(xiàn)波紋狀結構，這種結構可改變光的折射角，使光進行散射，減少向器件兩側(cè) 發(fā)射的光，由常用的陽極薄膜材料形成的導電氧化物層，可提高器件的導電性與透過性，金 屬層能使光線進行反射回到底部出射，這種復合陰極層最終可有效提高器件的發(fā)光效率；
[0047] (2)本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的制備工藝簡單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模 使用。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0048] 圖1是本發(fā)明實施例1制得的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖；
[0049] 圖2是本發(fā)明實施例1與對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率 的關系圖。
【具體實施方式】
[0050] 下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0051] 實施例1
[0052] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0053] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染 物；
[0054] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΙΤ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0055] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_ 5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為W03，厚度為35nm;空穴 傳輸層的材質(zhì)為TAPC，厚度為50nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi，發(fā)光層厚度為30nm ;電子傳 輸層的材料為Bphen，厚度為250nm ;電子注入層的材料為LiF，厚度為lnm。
[0056] (3)在電子注入層上制備復合陰極層，得到有機電致發(fā)光器件；復合陰極層包括依 次層疊的有機娃小分子層、導電氧化物層和金屬層；
[0057] 復合陰極層的制備：先通過真空蒸鍍的方式在所述電子注入層上制備一層厚度 為50nm的有機硅小分子層，材料為UGH2,蒸鍍速率為0. 2nm/s ;再通過磁控濺射的方式在 有機娃小分子層上制備一層厚度為60nm的導電氧化物層，材料為ΙΤ0,磁控溉射的加速電 壓為400V，磁場為150G，功率密度為25W/cm 2 ;最后通過真空蒸鍍的方式在導電氧化物層上 制備一層厚度為300nm的金屬層，材料為Ag，蒸鍍速率為3nm/s，真空蒸鍍過程的真空度為 8Xl(T 5Pa。
[0058] 圖1是本發(fā)明實施例1制得的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖。如圖1所示，本實 施例有機電致發(fā)光器件，依次包括ΙΤ0玻璃基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、 電子傳輸層5、電子注入層6和復合陰極層7。所述復合陰極層7依次包括一層厚度為50nm 的有機硅小分子層71、一層厚度為60nm的導電氧化物層72和一層厚度為300nm的金屬層 73。該有機電致發(fā)光器件的結構為：ΙΤ0 玻璃 /W03/TAPC/BCzVBi/Bphen/LiF/UGH2/IT0/Ag， 其中，斜杠"/"表示層狀結構，下同。
[0059] 實施例2
[0060] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0061] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染 物；
[0062] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΑΖ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0063] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為1 X 10_5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為W03，厚度為80nm ;空穴 傳輸層的材質(zhì)為TCTA，厚度為60nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為ADN，厚度為5nm ;電子傳輸層的材料 為Bphen，厚度為200nm ;電子注入層的材料為CsN3,厚度為10nm。
[0064] (3)在電子注入層上制備復合陰極層，得到有機電致發(fā)光器件；復合陰極層包括依 次層疊的有機娃小分子層、導電氧化物層和金屬層；
[0065] 復合陰極層的制備：先通過真空蒸鍍的方式在所述電子注入層上制備一層厚度 為lOOnm的有機硅小分子層，材料為UGH1，蒸鍍速率為0. lnm/s ;再通過磁控濺射的方式在 有機娃小分子層上制備一層厚度為80nm的導電氧化物層，材料為AZ0,磁控溉射的加速電 壓為800V，磁場為50G，功率密度為lW/cm 2 ;最后通過真空蒸鍍的方式在導電氧化物層上制 備一層厚度為200nm的金屬層，材料為A1，蒸鍍速率為lOnm/s，真空蒸鍍過程的真空度為 2Xl(T 3Pa。
[0066] 本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結構為：AZ0玻璃/WO/TCTA/ADN/Bphen/ CsN3/UGH1/AZ0/A1。
[0067] 實施例3
[0068] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0069] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染 物；
[0070] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΙΖ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0071] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_ 5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為V205，厚度為20nm;空 穴傳輸層的材質(zhì)為TCTA，厚度為30nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為Alq3，厚度為40nm ;電子傳輸層的材 料為TPBi，厚度為60nm ;電子注入層的材料為CsF，厚度為0· 5nm。
[0072] (3)在電子注入層上制備復合陰極層，得到有機電致發(fā)光器件；復合陰極層包括依 次層疊的有機娃小分子層、導電氧化物層和金屬層；
[0073] 復合陰極層的制備：先通過真空蒸鍍的方式在所述電子注入層上制備一層厚度 為20nm的有機硅小分子層，材料為UGH3,蒸鍍速率為lnm/s ;再通過磁控濺射的方式在有 機娃小分子層上制備一層厚度為20nm的導電氧化物層，材料為IZ0,磁控溉射的加速電壓 為300V，磁場為200G，功率密度為40W/cm 2 ;最后通過真空蒸鍍的方式在導電氧化物層上 制備一層厚度為500nm的金屬層，材料為Pt，蒸鍍速率為lnm/s，真空蒸鍍過程的真空度為 5Xl(T 5Pa。
[0074] 本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結構為：ΙΖ0玻璃/V205/TCTA/Alq 3/TPBi/ CsF/UGH3/IZ0/Pt。
[0075] 實施例4
[0076] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0077] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染 物；
