界面的潤濕性差異產生的自對準的制作方法
【專利摘要】一些實施例涉及一種加工工件的方法。該工件包括具有第一潤濕性系數的第一表面區(qū)域和具有第二潤濕性系數的第二表面區(qū)域，第二潤濕性系數不同于第一潤濕性系數。在工件的第一表面區(qū)域和第二表面區(qū)域上分配對應于光學結構的液體，其中，由于第一潤濕性系數和第二潤濕性系數的差異，該液體與第二表面區(qū)域自對準。硬化自對準的液體以形成光學結構。本發(fā)明還提供了界面的潤濕性差異產生的自對準。
【專利說明】界面的潤濕性差異產生的自對準
【技術領域】
[0001]本發(fā)明一般地涉及半導體【技術領域】，更具體地來說，涉及半導體器件及其形成方法。
【背景技術】
[0002]圖像傳感器通常包括電子感測元件的陣列，每一個電子感測元件都能夠檢測一種或多種預定波長的電磁輻射(例如可見光)。陣列的每一個電子感測元件都提供指示光波長的信號(若有的話，就會檢測到)，使得感測元件的陣列提供共同代表圖像的多個信號。使用光學互連結構從陣列傳送這些信號，該光學互連結構具有與金屬線傳送電流或電壓相同的方式傳送電磁輻射(例如，可見光)的一系列光學路徑。由于光學互連件包括從陣列的緊湊感測元件傳送信號的多條路徑，因此期望光學互連件緊湊。

【發(fā)明內容】

[0003]為了解決現有技術中所存在的缺陷，根據本發(fā)明的一方面，提供了一種方法，包括:提供工件，所述工件包括具有第一潤濕性系數的第一表面區(qū)域和具有第二潤濕性系數的第二表面區(qū)域，其中，所述第二潤濕性系數不同于所述第一潤濕性系數；以及在所述工件的所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域上分配對應于光學結構的液體，由于所述第一潤濕性系數和所述第二潤濕性系數之間的差異，所述液體與所述第一表面區(qū)域或者所述第二表面區(qū)域自對準；以及硬化自對準的液體以形成所述光學結構。
[0004]在該方法中，通過光刻形成所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域，并且硬化的自對準結構的分解(disolution)是非感光的。
[0005]在該方法中，所述光學結構促進至少一種預定波長的電磁輻射傳播通過其中。
[0006]在該方法中，提供具有所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域的所述工件包括:在暴露的表面上方形成掩模層；圖案化所述掩模層以覆蓋所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的一種，而暴露所述第一表面區(qū)域和第二表面區(qū)域中的另一種；以及當所述掩模層位于適當位置處時，處理所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的另一種，以相對于所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的一種的潤濕性來改變所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的另一種的潤濕性。
[0007]在該方法中，所述處理包括:將所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的另一種暴露于等離子體。
[0008]該方法進一步包括:在所述襯底上方形成接合層；以及圖案化所述接合層，使得圖案化的接合區(qū)對應于所述第一表面區(qū)域和第二表面區(qū)域中的一種，并且所述接合層中的孔暴露對應于所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的另一種的襯底表面。
[0009]在該方法中，所述接合層相對于所述襯底的暴露表面具有疏水性或者親水性。
[0010]在該方法中，所述接合層包括光刻膠層或者聚合物。
[0011]在該方法中，所述接合層包括旋涂玻璃材料、金屬或者溶膠-凝膠材料。[0012]在該方法中，橫向分離所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域的距離對應于與所述光學結構相關的焦距。
[0013]根據本發(fā)明的另一方面，提供了一種裝置，包括:襯底，包括具有第一潤濕性系數的第一表面區(qū)域，其中，通過具有第二潤濕性系數的第二表面區(qū)域將相鄰的所述第一表面區(qū)域相互分離；以及光學結構，形成在所述襯底上方并且與所述第一表面區(qū)域或者所述第二表面區(qū)域自對準。
