有機(jī)層沉積設(shè)備、有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)層沉積設(shè)備、一種利用該有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法和一種利用該方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，具體地講，本發(fā)明提供了一種適用于在大基底的批量生產(chǎn)中使用的以及能夠高分辨率地圖案化的有機(jī)層沉積設(shè)備、利用該有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法以及利用所述方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。有機(jī)層沉積設(shè)備包括輸送單元、加載單元、沉積單元和卸載單元。
【專利說明】有機(jī)層沉積設(shè)備、有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]本申請(qǐng)要求于2012年6月22日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2012-0067303號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國(guó)專利申請(qǐng)的公開通過引用被完全包含于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明的方面涉及一種有機(jī)層沉積設(shè)備、一種通過利用所述有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法和一種利用所述方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]與其它顯示裝置相比，有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有更寬的視角、更好的對(duì)比度特性和更快的響應(yīng)速度，因此已經(jīng)作為下一代顯示裝置而受到關(guān)注。
[0004]有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括設(shè)置在第一電極和第二電極之間的中間層(包括發(fā)射層)?？梢岳酶鞣N方法來形成所述電極和中間層，這些方法之一是獨(dú)立沉積方法。當(dāng)通過利用沉積方法制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置時(shí)，將具有與將要形成的有機(jī)層的圖案相同圖案的精細(xì)金屬掩模(FMM)設(shè)置為與其上將形成有機(jī)層等的基底緊密接觸，將有機(jī)層材料沉積在FMM上，以形成具有期望圖案的有機(jī)層。
[0005]然而，利用這種FMM的沉積方法在利用大的母玻璃制造較大的有機(jī)發(fā)光顯示裝置時(shí)存在困難。例如，當(dāng)使用這種大的掩模時(shí)，掩模會(huì)由于自身重力而彎曲，從而使圖案扭曲。這種缺點(diǎn)不利于朝著高分辨率圖案發(fā)展的近期趨勢(shì)。
[0006]另外，將基底與FMM對(duì)準(zhǔn)以彼此緊密接觸的工藝、在基底上執(zhí)行沉積的工藝以及將FMM與基底分開的工藝耗費(fèi)時(shí)間，導(dǎo)致制造時(shí)間長(zhǎng)并且生產(chǎn)效率低。
[0007]在本【背景技術(shù)】部分公開的信息對(duì)于本發(fā)明的發(fā)明人來說在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明之前是已知的，或者所述信息是在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中獲取的技術(shù)信息。因此，它可能包含對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說在本國(guó)不構(gòu)成已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]為了解決利用精細(xì)金屬掩模(FMM)的沉積方法的缺點(diǎn)和/或其它問題，本發(fā)明的方面在于適用于在大基底的批量生產(chǎn)中使用的以及能夠高分辨率地圖案化的有機(jī)層沉積設(shè)備、利用所述有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法以及利用所述方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種有機(jī)層沉積設(shè)備，所述有機(jī)層沉積設(shè)備包括:輸送單元，包括固定基底并且被構(gòu)造為與所述基底一起移動(dòng)的傳送單元、用于將其上固定有基底的傳送單元沿著第一方向移動(dòng)的第一輸送單元和用于在已經(jīng)完成沉積之后將基底從其分開的傳送單元沿著與第一方向相反的方向移動(dòng)的第二輸送單元；加載單元，將基底固定在傳送單元上；沉積單元，包括保持在真空狀態(tài)下的室以及用于在固定在從加載單元傳送的傳送單元上的基底上沉積有機(jī)層的至少一個(gè)有機(jī)層沉積組件；以及卸載單元，用于將在穿過沉積單元的同時(shí)已經(jīng)對(duì)其完成了沉積的基底與傳送單元分開，其中，傳送單元被形成為在第一輸送單元和第二輸送單元之間循環(huán)移動(dòng)，其中，固定在傳送單元上的基底被形成為在被第一輸送單元傳送的同時(shí)與至少一個(gè)有機(jī)層沉積組件分隔開設(shè)定距離。
[0010]當(dāng)?shù)谝惠斔蛦卧偷诙斔蛦卧┻^沉積單元時(shí)，第一輸送單元和第二輸送單元可以彼此平行地分別布置在上方和下方。
[0011]多個(gè)沉積單元可以彼此平行地布置，一個(gè)圖案化縫隙片更換單元可以設(shè)置在多個(gè)沉積單元中的兩個(gè)相鄰的沉積單元之間，兩個(gè)相鄰的沉積單元的圖案化縫隙片可以進(jìn)入所述一個(gè)圖案化縫隙片更換單元以及可以從所述一個(gè)圖案化縫隙片更換單元拉出。
[0012]第一輸送單元可以將傳送單元順序輸送到加載單元、沉積單元和卸載單元中。
[0013]第二輸送單元可以將傳送單元順序輸送到卸載單元、沉積單元和加載單元中。
[0014]至少一個(gè)有機(jī)層沉積組件可以包括:沉積源，用于排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的側(cè)面并且包括多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，面對(duì)沉積源噴嘴單元并且包括沿著一個(gè)方向布置的多個(gè)圖案化縫隙，從沉積源排放的沉積材料可以穿過圖案化縫隙片，以按特定圖案沉積在基底上。
[0015]在第一方向和與第一方向垂直的第二方向中的至少任何一個(gè)方向上，至少一個(gè)有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片可以形成為比基底小。
[0016]有機(jī)層沉積設(shè)備可以包括多個(gè)有機(jī)層沉積組件，多個(gè)有機(jī)層沉積組件中的各沉積源可以包括不同的沉積材料。
[0017]在基底相對(duì)于有機(jī)層沉積設(shè)備移動(dòng)的同時(shí)，至少一個(gè)有機(jī)層沉積組件的各沉積材料可以順序沉積在基底上。
[0018]有機(jī)層沉積設(shè)備和基底可以沿著與基底的在其上沉積沉積材料的表面平行的表面相對(duì)于彼此移動(dòng)。
[0019]傳送單元可以包括通過第一輸送單元和第二輸送單元移動(dòng)的運(yùn)送器和固定地結(jié)合到運(yùn)送器以固定基底的靜電卡盤。
[0020]磁軌可以形成在運(yùn)送器的表面上，第一輸送單元和第二輸送單元中的每個(gè)可以包括多個(gè)線圈，其中，磁軌和多個(gè)線圈結(jié)合在一起來構(gòu)成用于產(chǎn)生使傳送單元移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)力的操作單元。
[0021]第一輸送單元可以包括:引導(dǎo)構(gòu)件，每個(gè)引導(dǎo)構(gòu)件包括容納槽，其中，各容納槽被構(gòu)造為容納傳送單元的兩側(cè)，以引導(dǎo)傳送單元沿著第一方向移動(dòng)；磁懸浮軸承，使傳送單元從容納槽懸浮，從而使傳送單元以不與容納槽接觸的方式移動(dòng)。
[0022]磁懸浮軸承可以包括布置在運(yùn)送器的兩個(gè)側(cè)表面上的側(cè)面磁懸浮軸承和布置在運(yùn)送器上方的上磁懸浮軸承。
[0023]第一輸送單元還可以包括用于測(cè)量引導(dǎo)構(gòu)件和運(yùn)送器之間的距離的間隙傳感器。
[0024]多個(gè)線圈可以形成在大氣(ATM)箱中。
[0025]ATM箱可以通過波紋管連接到所述室。
[0026]至少一個(gè)凸輪從動(dòng)件可以設(shè)置在運(yùn)送器的兩個(gè)側(cè)表面上，第二輸送單元可以包括輥式引導(dǎo)件來支撐至少一個(gè)凸輪從動(dòng)件，其中，運(yùn)送器的至少一個(gè)凸輪從動(dòng)件沿著輥式引導(dǎo)件移動(dòng)。
[0027]非接觸電源(CPS)模塊設(shè)置在運(yùn)送器中，充電軌道形成在第二輸送單元的對(duì)應(yīng)于CPS模塊的部分中，其中，當(dāng)在第二輸送單元中傳送運(yùn)送器時(shí)，在充電軌道和CPS模塊之間形成磁場(chǎng)，從而以非接觸方式向CPS模塊供電。
[0028]所述室還可以包括用于容納第一輸送單元和至少一個(gè)有機(jī)層沉積組件的上殼體以及用于容納第二輸送單元的下殼體。
[0029]沉積源和沉積源噴嘴可以形成在上殼體中，其中，在沉積源和沉積源噴嘴上順序堆疊用于沿第一方向和與第一方向垂直的第二方向傳送圖案化縫隙片的第一臺(tái)階、用于沿著垂直于第一方向和第二方向中的每個(gè)方向的第三方向傳送圖案化縫隙片的第二臺(tái)階以及圖案化縫隙片。
[0030]圖案化縫隙片和基底可以通過第一臺(tái)階和第二臺(tái)階的移動(dòng)彼此對(duì)準(zhǔn)。
[0031]所述有機(jī)層沉積設(shè)備還可以包括設(shè)置在沉積源和圖案化縫隙片之間的屏蔽構(gòu)件，其中，屏蔽構(gòu)件與基底一起移動(dòng)，從而遮蔽基底的至少一部分。
[0032]屏蔽構(gòu)件可以形成為遮蔽基底的非膜形成區(qū)域。
[0033]圖案化縫隙片可以包括第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，基底可以包括第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，沉積單元還可以包括對(duì)第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記拍照以檢測(cè)基底與圖案化縫隙片的相對(duì)位置的照相機(jī)。
[0034]沉積單元還可以包括用于測(cè)量基底和圖案化縫隙片之間的距離的傳感器，傳感器可以設(shè)置在基底上并可以感測(cè)基底的表面和圖案化縫隙片的表面，以測(cè)量基底和圖案化縫隙片之間的距離。
[0035]傳感器可以是共焦傳感器。
