一種帶凹腔結(jié)構(gòu)的封裝基板的加工方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種帶凹腔結(jié)構(gòu)的封裝基板的加工方法，包括：制作多層基板，該多層基板上形成有凹腔，且該凹腔底部具有金屬層；采用真空貼膜工藝在多層基板的外銅箔層上貼感光干膜，并使凹腔部位的感光干膜與凹腔底部的金屬層貼合；經(jīng)曝光和顯影步驟，將線路圖形轉(zhuǎn)移到多層基板的外銅箔層上和凹腔底部的金屬層上；經(jīng)蝕刻步驟，將多層基板的外銅箔層和凹腔底部的金屬層加工成線路圖形。本發(fā)明技術(shù)方案由于先加工出凹腔，然后利用真空貼膜工藝將感光干膜貼合到凹腔底部，在外層圖形步驟中加工出凹腔底部的線路圖形，避免了凹腔加工過程中對(duì)內(nèi)層線路圖形的損傷問題，提高了封裝基板的可靠性，并且，該技術(shù)方案簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了加工成本。
【專利說明】一種帶凹腔結(jié)構(gòu)的封裝基板的加工方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及封裝基板加工【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種帶凹腔結(jié)構(gòu)的封裝基板的加工方法。

【背景技術(shù)】
[0002]圖1所示是一種帶凹腔(Cavity)結(jié)構(gòu)的封裝基板的示意圖。凹腔是通過控深統(tǒng)在封裝基板中形成的內(nèi)凹式臺(tái)階結(jié)構(gòu)，內(nèi)凹部分可用于埋入芯片組等元件，凹腔底部加工有用于連接芯片組的線路圖形。該種結(jié)構(gòu)封裝基板的優(yōu)勢(shì)在于埋入芯片組后依然能保持封裝基板表面平整，能夠提高封裝基板的有效可使用區(qū)域，便于組裝及保護(hù)芯片組。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，凹腔底部線路圖形的制作工藝包括:內(nèi)層圖形制作一貼墊片層壓一控深銑一外層圖形。其中，在內(nèi)層圖形制作步驟中，加工出內(nèi)層線路圖形，該內(nèi)層線路圖形包括位于凹腔底部的線路圖形；在貼墊片層壓步驟中，通過在凹腔位置設(shè)墊片后進(jìn)行層壓實(shí)現(xiàn)增層；在控深銑步驟中，加工出深度抵達(dá)內(nèi)層線路圖形的凹腔并去除墊片，露出凹腔底部的線路圖形；在外層圖形制作步驟中，加工出外層線路圖形。實(shí)際應(yīng)用中，為了避免控深銑導(dǎo)致內(nèi)層線路劃傷，通常在加工出內(nèi)層線路圖形之后，還會(huì)在凹腔位置涂覆保護(hù)材料對(duì)內(nèi)層線路進(jìn)行保護(hù)，后續(xù)控深銑之后再去除涂覆的保護(hù)材料。
[0004]在對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的研究和實(shí)踐過程中，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，上述制作工藝中，容易因涂覆的保護(hù)材料去除不干凈而導(dǎo)致降低可靠性的問題，且該種制作工藝流程復(fù)雜，成本較聞。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種帶凹腔結(jié)構(gòu)的封裝基板的加工方法，以提高可靠性，簡(jiǎn)化流程，降低成本。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種帶凹腔結(jié)構(gòu)的封裝基板的加工方法，包括:
[0007]制作多層基板，該多層基板上形成有凹腔，且該凹腔底部具有金屬層；采用真空貼膜工藝在所述多層基板的外銅箔層上貼感光干膜，并使所述凹腔部位的感光干膜與所述凹腔底部的金屬層貼合；經(jīng)曝光和顯影步驟，將線路圖形轉(zhuǎn)移到所述多層基板的外銅箔層上和所述凹腔底部的金屬層上；經(jīng)蝕刻步驟，將所述多層基板的外銅箔層和所述凹腔底部的金屬層加工成線路圖形。