[0014]在該裝置中，所述第一表面區(qū)域包括通過等離子體工藝修改的等離子體改性表面區(qū)域，并且所述第二表面區(qū)域包括未通過所述等離子體工藝修改的襯底表面。
[0015]在該裝置中，所述第一表面區(qū)域包括襯底表面，并且所述第二表面區(qū)域包括相對于所述襯底表面抬高或者凹進的接合焊盤表面。
[0016]在該裝置中，所述襯底是玻璃襯底，并且所述接合焊盤表面包括旋涂玻璃和溶膠-凝膠聚合物中的至少一種。
[0017]在該裝置中，相鄰的所述第一表面區(qū)域具有分別形成在其上的球透鏡和波導，并且相鄰的所述第一表面區(qū)域相隔大約所述球透鏡的焦距。
[0018]在該裝置中，所述襯底是玻璃襯底。
[0019]根據本發(fā)明的又一方面，提供了一種形成光學結構的方法，包括:提供工件，所述工件具有暴露的表面，所述暴露的表面包括具有第一潤濕性系數的第一表面區(qū)域和具有第二潤濕性系數的至少兩個第二表面區(qū)域，其中所述第二潤濕性系數不同于所述第一潤濕性系數；以及在所述暴露的表面上分配對應于光學結構的液體，由于所述第一潤濕性系數和所述第二潤濕性系數之間的差異，所述液體與所述至少兩個第二表面區(qū)域自對準，以在所述至少兩個第二表面區(qū)域中的第一個第二表面區(qū)域上形成波導或者球透鏡。
[0020]在該方法中，所述第一表面區(qū)域布置在所述至少兩個第二表面區(qū)域之間，并且使所述至少兩個第二表面區(qū)域相隔所述球透鏡的焦距。
[0021]在該方法中，提供具有所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域的所述半導體工件包括:在所述暴露的表面上方形成掩模層；圖案化所述掩模層以覆蓋所述第一表面區(qū)域和所述至少兩個第二表面區(qū)域中的一種，而暴露所述第一表面區(qū)域和所述至少兩個第二表面區(qū)域中的另一種；以及當所述掩模層位于適當位置處時，實施表面處理，以相對于所述第一表面區(qū)域和所述至少兩個第二表面區(qū)域中的一種的潤濕性來改變所述第一表面區(qū)域和所述至少兩個第二表面區(qū)域中的另一種的潤濕性。
[0022]在該方法中，提供具有所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域的所述半導體工件包括:在所述襯底上方形成接合層；以及圖案化所述接合層，使得圖案化的接合區(qū)對應于所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的一種，并且所述接合層中的孔暴露對應于所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的另一種的襯底表面。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1示出根據一些實施例用于制造光學器件的方法的流程圖；
[0024]圖2A至圖2D是示出用于制造光學器件的方法的一些實施例的一系列截面圖；
[0025]圖3A至圖3D是示出用于制造光學器件的方法的一些實施例的一系列截面圖；
[0026]圖4A至圖4D是示出用于在工件上制造光學器件和將光纖連接至工件的方法的一些實施例的一系列截面圖；
[0027]圖5A至圖是示出用于在工件上制造光學器件和將光纖連接至工件的方法的一些實施例的一系列截面圖；
[0028]圖6A至圖6D是示出用于在工件上制造光學器件和將光纖連接至工件的方法的一些實施例的一系列截面圖；以及
[0029]圖7A至圖7D是示出用于在工件上制造光學器件和將光纖連接至工件的方法的一些實施例的一系列截面圖。
【具體實施方式】
[0030]本文中參考附圖進行描述，其中，在通篇描述中相似的參考編號通常用于指定相似的元件，并且各種結構不必按比例繪制。在以下描述中，為了說明的目的順序闡述了許多具體細節(jié)以便于理解。然而，本領域技術人員應該理解，可以用更少程度的這些具體細節(jié)來實踐本文中所述的一個或多個方面。在其他情況下，以框圖形式示出已知結構和器件來幫助理解本發(fā)明。