[0036]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種通過利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機(jī)層沉積設(shè)備用于在基底上形成有機(jī)層，所述方法包括:將位于傳送單元上的基底固定在加載單元中；通過利用安裝為穿過室的第一輸送單元將其上固定有基底的傳送單元輸送到所述室中；在所述室中的有機(jī)層沉積組件與基底分隔開預(yù)定距離的情況下，在基底相對(duì)于有機(jī)層沉積組件移動(dòng)的同時(shí)，通過在基底上沉積從有機(jī)層沉積組件排放的沉積材料形成有機(jī)層；在卸載單元中將其上已經(jīng)完成沉積的基底與傳送單元分開；通過使用被安裝為穿過所述室的第二輸送單元將基底從其分開的傳送單元輸送到加載單元。
[0037]所述室可以包括多個(gè)有機(jī)層沉積組件，可以通過利用多個(gè)有機(jī)層沉積組件中的每個(gè)對(duì)基底順序執(zhí)行沉積。
[0038]傳送單元可以在第一輸送單元和第二輸送單元之間循環(huán)移動(dòng)。
[0039]第一輸送單元和第二輸送單元可以彼此平行地分別布置在上方和下方。
[0040]傳送單元在所述室中可以以不接觸第一輸送單元的方式被傳送。
[0041]有機(jī)層沉積設(shè)備可以包括排放不同沉積材料的多個(gè)有機(jī)層沉積組件。
[0042]形成有機(jī)層的步驟可以包括在基底上同時(shí)沉積從多個(gè)有機(jī)層沉積組件排放的各沉積材料。
[0043]有機(jī)層沉積組件可以包括:沉積源，排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的側(cè)面并且包括多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，面對(duì)沉積源噴嘴單元并且包括沿著與第一方向垂直的第二方向布置的多個(gè)圖案化縫隙，從沉積源排放的沉積材料可以穿過圖案化縫隙片，以按特定圖案沉積在基底上。
[0044]在第一方向和與第一方向垂直的第二方向中的至少任何一個(gè)方向上，有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片可以形成為比基底小。[0045]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:基底；至少一個(gè)薄膜晶體管，設(shè)置在基底上并且包括半導(dǎo)體有源層、與半導(dǎo)體有源層絕緣的柵極以及均接觸半導(dǎo)體有源層的源極和漏極；多個(gè)像素電極，設(shè)置在所述至少一個(gè)薄膜晶體管上；多個(gè)有機(jī)層，設(shè)置在所述多個(gè)像素電極上；以及對(duì)向電極，設(shè)置在所述多個(gè)有機(jī)層上，其中，形成在基底上的多個(gè)有機(jī)層中的離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)的至少一個(gè)有機(jī)層的斜邊的長(zhǎng)度大于形成為靠近沉積區(qū)域的中心的其它有機(jī)層的斜邊的長(zhǎng)度，其中，形成在基底上的多個(gè)有機(jī)層中的所述至少一個(gè)有機(jī)層通過利用上面描述的有機(jī)層沉積設(shè)備形成的線性圖案化的有機(jī)層。
[0046]基底可以具有40英寸或更大的尺寸。
[0047]多個(gè)有機(jī)層可以至少包括發(fā)射層。
[0048]所述多個(gè)有機(jī)層可以具有不均勻的厚度。
[0049]在離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)地形成的每個(gè)有機(jī)層中，離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)的斜邊可以比另一斜邊長(zhǎng)。
[0050]在一個(gè)實(shí)施例中，形成在沉積區(qū)域中的所述多個(gè)有機(jī)層之中的有機(jī)層離沉積區(qū)域的中心越遠(yuǎn)，所述多個(gè)有機(jī)層中的該有機(jī)層的兩側(cè)的疊置區(qū)域形成地越窄。
[0051]設(shè)置在沉積區(qū)域的中心的有機(jī)層的斜邊可以具有基本相同的長(zhǎng)度。
[0052]設(shè)置在沉積區(qū)域中的所述多個(gè)有機(jī)層可以關(guān)于沉積區(qū)域的中心對(duì)稱布置。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0053]通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其它特征及優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，在附圖中:
[0054]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；
[0055]圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1中的有機(jī)層沉積設(shè)備的沉積單元的示意性側(cè)視圖；
[0056]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1中的有機(jī)層沉積設(shè)備的沉積單元的示意性透視圖；
[0057]圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中的沉積單元的示意性剖視圖；
[0058]圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中的沉積單元的沉積源的透視圖；
[0059]圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖3中的沉積單元的沉積源的透視圖；
[0060]圖7是具體示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中的沉積單元的傳送單元的運(yùn)送器的透視圖；
[0061]圖8是具體示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中的沉積單元的第一輸送單元和傳送單元的剖視圖；
[0062]圖9是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中的沉積單元的線圈形成在大氣(ATM)箱中的結(jié)構(gòu)的圖；
[0063]圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在包括圖3中的沉積單元的有機(jī)層沉積設(shè)備的圖案化縫隙片中圖案化縫隙以等間距布置的結(jié)構(gòu)的圖；
[0064]圖11是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的通過利用圖10中的圖案化縫隙片形成在基底上的有機(jī)層的圖；以及[0065]圖12是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造的有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0066]現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例，在附圖中示出了本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施例的示例，其中，相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。下面通過參照附圖描述實(shí)施例來解釋本發(fā)明的
方面。當(dāng)諸如“......中的至少一個(gè)(種)”的表述位于一系列元件(要素)之后時(shí)，修飾整個(gè)系
列的元件(要素)，而不是修飾所述系列中的單個(gè)元件(要素) 。
[0067]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備I的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1中的有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100的示意性側(cè)視圖。
[0068]參照?qǐng)D1和圖2，有機(jī)層沉積設(shè)備I包括沉積單元100、加載單元200、卸載單元300和輸送單元400。
[0069]加載單元200可以包括第一支架212、傳遞室214、第一翻轉(zhuǎn)室218和緩沖室219。
[0070]其上還沒有施加沉積材料的多個(gè)基底2堆疊在第一支架212上。包括在傳遞室214中的傳遞機(jī)器人從第一支架212拾起一個(gè)基底2，將基底2放置在通過第二輸送單元420傳送的傳送單元430上，并且將其上設(shè)置有基底2的傳送單元430移動(dòng)到第一翻轉(zhuǎn)室218中。
[0071]第一翻轉(zhuǎn)室218設(shè)置為鄰近傳遞室214。第一翻轉(zhuǎn)室218包括將傳送單元430翻轉(zhuǎn)然后將傳送單元430加載在沉積單元100的第一輸送單元410上的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人。
[0072]參照?qǐng)D1，傳遞室214的傳遞機(jī)器人將一個(gè)基底2放置在傳送單元430的頂表面上，其上設(shè)置有基底2的傳送單元430然后被傳送到第一翻轉(zhuǎn)室218中。第一翻轉(zhuǎn)室218的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人將第一翻轉(zhuǎn)室218翻轉(zhuǎn)，從而基底2在沉積單元100中被上下顛倒。
[0073]卸載單元300被構(gòu)造為以與上面描述的加載單元200的方式相反的方式操作。具體地講，第二翻轉(zhuǎn)室328中的第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人將已經(jīng)穿過沉積單元100同時(shí)基底2設(shè)置在傳送單元430上的傳送單元430翻轉(zhuǎn)，然后將其上設(shè)置有基底2的傳送單元430移動(dòng)到排出室324中。然后，排出機(jī)器人將其上設(shè)置有基底2的傳送單元430從排出室324取出，將基底2與傳送單元430分離，然后將基底2加載在第二支架322上。與基底2分開的傳送單元430經(jīng)由第二輸送單元420返回到加載單元200。
[0074]然而，本發(fā)明不限于以上示例。例如，當(dāng)將基底2設(shè)置在傳送單元430上時(shí)，基底2可以固定到傳送單元430的底表面上，然后移動(dòng)到沉積單元100中。在這種實(shí)施例中，例如，可以省略第一翻轉(zhuǎn)室218的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人和第二翻轉(zhuǎn)室328的第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人。
