一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復(fù)合陰極層，所述復(fù)合陰極層包括依次疊層設(shè)置的第一金屬層、摻雜層和第二金屬層，第一金屬層和第二金屬層的材料均選自銀、鋁、鉑或金，摻雜層的材料為有機(jī)硅小分子材料摻雜VB族金屬氧化物形成的混合材料，有機(jī)硅小分子材料為二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-雙（三苯基硅）苯或p-雙（三苯基硅）苯；VB族金屬氧化物為五氧化二鉭、五氧化二釩或五氧化二鈮。該有機(jī)電致發(fā)光器件的復(fù)合陰極層能使光進(jìn)行散射，從而提高器件發(fā)光效率。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 1987年，美國Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光 研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器 件（0LED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，10V下亮度達(dá)到lOOOcd/m 2,其發(fā)光效率為1. 511m/W、壽 命大于100小時(shí)。
[0003] 在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到器件外部，而其 他的部分會(huì)以其他形式消耗在器件外部，這是由于界面之間存在折射率的差(如玻璃與ΙΤ0 之間的折射率之差，玻璃折射率為1. 5, ΙΤ0為1. 8,光從ΙΤ0到達(dá)玻璃，就會(huì)發(fā)生全反射)， 引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致發(fā)光器件的整體出光性能較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方 法。通過在電子注入層上制備復(fù)合陰極層，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0005] -方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基板、空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復(fù)合陰極層，所述復(fù)合陰極層包 括依次疊層設(shè)置的第一金屬層、摻雜層和第二金屬層，
[0006] 所述第一金屬層的材料為銀（Ag)、鋁（A1)、鉬（Pt)或金（Au)，所述摻雜層的材料 為有機(jī)娃小分子材料摻雜VB族金屬氧化物形成的混合材料，所述有機(jī)娃小分子材料為二 苯基二（〇-甲苯基）硅（UGH1)、p-二(三苯基硅）苯（UGH2 )、1，3-雙(三苯基硅）苯（UGH3 )或 P-雙(三苯基硅）苯（UGH4);所述VB族金屬氧化物為五氧化二鉭（Ta205)、五氧化二釩（V 205) 或五氧化二鈮（Nb205)，所述第二金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金。
[0007] 優(yōu)選地，所述摻雜層中，所述有機(jī)硅小分子材料與VB族金屬氧化物的質(zhì)量比為 1:0· 5 ?2。
[0008] 優(yōu)選地，所述第一金屬層的厚度為5?30nm。
[0009] 優(yōu)選地，所述摻雜層的厚度為20?100nm。
[0010] 優(yōu)選地，所述第二金屬層的厚度為200?500nm。
[0011] 復(fù)合陰極層包括依次疊層設(shè)置的第一金屬層、摻雜層和第二金屬層。在電子注入 層之上制備第一金屬層，可提高光線的透過率，同時(shí)，形成一層平整的金屬膜層，使電子注 入層的粗糙度降低，界面缺陷減少，然后制備一層摻雜層，由有機(jī)硅小分子材料與VB族金 屬氧化物形成，有機(jī)硅小分子材料在室溫下便可以結(jié)晶，結(jié)晶后使膜層表面呈現(xiàn)波紋狀結(jié) 構(gòu)，當(dāng)光從這邊出射時(shí)，可以改變光的折射角，使光進(jìn)行散射，減少向器件兩側(cè)發(fā)射的光，而 VB族金屬氧化物在可見光范圍內(nèi)有很強(qiáng)的透過率，達(dá)到85%以上，可使大部分的光透過，最 后再制備第二金屬層，主要起導(dǎo)電和反射的作用，這種復(fù)合陰極層最終可有效提高發(fā)光效 率。
[0012] 導(dǎo)電陽極基板可以為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)聚對苯二甲酸乙二醇酯基板。優(yōu) 選地，導(dǎo)電陽極基板為銦錫氧化物玻璃（ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃（ΑΖ0)或銦鋅氧化物玻璃 (ΙΖ0)。更優(yōu)選地，導(dǎo)電陽極基板為銦錫氧化物玻璃。
[0013] 空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限 定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用于本發(fā)明。
[0014] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰（M〇03)、三氧化鎢（W03)或五氧化二釩 (V 2〇5)，空穴注入層的厚度為20?80nm。
[0015] 更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03，厚度為35nm。
[0016] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，f -二（p-甲苯基）氨基]苯基] 環(huán)己烷（了六?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)或1^-(1-萘基），4'-二 苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（NPB)，厚度為20?60nm。
[0017] 更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為Ν，Ν' - (1-萘基）-Ν，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二 胺（ΝΡΒ)，厚度為50nm。