[0031]傳統上，使用光刻圖案化光學層或者使用“拾取和放置”技術(預制的光學結構被機械地拾取并且置于工件上的期望位置)來圖案化光學互連結構。不幸地，這些傳統的技術都不太理想。在光刻技術中，用于形成光學互連件的聚合物需要是感光的；不幸地，這排除了用于光學互連件的其他非感光材料的使用。另外，盡管拾取和放置技術可以使用用于光學互連件的非感光材料，但是這些拾取和放置技術受到可以利用該技術放置在工件上的互連部件的精度的限制。為了布置具有比過去更大的精度和可利用更多材料選擇的光學部件，本文中公開了用于制造光學部件和接插件(connector assembly)的改進技術。基于界面的潤濕性差異，這些技術提供了光學結構的自對準。
[0032]圖1示出根據一些實施例比較通用的方法100。圖1開始于步驟102，其中，提供工件。工件包括具有第一潤濕性系數的第一表面區(qū)域和具有不同于第一潤濕性系數的第二潤濕性系數的第二表面區(qū)域。在步驟104中，在工件的第一表面區(qū)域和第二表面區(qū)域上分配對應于要形成在工件上的光學結構的液體。由于第一潤濕性系數和第二潤濕性系數的差異，液體與第一表面區(qū)域或者第二表面區(qū)域自對準。在步驟106中，然后，硬化自對準的液體以形成光學結構。在一些實施例中，例如，該光學結構可以對應于波導和/或球透鏡，從而允許預定波長的光穿過，而具有較少或者沒有強度損失，并且具有比周圍環(huán)境更大的折射率。在一些實施例中，可以通過光刻形成第一表面區(qū)域和/或第二表面區(qū)域，并且用于制作光學結構的自對準液體是非感光的。
[0033]因為圖1的自對準技術允許液體在通過光刻形成的精確定位的表面區(qū)域上自對準，所以這些技術提供了高精度對準。而且，因為自對準的液體不需要是感光的，所以這種方法允許設計者使用各種材料(包括可以以液體狀態(tài)分配的非感光材料)來形成光學結構。由于這些材料中的一些可以提供用于關注的預定波長良好的光學性能，例如較低的損失和/或期望的折射率，所以這是優(yōu)選的。因此，相信本文所公開的自對準技術在某些方面比傳統的光刻技術與拾取和放置技術有所改進。
[0034]圖2A至圖2D示出用于制造光學部件的技術的一些實施例。在圖2A中，該方法開始于提供工件200。工件200可以包括襯底202，在襯底上形成一層或多層。在襯底202上方形成掩模層204。圖案化掩模層204以限定例如被掩模層204覆蓋的第一表面區(qū)域206，和通過掩模中的孔暴露的第二表面區(qū)域208。在其他實施例中，可以通過孔暴露第一表面區(qū)域，而通過掩模來覆蓋第二表面區(qū)域。
[0035]襯底202可以是塊狀半導體襯底(例如塊狀硅晶圓)、二元化合物襯底(例如GaAs)、三元化合物襯底(例如AlGaAs)、多元化合物襯底等；但是也可以由諸如玻璃的非半導體材料制成。襯底202還可以包括半導體材料和非半導體材料的組合。例如，塊狀半導體襯底還可以包括非半導體材料,諸如絕緣體上硅(SOI)中的氧化物、局部SOI襯底、有機材料以及多晶硅和非晶硅等。在一些實施例中，襯底202可以包括堆疊或者以其他方式粘附在一起的多個晶圓或管芯。襯底202可以包括從硅錠中切割的晶圓，和/或任何其他類型的半導體/非半導體和/或在下面的襯底上所形成的沉積層或生長(例如外延)層。
[0036]在圖2B中，當掩模層204處于適當位置處時，實施表面處理210以形成表面處理區(qū)212。相對于未經處理的區(qū)域(例如圖2A中的第一(例如被覆蓋的)表面區(qū)域206)，表面處理210改變了表面處理區(qū)212(例如圖2A中的第二(例如被覆蓋的)表面區(qū)域208)的潤濕性。例如，在一些實施例中，表面處理210包括等離子體處理，并且表面處理區(qū)212是等離子體改性區(qū)域。在其他實施例中，濕式沖洗或者蒸汽處理(諸如HMDS)可以改變潤濕性。等離子體改性區(qū)域的第二潤濕性系數不同于(例如，高于)與未經處理的表面區(qū)域(例如圖2A中的第一表面區(qū)域206)相關的第一潤濕性系數。
[0037]在圖2C中，去除掩模204以再次暴露未經處理的表面區(qū)域206，并且在表面處理區(qū)域212和未經處理的表面區(qū)域206上方分配對應于光學部件的液體214。根據實施例，可以在整個襯底表面上方或者可以可選地在小于整個襯底表面的表面上方分配液體。例如，可以僅在稍微大于表面處理區(qū)212的區(qū)域(也可以被稱為接合焊盤)上分配液體。