[0075]沉積單元100可以包括至少一個(gè)用于沉積的室。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1和圖2中所示，沉積單元100包括室101，在室101中，可以設(shè)置多個(gè)有機(jī)層沉積組件(100-1)(100-2)……(100-n)。參照?qǐng)D1，在室101中設(shè)置有11個(gè)有機(jī)層沉積組件，即，第一有機(jī)層沉積組件(100-1)、第二有機(jī)層沉積組件(100-2)、……、第十一有機(jī)層沉積組件(100-11)，但是有機(jī)層沉積組件的數(shù)量可以隨著期望的沉積材料和沉積條件而變化。室101在沉積工藝過程中保持在真空狀態(tài)。
[0076]關(guān)于這一點(diǎn)，11個(gè)有機(jī)層沉積組件中的一些可以用于沉積來形成公共層，11個(gè)有機(jī)層沉積組件中的剩余部分可以用于沉積來形成圖案層。在本實(shí)施例中，用于沉積來形成公共層的有機(jī)層沉積組件可以不包括圖案化縫隙片130(參照?qǐng)D3)。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，11個(gè)有機(jī)層沉積組件可以被構(gòu)造為，第一有機(jī)層沉積組件100-1執(zhí)行沉積來形成作為公共層的空穴注入層(HIL)，第二有機(jī)層沉積組件100-2執(zhí)行沉積來形成作為公共層的注入層(IL)，第三有機(jī)層沉積組件100-3和第四有機(jī)層沉積組件100-4執(zhí)行沉積用來形成作為公共層的空穴傳輸層(HTL)，第五有機(jī)層沉積組件100-5執(zhí)行沉積用來形成例如作為公共層的HTL中的V材料和/或G'材料，第六有機(jī)層沉積組件100-6執(zhí)行沉積用來形成作為公共層的HTL中的R'，材料，第七有機(jī)層沉積組件100-7執(zhí)行沉積用來形成作為圖案層的紅色發(fā)射層(R EML)，第八有機(jī)層沉積組件100-8執(zhí)行沉積用來形成作為圖案層的綠色發(fā)射層(GEML)，第九有機(jī)層沉積組件100-9執(zhí)行沉積用來形成作為圖案層的藍(lán)色發(fā)射層(B EML)，第十有機(jī)層沉積組件100-10執(zhí)行沉積用來形成作為公共層的電子傳輸層(ETL)，第十一有機(jī)沉積組件100-11執(zhí)行沉積用來形成作為公共層的電子注入層(EIL)。如上所述的有機(jī)層沉積組件也可以以各種形式布置。
[0077]在圖1示出的實(shí)施例中，其上固定有基底2的傳送單元430可以被第一輸送單元410至少移動(dòng)到沉積單元100或者可以被第一輸送單元410順序地移動(dòng)到加載單元200、沉積單元100和卸載單元300，在卸載單元300中與基底2分開的傳送單元430可以被第二輸送單元420移動(dòng)回到加載單元200。
[0078]第一輸送單元410在穿過沉積單元100時(shí)穿過室101，第二輸送單元420輸送基底2已經(jīng)從傳送單元430分離的傳送單元430。
[0079]在本實(shí)施例中，有機(jī)層沉積設(shè)備I被構(gòu)造為使得第一輸送單元410和第二輸送單元420分別設(shè)置在上方和下方，從而在傳送單元430在卸載單元300中與基底2分開(其中，傳送單元430在穿過第一輸送單元410的同時(shí)已經(jīng)在傳送單元430上完成了沉積)之后，傳送單元430經(jīng)由形成在第一輸送單元410下方的第二輸送單元420返回到加載單元200，從而有機(jī)層沉積設(shè)備I可以具有提高的空間利用效率。
[0080]在實(shí)施例中，圖1的沉積單元100還可以包括設(shè)置在每個(gè)有機(jī)層沉積組件的側(cè)面的沉積源更換單元190。盡管在圖中沒有具體示出，但是沉積源更換單元190可以形成為可以從每個(gè)有機(jī)層沉積組件拉到外部的卡帶形式。因此，有機(jī)層沉積組件100-1的沉積源110 (參照?qǐng)D3)可以容易地更換。
[0081]圖1示出了平行布置兩組結(jié)構(gòu)的有機(jī)層沉積設(shè)備I，每組結(jié)構(gòu)包括加載單元200、沉積單元100、卸載單元300和輸送單元400。即，可以看出，兩個(gè)有機(jī)層沉積設(shè)備I分別布置在圖案化縫隙片更換單元500的一側(cè)和另一側(cè)(圖1中的上方和下方)。在這種實(shí)施例中，圖案化縫隙片更換單元500可以設(shè)置在兩個(gè)有機(jī)層沉積設(shè)備I之間。S卩，由于這種結(jié)構(gòu)的配置，兩個(gè)有機(jī)層沉積設(shè)備I共用圖案化縫隙片更換單元500，從而與每個(gè)有機(jī)層沉積設(shè)備I包括圖案化縫隙片更換單元500的情況相比，提高了空間利用效率。
[0082]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1中的有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100的示意性透視圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中的沉積單元100的示意性剖視圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中的沉積單元100的三個(gè)沉積源110的透視圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖3中的沉積單元100的三個(gè)沉積源110'的透視圖。圖7是具體地示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中的沉積單元100的傳送單元430的運(yùn)送器431的透視圖。圖8是具體地示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中的沉積單元100的第一輸送單元410和傳送單元430的剖視圖。[0083]參照?qǐng)D3和圖4，有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100包括至少一個(gè)有機(jī)層沉積組件100-1和輸送單元400。
[0084]在下文中，將描述沉積單元100的總體結(jié)構(gòu)。
[0085]室101可以形成為中空的盒子形式并且容納至少一個(gè)有機(jī)層沉積組件100-1和傳送單元430。在另一種描述方式中，形成腳部102，從而將沉積單元100固定在地上，下殼體103設(shè)置在腳部102上，上殼體104設(shè)置在下殼體103上。室101容納下殼體103和上殼體104。關(guān)于這一點(diǎn)，密封下殼體103和室101的連接部分，從而室101的內(nèi)部與外部完全隔離。由于下殼體103和上殼體104設(shè)置在固定在地上的腳部102上的結(jié)構(gòu)，所以即使室101重復(fù)地收縮和膨脹，下殼體103和上殼體104也可以保持在固定位置。因此，下殼體103和上殼體104可以用作沉積單元100的基準(zhǔn)框架。
[0086]上殼體104包括有機(jī)層沉積組件100-1和輸送單元400的第一輸送單元410，下殼體103包括輸送單元400的第二輸送單元420。在傳送單元430在第一輸送單元410和第二輸送單元420之間循環(huán)移動(dòng)的同時(shí)，連續(xù)執(zhí)行沉積工藝。
[0087]在下文中，詳細(xì)描述有機(jī)層沉積組件100-1的構(gòu)成。
[0088]第一有機(jī)層沉積組件100-1包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、圖案化縫隙片130、屏蔽構(gòu)件140、第一臺(tái)階150、第二臺(tái)階160、照相機(jī)170和傳感器180。關(guān)于這一點(diǎn)，圖3和圖4中示出的所有元件可以布置在保持在適當(dāng)?shù)恼婵諣顟B(tài)的室101中。需要這種結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)沉積材料的線性。
[0089]具體地講，為了將已經(jīng)從沉積源110排放出來并且穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片130的沉積材料115以期望的圖案沉積到基底2上，期望將室(未示出)保持在與FMM的沉積方法中使用的真空狀態(tài)相同的真空狀態(tài)。另外，圖案化縫隙片130的溫度應(yīng)該充分低于沉積源110的溫度(大約100°C或更低)，這是因?yàn)楫?dāng)圖案化縫隙片130的溫度充分低時(shí)，圖案化縫隙片130的熱膨脹被最小化。
[0090]其上將要沉積沉積材料115的基底2布置在室101中?；?可以為用于平板顯示裝置的基底。例如，諸如用于制造多個(gè)平板顯示器的母玻璃的大基底可以用作基底2。
[0091]根據(jù)實(shí)施例，可以在基底2相對(duì)于有機(jī)層沉積組件100-1移動(dòng)的情況下執(zhí)行沉積工藝。
[0092]在利用FMM的傳統(tǒng)沉積方法中，F(xiàn)MM的尺寸需要與基底的尺寸相同。因此，隨著基底的尺寸增加，F(xiàn)MM也需要為大尺寸。由于這些問題，難以制造FMM并且由于拉伸FMM難以按照精確圖案對(duì)準(zhǔn)FMM。
[0093]為了解決這些問題，在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100-1中，可以在有機(jī)層沉積組件100-1和基底2相對(duì)于彼此移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。換而言之，可以在面對(duì)有機(jī)層沉積組件100-1的基底2沿著Y軸方向運(yùn)動(dòng)的同時(shí)連續(xù)地執(zhí)行沉積。即，在基底2沿著圖3中示出的箭頭A的方向移動(dòng)的同時(shí)，按照掃描方式執(zhí)行沉積。盡管基底2示出為在執(zhí)行沉積時(shí)在圖3的室101中沿著Y軸方向移動(dòng)，但是本發(fā)明不限于此。例如，可以在有機(jī)層沉積組件100-1沿著Y軸方向移動(dòng)并且基底2保持在固定位置的同時(shí)執(zhí)行沉積。
[0094]因此，在有機(jī)層沉積組件100-1中，圖案化縫隙片130可以遠(yuǎn)小于在傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM。換而言之，在有機(jī)層沉積組件100-1中，在基底2沿著Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)連續(xù)地執(zhí)行沉積，即，以掃描方式連續(xù)地執(zhí)行沉積。因此，圖案化縫隙片130沿X軸方向和Y軸方向的長(zhǎng)度中的至少一個(gè)可以遠(yuǎn)小于基底2的長(zhǎng)度。由于圖案化縫隙片130可以形成為遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM，所以容易制造圖案化縫隙片130。即，與傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM相比，圖案化縫隙片130在包括以下步驟的制造工藝中更有利，S卩，精確拉伸之后的蝕刻、焊接、傳送和清洗工藝。另外，更有利于制造相對(duì)大的顯示裝置。
