一種存儲(chǔ)單元的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種存儲(chǔ)單元，包含控制柵（21），存儲(chǔ)單元層（23），控制柵（21）和存儲(chǔ)單元（23）之間的絕緣電介質(zhì)層（22），隧道絕緣層（24），溝道（25），其中，隧道絕緣層（24）位于溝道（25）上方為非平面的。本發(fā)明通過(guò)在存儲(chǔ)單元層與溝道之間的隧道絕緣層為非平面的設(shè)計(jì)，可以立體地增加溝道寬度，由此增加存儲(chǔ)單元溝道打開(kāi)后的溝道電流，提高存儲(chǔ)信息的讀取和存儲(chǔ)速度，從而為工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)一步縮小提供條件。
【專利說(shuō)明】一種存儲(chǔ)單元

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及存儲(chǔ)領(lǐng)域，尤其涉及一種存儲(chǔ)單元。

【背景技術(shù)】
[0002] 在現(xiàn)有技術(shù)中，存儲(chǔ)單元層和溝道之間的隧道絕緣層都是平面的，如下所示。圖1 是現(xiàn)有技術(shù)存儲(chǔ)單元Y方向的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)連續(xù)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu) 示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)斷開(kāi)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖。從圖1至圖3可以看出， 現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)單元包含控制柵11，存儲(chǔ)單元層13,控制柵11和存儲(chǔ)單元13之間的絕緣 電介質(zhì)層12、隧道絕緣層14、溝道15以及相鄰兩個(gè)溝道之間的絕緣層16,其中存儲(chǔ)單元層 13,絕緣電介質(zhì)層12,隧道絕緣層14位于溝道15上方為平面的。
[0003] 隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，無(wú)論電子遂穿氧化層（ΕΤ0Χ)還是S0N0S結(jié)構(gòu)，N0R閃存 (Flash)還是NAND閃存（Flash)，其存儲(chǔ)單元的溝道寬度一再縮小，這樣繼續(xù)使用平面形狀 的隧道絕緣層，存儲(chǔ)單元的溝道寬度較窄，溝道打開(kāi)后的電流有限，因此影響到存儲(chǔ)信息的 讀取和存儲(chǔ)速度，而且存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的縮小也因此受到限制，影響了存儲(chǔ)密度的提高，不利于降 低存儲(chǔ)成本。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明提出了一種存儲(chǔ)單元，能夠提高存儲(chǔ)單元溝道的立體寬度。
[0005] 為達(dá)此目的，本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)單元，包含控制柵，存儲(chǔ)單元層，所述控制柵 和所述存儲(chǔ)單元之間的絕緣電介質(zhì)層，隧道絕緣層以及溝道，其中
[0006] 所述隧道絕緣層位于所述溝道上方為非平面的。
[0007] 優(yōu)選地，所述絕緣電介質(zhì)層，所述存儲(chǔ)單元層和所述隧道絕緣層位于所述溝道上 方為非平面的。
[0008] 優(yōu)選地，所述絕緣電介質(zhì)層，所述存儲(chǔ)單元層和所述隧道絕緣層位于溝道上方為 凸形。
[0009] 優(yōu)選地，所述絕緣電介質(zhì)層，所述存儲(chǔ)單元層和所述隧道絕緣層位于溝道上方為 凹形。
[0010] 優(yōu)選地，所述絕緣電介質(zhì)層，所述存儲(chǔ)單元層和所述隧道絕緣層位于溝道上方為 橫截面為梯形的凸起。
[0011] 優(yōu)選地，所述絕緣電介質(zhì)層，所述存儲(chǔ)單元層和所述隧道絕緣層位于溝道上方為 橫截面為梯形的凹槽。
[0012] 優(yōu)選地，所述絕緣電介質(zhì)層，所述存儲(chǔ)單元層和所述隧道絕緣層位于溝道上方為 弧形凸起。
[0013] 優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)單元層，所述絕緣電介質(zhì)層和所述隧道絕緣層位于溝道為弧形 凹槽。
[0014] 優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)單元層為斷開(kāi)的或連續(xù)的。
[0015] 優(yōu)選地，所述存儲(chǔ)單元為電子遂穿氧化層結(jié)構(gòu)或者S0N0S結(jié)構(gòu)。
[0016] 本發(fā)明通過(guò)在存儲(chǔ)單元層與溝道之間的隧道絕緣層為非平面的設(shè)計(jì)，可以立體地 增加溝道寬度，由此增加存儲(chǔ)單元溝道打開(kāi)后的溝道電流，提高存儲(chǔ)信息的讀取和存儲(chǔ)速 度，從而為工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)一步縮小提供條件。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017] 圖1是現(xiàn)有技術(shù)存儲(chǔ)單元Y方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018] 圖2是現(xiàn)有技術(shù)連續(xù)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019] 圖3是現(xiàn)有技術(shù)斷開(kāi)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例的連續(xù)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖5是本發(fā)明第一實(shí)施例的斷開(kāi)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022] 圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例的連續(xù)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖7是本發(fā)明第二實(shí)施例的斷開(kāi)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖8是本發(fā)明第三實(shí)施例的連續(xù)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖9是本發(fā)明第三實(shí)施例的斷開(kāi)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026] 圖10是本發(fā)明第四實(shí)施例的連續(xù)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0027] 圖11是本發(fā)明第四實(shí)施例的斷開(kāi)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028] 下面結(jié)合附圖并通過(guò)【具體實(shí)施方式】來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案。