專利名稱：低銅合金材料及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及生產(chǎn)率高，導(dǎo)電率、軟化溫度、表面品質(zhì)優(yōu)秀的低銅合金材料、低銅合金線、低銅合金絞線以及使用它們的電纜、同軸電纜以及復(fù)合電纜、以及低銅合金材料及低銅合金線的制造方法。
背景技術(shù)：
在最近的電子設(shè)備或汽車等工業(yè)產(chǎn)品中，苛刻地使用銅線的情況較多。為了應(yīng)對(duì)這些需求，進(jìn)行了可以通過(guò)連續(xù)鑄軋法等進(jìn)行制造，在將導(dǎo)電性和拉伸特性保持在純銅水平的同時(shí)使強(qiáng)度高于純銅的低銅合金材料的開發(fā)。低銅合金材料，作為通用的軟質(zhì)銅線，或者作為需要柔軟度的軟質(zhì)銅材，要求導(dǎo)電率98%以上、更甚者102%以上的軟 質(zhì)導(dǎo)體，作為其用途列舉出作為面向民用太陽(yáng)能電池的配線材、電動(dòng)機(jī)用漆包線用導(dǎo)體、在200°C到700°C之間使用的高溫用軟質(zhì)銅材料、不需要退火的熔化鍍錫材料、然傳導(dǎo)性優(yōu)秀的銅材料、高純度銅替代材料的使用，是滿足這些廣泛的需求的材料。作為低銅合金材料的原材料，作為基礎(chǔ)使用把銅中的氧控制在IOmass ppm以下的技術(shù)，在該基礎(chǔ)的銅原子中添加微量的Ti等金屬，使其原子狀地固溶，由此期待得到生產(chǎn)率高，導(dǎo)電率、軟化溫度、表面品質(zhì)優(yōu)秀的低銅合金材料。目前，關(guān)于軟質(zhì)化，如非專利文獻(xiàn)I所示，在電解銅(99.996mass%以上)中添加了
4 28mol ppm的Ti的試樣，與不添加的試樣相比，得到了較早地產(chǎn)生軟化的結(jié)果。其原因在該文獻(xiàn)中得出了結(jié)論，是由于形成Ti的硫化物而導(dǎo)致固溶S的減少。在專利文獻(xiàn)I 3中提出了在連續(xù)鑄造裝置中，使用在無(wú)氧銅中添加微量的Ti的低合金進(jìn)行連續(xù)鑄造，已經(jīng)被授予專利權(quán)。在此，關(guān)于通過(guò)連續(xù)鑄軋法降低氧的方法，如專利文獻(xiàn)4、5所示，也已公知。在專利文獻(xiàn)6中提出了通過(guò)連續(xù)鑄軋法，在從銅熔液直接制造銅材時(shí)，通過(guò)在氧含量為0.005質(zhì)量百分比以下的銅的銅熔液中，微量(0.0007 0.005質(zhì)量百分比)地添加T1、Zr、V等金屬，使軟化溫度降低。但是，在專利文獻(xiàn)6中未進(jìn)行與導(dǎo)電率相關(guān)的研究，兼顧導(dǎo)電率和軟化溫度的制造條件范圍不明確。另一方面，在專利文獻(xiàn)7中提出了軟化溫度低、并且導(dǎo)電率高的無(wú)氧銅材的制造方法，提出了通過(guò)上方提拉連續(xù)鑄造裝置，由在氧含量為0.0001質(zhì)量百分比以下的無(wú)氧銅中微量(0.0007 0.005質(zhì)量百分比)地添加了 T1、Zr、V等金屬的銅熔液制造銅材的方法。但是，如上所述，關(guān)于低銅合金材料的基礎(chǔ)原材料那樣的含有微量氧，即氧濃度為ppm等級(jí)地含有氧的基礎(chǔ)原材料，在任何專利文獻(xiàn)中都未進(jìn)行研究。專利文獻(xiàn)I特許第3050554號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2特許第2737954號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3特許第2737965號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4特許第3552043號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)5特許第3651386號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)6特開2006- 274384號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)7特開2008- 255417號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)I鈴木壽、菅野幹宏:鉄i鋼(1984)15號(hào)1977 — 198