[0095]為了在有機(jī)層沉積組件100-1和基底2如上所述相對(duì)于彼此移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積，有機(jī)層沉積組件100-1和基底2可以彼此分隔開特定的距離。下面對(duì)此進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0096]包含并加熱沉積材料115的沉積源110設(shè)置在與在室中設(shè)置有基底2的側(cè)面相對(duì)(面對(duì))的側(cè)面處。隨著包含在沉積源110中的沉積材料115被蒸發(fā)，在基底2上執(zhí)行沉積。
[0097]沉積源110包括填充有沉積材料115的坩堝111和加熱器112，加熱器112加熱坩堝111，以使沉積材料115朝向坩堝111的填充有沉積材料115的側(cè)面蒸發(fā)，具體地，朝向沉積源噴嘴單元120蒸發(fā)。
[0098]在一個(gè)實(shí)施例中，沉積源噴嘴單元120設(shè)置在沉積源110面對(duì)基底2的側(cè)面。關(guān)于這一點(diǎn)，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件在執(zhí)行用于形成公共層和圖案層的沉積過程中可以包括不同的沉積噴嘴。將在下面對(duì)該結(jié)構(gòu)進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0099]圖5是用于形成圖案層的沉積源噴嘴的透視圖。圖6是用于形成公共層的沉積源噴嘴的透視圖。
[0100]參照?qǐng)D5，有機(jī)層沉積組件100-1包括三個(gè)沉積源110和三個(gè)沉積源噴嘴單元120。每個(gè)沉積源噴嘴單元120包括位于其中心部分處的沉積源噴嘴121。已經(jīng)在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120并沉積到其上將沉積沉積材料115的基底2上。沉積源噴嘴121形成在沉積源噴嘴單元120中，三個(gè)沉積源110沿著基底2的掃描方向布置在有機(jī)層沉積組件100-1中。即，多個(gè)沉積源噴嘴121可以沿著基底2的掃描方向形成在有機(jī)層沉積組件100-1中。如果多個(gè)沉積源噴嘴121沿著X軸方向布置，則各個(gè)沉積源噴嘴121和圖案化縫隙131 (見圖10)之間的距離彼此不同，因此，由于設(shè)置為遠(yuǎn)離圖案化縫隙131的沉積源噴嘴121排放的沉積材料115，在基底2上出現(xiàn)陰影。因此，在本實(shí)施例中，沉積源噴嘴121形成為使得沿著X軸方向僅形成一行沉積源噴嘴121，以顯著減少陰影的存在。另外，沉積源噴嘴121沿著基底2的掃描方向布置，因此，可以補(bǔ)償在沉積源噴嘴121之間出現(xiàn)的流量差，并且可以恒定地保持沉積均勻性。
[0101 ] 盡管在圖5和圖6中沒有示出，但是三個(gè)沉積源110中的設(shè)置在位于中間的沉積源噴嘴的兩側(cè)的兩個(gè)沉積源噴嘴110可以用來沉積主體材料，設(shè)置在它們的中間的另一個(gè)沉積源110可以用來沉積摻雜劑材料。如上所述，根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備包括用于沉積主體材料的兩個(gè)沉積源和用于沉積摻雜劑材料的一個(gè)沉積源，因此，主體材料和摻雜劑材料可以共沉積在基底2上，因此，可以簡(jiǎn)化并快速地執(zhí)行制造工藝，并且使用該有機(jī)層沉積設(shè)備制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以具有改進(jìn)的效率。
[0102]參照?qǐng)D6，沉積源噴嘴單元120’設(shè)置在沉積源110’的側(cè)面，具體地講，沉積源噴嘴單元120’設(shè)置在沉積源110’的面對(duì)基底2的側(cè)面。沉積源噴嘴單元120’包括沿著X軸方向(即，與基底2的掃描方向垂直的方向)布置的多個(gè)沉積源噴嘴121’。關(guān)于這一點(diǎn)，多個(gè)沉積源噴嘴121’可以以等間距或者以朝向其兩端較小的間距布置。已經(jīng)在沉積源110’中蒸發(fā)的沉積材料穿過沉積源噴嘴單元120’的沉積源噴嘴121’，然后沉積到基底2上。通過沿著X軸方向(即，與基底2的掃描方向垂直的方向)布置多個(gè)沉積源噴嘴121’，從而形成公共層，可以改進(jìn)公共層的厚度均勻性。
[0103]在一個(gè)實(shí)施例中，圖案化縫隙片130可以設(shè)置在沉積源110和基底2之間。圖案化縫隙片130還可以包括具有與窗口框架相似形狀的框架135。圖案化縫隙片130包括沿著X軸方向布置的多個(gè)圖案化縫隙131。已經(jīng)在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片130，然后沉積到基底2上。關(guān)于這一點(diǎn)，圖案化縫隙片130可以利用與用來形成FMM (具體地，條形掩模)的方法相同的方法(例如，蝕刻)形成。關(guān)于這一點(diǎn)，圖案化縫隙131的總數(shù)可以大于沉積源噴嘴121的總數(shù)。
[0104]在一個(gè)實(shí)施例中，沉積源110 (和結(jié)合到沉積源110的沉積源噴嘴單元120)與圖案化縫隙片130可以彼此分隔開特定的距離。
[0105]如上所述，在有機(jī)層沉積組件100-1相對(duì)于基底2移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。為了使有機(jī)層沉積組件100-1相對(duì)于基底2移動(dòng)，圖案化縫隙片130設(shè)置為與基底2分隔開特定的距離。
[0106]在利用FMM的傳統(tǒng)沉積方法中，為了防止在基底上形成陰影，在FMM緊密接觸基底的情況下執(zhí)行沉積。然而，當(dāng)FMM形成為緊密接觸基底時(shí)，會(huì)發(fā)生由于基底與FMM之間的接觸導(dǎo)致的缺陷。另外，由于難以使掩模相對(duì)于基底移動(dòng)，所以掩模和基底需要形成為相同的尺寸。因此，隨著顯示裝置的尺寸增加，需要大的掩模。然而，難以形成大的掩模。
[0107]為了解決這些問題，在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積組件100-1中，圖案化縫隙片130形成為與其上將沉積沉積材料的基底2分隔開特定的距離。
[0108]根據(jù)本實(shí)施例，可以在形成為比基底小的掩模相對(duì)于基底移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積，因此容易制造掩模。另外，可以防止由于基底和掩模之間的接觸導(dǎo)致的缺陷。另外，由于在沉積工藝期間將基底與掩模緊密接觸不是必須的，所以可以提高制造速度。
[0109]在下文中，將描述上殼體104的每個(gè)元件的具體布置。
[0110]沉積源110和沉積源噴嘴單元120設(shè)置在上殼體104的底部上。容納部分104_1分別形成在沉積源Iio和沉積源噴嘴單元120的兩側(cè)上，以具有突出形狀。第一臺(tái)階150、第二臺(tái)階160和圖案化縫隙片130按此順序依次形成在容納部分104-1上。
[0111]關(guān)于這一點(diǎn)，第一臺(tái)階150形成為沿著X軸和Y軸方向移動(dòng)，從而第一臺(tái)階150沿著X軸和Y軸方向與圖案化縫隙片130對(duì)準(zhǔn)。即，第一臺(tái)階150包括多個(gè)致動(dòng)器，從而第一臺(tái)階150相對(duì)于上殼體104沿著X軸和Y軸方向移動(dòng)。
[0112]第二臺(tái)階160形成為沿著Z軸方向移動(dòng)，從而沿著Z軸方向?qū)?zhǔn)圖案化縫隙片130。S卩，第二臺(tái)階160包括多個(gè)致動(dòng)器，并且形成為相對(duì)于第一臺(tái)階150沿著Z軸方向移動(dòng)。
[0113]圖案化縫隙片130設(shè)置在第二臺(tái)階160上。圖案化縫隙片130設(shè)置在第一臺(tái)階150和第二臺(tái)階160上，以沿著X軸、Y軸和Z軸方向移動(dòng)，因此可以執(zhí)行基底2和圖案化縫隙片130之間的對(duì)準(zhǔn)(具體地，實(shí)時(shí)對(duì)準(zhǔn))。
[0114]另外，上殼體104、第一臺(tái)階150和第二臺(tái)階160可以引導(dǎo)沉積材料115的流動(dòng)路徑，從而通過沉積源噴嘴121排放的沉積材料115不分散到流動(dòng)路徑外部。即，沉積材料115的流動(dòng)路徑被上殼體104、第一臺(tái)階150和第二臺(tái)階160密封，因此，于是可以同步或同時(shí)引導(dǎo)沉積材料115沿著X軸和Y軸方向的運(yùn)動(dòng)。[0115]屏蔽構(gòu)件140可以設(shè)置在圖案化縫隙片130和沉積源110之間。具體地，陽極或陰極圖案形成在基底2的邊緣部分上并且用作用于檢查產(chǎn)品或制造產(chǎn)品過程中的端子。如果有機(jī)材料被施加在基底2的區(qū)域上，則陽極或陰極不能充分地執(zhí)行其功能。因此，基底2的邊緣部分形成為其上沒有施加有機(jī)材料等的非膜形成區(qū)域。然而，如上所述，在有機(jī)層沉積設(shè)備中，在基底2相對(duì)于有機(jī)層沉積設(shè)備移動(dòng)的同時(shí)，以掃描方式執(zhí)行沉積，因此，不容易防止有機(jī)材料沉積在基底2的非膜形成區(qū)域上。
[0116]因此，為了防止有機(jī)材料沉積在基底2的非膜形成區(qū)域上，在有機(jī)層沉積設(shè)備中，屏蔽構(gòu)件140可以設(shè)置在基底2的邊緣部分上。盡管圖3和圖4中未具體示出，但是屏蔽構(gòu)件140可以包括兩個(gè)相鄰的板。
[0117]當(dāng)基底2不穿過有機(jī)層沉積組件100-1時(shí)，屏蔽構(gòu)件140遮蔽沉積源110，因此從沉積源Iio排放的沉積材料115不達(dá)到圖案化縫隙片130。當(dāng)基底2進(jìn)入具有遮蔽沉積源110的屏蔽構(gòu)件140的有機(jī)層沉積組件100-1中時(shí)，屏蔽構(gòu)件140的遮蔽沉積源110的前部隨著基底2的移動(dòng)而移動(dòng)，因此沉積材料115的流動(dòng)路徑被打開，從沉積源110排放的沉積材料115穿過圖案化縫隙片130并沉積在基底2上。另外，當(dāng)基底2穿過有機(jī)層沉積組件100-1時(shí)，屏蔽構(gòu)件140的后部隨著基底2的移動(dòng)而移動(dòng)，以遮蔽沉積源110，從而沉積材料115的流動(dòng)路徑被關(guān)閉。因此，從沉積源110排放的沉積材料115不到達(dá)圖案化縫隙片130。
[0118]如上所述，基底2的非膜形成區(qū)域被屏蔽構(gòu)件140遮蔽，因此可以在不使用單獨(dú)結(jié)構(gòu)的情況下容易地防止有機(jī)材料沉積在基底2的非膜形成區(qū)域上。
[0119]在下文中，更詳細(xì)地描述輸送其上將要沉積沉積材料115的基底2的輸送單元400。參照?qǐng)D3、圖4、圖7和圖8，輸送單元400包括第一輸送單元410、第二輸送單元420和傳送單元430。
[0120]第一輸送單元410以在線方式輸送包括運(yùn)送器431和附于運(yùn)送器431的靜電卡盤432的傳送單元430以及附于傳送單元430的基底2，使得可以通過有機(jī)層沉積組件100-1將有機(jī)層形成在基底2上。第一輸送單元410包括線圈411、引導(dǎo)構(gòu)件412、上磁懸浮軸承413、側(cè)面磁懸浮軸承414以及間隙傳感器415和416。