可以理解的 是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明 的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容。
[0029] 圖4是第一實(shí)施例的本發(fā)明連續(xù)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是第一實(shí) 施例的本發(fā)明斷開(kāi)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030] 如圖4和圖5所示，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)單元，包含控制柵21、存儲(chǔ)單元層23、控 制柵21和存儲(chǔ)單元23之間的絕緣電介質(zhì)層22、隧道絕緣層24、溝道25以及位于兩個(gè)溝道 25之間的絕緣層26,其中，隧道絕緣層24位于溝道25上方為非平面的。存儲(chǔ)單元層23可 以為斷開(kāi)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，也可以為連續(xù)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；存儲(chǔ)單元可以為電子遂穿氧化層結(jié)構(gòu)或 者S0N0S結(jié)構(gòu)；存儲(chǔ)單元可以為N0R閃存Flash的存儲(chǔ)單元，也可以為NAND閃存Flash的 存儲(chǔ)單元。
[0031] 而且，"非平面的"為任何工藝上可以實(shí)現(xiàn)的，能夠增加溝道寬度的任意非平面的 立體形狀。通過(guò)非平面的隧道絕緣層的設(shè)計(jì)，可以立體地增加溝道寬度，由此增加存儲(chǔ)單元 溝道打開(kāi)后的溝道電流，提高存儲(chǔ)信息的讀取和存儲(chǔ)速度，從而為工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)一步縮小 提供條件。
[0032] 由于隧道絕緣層24位于溝道25上方為非平面的，為了工藝上便于實(shí)現(xiàn)，通常絕緣 電介質(zhì)層22,存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為非平面的。其中，當(dāng)存儲(chǔ) 單元層23為連續(xù)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)時(shí)，位于絕緣層26上方的絕緣電介質(zhì)層22和存儲(chǔ)單元層23 可以為平面的，也可以為非平面的，例如弧形凹槽或者弧形凸起；當(dāng)存儲(chǔ)單元層23為斷開(kāi) 的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)時(shí)，位于絕緣層26上方的絕緣電介質(zhì)層22可以為平面的，也可以為非平面的， 例如弧形凹槽或者弧形凸起。
[0033] 優(yōu)選地，絕緣電介質(zhì)層22、存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為凸 形；或者絕緣電介質(zhì)層22、存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為凹形。這里 的凸形和凹形可以為任何工藝上便于實(shí)現(xiàn)的立體形狀。
[0034] 進(jìn)一步地，如圖4和圖5所示，無(wú)論是連續(xù)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)（圖4)或者斷開(kāi)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn) (圖5)，絕緣電介質(zhì)層22、存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為橫截面為梯 形的凸起。
[0035] 圖6是第二實(shí)施例的本發(fā)明連續(xù)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是第二實(shí) 施例的本發(fā)明斷開(kāi)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036] 如圖6和圖7所示，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)單元，包含控制柵21、存儲(chǔ)單元層23、控 制柵21和存儲(chǔ)單元23之間的絕緣電介質(zhì)層22、隧道絕緣層24、溝道25以及位于兩個(gè)溝道 25之間的絕緣層26,其中，隧道絕緣層24位于溝道25上方為非平面的。存儲(chǔ)單元層23可 以為斷開(kāi)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，也可以為連續(xù)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；存儲(chǔ)單元可以為電子遂穿氧化層結(jié)構(gòu)或 者S0N0S結(jié)構(gòu)；存儲(chǔ)單元可以為N0R閃存Flash的存儲(chǔ)單元，也可以為NAND閃存Flash的 存儲(chǔ)單元。
[0037] 而且，"非平面的"為任何工藝上可以實(shí)現(xiàn)的，能夠增加溝道寬度的任意非平面的 立體形狀。通過(guò)非平面的隧道絕緣層的設(shè)計(jì)，可以立體地增加溝道寬度，由此增加存儲(chǔ)單元 溝道打開(kāi)后的溝道電流，提高存儲(chǔ)信息的讀取和存儲(chǔ)速度，從而為工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)一步縮小 提供條件。