[0018] 優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亞萘基蒽（ADN)、4, 4' -雙（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯（BCzVBi )或8-羥基喹啉鋁（Alq3)，厚度為5?40nm。
[0019] 更優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4, 4'-雙（9-乙基-3-咔唑乙烯基）_1，Γ-聯(lián)苯 (BCzVBi)，厚度為 30nm。
[0020] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、l，2, 4-三唑衍 生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑（TPBI)，厚度為40?300nm。
[0021] 更優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)，厚度為 250nm。
[0022] 優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)或氟 化鋰（LiF);厚度為0· 5?10nm。
[0023] 更優(yōu)選地，電子注入層的材料為氟化鋰（LiF)，厚度為lnm。
[0024] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0025] 在導(dǎo)電陽極基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子 注入層；
[0026] 在所述電子注入層上制備復(fù)合陰極層：先通過真空蒸鍍的方式在所述電子注入層 上制備第一金屬層，再通過電子束蒸鍍的方式在所述第一金屬層上制備摻雜層，最后通過 真空蒸鍍的方式在摻雜層上制備第二金屬層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0027] 所述第一金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金，所述摻雜層的材料為有機(jī)硅小分子材料 摻雜VB族金屬氧化物形成的混合材料，所述有機(jī)娃小分子材料為二苯基二（〇-甲苯基)娃、 P -二(三苯基娃）苯、1，3-雙(三苯基娃）苯或p-雙(三苯基娃）苯；所述VB族金屬氧化物為 五氧化二鉭、五氧化二釩或五氧化二鈮；所述第二金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金；
[0028] 所述電子束蒸鍍的能量密度為10?lOOW/cm2,所述摻雜層的材料蒸鍍速率為1? lOnm/s ;所述真空蒸鍍過程中，真空度為2ΧΚΓ3?5Xl(T5Pa，所述第一金屬層和第二金屬 層的材料蒸鍍速率為1?l〇nm/s。
[0029] 優(yōu)選地，所述摻雜層中，所述有機(jī)硅小分子材料與VB族金屬氧化物的質(zhì)量比為 1:0· 5 ?2〇
[0030] 優(yōu)選地，所述第一金屬層的厚度為5?30nm。
[0031] 優(yōu)選地，所述摻雜層的厚度為20?lOOrnn。
[0032] 優(yōu)選地，所述第二金屬層的厚度為200?500nm。
[0033] 導(dǎo)電陽極基板可以為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)聚對苯二甲酸乙二醇酯基板。優(yōu) 選地，導(dǎo)電陽極基板為銦錫氧化物玻璃（IT0)、鋁鋅氧化物玻璃（AZ0)或銦鋅氧化物玻璃 (IZ0)。更優(yōu)選地，導(dǎo)電陽極基板為銦錫氧化物玻璃。
[0034] 優(yōu)選地，將陽極基板進(jìn)行如下清潔處理：依次采用洗潔精、去離子水各超聲清洗 15分鐘，然后再用烘箱烘干待用。
[0035] 空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限 定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用于本發(fā)明?？昭ㄗ⑷雽印⒖昭▊鬏攲?、電子傳輸層、電子注入層和 發(fā)光層均可采用真空蒸鍍的方式制備，其具體操作條件不作特殊限定。
[0036] 優(yōu)選地，真空蒸鍍的溫度為100?500°C，真空度為1ΧΚΓ3?lXl(T 5Pa。
[0037] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰（M〇03)、三氧化鎢（W03)或五氧化二釩 (V 2〇5)，空穴注入層的厚度為20?80nm。
[0038] 更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03，厚度為35nm。
[0039] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為1，1-二[4-[N，f -二（p-甲苯基）氨基]苯基] 環(huán)己烷（了六?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)或1^-(1-萘基），4'-二 苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（NPB)，厚度為20?60nm。
[0040] 更優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為Ν，Ν' - (1-萘基）-N，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二 胺（ΝΡΒ)，厚度為50nm。
[0041] 優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亞萘基蒽（ADN)、4, 4' -雙（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -聯(lián)苯（BCzVBi )或8-羥基喹啉鋁（Alq3)，厚度為5?40nm。
[0042] 更優(yōu)選地，發(fā)光層的發(fā)光材料為4, 4' -雙（9-乙基-3-咔唑乙烯基）_1，Γ -聯(lián)苯 (BCzVBi)，厚度為 30nm。
[0043] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、l，2, 4-三唑衍 生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑（TPBI)，厚度為40?300nm。