[0121]在傳送單元430穿過沉積單元100的同時(shí)完成了一個(gè)沉積循環(huán)之后，第二輸送單元420將已經(jīng)在卸載單元300中分離了基底2的傳送單元430返回加載單元200。第二輸送單元420包括線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423。
[0122]傳送單元430包括沿著第一輸送單元410和第二輸送單元420輸送的運(yùn)送器431和結(jié)合在運(yùn)送器431的表面上并且基底2附于其上的靜電卡盤432。
[0123]在下文中，將更詳細(xì)地描述輸送單元400的每個(gè)元件。
[0124]現(xiàn)在將詳細(xì)描述傳送單元430的運(yùn)送器431。
[0125]參照?qǐng)D7，運(yùn)送器431包括主體部件43la、磁軌43Ib、非接觸電源(CPS)模塊431c、電源單元431d和引導(dǎo)槽431e。運(yùn)送器431還可以包括凸輪從動(dòng)件431f (見圖8)。
[0126]主體部件431a構(gòu)成運(yùn)送器431的基礎(chǔ)部件，并且可以由諸如鐵的磁性材料形成。關(guān)于這一點(diǎn)，由于主體部件431a與對(duì)應(yīng)的上磁懸浮軸承413和側(cè)面磁懸浮軸承414 (下面描述)之間的排斥力，使得運(yùn)送器431可以與引導(dǎo)構(gòu)件412保持分隔開特定的距離。
[0127]引導(dǎo)槽431e可以分別形成在主體部件431a的兩側(cè)處，并且均可以容納引導(dǎo)構(gòu)件412的引導(dǎo)突起412e。
[0128]磁軌431b可以在主體部件431a行進(jìn)的方向沿著主體部件431a的中線形成。LMS磁體431b和線圈411 (后面進(jìn)行更詳細(xì)的描述)可以彼此結(jié)合以構(gòu)成線性電動(dòng)機(jī)，運(yùn)送器431可以在線性電動(dòng)機(jī)的作用下沿著箭頭A的方向輸送。
[0129]CPS模塊431c和電源單元431d可以在主體部件431a中分別形成在LMS磁體431b的兩側(cè)上。電源單元431d包括提供電力的電池(例如，可再充電電池)，從而靜電卡盤432可以卡住基底2并且保持操作。CPS模塊431c是為電源單元431d充電的無線充電模塊。具體地講，形成在第二輸送單元420中的充電軌道423 (后面描述)連接到逆變器(未示出)，因此當(dāng)運(yùn)送器431被傳送到第二輸送單元420時(shí)，在充電軌道423和CPS模塊431c之間形成磁場(chǎng)，從而為CPS模塊431c供電。供應(yīng)到CPS模塊431c的電力用來為電源單元43Id充電。
[0130]靜電卡盤432可以包括嵌入在由陶瓷形成的主體中的電極，其中，電極被供電。當(dāng)向電極施加高電壓時(shí)，基底2被附于靜電卡盤432的主體的表面上。
[0131]在下文中，詳細(xì)描述第一輸送單元410和傳送單元430。
[0132]參照?qǐng)D4和圖8,第一輸送單兀410輸送固定基底2的靜電卡盤432并且輸送運(yùn)送器431,其中，運(yùn)送器431輸送靜電卡盤432。關(guān)于這一點(diǎn),第一輸送單兀410包括線圈411、引導(dǎo)構(gòu)件412、上磁懸浮軸承413、側(cè)面磁懸浮軸承414以及間隙傳感器415和416。
[0133]線圈411和引導(dǎo)構(gòu)件412形成在上殼體104內(nèi)側(cè)。線圈411形成在上殼體104的上部中，引導(dǎo)構(gòu)件412分別形成在上殼體104的兩個(gè)內(nèi)側(cè)上。下面參照?qǐng)D9描述線圈411。
[0134]引導(dǎo)構(gòu)件412引導(dǎo)運(yùn)送器431沿著一定方向移動(dòng)。關(guān)于這一點(diǎn)，引導(dǎo)構(gòu)件412形成為穿過沉積單元100。
[0135]具體地講，引導(dǎo)構(gòu)件412容納運(yùn)送器431的兩側(cè)，以引導(dǎo)運(yùn)送器431沿著圖3中示出的箭頭A的方向移動(dòng)。關(guān)于這一點(diǎn)，引導(dǎo)構(gòu)件412可以包括設(shè)置在運(yùn)送器431下面的第一容納部件412a、設(shè)置在運(yùn)送器431上面的第二容納部件412b以及連接第一容納部件412a和第二容納部件412b的連接部件412c。通過第一容納部件412a、第二容納部件412b和連接部件412c形成容納槽412d。運(yùn)送器431的兩側(cè)分別容納在容納槽412d中，運(yùn)送器431沿著容納槽412d移動(dòng)。
[0136]側(cè)面磁懸浮軸承414均設(shè)置在引導(dǎo)構(gòu)件412的連接部件412c中，從而分別對(duì)應(yīng)于運(yùn)送器431的兩側(cè)。側(cè)面磁懸浮軸承414引起運(yùn)送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離，從而運(yùn)送器431以不與引導(dǎo)構(gòu)件412接觸的方式沿著引導(dǎo)構(gòu)件412移動(dòng)。S卩，位于圖8的左側(cè)上的側(cè)面磁懸浮軸承414和運(yùn)送器431 (為磁性材料)之間存在的排斥力Rl以及在圖8的右側(cè)上的側(cè)面磁懸浮軸承414與運(yùn)送器431 (為磁性材料)之間存在的排斥力R2保持平衡，因此在運(yùn)送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412的各個(gè)部件之間存在恒定距離。
[0137]每個(gè)上磁懸浮軸承413可以設(shè)置在第二容納部件412b中，以位于運(yùn)送器431上方。上磁懸浮軸承413能夠使運(yùn)送器431以與第一容納部件412a和第二容納部件412b不接觸且使運(yùn)送器431與第一容納部件412a和第二容納部件412b之間的距離保持恒定的方式沿著引導(dǎo)構(gòu)件412移動(dòng)。即，在上磁懸浮軸承413和運(yùn)送器431 (為磁性材料)之間存在的排斥力R3和重力G保持平衡，因此運(yùn)送器431和對(duì)應(yīng)引導(dǎo)構(gòu)件412之間存在恒定的距離。
[0138]每個(gè)引導(dǎo)構(gòu)件412還可以包括間隙傳感器415。間隙傳感器415可以測(cè)量運(yùn)送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離。參照?qǐng)D8，間隙傳感器415可以設(shè)置在第一容納部件412a中，以對(duì)應(yīng)于運(yùn)送器431的底部。設(shè)置在第一容納部件412a中的間隙傳感器415可以測(cè)量第一容納部件412a和運(yùn)送器431之間的距離。間隙傳感器416可以設(shè)置在側(cè)面磁懸浮軸承414的側(cè)面。間隙傳感器416可以測(cè)量運(yùn)送器431的側(cè)表面和側(cè)面磁懸浮軸承414之間的距離。本發(fā)明不限于以上示例，間隙傳感器416可以設(shè)置在連接部件412c中。
[0139]上磁懸浮軸承413和側(cè)面磁懸浮軸承414的磁力可以根據(jù)間隙傳感器415和間隙傳感器416測(cè)量的值改變，因此，可以實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)運(yùn)送器431和各引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離。即，運(yùn)送器431的精確傳送可以利用上磁懸浮軸承413、側(cè)面磁懸浮軸承414、間隙傳感器415和間隙傳感器416進(jìn)行反饋控制。
[0140]在下文中，更詳細(xì)描述傳送單元430的操作。
[0141]LMS磁體431b和線圈411可以彼此結(jié)合以構(gòu)成操作單元。關(guān)于這一點(diǎn)，所述操作單元可以為線性電動(dòng)機(jī)。與傳統(tǒng)的滑動(dòng)導(dǎo)軌系統(tǒng)相比，線性電動(dòng)機(jī)具有小的摩擦系數(shù)、小的位置誤差以及非常高程度的位置確定。如上所述，線性電動(dòng)機(jī)可以包括線圈411和LMS磁體431b。LMS磁體431b線性地設(shè)置在運(yùn)送器431上，多個(gè)線圈411可以以特定的距離設(shè)置在室101的內(nèi)側(cè)，以面對(duì)LMS磁體431b。由于LMS磁體431b設(shè)置在運(yùn)送器431而不是線圈411上，所以運(yùn)送器431可以在沒有對(duì)其提供電力的情況下操作。
[0142]關(guān)于這一點(diǎn)，線圈411可以形成在大氣(ATM)箱中。具體地，即使與傳統(tǒng)的滑動(dòng)導(dǎo)軌系統(tǒng)相比，線性電動(dòng)機(jī)通常具有非常高程度的位置確定，但是由于線圈放氣導(dǎo)致難以在真空環(huán)境下使用線性電動(dòng)機(jī)。然而，在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備使用的輸送系統(tǒng)中，LMS磁體431b和線圈411可以通過彼此分隔開大約5mm的距離來操作，因此，線圈411被包括在空氣氣氛下的ATM箱中，LMS磁體431b附于其上的運(yùn)送器431可以在保持在真空的室101中移動(dòng)。現(xiàn)在將對(duì)此進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0143]圖9是示出圖3的線圈411形成在ATM箱中的結(jié)構(gòu)的圖。參照?qǐng)D9，線圈411容納在ATM箱411a中。在室101中形成空間，以對(duì)應(yīng)于線圈411，因此，線圈411對(duì)外部開放。波紋管411b形成為圍繞所述空間，波紋管411b和ATM箱411a彼此連接。關(guān)于這一點(diǎn)，表示為打褶的管的波紋管411b由于打褶形成為柔性的。因此，容納在ATM箱411a中的線圈411可以保持在空氣氣氛中，室101的內(nèi)部可以保持在真空狀態(tài)。電纜411c可以連接到空氣氣氛中的線圈411，因此可以從外部裝置向線圈411供電。加強(qiáng)板411d可以設(shè)置在波紋管411b的上側(cè)和下側(cè)上，以穩(wěn)定地連接室101和ATM箱411a。另外，諸如O型圈的密封構(gòu)件41 Ie可以設(shè)置在波紋管41 Ib和ATM箱41 Ia之間，因此可以改善室101內(nèi)的真空可靠性。
[0144]由于ATM箱41 Ia通過波紋管411b連接到室101，所以即使室101重復(fù)地收縮和膨脹，ATM箱411a和容納在ATM箱411a中的線圈411也可以保持在固定位置，因此線圈411和LMS磁體431b之間的距離可以保持為恒定。另外，由于容納在ATM箱411a中的線圈411保持在空氣氣氛中，所以可以使用線性電動(dòng)機(jī)，而不用考慮放氣的問題。
[0145]在下文中，詳細(xì)描述第二輸送單元420和傳送單元430。