[0038]如圖2D所示，由于表面處理區(qū)212和未經處理的表面區(qū)域206之間的潤濕性差異，分配的液體趨向于與表面處理區(qū)212自對準。在其他實施例中，液體可以與未經處理的表面區(qū)域206自對準。然后，例如通過在低溫下烘焙自對準液體并且在較高溫度下實施固化來硬化自對準的液體，從而形成光學結構。在所示的實施例中，光學結構可以包括波導214，其可以是相關的盒狀；和球透鏡216，其是相關的球形或者圓頂形。光學結構是由折射率大于周圍環(huán)境的折射率的材料制成以便“彎曲”、轉向、聚焦或者校準所進入或離開的電磁輻射，同時允許預定波長的電磁輻射(例如可見光)穿過而具有較少的或者沒有強度損失。例如，球透鏡216的彎曲外表面216A引導光穿過球透鏡216以向內傾斜直至光在透鏡的焦距(f)處聚焦。因此，最接近球透鏡216的波導214A的邊緣與球透鏡的外表面216A相隔焦距(f)，從而促進球透鏡216和波導214之間的更強的光耦合。例如，在一些實施例中，球透鏡216可以具有約25 μ m至500 μ m的半徑(r)，或者大約25 μ m至100 μ m的半徑；波導214可以具有約20 μ m至150 μ m的高度(h)或者大約20 μ m至40 μ m的高度；并且球透鏡216和波導邊緣214A之間的焦距(f)的間隔可以是大約100 μ m，但是也可以使用許多其他的尺寸。
[0039]圖3A至圖3D示出用于制造光學部件的技術方法的另一實施例。在圖3A中，該方法開始于提供包括襯底300的工件。如先前關于圖2A討論的，襯底300可以采用許多形式，包括半導體襯底或者玻璃襯底等。襯底300的暴露襯底表面300A具有第一潤濕性系數。
[0040]在圖3B中，在襯底300上方形成接合層302。圖案化接合層302以包括對應于暴露的表面區(qū)域306(例如，第一表面區(qū)域)的開口 304，暴露的表面區(qū)域306具有第一潤濕性系數，例如襯底表面300A的天然的潤濕性系數。接合表面區(qū)域308 (例如，第二表面區(qū)域)呈現第二潤濕性系數，該第二潤濕性系數不同于暴露的表面區(qū)域306的潤濕性系數。通常，使用光刻技術圖案化接合層302，從而提供良好的定位精度。
[0041]在圖3C中，在暴露的表面區(qū)域306和接合表面區(qū)域308上方分配與光學部件相對應液體310。
[0042]如圖3D所示，由于接合表面區(qū)域308和暴露的表面區(qū)域306之間的潤濕性差異，所以分配的液體趨向于與接合表面區(qū)域308自對準。然后，例如通過在低溫下烘焙自對準的液體并且在高溫下實施固化來硬化自對準的液體，以形成光學結構。在所示的實施例中，例如，如先前關于圖2A至圖2D討論的，光學結構可以對應于波導314，其可以是相關的盒狀；和球透鏡316，其可以是相關的球形或者圓頂形。
[0043]由于圖2至圖3的自對準技術允許液體狀態(tài)的各種材料與通過光刻形成的精確定位的表面區(qū)域自對準，所以這種方法允許設計者使用各種液體(包括非感光材料)來形成光學結構。由于這些液體中的一些可以提供用于關注的預定波長的良好的光學性能，例如較少的損失和/或期望的折射率，所以這是優(yōu)選的。同時，由于光刻圖案仍然位于用于對準的表面區(qū)域的下方，所以這些技術還提供了高精度對準和良好的光耦合。
[0044]圖4A至圖4D示出制造光學結構的另一實施例，從而在一些方面類似于圖2，但是圖4A至圖4D還將光纖連接至襯底。
[0045]在圖4A中，該方法開始于提供工件400，其包括具有襯底表面402A的襯底402，在襯底表面402A上形成掩模層404。掩模層404通常由光刻膠形成，但掩模層404也可以是氮化物掩模、氧化物或者其他硬掩模。當掩模404位于適當位置處時，實施表面處理406以在襯底中形成表面處理區(qū)408。
[0046]在一些實施例中，表面處理406是等離子體處理，該等離子體處理使表面處理區(qū)408相對于被掩模404覆蓋的未經處理的襯底表面具有親水性。例如，在圖4B至圖4C中，等離子體處理能夠使得表面處理區(qū)408具有包括F_、Cl—和CH4(atoms)的親水性界面。等離子體可以稍弱并且通常小于100W RF功率，但是其也可以根據等離子體工具的設計而變化。在一些這樣的實施例中，施加等離子體的時間可以在約10秒至幾分鐘的范圍內。
[0047]當在工件400上方分配諸如旋涂玻璃或溶膠-凝膠聚合物的液體光學聚合物時，親水性界面使液體與表面處理區(qū)408自對準(圖4C)。在圖4D中，然后，可以在距球透鏡414期望距離f處使用例如環(huán)氧樹脂412將光纖410附接至襯底表面，以提供良好的光耦
八
口 ο