[0044] 更優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)，厚度為 250nm〇
[0045] 優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)或氟 化鋰（LiF);厚度為0· 5?10nm。
[0046] 更優(yōu)選地，電子注入層的材料為氟化鋰（LiF)，厚度為lnm。
[0047] 本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果：
[0048] (1)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，具有復(fù)合陰極層結(jié)構(gòu)，復(fù)合陰極層包括依次 疊層設(shè)置的第一金屬層、摻雜層和第二金屬層，第一金屬層可提高光線的透過率，同時(shí)，形 成一層平整的金屬膜層，使電子注入層的粗糙度降低，界面缺陷減少；摻雜層的有機(jī)硅小分 子材料易結(jié)晶，結(jié)晶后使膜層表面呈現(xiàn)波紋狀結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)可以改變光的折射角，使光進(jìn) 行散射，減少向器件兩側(cè)發(fā)射的光，而VB族金屬氧化物在可見光范圍內(nèi)有很強(qiáng)的透過率， 可使大部分的光透過；第二金屬層主要起導(dǎo)電和反射的作用，這種復(fù)合陰極層最終可有效 提高發(fā)光效率；
[0049] (2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝簡單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模 使用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0050] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1與對比實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與流明 效率的關(guān)系圖。

【具體實(shí)施方式】
[0052] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0053] 實(shí)施例1
[0054] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0055] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染 物；
[0056] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΙΤ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0057] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_ 5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03，厚度為35nm;空 穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC，厚度為50nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為BCzVBi，發(fā)光層厚度為30nm ;電子 傳輸層的材料為Bphen，厚度為250nm ;電子注入層的材料為LiF，厚度為lnm。
[0058] (3)在電子注入層上制備復(fù)合陰極層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；復(fù)合陰極層包括依 次層疊的第一金屬層、摻雜層和第二金屬層；
[0059] 復(fù)合陰極層的制備：先通過真空蒸鍍的方式在所述電子注入層上制備一層厚度 為15nm的第一金屬層，材料為Ag，蒸鍍速率為3nm/s ;再通過電子束蒸鍍的方式在所述第 一金屬層上制備一層厚度為50nm的摻雜層，材料為UGH2與Ta20 5形成的混合材料(表不為 UGH2:Ta205)，UGH2與Ta 205的質(zhì)量比為1:1，蒸鍍速率為3nm/s，電子束蒸鍍的能量密度為 30W/cm 2 ;最后通過真空蒸鍍的方式在摻雜層上制備一層厚度為400nm的第二金屬層，材料 為A1，蒸鍍速率為3nm/s，真空蒸鍍過程的真空度為8Xl(T 5Pa。
[0060] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí) 施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括ΙΤ0玻璃基板1、空穴注入層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、 電子傳輸層5、電子注入層6和復(fù)合陰極層7。所述復(fù)合陰極層7依次包括一層厚度為15nm 的第一金屬層71、一層厚度為50nm的摻雜層72和一層厚度為400nm的第二金屬層73。該有 機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0 玻璃 /Mo03/TAPC/BCZVBi/Bphen/LiF/Ag/UGH2:Ta 205(l: 1)/ A1，其中，斜杠"/"表不層狀結(jié)構(gòu)，UGH2:Ta205中的冒號"："表不混合，1:1表不前者和后者 的質(zhì)量比，后面實(shí)施例中各個(gè)符合表示的意義相同。
[0061] 實(shí)施例2
[0062] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0063] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染 物；
[0064] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΑΖ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0065] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為1 X 10_5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為W03，厚度為80nm ;空穴 傳輸層的材質(zhì)為TCTA，厚度為60nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為ADN，厚度為5nm ;電子傳輸層的材料 為Bphen，厚度為200nm ;電子注入層的材料為CsN3,厚度為10nm。