[0038] 由于隧道絕緣層24位于溝道25上方為非平面的，為了工藝上便于實(shí)現(xiàn)，通常絕緣 電介質(zhì)層22,存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為非平面的。其中，當(dāng)存儲(chǔ) 單元層23為連續(xù)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)時(shí)，位于絕緣層26上方的絕緣電介質(zhì)層22和存儲(chǔ)單元層23 可以為平面的，也可以為非平面的，例如弧形凹槽或者弧形凸起；當(dāng)存儲(chǔ)單元層23為斷開(kāi) 的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)時(shí)，位于絕緣層26上方的絕緣電介質(zhì)層22可以為平面的，也可以為非平面的， 例如弧形凹槽或者弧形凸起。
[0039] 優(yōu)選地，絕緣電介質(zhì)層22、存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為凸 形；或者絕緣電介質(zhì)層22、存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為凹形。這里 的凸形和凹形可以為任何工藝上便于實(shí)現(xiàn)的立體形狀。
[0040] 進(jìn)一步地，如圖6和圖7所示，無(wú)論是連續(xù)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)（圖4)或者斷開(kāi)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn) (圖5)，絕緣電介質(zhì)層22、存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為橫截面為梯 形的凹槽。以上均可以增加溝道寬度，從而增加存儲(chǔ)單元溝道打開(kāi)后的溝道電流，提高存儲(chǔ) 信息的讀取和存儲(chǔ)速度。
[0041] 圖8是第三實(shí)施例的本發(fā)明連續(xù)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9是第三實(shí) 施例的本發(fā)明斷開(kāi)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0042] 如圖8和圖9所示，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)單元，包含控制柵21、存儲(chǔ)單元層23、控 制柵21和存儲(chǔ)單元23之間的絕緣電介質(zhì)層22、隧道絕緣層24、溝道25以及位于兩個(gè)溝道 25之間的絕緣層26,其中，隧道絕緣層24位于溝道25上方為非平面的。存儲(chǔ)單元層23可 以為斷開(kāi)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，也可以為連續(xù)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；存儲(chǔ)單元可以為電子遂穿氧化層結(jié)構(gòu)或 者S0N0S結(jié)構(gòu)；存儲(chǔ)單元可以為N0R閃存Flash的存儲(chǔ)單元，也可以為NAND閃存Flash的 存儲(chǔ)單元。
[0043] 而且，"非平面的"為任何工藝上可以實(shí)現(xiàn)的，能夠增加溝道寬度的任意非平面的 立體形狀。通過(guò)非平面的隧道絕緣層的設(shè)計(jì)，可以立體地增加溝道寬度，由此增加存儲(chǔ)單元 溝道打開(kāi)后的溝道電流，提高存儲(chǔ)信息的讀取和存儲(chǔ)速度，從而為工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)一步縮小 提供條件。
[0044] 由于隧道絕緣層24位于溝道25上方為非平面的，為了工藝上便于實(shí)現(xiàn)，通常絕緣 電介質(zhì)層22,存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為非平面的。其中，當(dāng)存儲(chǔ) 單元層23為連續(xù)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)時(shí)，位于絕緣層26上方的絕緣電介質(zhì)層22和存儲(chǔ)單元層23 可以為平面的，也可以為非平面的，例如弧形凹槽或者弧形凸起；當(dāng)存儲(chǔ)單元層23為斷開(kāi) 的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)時(shí)，位于絕緣層26上方的絕緣電介質(zhì)層22可以為平面的，也可以為非平面的， 例如弧形凹槽或者弧形凸起。
[0045] 優(yōu)選地，絕緣電介質(zhì)層22、存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為凸 形；或者絕緣電介質(zhì)層22、存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為凹形。這里 的凸形和凹形可以為任何工藝上便于實(shí)現(xiàn)的立體形狀。
[0046] 進(jìn)一步地，如圖8和圖9所示，無(wú)論是連續(xù)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)（圖8)或者斷開(kāi)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn) (圖9)，絕緣電介質(zhì)層22、存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為弧形凸起。
[0047] 圖10是第四實(shí)施例的本發(fā)明連續(xù)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖；以及圖11是 第四實(shí)施例的本發(fā)明斷開(kāi)的存儲(chǔ)單元X方向的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0048] 如圖10和圖11所示所示，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)單元，包含控制柵21、存儲(chǔ)單元層 23、控制柵21和存儲(chǔ)單元23之間的絕緣電介質(zhì)層22、隧道絕緣層24、溝道25以及位于兩個(gè) 溝道25之間的絕緣層26,其中，隧道絕緣層24位于溝道25上方為非平面的。存儲(chǔ)單元層 23可以為斷開(kāi)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，也可以為連續(xù)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；存儲(chǔ)單元可以為電子遂穿氧化層結(jié) 構(gòu)或者S0N0S結(jié)構(gòu)；存儲(chǔ)單元可以為N0R閃存Flash的存儲(chǔ)單元，也可以為NAND閃存Flash 的存儲(chǔ)單元。