[0078] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΙΖ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0079] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_ 5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03，厚度為30nm;空 穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC，厚度為50nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB，厚度為5nm ;電子傳輸層的 材料為Bphen，厚度為40nm ;電子注入層的材料為Cs2C03,厚度為lnm。
[0080] (3)在電子注入層上制備復合陰極層，得到有機電致發(fā)光器件；復合陰極層包括依 次層疊的有機娃小分子層、導電氧化物層和金屬層；
[0081] 復合陰極層的制備：先通過真空蒸鍍的方式在所述電子注入層上制備一層厚度 為80nm的有機硅小分子層，材料為UGH4,蒸鍍速率為0. 2nm/s ;再通過磁控濺射的方式在 有機娃小分子層上制備一層厚度為50nm的導電氧化物層，材料為ΙΤ0,磁控溉射的加速電 壓為400V，磁場為180G，功率密度為35W/cm 2 ;最后通過真空蒸鍍的方式在導電氧化物層上 制備一層厚度為280nm的金屬層，材料為Au，蒸鍍速率為5nm/s，真空蒸鍍過程的真空度為 5Xl(T 4Pa。
[0082] 本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結構為：ΙΖ0玻璃/Mo03/TAPC/DCJTB/Bphen/ Cs2C03/UGH4/IT0/Au。
[0083] 對比實施例
[0084] 為體現(xiàn)本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設置了對比實施例，對比實施例與實施例1的 區(qū)別在于對比實施例中的陰極為金屬單質(zhì)銀(Ag)，厚度為120nm，對比實施例有機電致發(fā) 光器件的具體結構為：ΙΤ0玻璃WO/TAPC/BCzVBi/Bphen/LiF/Ag，分別對應導電陽極玻璃基 底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0085] 采用美國海洋光學Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國 吉時利公司的電流-電壓測試儀Keithley2400測試電學性能，日本柯尼卡美能達公司的 CS-100A色度計測試亮度和色度，得到有機電致發(fā)光器件的流明效率隨亮度變化曲線，以考 察器件的發(fā)光效率，測試對象為實施例1與對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件。測試結 果如圖2所示。
[0086] 圖2是實施例1與對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關系 圖。其中，曲線1為實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關系圖；曲線2 為對比實施例制備的有機電致發(fā)光器件的亮度與流明效率的關系圖。從圖2中可以看到， 在不同亮度下，實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的流明效率都比對比實施例的要大，實 施例1制備的有機電致發(fā)光器件的最大的流明效率為7. 701m/W，而對比例的僅為4. 901m/ W，同時，隨著亮度的增大，實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的流明效率衰減減慢，且仍能 保持較高的效率。這說明，有機硅小分子材料易結晶，結晶后能使膜層表面呈現(xiàn)波紋狀結 構，這種結構可改變光的折射角，使光進行散射，減少向器件兩側(cè)發(fā)射的光，由常用的陽極 薄膜材料形成的導電氧化物層，可提高器件的導電性與透過性，金屬層能使光線進行反射 回到底部出射，這種復合陰極層最終可有效提高器件的發(fā)光效率。
[0087] 以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員 來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為 本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導電陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復合陰極層，其特征在于，所述復合陰極層包括依次疊 層設置的有機硅小分子層、導電氧化物層和金屬層， 所述有機娃小分子層的材料為二苯基二（〇-甲苯基）娃、p-二(三苯基娃）苯、1，3-雙 (三苯基硅）苯或P-雙(三苯基硅）苯；所述導電氧化物層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物 或銦鋅氧化物；所述金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金。
2. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機硅小分子層的厚度 為 20 ?lOOnm。
3. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述導電氧化物層的厚度為 20 ?80nm。
4. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬層的厚度為200? 500nm。
5. -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 在導電陽極基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入 層； 在所述電子注入層上制備復合陰極層：先通過真空蒸鍍的方式在所述電子注入層上制 備有機硅小分子層，再通過磁控濺射的方式在所述有機硅小分子層上制備導電氧化物層， 最后通過真空蒸鍍的方式在導電氧化物層上制備金屬層，得到有機電致發(fā)光器件； 所述有機娃小分子層的材料為二苯基二（〇-甲苯基）娃、p-二(三苯基娃）苯、1，3-雙 (三苯基硅）苯或P-雙(三苯基硅）苯；所述導電氧化物層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物 或銦鋅氧化物；所述金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金； 所述真空蒸鍍過程中，真空度為2 X ΚΓ3?5 X l(T5Pa，所述有機硅小分子層的材料蒸鍍 速率為0. 1?lnm/s，所述金屬層的材料蒸鍍速率為1?10nm/s ;所述磁控溉射的加速電壓 為300?800V，磁場為50?200G，功率密度為1?40W/cm2。
6. 如權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述有機硅小分 子層的厚度為20?lOOnm。
7. 如權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述導電氧化物 層的厚度為20?80nm。
8. 如權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述金屬層的厚 度為200?500nm。
【文檔編號】H01L51/52GK104124357SQ201310143875
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年4月24日 優(yōu)先權日:2013年4月24日
【發(fā)明者】周明杰, 黃輝, 陳吉星, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司