發(fā)明內(nèi)容
因此，希望對(duì)生產(chǎn)率高，導(dǎo)電率、軟化溫度、表面品質(zhì)優(yōu)秀的實(shí)用的低銅合金線及其組成進(jìn)行研究。另外，當(dāng)針對(duì)制造方法進(jìn)行研究時(shí)，如上所述，通過(guò)連續(xù)鑄造在無(wú)氧銅中添加Ti來(lái)進(jìn)行銅軟化的方法是公知的，但是，其在作為銅錠或銅坯制造了鑄造材料后，進(jìn)行熱擠壓或熱壓軋，制作出盤條。因此，制造成本高，在工業(yè)上使用時(shí)存在經(jīng)濟(jì)方面的問(wèn)題。另外，在上方提拉連續(xù)鑄造裝置中，在無(wú)氧銅中添加Ti的方法是公知的，但這也使生產(chǎn)速度變慢，存在經(jīng)濟(jì)方面的問(wèn)題。因此,對(duì)SCR連續(xù)鑄軋系統(tǒng)(South Continuous Rod System)進(jìn)行了研究。SCR連續(xù)鑄軋法，在SCR連續(xù)鑄軋裝置的熔化爐內(nèi)，將基礎(chǔ)原材料熔化成為熔液，在該熔液中添加希望的金屬來(lái) 進(jìn)行熔化，使用該熔液制作線坯(例如$ 8mm)通過(guò)熱壓軋，例如將該線坯拉線加工成￠2.6_。另外，￠2.6mm以下的尺寸或板材也可以同樣地加工成異形材。另外，把圓形線材壓軋成角狀或異形條也是有效的。另外，也可以對(duì)鑄造材料進(jìn)行保形(conform)擠壓成型，制作異形材。根據(jù)本發(fā)明人等進(jìn)行研究的結(jié)果可知，在使用SCR連續(xù)鑄軋時(shí)，在作為基礎(chǔ)原材料的韌銅中容易產(chǎn)生表面?zhèn)?，根?jù)添加條件，軟化溫度的變化、鈦氧化物的形成狀況不穩(wěn)定。另外，在使用0.0001質(zhì)量百分比以下的無(wú)氧銅進(jìn)行研究時(shí)，滿足軟化溫度和導(dǎo)電率、表面品質(zhì)的條件為極小的范圍。另外，軟化溫度的降低存在界限，希望更低的、與高純度銅同等的軟化溫度的降低。因此，本發(fā)明的目的是解決上述問(wèn)題，提供一種生產(chǎn)率高，導(dǎo)電率、軟化溫度、表面品質(zhì)優(yōu)秀的低銅合金材料及其制造方法。為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的第I形態(tài)是一種低銅合金材料，在包含不可避免的不純物的純銅中，包含2 12mass ppm的硫、2 30mass ppm的氧、和4 55mass ppm的Ti。本發(fā)明的第2形態(tài)是在本發(fā)明第I形態(tài)的低銅合金材料中，硫和鈦以TiO、TiO2,TiS、T1-O-S的形態(tài)形成化合物或凝集物，剩余的Ti和S以固溶體的形態(tài)存在。本發(fā)明的第3形態(tài)是在本發(fā)明第I或第2形態(tài)的低銅合金材料中，TiO的尺寸在200nm以下、TiO2的尺寸在IOOOnm以下、TiS的尺寸在200nm以下、T1-O-S的尺寸在300nm以下分布在晶粒內(nèi)，500nm以下的顆粒為90%以上。本發(fā)明的第4形態(tài)是一種低銅合金線，以第I 3形態(tài)中的任意一項(xiàng)記載的低銅合金材料為原材料制作盤條，對(duì)該盤條進(jìn)行拉線加工時(shí)的導(dǎo)電率為98% IACS以上，軟化溫度在￠2.6mm尺寸時(shí)為130°C 148°C。