[0049] 而且，"非平面的"為任何工藝上可以實(shí)現(xiàn)的，能夠增加溝道寬度的任意非平面的 立體形狀。通過(guò)非平面的隧道絕緣層的設(shè)計(jì)，可以立體地增加溝道寬度，由此增加存儲(chǔ)單元 溝道打開(kāi)后的溝道電流，提高存儲(chǔ)信息的讀取和存儲(chǔ)速度，從而為工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)一步縮小 提供條件。
[0050] 由于隧道絕緣層24位于溝道25上方為非平面的，為了工藝上便于實(shí)現(xiàn)，通常絕緣 電介質(zhì)層22,存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為非平面的。其中，當(dāng)存儲(chǔ) 單元層23為連續(xù)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)時(shí)，位于絕緣層26上方的絕緣電介質(zhì)層22和存儲(chǔ)單元層23 可以為平面的，也可以為非平面的，例如弧形凹槽或者弧形凸起；當(dāng)存儲(chǔ)單元層23為斷開(kāi) 的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)時(shí)，位于絕緣層26上方的絕緣電介質(zhì)層22可以為平面的，也可以為非平面的， 例如弧形凹槽或者弧形凸起。
[0051] 優(yōu)選地，絕緣電介質(zhì)層22、存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為凸 形；或者絕緣電介質(zhì)層22、存儲(chǔ)單元層23和隧道絕緣層24位于溝道25上方為凹形。這里 的凸形和凹形可以為任何工藝上便于實(shí)現(xiàn)的立體形狀。
[0052] 進(jìn)一步地，如圖10和圖11所示，無(wú)論是連續(xù)的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)（圖10)或者斷開(kāi)的存儲(chǔ) 節(jié)點(diǎn)（圖11)，存儲(chǔ)單元層23、絕緣電介質(zhì)層22和隧道絕緣層24位于溝道25上方為弧形凹 槽。以上均可以增加溝道寬度，從而增加存儲(chǔ)單元溝道打開(kāi)后的溝道電流，提高存儲(chǔ)信息的 讀取和存儲(chǔ)速度。
[0053] 本發(fā)明通過(guò)在存儲(chǔ)單元層與溝道之間的隧道絕緣層為非平面的設(shè)計(jì)，可以立體地 增加溝道寬度，由此增加存儲(chǔ)單元溝道打開(kāi)后的溝道電流，提高存儲(chǔ)信息的讀取和存儲(chǔ)速 度，從而為工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)一步縮小提供條件。
[0054] 以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則 之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)
【權(quán)利要求】
1. 一種存儲(chǔ)單元，包含控制柵（21)，存儲(chǔ)單元層（23)，所述控制柵（21)和所述存儲(chǔ)單 元（23)之間的絕緣電介質(zhì)層（22)，隧道絕緣層（24)以及溝道（25)，其特征在于， 所述隧道絕緣層（24)位于所述溝道（25)上方為非平面的。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述絕緣電介質(zhì)層（22)，所述存儲(chǔ)單 元層（23 )和所述隧道絕緣層（24)位于所述溝道（25 )上方為非平面的。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述絕緣電介質(zhì)層（22)，所述存儲(chǔ)單 元層（23 )和所述隧道絕緣層（24)位于溝道（25 )上方為凸形。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述絕緣電介質(zhì)層（22)，所述存儲(chǔ)單 元層（23)和所述隧道絕緣層（24)位于溝道（25)上方為凹形。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述絕緣電介質(zhì)層（22)，所述存儲(chǔ)單 元層（23)和所述隧道絕緣層（24)位于溝道（25)上方為橫截面為梯形的凸起。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述絕緣電介質(zhì)層（22)，所述存儲(chǔ)單 元層（23)和所述隧道絕緣層（24)位于溝道（25)上方為橫截面為梯形的凹槽。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述絕緣電介質(zhì)層（22)，所述存儲(chǔ)單 元層（23)和所述隧道絕緣層（24)位于溝道（25)上方為弧形凸起。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述存儲(chǔ)單元層（23)，所述絕緣電介 質(zhì)層（22)和所述隧道絕緣層（24)位于溝道（25)為弧形凹槽。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述存儲(chǔ)單元層（23)為斷 開(kāi)的或連續(xù)的。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述存儲(chǔ)單元為電子遂穿 氧化層結(jié)構(gòu)或者SONOS結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01L27/115GK104124250SQ201310156694
【公開(kāi)日】2014年10月29日 申請(qǐng)日期:2013年4月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月28日
【發(fā)明者】吳楠, 馮駿 申請(qǐng)人:北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司