[0146]返回參照?qǐng)D4，第二輸送單元420將已經(jīng)在卸載單元300中分離了基底2的靜電卡盤432和運(yùn)送靜電卡盤432的運(yùn)送器431返回到加載單元200。關(guān)于這一點(diǎn)，第二輸送單元420包括線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423。
[0147]具體地講，線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423可以位于下殼體103內(nèi)。線圈421和充電軌道423可以設(shè)置在下殼體103的頂部?jī)?nèi)表面上，輥式引導(dǎo)件422可以設(shè)置在下殼體103的兩個(gè)內(nèi)側(cè)上。盡管圖4中未示出，但是線圈421可以與第一輸送單元410的線圈411 一樣設(shè)置在ATM箱中。
[0148]與第一輸送單元410相似，第二輸送單元420可以包括線圈421。另外，運(yùn)送器431的LMS磁體431b和線圈421彼此結(jié)合，以構(gòu)成操作單元。關(guān)于這一點(diǎn)，所述操作單元可以為線性電動(dòng)機(jī)。運(yùn)送器431可以沿著與圖3中示出的箭頭A的方向相反的方向在線性電動(dòng)機(jī)的作用下移動(dòng)。
[0149]棍式引導(dǎo)件422引導(dǎo)運(yùn)送器431沿著一定方向移動(dòng)。關(guān)于這一點(diǎn)，棍式引導(dǎo)件422形成為穿過沉積單元100。具體地講，輥式引導(dǎo)件422支撐分別形成在運(yùn)送器431的兩側(cè)上的凸輪從動(dòng)件431f (見圖8)，以引導(dǎo)運(yùn)送器431沿著與圖3中示出的箭頭A的方向相反的方向移動(dòng)。即，利用設(shè)置在分別沿著輥式引導(dǎo)件422旋轉(zhuǎn)的運(yùn)送器431的兩側(cè)上的凸輪從動(dòng)件431f使運(yùn)送器431移動(dòng)。關(guān)于這一點(diǎn)，凸輪從動(dòng)件431f用作用來準(zhǔn)確地重復(fù)特定操作的軸承。在實(shí)施例中，多個(gè)凸輪從動(dòng)件431f形成在運(yùn)送器431的側(cè)表面上，并用作用于在第二輸送單元420中輸送運(yùn)送器431的輪子。這里沒有提供關(guān)于凸輪從動(dòng)件431f的詳細(xì)描述。
[0150]第二輸送單元420用在使已經(jīng)從其分離了基底2的運(yùn)送器431返回的工藝中，而沒有用在將有機(jī)材料沉積在基底2上的工藝中，因此，不需要如第一輸送單元410那樣要求第二輸送單元420的位置準(zhǔn)確度。因此，對(duì)需要高位置準(zhǔn)確度的第一輸送單元410施加磁懸浮，從而獲得位置準(zhǔn)確度，對(duì)需要相對(duì)低的位置準(zhǔn)確度的第二輸送單元420應(yīng)用傳統(tǒng)的輥?zhàn)臃椒?，從而降低制造成本并且?jiǎn)化有機(jī)層沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)。盡管在圖4中未示出，但是也可以如第一輸送單兀410中一樣對(duì)第二輸送單兀420施加磁懸浮。
[0151]根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備I的有機(jī)層沉積組件100-1還可以包括用于對(duì)準(zhǔn)工藝的照相機(jī)170和傳感器180。
[0152]照相機(jī)170可以將在圖案化縫隙片130的框架135中形成的第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)和在基底2上形成的第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記實(shí)時(shí)對(duì)準(zhǔn)。關(guān)于這一點(diǎn)，照相機(jī)170被設(shè)置為更準(zhǔn)確地觀察在沉積過程中保持為真空的室101。為此，照相機(jī)170可以安裝在大氣狀態(tài)下的照相機(jī)容納單元171中。即，與容納在圖9中示出的ATM箱中的線圈411類似，在室101中形成空間，以對(duì)應(yīng)于照相機(jī)170，因此照相機(jī)170對(duì)外部開放，照相機(jī)容納單元171形成為從所述空間延伸。因此，照相機(jī)170可以安裝在大氣狀態(tài)下的照相機(jī)容納單元171中，室101的內(nèi)部仍然可以保持在真空狀態(tài)下。由于這種結(jié)構(gòu)，即使室101重復(fù)地收縮和膨脹，照相機(jī)容納單元171和容納在其內(nèi)的照相機(jī)170也可以保持在固定位置。因此，照相機(jī)170可以更準(zhǔn)確地觀察在沉積過程中保持在真空的室101。
[0153]由于基底2和圖案化縫隙片130彼此分隔開特定的距離，所以需要利用照相機(jī)170測(cè)量與設(shè)置在不同位置處的基底2和圖案化縫隙片130兩者的距離。為了該操作，有機(jī)層沉積設(shè)備I的有機(jī)層沉積組件100-1可以包括傳感器180。對(duì)于這一點(diǎn)，傳感器180可以是共焦傳感器。共焦傳感器可以利用掃描鏡通過使用以高速旋轉(zhuǎn)的激光束來掃描待測(cè)量的目標(biāo)并且通過利用熒光或激光束發(fā)射的反射光線來測(cè)量與所述目標(biāo)的距離。共焦傳感器可以通過感測(cè)不同媒介之間的邊界界面來測(cè)量距離。
[0154]S卩，諸如共焦傳感器的傳感器180設(shè)置在室101中并且位于基底2上。共焦傳感器可以通過感測(cè)基底2的頂表面與空間之間的邊界界面來測(cè)量到基底2的頂表面的距離，并且通過感測(cè)基底2的底表面與空間之間的邊界界面來測(cè)量到基底2的底表面的距離。另夕卜，傳感器180可以通過感測(cè)空間與圖案化縫隙片130之間的邊界界面來測(cè)量到圖案化縫隙片130的頂表面的距離。因此，傳感器180可以通過測(cè)量到基底2的底表面的距離以及到圖案化縫隙片130的頂表面的距離來獲得基底2和圖案化縫隙片130之間的距離。
[0155]由于能夠利用照相機(jī)170和傳感器180實(shí)時(shí)測(cè)量基底2和圖案化縫隙片130之間的距離，所以基底2可以與圖案化縫隙片130實(shí)時(shí)對(duì)準(zhǔn)，從而可以顯著改善圖案的位置準(zhǔn)確度。
[0156]在下文中，更詳細(xì)地描述利用上面描述的有機(jī)層沉積設(shè)備I形成的有機(jī)層的結(jié)構(gòu)。
[0157]圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在包括圖3中的沉積單元100的有機(jī)層沉積設(shè)備I的圖案化縫隙片130中圖案化縫隙131以等間距布置的結(jié)構(gòu)的圖。圖11是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的利用圖10中的圖案化縫隙片130在基底2上形成的有機(jī)層的圖。
[0158]圖10和圖11示出了圖案化縫隙131以等間距布置的圖案化縫隙片130。S卩，在圖10中，圖案化縫隙131滿足下面的條件J1=I2=I3=Ip
[0159]在本實(shí)施例中，沿著沉積空間S的中線C排放的沉積材料的入射角基本上垂直于基底2。因此，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131a的沉積材料形成的有機(jī)層P1具有最小尺寸的陰影，右側(cè)陰影SR1和左側(cè)陰影SL1形成為彼此對(duì)稱。
[0160]然而，穿過離沉積空間S的中線C設(shè)置得較遠(yuǎn)的圖案化縫隙的沉積材料的臨界入射角Θ逐漸增大，因此，穿過最外側(cè)圖案化縫隙131e的沉積材料的臨界入射角Θ為大約55°。因此，沉積材料以相對(duì)于圖案化縫隙131e傾斜的方式入射，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131e的沉積材料形成的有機(jī)層P5具有最大陰影。具體地，左側(cè)陰影SL5比右側(cè)陰影SR5大。
[0161]S卩，隨著沉積材料的臨界入射角Θ增大，陰影的尺寸也增大。具體地講，在距離沉積空間S的中線C較遠(yuǎn)的位置處的陰影的尺寸增大。另外，隨著沉積空間S的中線C與各圖案化縫隙之間的距離增加，沉積材料的臨界入射角Θ增大。因此，利用穿過設(shè)置為距離沉積空間S的中線C較遠(yuǎn)的圖案化縫隙的沉積材料形成的有機(jī)層具有較大的陰影尺寸。具體地，在各有機(jī)層的兩側(cè)上的陰影中，在距離沉積空間S的中線C較遠(yuǎn)的位置處的陰影的尺寸大于另一位置處的陰影的尺寸。
[0162]S卩，參照?qǐng)D11，形成在沉積空間S的中線C的左側(cè)上的有機(jī)層具有左側(cè)斜邊大于右側(cè)斜邊的結(jié)構(gòu)，形成在沉積空間S的中線C的右側(cè)上的有機(jī)層具有右側(cè)斜邊大于左側(cè)斜邊的結(jié)構(gòu)。
[0163]另外，在形成在沉積空間S的中線C的左側(cè)上的有機(jī)層中，左側(cè)斜邊的長(zhǎng)度朝向左側(cè)增加。在形成在沉積空間S的中線C的右側(cè)上的有機(jī)層中，右側(cè)斜邊的長(zhǎng)度朝向右側(cè)增力口。結(jié)果，形成在沉積空間S中的有機(jī)層可以形成為關(guān)于沉積空間S的中線C彼此對(duì)稱。
[0164]現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述這種結(jié)構(gòu)。
[0165]穿過圖案化縫隙131b的沉積材料以臨界入射角Θ b穿過圖案化縫隙131b，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131b的沉積材料形成的有機(jī)層P2具有尺寸為SL2的左側(cè)陰影。類似地，穿過圖案化縫隙131c的沉積材料以臨界入射角Θ。穿過圖案化縫隙131c，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131c的沉積材料形成的有機(jī)層P3具有尺寸為SL3的左側(cè)陰影。類似地，穿過圖案化縫隙131d的沉積材料以臨界入射角Θ d穿過圖案化縫隙131d，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131d的沉積材料形成的有機(jī)層P4具有尺寸為SL4的左側(cè)陰影。類似地，穿過圖案化縫隙131e的沉積材料以臨界入射角Θ ^穿過圖案化縫隙131e，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131e的沉積材料形成的有機(jī)層P5具有尺寸為SL5的左側(cè)陰影。
[0166]關(guān)于這一點(diǎn)，臨界入射角滿足下面的條件:Θ b〈 Θ?！?Θ d〈 θ ε，因此，有機(jī)層的陰影尺寸也滿足下面的條件AL^SI^SLySLZSLp
[0167]圖12是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的利用有機(jī)層沉積設(shè)備I制造的有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的剖視圖。
[0168]參照?qǐng)D12，根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置10形成在基底30上?；?0可以由諸如玻璃、塑料或金屬的透明材料形成。在基底30的整個(gè)表面上形成諸如緩沖層的絕緣層31。
