有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括：顯示單元，具有多個(gè)子像素，多個(gè)子像素中的每一個(gè)包括彼此相對(duì)的像素電極和相對(duì)電極以及設(shè)置在像素電極和相對(duì)電極之間的發(fā)光層；封裝基板，覆蓋顯示單元；以及輔助電極，形成在封裝基板的面對(duì)顯示單元的表面上，輔助電極連接至所述相對(duì)電極。利用該結(jié)構(gòu)，通過將形成在封裝基板上的輔助電極連接至相對(duì)電極，可有效降低電壓降，從而改善使用該結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的可靠性。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2012年10月19日向韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)10-2012-0116750的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過弓I用并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，具體地，涉及具有用于防止相對(duì)電極處的電壓降的改進(jìn)結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0004]通常，有機(jī)發(fā)光顯示裝置因陽(yáng)極和陰極注入的空穴和電子在發(fā)光層復(fù)合并發(fā)光而體現(xiàn)色彩，并且具有堆疊結(jié)構(gòu)，其中發(fā)光層設(shè)置在像素電極(作為陽(yáng)極)和相對(duì)電極(作為陰極)之間。
[0005]這種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的單元像素包括子像素(包括紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素)，通過三種顏色子像素的組合來(lái)體現(xiàn)期望的顏色。也就是，子像素中的每個(gè)具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中，發(fā)出紅色、綠色和藍(lán)色中的一種顏色的光的發(fā)光層設(shè)置在兩個(gè)電極之間，通過三種顏色的光的適當(dāng)組合來(lái)體現(xiàn)單元像素的顏色。
[0006]同時(shí)，相對(duì)電極通常形成為覆蓋所有子像素的金屬薄膜。然而，由于金屬膜的厚度與金屬膜的電阻成反比，因此，由于相對(duì)電極的高電阻而導(dǎo)致電壓降頻繁發(fā)生。
[0007]因此，很難表現(xiàn)出清晰圖像，采用該相對(duì)電極的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的可靠性降低。因此，有必要解決這個(gè)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有用于防止相對(duì)電極處的電壓降的改進(jìn)結(jié)構(gòu)。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方案，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括:顯示單元，具有多個(gè)子像素，多個(gè)子像素中的每個(gè)子像素包括彼此相對(duì)的像素電極和相對(duì)電極以及設(shè)置在像素電極和相對(duì)電極之間的發(fā)光層；封裝基板，覆蓋顯示單元；以及輔助電極，形成在封裝基板的面對(duì)顯示單元的表面上，輔助電極連接至相對(duì)電極。
[0010]碳納米管形成在輔助電極上，輔助電極和相對(duì)電極通過碳納米管彼此連接。
[0011]上蓋層形成在相對(duì)電極上，碳納米管穿透上蓋層并連接至相對(duì)電極。
[0012]間隔物形成在子像素之間，碳納米管形成在對(duì)應(yīng)于間隔物的位置處。
[0013]輔助電極由氧化銦錫、銦鎵氧化鋅、氧化錫、銅、鋁、鉻、鈦或鑰形成。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方案，提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，包括:在襯底基板上形成顯示單元，顯示單元具有多個(gè)子像素，多個(gè)子像素中的每個(gè)子像素包括彼此相對(duì)的像素電極和相對(duì)電極以及設(shè)置在像素電極和相對(duì)電極之間的發(fā)光層；形成封裝基板，封裝基板包括形成在封裝基板的表面上且連接至相對(duì)電極的輔助電極；通過利用封裝基板覆蓋顯示單元將輔助電極連接至相對(duì)電極。
[0015]該方法還包括:在輔助電極上形成碳納米管，其中，輔助電極和相對(duì)電極通過碳納米管彼此連接。
[0016]該方法還包括:在相對(duì)電極上形成上蓋層，其中，碳納米管穿透上蓋層并連接至相對(duì)電極。
[0017]該方法還包括:在子像素之間形成間隔物，其中，碳納米管形成在對(duì)應(yīng)于間隔物的位置處。
[0018]輔助電極由氧化銦錫、銦鎵氧化鋅、氧化錫、銅、鋁、鉻、鈦或鑰形成。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，本發(fā)明的以上和其他特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將更加顯而易見，在附圖中:
[0020]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意圖；
[0021]圖2A至圖2E是示出制造圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的操作的示意圖；
[0022]圖3A和圖3B是示出圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的輔助電極的改進(jìn)的實(shí)施方式的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]本文中，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)項(xiàng)目的任意以及全部組合。下面，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。
[0024]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意圖。
[0025]如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括襯底基板100、形成在襯底基板100上的顯示單元200以及覆蓋顯示單元200的封裝基板300。
[0026]在此，顯示單元200包括薄膜晶體管(TFT) 220、電容230以及有機(jī)發(fā)光裝置210。在此，圖1示出有機(jī)發(fā)光裝置的顯示單元200的任意子像素，多個(gè)這種子像素實(shí)際上以行和列的方式被布置在襯底基板100上。
[0027]首先，顯示單元200包括形成在襯底基板100上的有源層221、與有源層221相對(duì)的柵電極222、以及分別連接至有機(jī)發(fā)光裝置210的有源層221和像素電極211的源電極和漏電極223。因此，當(dāng)合適的電壓被施加至柵電極222時(shí)，電流經(jīng)由有源層221和源電極和漏電極223流至像素電極211。
[0028]而且，有機(jī)發(fā)光裝置210包括有源層221、形成圍繞有源層221的像素限定層215中的發(fā)光層212、以及形成在顯示單元200的全部子像素上的相對(duì)電極213。因此，當(dāng)TFT220將電壓施加至像素電極211且在像素電極211和相對(duì)電極213之間形成適當(dāng)?shù)碾妷簵l件時(shí)，發(fā)光層212發(fā)光。
[0029]在圖像形成在朝向相對(duì)電極213的方向上的正面發(fā)光結(jié)構(gòu)的情況下，像素電極211可形成為反射電極且相對(duì)電極213可形成為圖像傳送電極。
[0030]發(fā)光層212可通過堆疊空穴注射層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子注射層和/或電子傳輸層而形成。然而，發(fā)光層不是任選的。
[0031]附圖標(biāo)記214指示上蓋層，其覆蓋相對(duì)電極213并調(diào)節(jié)用于改進(jìn)有機(jī)發(fā)光裝置210的光學(xué)性質(zhì)的光路。
[0032]同時(shí)，由于相對(duì)電極213通常形成為金屬薄膜，因此相對(duì)電極213具有高電阻，因此電壓降可頻繁發(fā)生。
[0033]因此，為解決這個(gè)問題，在本實(shí)施方式中，輔助電極310被形成在封裝基板300的后表面上以連接至相對(duì)電極213。也就是，由導(dǎo)電材料形成的輔助電極310形成在封裝基板300的、面對(duì)相對(duì)電極213的后表面上，從而當(dāng)封裝基板300與襯底基板100結(jié)合時(shí)輔助電極310連接至相對(duì)電極213。因此，可經(jīng)由輔助電極310將電壓施加至相對(duì)電極213，從而可顯著減小在相對(duì)電極213出的電壓降。
[0034]然而，如上所述，由于相對(duì)電極213被上蓋層214覆蓋，因此僅使用輔助電極213很難形成與相對(duì)電極213的自然連接結(jié)構(gòu)。因此，在該實(shí)施方式中，在輔助電極310上形成碳納米管320，從而使碳納米管320穿透上蓋層214并連接至相對(duì)電極213。通過在輔助電極310上形成碳納米管320，即使上蓋層214設(shè)置在相對(duì)電極213上，也能夠輕易地在輔助電極310和相對(duì)電極213之間建立電連接。
[0035]在此，在形成于像素限定層215之上的間隔物216上形成碳納米管320。換言之，間隔物216在子像素之間突出，以防止封裝基板300破壞有機(jī)發(fā)光裝置210，相對(duì)電極213沿間隔物216的外表面突出并接近封裝基板300。因此，通過在對(duì)應(yīng)于間隔物216的位置處形成碳納米管320，可輕易地在輔助電極310和相對(duì)電極213之間形成連接結(jié)構(gòu)。
[0036]通過下述方法來(lái)制造具有如上所述結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0037]首先，如圖2A所示，包括TFT220、有機(jī)發(fā)光裝置210以及電容230的顯示單元200形成在襯底基板100上。由于形成顯示單元200的方法是本領(lǐng)域已知的，故其詳細(xì)描述將被省略。