[0066] (3)在電子注入層上制備復(fù)合陰極層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；復(fù)合陰極層包括依 次層疊的第一金屬層、摻雜層和第二金屬層；
[0067] 復(fù)合陰極層的制備：先通過真空蒸鍍的方式在所述電子注入層上制備一層厚度 為5nm的第一金屬層，材料為A1，蒸鍍速率為10nm/s ;再通過電子束蒸鍍的方式在所述第 一金屬層上制備一層厚度為l〇〇nm的摻雜層，材料為UGH1與V205形成的混合材料(表不 為UGH1:V 205)，UGH1與V205的質(zhì)量比為1:2,蒸鍍速率為lOnm/s，電子束蒸鍍的能量密度為 10W/cm 2 ;最后通過真空蒸鍍的方式在摻雜層上制備一層厚度為200nm的第二金屬層，材料 為Ag，蒸鍍速率為lOnm/s，真空蒸鍍過程的真空度為2Xl(T 3Pa。
[0068] 本實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：AZ0玻璃/WO/TCTA/ADN/Bphen/ CsN3/A1/UGH1 : V205 (1:2) /Ag。
[0069] 實(shí)施例3
[0070] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0071] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染 物；
[0072] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΙΖ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0073] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°C，真空度為lX10_ 5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為V205，厚度為20nm;空 穴傳輸層的材質(zhì)為TCTA，厚度為30nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為Alq3，厚度為40nm ;電子傳輸層的材 料為TPBi，厚度為60nm ;電子注入層的材料為CsF，厚度為0· 5nm。
[0074] (3)在電子注入層上制備復(fù)合陰極層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；復(fù)合陰極層包括依 次層疊的第一金屬層、摻雜層和第二金屬層；
[0075] 復(fù)合陰極層的制備：先通過真空蒸鍍的方式在所述電子注入層上制備一層厚度 為30nm的第一金屬層，材料為Au，蒸鍍速率為lnm/s ;再通過電子束蒸鍍的方式在所述第 一金屬層上制備一層厚度為20nm的摻雜層，材料為UGH3與Nb20 5形成的混合材料(表不為 UGH3:Nb205)，UGH3與Nb 205的質(zhì)量比為1:0. 5,蒸鍍速率為lnm/s，電子束蒸鍍的能量密度為 100W/cm2 ;最后通過真空蒸鍍的方式在摻雜層上制備一層厚度為500nm的第二金屬層，材料 為Pt，蒸鍍速率為lnm/s，真空蒸鍍過程的真空度為5Xl(T5Pa。
[0076] 本實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：ΙΖ0玻璃/V205/TCTA/Alq 3/TPBi/ CsF/Au/UGH3:Nb205 (l:0. 5)/Pt。
[0077] 實(shí)施例4
[0078] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0079] (1)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機(jī)污染 物；
[0080] (2)采用真空蒸鍍的方法在ΙΖ0玻璃基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0081] 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯?蒸鍍溫度為400°c，真空度為lX10_ 5Pa。其中，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03，厚度為30nm;空 穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC，厚度為50nm ;發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB，厚度為5nm ;電子傳輸層的 材料為Bphen，厚度為40nm ;電子注入層的材料為Cs2C03,厚度為lnm。
[0082] (3)在電子注入層上制備復(fù)合陰極層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；復(fù)合陰極層包括依 次層疊的第一金屬層、摻雜層和第二金屬層；
[0083] 復(fù)合陰極層的制備：先通過真空蒸鍍的方式在所述電子注入層上制備一層厚度 為10nm的第一金屬層，材料為Pt，蒸鍍速率為5nm/s ;再通過電子束蒸鍍的方式在所述第 一金屬層上制備一層厚度為60nm的摻雜層，材料為UGH4與Ta205形成的混合材料(表不為 UGH4:Ta 205)，UGH4與Ta205的質(zhì)量比為1:1. 5,蒸鍍速率為5nm/s，電子束蒸鍍的能量密度為 80W/cm2 ;最后通過真空蒸鍍的方式在摻雜層上制備一層厚度為350nm的第二金屬層，材料 為Au，蒸鍍速率為5nm/s，真空蒸鍍過程的真空度為5X l(T4Pa。
[0084] 本實(shí)施例提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為：IZ0玻璃/Mo03/TAPC/DCJTB/Bphen/ Cs 2C03/Pt/UGH4: Ta205 (1:1. 5) /Au 〇
[0085] 對比實(shí)施例