[0169]如圖12中所示，在絕緣層31上設(shè)置薄膜晶體管(TFT)40、電容器和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED) 60。
[0170]以設(shè)定或預(yù)定圖案在絕緣層31的上表面上形成半導(dǎo)體有源層41。柵極絕緣層32形成為覆蓋半導(dǎo)體有源層41。半導(dǎo)體有源層41可以包含P型或η型半導(dǎo)體材料。
[0171]TFT40的柵極42形成在柵極絕緣層32的對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體有源層41的區(qū)域中。層間絕緣層33形成為覆蓋柵極42。通過例如干蝕刻來蝕刻層間絕緣層33和柵極絕緣層32，以形成暴露半導(dǎo)體有源層41的部分的接觸孔。
[0172]源極/漏極43形成在層間絕緣層33上，以通過接觸孔接觸半導(dǎo)體有源層41。鈍化層34形成為覆蓋源極/漏極43，并且被蝕刻以暴露源極/漏極43中的一個(gè)的一部分。絕緣層59還可以形成在鈍化層34上，以使鈍化層34平坦化。
[0173]另外，0LED60通過根據(jù)電流發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光來顯示設(shè)定或預(yù)定的圖像信息。0LED60包括設(shè)置在鈍化層34上的第一電極61。第一電極61電連接到TFT40的被暴露的源極/漏極43。
[0174]像素限定層35形成為覆蓋第一電極61。在像素限定層35中形成開口，包括發(fā)射層(EML)的有機(jī)層63形成在通過所述開口限定的區(qū)域中。第二電極62形成在有機(jī)層63上。
[0175]限定各個(gè)像素的像素限定層35由有機(jī)材料形成。像素限定層35還將基底30的形成有第一電極61的區(qū)域的表面平坦化，具體地，像素限定層35將鈍化層34的表面平坦化。
[0176]第一電極61和第二電極62彼此絕緣,并且分別對(duì)有機(jī)層63施加相反極性的電壓來誘導(dǎo)發(fā)光。
[0177]包括EML的有機(jī)層63可以由低分子量有機(jī)材料或聞分子量有機(jī)材料形成。當(dāng)使用低分子量有機(jī)材料時(shí)，有機(jī)層63可以具有包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、EML、電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)的單層或多層結(jié)構(gòu)。在有機(jī)層63形成為多層結(jié)構(gòu)的情況下，該多層結(jié)構(gòu)中的層可以具有不均勻的厚度?？梢允褂玫挠袡C(jī)材料的非限制性示例可以包括銅酞菁(CuPc)、N，N' -二(1-萘基)_N，N' - 二苯基聯(lián)苯胺(NPB)和三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)。[0178]可以利用圖1至圖10中示出的有機(jī)層沉積設(shè)備I來形成包括EML的有機(jī)層63。即，將包括排放沉積材料的沉積源、設(shè)置在沉積源的側(cè)面并且包括形成在其中的多個(gè)沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元以及面對(duì)沉積源噴嘴單元并且包括形成在其中的多個(gè)圖案化縫隙的圖案化縫隙片的有機(jī)層沉積設(shè)備設(shè)置為與其上將沉積沉積材料的基底分隔開設(shè)定或預(yù)定距離。另外，在有機(jī)層沉積設(shè)備I和基底2相對(duì)于彼此移動(dòng)的同時(shí)，從有機(jī)層沉積設(shè)備
I(見圖1)排放的沉積材料沉積在基底2 (參照?qǐng)D1)上。
[0179]在形成有機(jī)層63之后，可以通過與用來形成有機(jī)層63的沉積方法相同的沉積方法形成第二電極62。
[0180]第一電極61可以用作陽極，第二電極62可以用作陰極?？蛇x地，第一電極61可以用作陰極，第二電極62可以用作陽極。第一電極61可以被圖案化以對(duì)應(yīng)于各像素區(qū)域，第二電極62可以形成為覆蓋所有像素。
[0181]第一電極61可以形成為透明電極或反射電極。這種透明電極可以由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)形成?？梢酝ㄟ^由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或它們的混合物形成反射層并且在反射層上由ΙΤΟ、ΙΖ0,ZnO或In2O3形成層來形成這種反射電極?？梢酝ㄟ^例如濺射形成層然后通過例如光刻將所述層圖案化來形成第一電極61。
[0182]第二電極62也可以形成為透明電極或反射電極。當(dāng)?shù)诙姌O62形成為透明電極時(shí)，第二電極62用作陰極。為此，可以通過在有機(jī)層63的表面上沉積具有低功函數(shù)的諸如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或它們的混合物的金屬并在其上由ΙΤΟ、ΙΖ0, ZnO或In2O3等形成輔助電極層或匯流電極線來形成這種透明電極。當(dāng)?shù)诙姌O62形成為反射電極時(shí)，可以通過在有機(jī)層63的整個(gè)表面上沉積L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的混合物來形成反射層。可以利用與上面描述的用來形成有機(jī)層63的沉積方法相同的沉積方法來形成第二電極62。
[0183]上面描述的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)層沉積設(shè)備可以應(yīng)用于形成有機(jī)TFT的有機(jī)層或無機(jī)層，并且用來形成由不同材料形成的層。
[0184]如上所述，本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例提供了一種適用于在大基底(例如，40英寸或更大)的批量生產(chǎn)中使用的以及能夠高分辨率地圖案化的有機(jī)層沉積設(shè)備、利用該有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法以及利用所述方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0185]盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以對(duì)該實(shí)施例進(jìn)行改變，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)層沉積設(shè)備，所述有機(jī)層沉積設(shè)備包括: 輸送單元，包括用于固定基底并且被構(gòu)造為與所述基底一起移動(dòng)的傳送單元、用于將其上固定有基底的傳送單元沿著第一方向移動(dòng)的第一輸送單元和用于在已經(jīng)完成沉積之后將基底從其分開的傳送單元沿著與第一方向相反的方向移動(dòng)的第二輸送單元； 加載單元，將基底固定在傳送單元上； 沉積單元，包括保持在真空狀態(tài)下的室以及用于在固定在從加載單元傳送的傳送單元上的基底上沉積有機(jī)層的有機(jī)層沉積組件；以及 卸載單元，用于將在穿過沉積單元的同時(shí)已經(jīng)對(duì)其完成了沉積的基底與傳送單元分開， 其中，傳送單元被構(gòu)造為在第一輸送單元和第二輸送單元之間循環(huán)移動(dòng)， 其中，固定在傳送單兀上的基底被構(gòu)造為在被第一輸送單兀傳送的同時(shí)與有機(jī)層沉積組件分隔開設(shè)定距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第一輸送單元和第二輸送單元被構(gòu)造為穿過沉積單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第一輸送單元和第二輸送單元彼此平行地分別布置在上方和下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，多個(gè)沉積單元彼此平行地布置，其中，一個(gè)圖案化縫隙片更換單元設(shè)置在所述多個(gè)沉積單元`中的兩個(gè)相鄰的沉積單元之間，其中，所述兩個(gè)相鄰的沉積單元的圖案化縫隙片被構(gòu)造為進(jìn)入所述一個(gè)圖案化縫隙片更換單元以及從所述一個(gè)圖案化縫隙片更換單元拉出。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第一輸送單元被構(gòu)造為將傳送單元順序輸送到加載單元、沉積單元和卸載單元中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第二輸送單元被構(gòu)造為將傳送單元順序輸送到卸載單元、沉積單元和加載單元中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，有機(jī)層沉積組件包括:沉積源，用于排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，位于沉積源的側(cè)面并且包括多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，面對(duì)沉積源噴嘴單元并且包括沿著一個(gè)方向布置的多個(gè)圖案化縫隙，其中，沉積源被構(gòu)造為排放沉積材料穿過圖案化縫隙片，以按特定圖案沉積在基底上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，在第一方向和與第一方向垂直的第二方向中的至少任何一個(gè)方向上，有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片形成為比基底小。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，有機(jī)層沉積設(shè)備包括多個(gè)有機(jī)層沉積組件，其中，所述多個(gè)有機(jī)層沉積組件中的各沉積源包括不同的沉積材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，在基底相對(duì)于有機(jī)層沉積設(shè)備移動(dòng)的同時(shí)，有機(jī)層沉積組件的各沉積材料順序沉積在基底上。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，有機(jī)層沉積設(shè)備和基底沿著與基底的在其上沉積沉積材料的表面平行的表面相對(duì)于彼此移動(dòng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，傳送單元包括被構(gòu)造為通過第一輸送單元和第二輸送單元移動(dòng)的運(yùn)送器和固定地結(jié)合到運(yùn)送器以固定基底的靜電卡盤。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，磁軌位于運(yùn)送器的表面上，第一輸送單元和第二輸送單元中的每個(gè)包括多個(gè)線圈，其中，磁軌和多個(gè)線圈結(jié)合在一起來構(gòu)成用于產(chǎn)生使傳送單元移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)力的操作單元。