[0008]本發(fā)明實(shí)施例采用加工出凹腔之后，利用真空貼膜工藝將感光干膜貼合到凹腔底部，對(duì)凹腔底部進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移并蝕刻線路圖形的技術(shù)方案，實(shí)現(xiàn)了加工出凹腔之后再加工凹腔底部的線路圖形，從而避免了凹腔加工過程中對(duì)內(nèi)層線路圖形的損傷問題，提高了封裝基板的可靠性，并且，該技術(shù)方案簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了加工成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是一種帶凹腔(Cavity)結(jié)構(gòu)的封裝基板的示意圖；
[0010]圖2是本發(fā)明實(shí)施例帶凹腔結(jié)構(gòu)的封裝基板的加工方法的流程圖；
[0011]圖3是內(nèi)層基板的不意圖；
[0012]圖4是層壓后層數(shù)為四的多層基板的示意圖；
[0013]圖5是已加工出凹腔的多層基板的示意圖；
[0014]圖6是貼了感光干膜的多層基板的示意圖；
[0015]圖7是已加工出外層線路圖形的多層基板的示意圖；
[0016]圖8是最終形成的封裝基板的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0017]本發(fā)明實(shí)施例提供一種帶凹腔結(jié)構(gòu)的封裝基板的加工方法，可以避免凹腔加工過程中對(duì)內(nèi)層線路圖形的損傷，從而提高封裝基板的可靠性，并簡(jiǎn)化工藝流程，降低加工成本。以下結(jié)合附圖進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0018]實(shí)施例一、
[0019]請(qǐng)參考圖2，本發(fā)明實(shí)施例提供一種帶凹腔結(jié)構(gòu)的封裝基板的加工方法，包括:
[0020]110、制作多層基板，該多層基板上形成有凹腔，且凹腔底部具有金屬層。
[0021]本步驟中在多層基板上所形成的凹腔的底部至少應(yīng)抵達(dá)多層基板的次外層線路圖形。一種實(shí)施方式中，可以將內(nèi)銅箔層加工成內(nèi)層線路圖形之后，在所述內(nèi)層線路圖形上依次壓合外絕緣層和外銅箔層，制成多層基板；然后，在所述在外絕緣層和外銅箔層上加工出底部抵達(dá)所述內(nèi)層線路圖形的凹腔。另一種實(shí)施方式中，可以將內(nèi)銅箔層加工成內(nèi)層線路圖形之后，在所述內(nèi)層線路圖形上依次壓合外絕緣層和外銅箔層，所述外絕緣層和外銅箔層上預(yù)先開設(shè)有通槽，從而制成具有凹腔的多層基板，該凹腔是由所述通槽形成。
[0022]下面結(jié)合附圖以四層基板為例，對(duì)前一種實(shí)施方式中如何加工多層基板以及如何在多層基板上加工出凹腔進(jìn)行詳細(xì)說明:
[0023]本實(shí)施方式從一內(nèi)層基板開始加工，該內(nèi)層基板可以是雙面覆銅板，如圖3所示，301是內(nèi)絕緣層，302是內(nèi)銅箔層。首先是內(nèi)層圖形步驟，通過貼膜，曝光，顯影和蝕刻等常規(guī)步驟，將內(nèi)銅箔層302加工成內(nèi)層線路圖形。然后是層壓步驟，如圖4所示，在所述內(nèi)層線路圖形上依次壓合外絕緣層303和外銅箔層304，制成層數(shù)為四的多層基板。再然后是凹腔加工步驟，如圖5所示，在多層基板上的規(guī)劃位置加工出凹腔305，凹腔305的深度抵達(dá)內(nèi)層線路圖形，加工工藝可以是激光控深銑或數(shù)控機(jī)床控深銑等。
[0024]其中，在加工內(nèi)層線路圖形的過程中，凹腔位置的內(nèi)銅箔層應(yīng)特別處理。所述的特別處理包括兩種可選方式，一種是保留所述凹腔位置的內(nèi)銅箔層如圖5中所示，另一種是去除所述凹腔位置的內(nèi)銅箔層。如果選擇后一種處理方式，則，加工出包括凹腔的多層基板之后還應(yīng)包括:進(jìn)行沉銅和電鍍，在所述凹腔的底部形成金屬層。因此，本實(shí)施例中，凹腔底部的金屬層可能是保留的內(nèi)銅箔層，也可能是后續(xù)電鍍形成的電鍍層。
[0025]可選的，在加工出包括凹腔的多層基板之后，還可以采用常規(guī)工藝將所述凹腔的側(cè)壁金屬化，該金屬化的側(cè)壁可以起電磁屏蔽作用。
[0026]120、采用真空貼膜工藝在所述多層基板的外銅箔層上貼感光干膜，并使所述凹腔部位的感光干膜與所述凹腔底部的金屬層貼合。