[0048]圖5A至圖中，與此相反，表面處理506使得表面處理區(qū)508具有包括0_、ΝΗ3和N2(atoms)的疏水性界面。還可能使用用于氧化的蒸汽處理，諸如水蒸汽。由于表面處理區(qū)508具有疏水性，表面處理區(qū)508排斥諸如旋涂玻璃或者溶膠-凝膠的液體，因此，液體與未經處理的襯底表面510自對準以形成光學結構。在圖中，然后，可以在距球透鏡516期望距離f處使用例如環(huán)氧樹脂514將光纖512附接至襯底表面502A，以提供良好的光耦合。
[0049]圖6A至圖6D示出制造光學結構的另一實施例，從而在一些方面類似于圖3，但是圖6A至圖6D還將光纖附接至襯底。
[0050]在圖6A中，該方法開始于提供工件，其包括具有襯底表面602A的襯底602，在襯底表面上形成接合層604。通常通過光刻技術來形成接合層604，并且接合層604相對于襯底表面602A(其具有相對疏水性)具有親水性。
[0051 ] 在圖6B中，在暴露的表面區(qū)域606和接合表面區(qū)域608上方分配對應于光學部件的液體。
[0052]如圖6C所不，由于接合表面區(qū)域608和暴露的表面區(qū)域606之間的潤濕性差異，所以分配的液體趨向于與接合表面區(qū)域608自對準。然后，例如通過在低溫下烘焙自對準液體并且在較高溫度下實施固化來硬化自對準的液體，從而形成光學結構。在所示的實施例中，光學結構可以對應于波導614，其可以是相關的盒狀；和透鏡616，其可以具有相關的球體形或者球體的一部分的圓頂形。在圖6D中，然后可以在距球透鏡616的期望距離f處使用例如環(huán)氧樹脂620將光纖618附接至襯底表面，以提供良好的光耦合。
[0053]圖7A至圖7D中，與此相反，接合表面區(qū)域604相對于暴露的襯底表面606 (其具有相對親水性)具有疏水性。因此，在該實例中，分配的液體趨向于與暴露的襯底區(qū)域606自對準(而不是與接合表面區(qū)域604自對準)。預期各種不同的表面結構和材料都在本發(fā)明的范圍內。根據本發(fā)明的各種實施例，接合焊盤(例如暴露的襯底區(qū)域606)與透鏡材料616具有相似的表面特性，但是較大的接觸角與周圍區(qū)域(604)完全不同以形成自對準結構。
[0054]因此，應該理解，一些實施例涉及一種加工工件的方法。工件包括具有第一潤濕性系數的第一表面區(qū)域，和具有與第一潤濕性系數不同的第二潤濕性系數的第二表面區(qū)域。在工件的第一表面區(qū)域和第二表面區(qū)域上分配對應于光學結構的液體，其中，由于第一潤濕性系數和第二潤濕性系數之間的差異，液體與第二表面區(qū)域自對準。硬化自對準的液體以形成光學結構。
[0055]其他實施例涉及一種裝置。該裝置包括具有第一潤濕性系數的第一表面區(qū)域的襯底。通過具有第二潤濕性系數的第二表面區(qū)域將相鄰的第一表面區(qū)域間隔開，其中，第二潤濕性系數不同于第一潤濕性系數。在襯底上方形成任選結構，并且該結構與第一表面區(qū)域或第二表面區(qū)域自對準。
[0056]其他實施例涉及一種形成光學結構的方法。在該方法中，提供了具有暴露表面的工件。暴露表面包括具有第一潤濕性系數的第一表面區(qū)域，和具有第二潤濕性系數的至少兩個第二表面區(qū)域。第二潤濕性系數不同于第一潤濕性系數。在暴露的表面上分配對應于光學結構的液體。由于第一潤濕性系數和第二潤濕性系數之間的差異，液體與至少兩個第二表面區(qū)域自對準。
[0057]應該理解，在本文所包括的實施例的描述中，還可以通過間接連接或耦合來實現附圖中所示的或者本文所描述的功能塊、器件、部件、電路元件或者其他物理或功能單元之間的任何直接連接或耦合，即，連接或耦合包括一個或多個中間元件。而且，應該理解，在一些實施例中，可以作為獨立電路來實施附圖中所示的功能塊或單元，但是在其他實施例中，也可以在常規(guī)電路或常規(guī)集成電路中完全或部分地實施附圖中所示的功能塊或單元，或者在一些情況下還可以通過對處理器進行相應的編程來聯合實施功能塊或單元。
[0058]應該注意，提供附圖是為了對本發(fā)明的實施例的一些方面和部件予以闡述，并且附圖僅被認為是示意性的。具體而言，附圖中所示的元件不必按比例繪制，而且選擇附圖中各種元件的布置以清楚地理解相應的實施例，并且附圖不能被解釋為對所示的各種部件和元件的實際的相對位置的表示。本文所述描述的各種實施例的部件可以相互結合。另一方面，描述具有多個部件的實施例不能被解釋為指示所有這些部件對于實施本發(fā)明來說都是必要的，因為其他實施例可以包括較少部件和/或可選部件。