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第一輸送單元包括:引導(dǎo)構(gòu)件，每個(gè)引導(dǎo)構(gòu)件包括容納槽，其中，各容納槽被構(gòu)造為容納傳送單元的兩側(cè)，以引導(dǎo)傳送單元沿著第一方向移動(dòng)；磁懸浮軸承，被構(gòu)造為使傳送單元從容納槽懸浮，從而使傳送單元以不與容納槽接觸的方式移動(dòng)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，磁懸浮軸承包括布置在運(yùn)送器的兩個(gè)側(cè)表面上的側(cè)面磁懸浮軸承和布置在運(yùn)送器上方的上磁懸浮軸承。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第一輸送單元還包括用于測(cè)量引導(dǎo)構(gòu)件和運(yùn)送器之間的距離的間隙傳感器。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，所述多個(gè)線圈形成在大氣箱中。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，大氣箱通過波紋管連接到所述室。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，凸輪從動(dòng)件設(shè)置在運(yùn)送器的兩個(gè)側(cè)表面上，第二輸送單元包括輥式引導(dǎo)件來支撐凸輪從動(dòng)件，其中，運(yùn)送器的凸輪從動(dòng)件被構(gòu)造為沿著輥式引導(dǎo)件移動(dòng)。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，非接觸電源模塊位于運(yùn)送器中，充電軌道位于第二輸送單元的對(duì)應(yīng)于非接觸電源模塊的部分中，其中，當(dāng)在第二輸送單元中傳送運(yùn)送器時(shí)，在充電軌道和非接觸電源模塊之間形成磁場(chǎng)，從而以非接觸方式向非接觸電源模塊供電。
21.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，所述室還包括用于容納第一輸送單元和有機(jī)層沉積組件的上殼體以及用于容納第二輸送單元的下殼體。`
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，沉積源和沉積源噴嘴形成在上殼體中，其中，在沉積源和沉積源噴嘴上順序堆疊用于沿第一方向和與第一方向垂直的第二方向傳送圖案化縫隙片的第一臺(tái)階、用于沿著垂直于第一方向和第二方向中的每個(gè)方向的第三方向傳送圖案化縫隙片的第二臺(tái)階以及圖案化縫隙片。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，圖案化縫隙片和基底被構(gòu)造為通過第一臺(tái)階和第二臺(tái)階的移動(dòng)彼此對(duì)準(zhǔn)。
24.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，所述有機(jī)層沉積設(shè)備還包括設(shè)置在沉積源和圖案化縫隙片之間的屏蔽構(gòu)件，其中，屏蔽構(gòu)件被構(gòu)造為與基底一起移動(dòng)，從而遮蔽基底的至少一部分。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，屏蔽構(gòu)件形成為遮蔽基底的非膜形成區(qū)域。
26.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，圖案化縫隙片包括第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，基底包括第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，沉積單元還包括被構(gòu)造為對(duì)第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記拍照以檢測(cè)基底與圖案化縫隙片的相對(duì)位置的照相機(jī)。
27.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，沉積單元還包括用于測(cè)量基底和圖案化縫隙片之間的距離的傳感器，其中，傳感器位于基底上并被構(gòu)造為感測(cè)基底的表面和圖案化縫隙片的表面，以測(cè)量基底和圖案化縫隙片之間的距離。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，傳感器是共焦傳感器。
29.一種通過利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述有機(jī)層沉積設(shè)備用于在基底上形成有機(jī)層，所述方法包括: 將位于傳送單元上的基底固定在加載單元中； 通過利用安裝為穿過室的第一輸送單元將其上固定有基底的傳送單元輸送到所述室中； 在所述室中的有機(jī)層沉積組件與基底分隔開預(yù)定距離的情況下，在基底相對(duì)于有機(jī)層沉積組件移動(dòng)的同時(shí)，通過在基底上沉積從有機(jī)層沉積組件排放的沉積材料形成有機(jī)層； 在卸載單元中將其上已經(jīng)完成沉積的基底與傳送單元分開； 通過使用被安裝為穿過所述室的第二輸送單元將基底從其分開的傳送單元輸送到加載單元。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，所述室包括多個(gè)有機(jī)層沉積組件，其中，通過利用所述多個(gè)有機(jī)層沉積組件中的每個(gè)對(duì)基底順序執(zhí)行沉積。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，傳送單元在第一輸送單元和第二輸送單元之間循環(huán)移動(dòng)。
32.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，第一輸送單元和第二輸送單元彼此平行地分別布置在上方和下方。
33.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，傳送單元在所述室中以不與第一輸送單元接觸的方式被傳送。`
34.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，有機(jī)層沉積設(shè)備包括用于排放不同沉積材料的多個(gè)有機(jī)層沉積組件。
35.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，形成有機(jī)層的步驟包括在基底上同時(shí)沉積從多個(gè)有機(jī)層沉積組件排放的各沉積材料。
36.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中，有機(jī)層沉積組件包括:沉積源，排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的側(cè)面并且包括多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，面對(duì)沉積源噴嘴單元并且包括沿著與第一方向垂直的第二方向布置的多個(gè)圖案化縫隙，其中，從沉積源排放的沉積材料穿過圖案化縫隙片，以按特定圖案沉積在基底上。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法,其中，在第一方向和與第一方向垂直的第二方向中的至少任何一個(gè)方向上，有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片形成為比基底小。
38.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括: 基底； 薄膜晶體管，位于基底上并且包括半導(dǎo)體有源層、與半導(dǎo)體有源層絕緣的柵極以及均接觸半導(dǎo)體有源層的源極和漏極； 多個(gè)像素電極，位于薄膜晶體管上； 多個(gè)有機(jī)層，位于所述多個(gè)像素電極上；以及 對(duì)向電極，設(shè)置在所述多個(gè)有機(jī)層上， 其中，位于基底上的多個(gè)有機(jī)層中的離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)的至少一個(gè)有機(jī)層的斜邊的長(zhǎng)度大于形成為離沉積區(qū)域的中心較近的其它有機(jī)層的斜邊的長(zhǎng)度， 其中，位于基底上的多個(gè)有機(jī)層中的所述至少一個(gè)有機(jī)層是利用權(quán)利要求1的有機(jī)層沉積設(shè)備形成的線性圖案化的有機(jī)層。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，基底具有40英寸或更大的尺寸。
40.根據(jù)權(quán)利要求38所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個(gè)有機(jī)層至少包括發(fā)射層。
41.根據(jù)權(quán)利要求38所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個(gè)有機(jī)層具有不均勻的厚度。
42.根據(jù)權(quán)利要求38所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，在離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)地形成的每個(gè)有機(jī)層中，離沉積區(qū)域的中心較遠(yuǎn)的斜邊比另一斜邊長(zhǎng)。
43.根據(jù)權(quán)利要求38所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，沉積區(qū)域中的所述多個(gè)有機(jī)層之中的有機(jī)層離沉積區(qū)域的中心越遠(yuǎn)，所述多個(gè)有機(jī)層中的該有機(jī)層的兩側(cè)形成的疊置區(qū)域越窄。
44.根據(jù)權(quán)利要求38所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，設(shè)置在沉積區(qū)域的中心的有機(jī)層的斜邊具有基本相同的長(zhǎng)度。
45.根據(jù)權(quán)利要求38所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，沉積區(qū)域中的所述多個(gè)有機(jī)層關(guān)于沉積區(qū)域的中心對(duì)稱布置。`
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【公開日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年5月13日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月22日
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