本發(fā)明的第5形態(tài)是一種低銅合金線，其中，以在包含不可避免的不純物的純銅中包含2 12mass ppm的硫、2 30mass ppm的氧和4 37mass ppm的Ti的低銅合金材料為原材料制作盤條，在對(duì)該盤條進(jìn)行拉線加工時(shí)的導(dǎo)電率為100% IACS以上，并且軟化溫度在￠2.6mm尺寸時(shí)為130°C 148°C。本發(fā)明的第6形態(tài)是一種低銅合金線，其中，以在包含不可避免的不純物的純銅中包含2 12mass ppm的硫、2 30mass ppm的氧和4 25mass ppm的Ti的低銅合金材料為原材料制作盤條，在對(duì)該盤條進(jìn)行拉線加工時(shí)的導(dǎo)電率為102% IACS以上，并且軟化溫度在￠2.6mm尺寸時(shí)為130°C 148°C。本發(fā)明的第7形態(tài)是本發(fā)明第I至6形態(tài)中任意一項(xiàng)記載的低銅合金線，其中，在所述合金線的表面上形成了鍍層。本發(fā)明的第8形態(tài)是一種低銅合金絞線，其中，絞合了多條第I至7形態(tài)記載的低銅合金線。本發(fā)明的第9形態(tài)是一種電纜，其中，在本發(fā)明第I 8形態(tài)的任意一項(xiàng)中記載的低銅合金線或低銅合金絞線的外周設(shè)置了絕緣層。本發(fā)明的第10形態(tài)是一種同軸電纜，其中，絞合了多條第I至7形態(tài)記載的低銅合金線作為中心導(dǎo)體，在 所述中心導(dǎo)體的外周形成絕緣體包層，在所述絕緣體包層的外周配置由銅或銅合金構(gòu)成的外部導(dǎo)體，在其外周設(shè)置了套層。本發(fā)明的第11形態(tài)是一種復(fù)合電纜，其中，在屏蔽層內(nèi)配置多條第9形態(tài)記載的同軸電纜，在所述屏蔽層的外周設(shè)置了護(hù)套。本發(fā)明的第12形態(tài)是一種低銅合金線的制造方法，其中，通過(guò)SCR連續(xù)鑄軋，以IlOO0C以上1320°C以下的鑄造溫度將第I 3形態(tài)的任意一項(xiàng)記載的低銅合金材料制成熔液，以加工度90% (30mm)到99.8% (5mm)制作盤條，通過(guò)對(duì)該盤條進(jìn)行熱壓軋來(lái)制作低銅合金線。本發(fā)明的第13形態(tài)是本發(fā)明第12形態(tài)所述的低銅合金線的制作方法，其中，關(guān)于熱軋溫度，最初的軋輥處的溫度在880°C以下，最終的軋輥處的溫度在550°C以上。本發(fā)明的第14形態(tài)，是本發(fā)明第12或13形態(tài)所述的低銅合金線的制造方法，其中，成為低銅合金材料的基礎(chǔ)的銅，在通過(guò)井式爐熔化后，在還原氣體(CO)氛圍屏障等還原系統(tǒng)下控制低合金的構(gòu)成元素的硫濃度、Ti濃度、氧濃度來(lái)進(jìn)行鑄造，然后進(jìn)行壓軋。本發(fā)明的第15形態(tài)是一種低銅合金材的制造方法，其中，通過(guò)雙輥式連續(xù)鑄軋以及普羅佩茲式連續(xù)鑄軋法，將鑄造溫度設(shè)為1100°c以上1320°C以下，使用第I 3形態(tài)的任意一項(xiàng)記載的低銅合金材料制作盤條，對(duì)該盤條進(jìn)行熱軋，并且將該熱軋溫度設(shè)為最初的軋輥處的溫度在880°C以下、最終的軋輥處的溫度在550°C以上來(lái)進(jìn)行熱軋。本發(fā)明第16形態(tài)是本發(fā)明第15形態(tài)所述的低銅合金材的制造方法，其中，成為低銅合金材料的基礎(chǔ)的銅，在通過(guò)井式爐熔化后，在為了成為還原狀態(tài)的槽而進(jìn)行控制的、即在還原氣體(CO)氛圍屏障等還原系統(tǒng)下，控制低合金的構(gòu)成元素的硫濃度、Ti濃度、氧濃度來(lái)鑄造，然后進(jìn)行壓軋。本發(fā)明的第17形態(tài)是一種面向太陽(yáng)能電池的鍍焊錫的復(fù)合線或電動(dòng)機(jī)用漆包線，其中，使用本發(fā)明第4 6形態(tài)的任意一項(xiàng)記載的低銅合金線制造。根據(jù)本發(fā)明，發(fā)揮了可以提供生產(chǎn)率高，導(dǎo)電率、軟化溫度、表面品質(zhì)優(yōu)秀的實(shí)用的低銅合金材料這樣的出色效果。