[0086] 為體現(xiàn)本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了對比實(shí)施例，對比實(shí)施例與實(shí)施例1的 區(qū)別在于對比實(shí)施例中的陰極為金屬單質(zhì)銀(Ag)，厚度為120nm，對比實(shí)施例有機(jī)電致發(fā) 光器件的具體結(jié)構(gòu)為：ΙΤ0玻璃/MoO/TAPC/BCzVBi/Bphen/LiF/Ag，分別對應(yīng)導(dǎo)電陽極玻璃 基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0087] 采用美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國 吉時(shí)利公司的電流-電壓測試儀Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的 CS-100A色度計(jì)測試亮度和色度，得到有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率隨電流密度變化曲線， 以考察器件的發(fā)光效率，測試對象為實(shí)施例1與對比實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件。測 試結(jié)果如圖2所示。
[0088] 圖2是實(shí)施例1與對比實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率的 關(guān)系圖。其中，曲線1為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率的關(guān)系 圖；曲線2為對比實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率的關(guān)系圖。從圖 2中可以看到，在不同電流密度下，實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率都比對比 實(shí)施例的要大，實(shí)施例1制備有機(jī)電致發(fā)光器件的最大的流明效率為6. 331m/W，而對比實(shí) 施例的僅為3. 491m/W，同時(shí)，隨著電流密度的增大，實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的流 明效率衰減較慢，依然保持在一個(gè)比較高的數(shù)值。這說明，第一金屬層可使電子注入層的粗 糙度降低，界面缺陷減少，摻雜層使膜層表面呈現(xiàn)波紋狀結(jié)構(gòu)，使光進(jìn)行散射，使大部分的 光透過，而第二金屬層，主要是起到導(dǎo)電和反射的作用，復(fù)合陰極層最終有效提高了器件的 發(fā)光效率。
[0089] 以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為 本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基板、空穴注入層、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和復(fù)合陰極層，其特征在于，所述復(fù)合陰極層包括依次疊 層設(shè)置的第一金屬層、摻雜層和第二金屬層， 所述第一金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金，所述摻雜層的材料為有機(jī)硅小分子材料摻雜 VB族金屬氧化物形成的混合材料，所述有機(jī)娃小分子材料為二苯基二（〇-甲苯基)娃、p-二 (三苯基娃）苯、1，3-雙(三苯基娃）苯或p-雙(三苯基娃）苯；所述VB族金屬氧化物為五氧 化二鉭、五氧化二釩或五氧化二鈮；所述第二金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述摻雜層中，所述有機(jī)硅小 分子材料與VB族金屬氧化物的質(zhì)量比為1:0. 5?2。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為5? 30nm〇
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述摻雜層的厚度為20? 100nm〇
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二金屬層的厚度為 200 ?500nm。
6. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 在導(dǎo)電陽極基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入 層； 在所述電子注入層上制備復(fù)合陰極層：先通過真空蒸鍍的方式在所述電子注入層上制 備第一金屬層，再通過電子束蒸鍍的方式在所述第一金屬層上制備摻雜層，最后通過真空 蒸鍍的方式在摻雜層上制備第二金屬層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件； 所述第一金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金，所述摻雜層的材料為有機(jī)硅小分子材料摻雜 VB族金屬氧化物形成的混合材料，所述有機(jī)娃小分子材料為二苯基二（〇-甲苯基)娃、p-二 (三苯基娃）苯、1，3-雙(三苯基娃）苯或p-雙(三苯基娃）苯；所述VB族金屬氧化物為五氧 化二鉭、五氧化二釩或五氧化二鈮；所述第二金屬層的材料為銀、鋁、鉬或金； 所述電子束蒸鍍的能量密度為10?l〇〇W/cm2,所述摻雜層的材料蒸鍍速率為1? lOnm/s ;所述真空蒸鍍過程中，真空度為2 X ΚΓ3?5 X l(T5Pa，所述第一金屬層和第二金屬 層的材料蒸鍍速率為1?l〇nm/s。
7. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述摻雜層中，所 述有機(jī)硅小分子材料與VB族金屬氧化物的質(zhì)量比為1:0. 5?2。
8. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一金屬層 的厚度為5?30nm。
9. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述摻雜層的厚 度為20?lOOnm。
10. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第二金屬層 的厚度為200?500nm。
【文檔編號】H01L51/56GK104124358SQ201310143911
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2013年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月24日
【發(fā)明者】周明杰, 黃輝, 陳吉星, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司