【權利要求】
1.一種方法，包括: 提供工件，所述工件包括具有第一潤濕性系數的第一表面區(qū)域和具有第二潤濕性系數的第二表面區(qū)域，其中，所述第二潤濕性系數不同于所述第一潤濕性系數；以及 在所述工件的所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域上分配對應于光學結構的液體，由于所述第一潤濕性系數和所述第二潤濕性系數之間的差異，所述液體與所述第一表面區(qū)域或者所述第二表面區(qū)域自對準；以及 硬化自對準的液體以形成所述光學結構。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，通過光刻形成所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域，并且硬化的自對準結構的分解是非感光的。
3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述光學結構促進至少一種預定波長的電磁輻射傳播通過其中。
4.根據權利要求1所述的方法，其中，提供具有所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域的所述工件包括: 在暴露的表面上方形成掩模層； 圖案化所述掩模層以覆蓋所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的一種，而暴露所述第一表面區(qū)域和第二表面區(qū)域中的另一種；以及 當所述掩模層位于適當位置處時，處理所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的另一種，以相對于所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的一種的潤濕性來改變所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的另一種的潤濕性。
5.根據權利要求4所述的方法，其中，所述處理包括:將所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的另一種暴露于等離子體。
6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括: 在所述襯底上方形成接合層；以及 圖案化所述接合層，使得圖案化的接合區(qū)對應于所述第一表面區(qū)域和第二表面區(qū)域中的一種，并且所述接合層中的孔暴露對應于所述第一表面區(qū)域和所述第二表面區(qū)域中的另一種的襯底表面。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述接合層相對于所述襯底的暴露表面具有疏水性或者親水性。
8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述接合層包括光刻膠層或者聚合物。
9.一種裝置，包括: 襯底，包括具有第一潤濕性系數的第一表面區(qū)域，其中，通過具有第二潤濕性系數的第二表面區(qū)域將相鄰的所述第一表面區(qū)域相互分離；以及 光學結構，形成在所述襯底上方并且與所述第一表面區(qū)域或者所述第二表面區(qū)域自對準。
10.一種形成光學結構的方法，包括: 提供工件，所述工件具有暴露的表面，所述暴露的表面包括具有第一潤濕性系數的第一表面區(qū)域和具有第二潤濕性系數的至少兩個第二表面區(qū)域，其中所述第二潤濕性系數不同于所述第一潤濕性系數；以及 在所述暴露的表面上分配對應于光學結構的液體，由于所述第一潤濕性系數和所述第二潤濕性系數之間的差異，所述液體與所述至少兩個第二表面區(qū)域自對準，以在所述至少兩個第二表面區(qū) 域中的第一個第二表面區(qū)域上形成波導或者球透鏡。
【文檔編號】H01L21/68GK103972250SQ201310158698
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年5月2日 優(yōu)先權日:2013年1月28日
【發(fā)明者】賴瑞協, 郭英顥, 陳海清, 包天一 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司