圖1是表示TiS顆粒的SEM像的圖。圖2是表示圖1的分析結(jié)果的圖。圖3是表示TiO2顆粒的SEM像的圖。圖4是表示圖3的分析結(jié)果的圖。圖5是在本發(fā)明中表示T1-O-S顆粒的SEM像的圖。圖6是表示圖5的分析結(jié)果的圖。
具體實(shí)施例方式以下，詳細(xì)描述本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式。首先，本發(fā)明使用SCR連續(xù)鑄造設(shè)備，得到表面損傷少、制造范圍廣、能夠穩(wěn)定生產(chǎn)、加工度90%(例如小2.6mm)下的軟化溫度為148°C以下、滿足導(dǎo)電率98% IACS(以國(guó)際退火軟銅標(biāo)準(zhǔn)(International Annealed Copper Standard)電阻率 1.7241 X 10 一8為100%的導(dǎo)電率)、1 00% IACS，并且滿足102% IACS的軟質(zhì)型銅材，即低銅合金材料，另外同時(shí)獲得其制造方法。此時(shí)，關(guān)于Cu (6N，純度99.9999%)，加工度90%下的軟化溫度為130°C。因此，本發(fā)明的課題在于，尋求作為能夠通過(guò)130°C以上、148°C以下的軟化溫度，穩(wěn)定地制造軟質(zhì)材的導(dǎo)電率在98% IACS以上、100% IASC以上、甚至導(dǎo)電率在102% IACS以上的軟質(zhì)銅的低銅合金材料的原材料及其制造條件。在此，使用氧濃度I 2mass ppm的Cu (4N),在實(shí)驗(yàn)室中使用小型連續(xù)鑄造機(jī)(小型連鑄機(jī))，把使用在熔液中添加數(shù)mass ppm Ti后的熔液制造成的8mm的盤條制成￠2.6mm (加工度90%)，當(dāng)測(cè)量軟化溫度時(shí)為160 168°C，無(wú)法達(dá)到更低的軟化溫度。另夕卜，導(dǎo)電率為101.7% IACS左右。由此可知，即使降低氧濃度、添加Ti，也無(wú)法降低軟化溫度，另外，比Cu (6N)的導(dǎo)電率102.8% IACS差。推測(cè)其原因?yàn)?，在熔液的制造中，作為不可避免的不純物含有?shù)mass ppm以上的硫，未充分通過(guò)該硫和鈦形成TiS，因此軟化溫度不下降。因此，在本發(fā)明中，為了使軟化溫度下降并使導(dǎo)電率提高，通過(guò)研究?jī)蓚€(gè)方案并結(jié)合兩個(gè)效果，實(shí)現(xiàn)了目標(biāo)。(a)將原材料的氧濃度增大到2mass ppm以上并添加鈦。由此，首先，認(rèn)為在熔化的銅中形成TiS和鈦氧化物(TiO2)或T1-O-S顆粒(參照?qǐng)D1、圖3的SEM像和圖2、圖4的分析結(jié)果)。在圖2、圖4、圖6中，Pt以及Pd是用于觀察的蒸鍍?cè)亍?b)然后，通過(guò)把熱壓軋溫度設(shè)定得比通常的銅的制造條件(905 600°C)低(880 550°C )，在銅中引入位錯(cuò)，使S容易析出。由此，使S向位錯(cuò)上析出或者以鈦的氧化物(TiO2)為核使S析出，作為一個(gè)例子，與熔化的銅同樣地形成T1-O-S顆粒等(參照?qǐng)D5的SEM像和圖6的分析結(jié)果)。
通過(guò)(a)和(b)，銅中的硫進(jìn)行結(jié)晶和析出，在冷拉線加工后得到滿足軟化溫度和導(dǎo)電率的銅盤條。 接著，在本發(fā)明中，在SCR連續(xù)鑄造設(shè)備中作為制造條件的限制，進(jìn)行(I) (4 )的限制。(I)組成的限制在得到導(dǎo)電率在98% IACS以上的軟質(zhì)銅材的情況下，使用在包含不可避免的不純物的純銅(基礎(chǔ)原材料)中包含3 12mass ppm的硫、2 30mass ppm的氧、以及4 55mass ppm的Ti的低銅合金材料,制造盤條(線還)。