[0038]接著，提供用于覆蓋和保護(hù)顯示單元200的封裝基板300，輔助電極310沉積在封裝基板300的后表面上，如圖2B所示。在此，輔助電極310可由透明導(dǎo)電氧化物(諸如氧化銦錫(ΙΤ0)、銦鎵氧化鋅(IGZO)或氧化錫(SnO)或金屬(例如銅、鋁、鉻、鈦或鑰))形成。
[0039]然后，如圖2C所示，在輔助電極310上形成碳納米管320，且碳納米管320被圖案化，從而僅與間隔物216對(duì)應(yīng)的部分保留，如圖2D所示。
[0040]接著，當(dāng)封裝基板300與襯底基板100結(jié)合時(shí)，碳納米管320穿透上蓋層214并與相對(duì)電極213接觸，如圖2E所示，因此輔助電極310和相對(duì)電極213電連接。上蓋層214的材料可以為具有等于或小于lg/cm3的密度的有機(jī)材料。
[0041]在上述結(jié)構(gòu)中，可經(jīng)由輔助電極310將電壓施加至相對(duì)電極213，從而可阻止相對(duì)電極213處的電壓降。
[0042]同時(shí)，雖然在如圖3A所示的本實(shí)施方式中，輔助電極310被形成為覆蓋封裝基板300的全部后表面，但是輔助電極310還可形成為輔助電極310’，輔助電極310’被圖案化為如圖3B所示的晶格形狀。換言之，輔助電極310的形狀可改變。
[0043]因此，根據(jù)如上所述的本發(fā)明的實(shí)施方式，可通過將形成在封裝基板上的輔助電極連接至相對(duì)電極來(lái)有效地降低電壓降，從而改善使用該結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的可靠性。
[0044]雖然參照本發(fā)明的示例性實(shí)施方式具體示出和描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，對(duì)本發(fā)明的形式和細(xì)節(jié)的各種變化仍在由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括: 顯示單元，具有多個(gè)子像素，所述多個(gè)子像素中的每一個(gè)包括彼此相對(duì)的像素電極和相對(duì)電極以及設(shè)置在所述像素電極與所述相對(duì)電極之間的發(fā)光層； 封裝基板，覆蓋所述顯示單元；以及 輔助電極，形成在所述封裝基板的面對(duì)所述顯示單元的表面上，所述輔助電極連接至所述相對(duì)電極。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，還包括: 碳納米管，形成在所述輔助電極上，所述輔助電極和所述相對(duì)電極通過所述碳納米管彼此連接。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，還包括: 上蓋層，形成在所述相對(duì)電極上，所述碳納米管穿透所述上蓋層并連接至所述相對(duì)電極。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，還包括: 間隔物，形成在所述子像素之間，所述碳納米管形成在對(duì)應(yīng)于所述間隔物的位置處。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述輔助電極由氧化銦錫、銦鎵氧化鋅、氧化錫、銅、招、鉻、鈦或鑰形成。
6.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，包括: 在襯底基板上形成顯示單元，所述顯示單元具有多個(gè)子像素，所述多個(gè)子像素中的每一個(gè)包括彼此相對(duì)的像素電極和相對(duì)電極以及設(shè)置在所述像素電極與所述相對(duì)電極之間的發(fā)光層； 形成封裝基板，所述封裝基板包括形成在所述封裝基板的表面上并連接至所述相對(duì)電極的輔助電極； 通過利用所述封裝基板覆蓋所述顯示單元將所述輔助電極連接至所述相對(duì)電極。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括: 在所述輔助電極上形成碳納米管，其中，所述輔助電極和所述相對(duì)電極通過所述碳納米管彼此連接。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，還包括: 在所述相對(duì)電極上形成上蓋層，其中，所述碳納米管穿透所述上蓋層并連接至所述相對(duì)電極。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，還包括: 在所述子像素之間形成間隔物，其中，所述碳納米管形成在對(duì)應(yīng)于所述間隔物的位置處。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述輔助電極由氧化銦錫、銦鎵氧化鋅、氧化錫、銅、鋁、鉻、鈦或鑰形成。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK103779381SQ201310181279
【公開日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年5月16日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月19日
【發(fā)明者】崔元奎 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司