在此，在得到導(dǎo)電率在100% IACS以上的軟質(zhì)銅材的情況下，最好使用在包含不可避免的不純物的純銅中包含2 12mass ppm的硫、2 30mass ppm的氧和4 37massppm的Ti的低銅合金材料,制造盤條。并且，在得到導(dǎo)電率在102% IACS以上的軟質(zhì)銅材的情況下，最好使用在包含不可避免的不純物的純銅中包含3 12mass ppm的硫、2 30mass ppm的氧和4 25massppm的Ti的低銅合金材料,制造盤條。通常，在純銅的工業(yè)制造中，在制造電銅時(shí)，由于在銅中含有硫，因此難以把硫降至Ij 3mass ppm以下。通用電解銅的硫濃度上限為12mass ppm。如上所述，當(dāng)進(jìn)行控制的氧少時(shí)，難以降低軟化溫度，因此設(shè)為2mass ppm以上。另夕卜，當(dāng)氧過(guò)多時(shí)，在熱壓軋工序中容易出現(xiàn)表面?zhèn)虼嗽O(shè)為30massppm以下。(2)擴(kuò)散的物質(zhì)的限制希望擴(kuò)散顆粒的尺寸較小并大量分布。其理由是，為了作為硫的析出點(diǎn)而起作用，要求尺寸小、數(shù)量多。 硫以及鈦以Ti0、Ti02、TiS、T1-0-S的形態(tài)形成化合物或凝集物，剩余的Ti和S以固溶體的形態(tài)存在。成為TiO的尺寸在200nm以下、TiO2在IOOOnm以下、TiS在200nm以下、T1-O-S在300nm以下，在晶粒內(nèi)分布的低銅合金材料。但是，根據(jù)鑄造時(shí)的熔化的銅的保持時(shí)間或冷卻狀況，所形成的顆粒尺寸變化，因此還需要設(shè)定鑄造條件。(3)鑄造條件的限制作為通過(guò)SCR連續(xù)鑄軋以加工度90% (30mm) 99.8% (5_)制造盤條的一例，使用以加工度99.3%制造小8mm盤條的方法。(a)熔化爐內(nèi)的鑄造溫度設(shè)為1100°C以上1320°C以下。當(dāng)熔化的銅的溫度高時(shí)砂眼增多，具有產(chǎn)生損傷并且顆粒尺寸變大的傾向，因此設(shè)為1320°C以下。設(shè)為1100°C以上，是因?yàn)殂~容易凝固，制造不穩(wěn)定，但希望鑄造溫度為盡量低的溫度。(b)熱壓軋溫度，設(shè)為最初的軋輥處的溫度為880°C以下，最終的軋輥處的溫度為550°C以上。與通常的純銅制造條件不同，熔化的銅中的硫的結(jié)晶和熱壓軋中的硫的析出是本發(fā)明的課題，因此，為了進(jìn)一步減小作為其驅(qū)動(dòng)力的固溶度，最好把鑄造溫度和熱壓軋溫度設(shè)為(a)、(b)。通常的熱壓軋溫度，在最初的壓輥處的溫度為950°C以下，在最終軋輥處的溫度在6000C以上，但為了減小固溶度，在本發(fā)明中把最初的壓輥處的溫度設(shè)定為880°C以下，把最終軋輥處的溫度設(shè)定為550°C以上。設(shè)為550°C以上的理由是，在該溫度以下盤條的損傷較多，因此無(wú)法成為產(chǎn)品。熱壓軋溫度在最初的壓輥處的溫度為880°C以下，在最終壓輥處的溫度為550°C以上，希望盡量低。這樣一來(lái)，軟化溫度(從￠8加工到￠2.6后)無(wú)限地接近Cu (6N，軟化溫度130°C)。(c)可以得到直徑(j58mm尺寸的盤條的導(dǎo)電率在98% IACS以上、100% IACS、甚至在102% IACS以上，冷軋壓后的￠2.6mm的軟化溫度為130°C 148°C的低銅合金線或板狀材料。為了在工業(yè)上使用，在從電解銅制造出的用于工業(yè)的純度的軟質(zhì)銅線中，需要98% IACS以上的導(dǎo)電率，從其工業(yè)價(jià)值出發(fā)，軟化溫度在148°C以下。在不添加Ti的情況下為160 165°C。Cu (6N )的軟化溫度為127 130°C，因此根據(jù)得到的數(shù)據(jù)，將極限值設(shè)為130°C。該細(xì)微的區(qū)別在于Cu (6N)中沒(méi)有的不可避免的不純物。導(dǎo)電率在無(wú)氧銅的水平為101.7% IACS左右，在Cu (6N)中為102.8% IACS，理想的是盡量接近Cu (6N)的導(dǎo)電率。(4)鑄造條件的限制銅在通過(guò)井式爐溶解后，在為了成為還原狀態(tài)的槽而進(jìn)行控制的、即還原氣體(CO)氛圍屏障等還原系統(tǒng)下，控制低合金的構(gòu)成元素的硫濃度、Ti濃度、氧濃度來(lái)鑄造并壓車L穩(wěn)定地制造盤條的方法較好。由于銅氧化物的混入或顆粒尺寸較大，使品質(zhì)降低。在此，作為添加物選擇Ti的理由如下。(a) Ti在銅熔液中容易與硫結(jié)合形成化合物。(b)與Zr等其它添加金屬相比，可以加工，易于處理。(C)比Nb等廉價(jià)。(d)容易以氧化物為核而析出。根據(jù)以上理由，本發(fā)明的低銅合金材料，可以作為熔化鍍焊錫材料(線、板、箔)、漆包線、軟質(zhì)純銅、高導(dǎo)電率銅、退火能量降低、柔軟的銅線來(lái)使用，能夠得到生產(chǎn)率高，導(dǎo)電率、軟化溫度、表面品質(zhì)優(yōu)秀的實(shí)用的低銅合金材料。另外，可以在本發(fā)明的低銅合金線的表面形成鍍層。作為鍍層，可以應(yīng)用例如以錫、鎳、銀為主成分的鍍層，可以使用所謂的無(wú)鉛鍍層。另外，也可以使用絞合多條本發(fā)明的低銅合金線而得的低銅合金絞線。另外，也可以使用在本發(fā)明的低銅合金線或低銅合金絞線的外周設(shè)置絕緣層的電纜。另外，也可以使用絞合多條本發(fā)明的低銅合金線來(lái)作為中心導(dǎo)體，在中心導(dǎo)體的外周形成絕緣體包層，在絕緣體包層的外周配置由銅或銅合金構(gòu)成的外部導(dǎo)體，在其外周設(shè)置套層的同軸電纜。此外，還可以使用在屏蔽層內(nèi)配置多條該同軸電纜，在所述屏蔽層的外周設(shè)置護(hù)套的復(fù)合電纜。另外，在上述實(shí)施方式中，以通過(guò)SCR連續(xù)鑄軋法制作盤條，通過(guò)熱壓軋來(lái)制作軟質(zhì)材的例子進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明也可以通過(guò)雙輥式連續(xù)鑄軋法以及普羅佩茲(Properzi)式連續(xù)鑄軋法進(jìn)行制造。(實(shí)施例)
表I是與實(shí)驗(yàn)條件和結(jié)果相關(guān)的表。表I
權(quán)利要求
1.一種低銅合金線，其特征在于， 所述低銅合金線包含2 12mass ppm的硫、2 30mass ppm的氧、和4 55mass ppm的Ti，剩余部分為銅，其導(dǎo)電率為98% IACS以上，并且半軟化溫度在148°C以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低銅合金線，其特征在于， 所述Ti的濃度在37mass ppm以下，所述導(dǎo)電率在100% IACS以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低銅合金線，其特征在于， 所述Ti的濃度在25mass ppm以下，所述導(dǎo)電率在102% IACS以上。
4.一種鍍層線，其特征在于， 在權(quán)利要求1至3的任意一項(xiàng)所述的低銅合金線的表面上形成了鍍層。
5.—種絞合線,其特征在于， 絞合了多條權(quán)利要求1至4的任意一項(xiàng)所述的低銅合金線或鍍層線。
全文摘要
本發(fā)明提供生產(chǎn)率高，導(dǎo)電率、軟化溫度、表面品質(zhì)優(yōu)秀的低銅合金材料及其制造方法。該低銅合金材料，是在包含不可避免的不純物的純銅中包含2～12mass ppm的硫、2～30mass ppm的氧和4～55mass ppm的Ti的低銅合金材料。
文檔編號(hào)H01B5/02GK103225026SQ20131015689
公開日2013年7月31日 申請(qǐng)日期2010年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月17日
發(fā)明者青山正義, 鷲見(jiàn)亨, 酒井修二, 佐藤隆裕, 安部英則 申請(qǐng)人:日立電線株式會(huì)社, 日立卷線株式會(huì)社