[0027]在多層基板上加工出凹腔之后，進(jìn)入外層圖形加工過程，外層圖形包括:貼膜，曝光，顯影和蝕刻等步驟。貼膜步驟中，如圖6所示，在多層基板的外銅箔層304上貼感光干膜306，本實(shí)施例中，為了使凹腔305部位的感光干膜306與所述凹腔305底部的金屬層貼合，采用真空貼膜工藝進(jìn)行。從圖6中看出，在凹腔305位置，感光干膜306緊貼在凹腔305的底部和側(cè)壁上。
[0028]130、經(jīng)曝光和顯影步驟，將線路圖形轉(zhuǎn)移到所述多層基板的外銅箔層上和所述凹腔底部的金屬層上。
[0029]經(jīng)曝光和顯影步驟后，實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移，線路圖形所在位置的感光干膜保留在多層基板的外銅箔層上和所述凹腔底部的金屬層上，其它位置的感光干膜則被去除。
[0030]140、經(jīng)蝕刻步驟，將所述多層基板的外銅箔層和所述凹腔底部的金屬層加工成線路圖形。
[0031]經(jīng)蝕刻步驟之后，如圖7所示，多層基板的外銅箔層304和所述凹腔305底部的金屬層被加工成線路圖形。該線路圖形包括由外銅箔層304加工成的外層線路圖形，以及由凹腔305底部的金屬層加工成的凹腔線路圖形。至此，成功完成了在凹腔底部形成線路圖形。
[0032]后續(xù)，還可以按照常規(guī)加工流程對(duì)該多層基板繼續(xù)加工，例如，請(qǐng)參考圖8，后續(xù)加工可以包括:去除所述多層基板表面殘留的感光干膜306 ;在所述多層基板的表面設(shè)置阻焊層307 ;在露出的線路層表面設(shè)置表面涂覆層308 ;將電子元件裝入所述凹腔中，使電子元件與凹腔線路圖形電連接；等。最終形成的封裝基板可以如圖8所示。
[0033]以上，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種帶凹腔結(jié)構(gòu)的封裝基板的加工方法，該方法采用先加工出凹腔，然后利用真空貼膜工藝將感光干膜貼合到凹腔底部，實(shí)現(xiàn)在外層圖形步驟加工出凹腔底部的線路圖形的技術(shù)方案，避免了凹腔加工過程中對(duì)內(nèi)層線路圖形的損傷問題，提高了封裝基板的可靠性，并且，該技術(shù)方案簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了加工成本。
[0034]以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的帶凹腔結(jié)構(gòu)的封裝基板的加工方法進(jìn)行了詳細(xì)介紹，但以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想，不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種帶凹腔結(jié)構(gòu)的封裝基板的加工方法，其特征在于，包括: 制作多層基板，該多層基板上形成有凹腔，且該凹腔底部具有金屬層； 采用真空貼膜工藝在所述多層基板的外銅箔層上貼感光干膜，并使所述凹腔部位的感光干膜與所述凹腔底部的金屬層貼合； 經(jīng)曝光和顯影步驟，將線路圖形轉(zhuǎn)移到所述多層基板的外銅箔層上和所述凹腔底部的金屬層上； 經(jīng)蝕刻步驟，將所述多層基板的外銅箔層和所述凹腔底部的金屬層加工成線路圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的制作多層基板包括: 將內(nèi)銅箔層加工成內(nèi)層線路圖形； 在所述內(nèi)層線路圖形上依次壓合外絕緣層和外銅箔層； 在所述外絕緣層和外銅箔層上加工出底部抵達(dá)所述內(nèi)層線路圖形的凹腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的制作多層基板包括: 將內(nèi)銅箔層加工成內(nèi)層線路圖形； 在所述內(nèi)層線路圖形上依次壓合外絕緣層和外銅箔層，所述外絕緣層和外銅箔層上開設(shè)有通槽，制成具有凹腔的多層基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于: 在將所述內(nèi)銅箔層加工成內(nèi)層線路圖形的過程中，保留所述凹腔位置的內(nèi)銅箔層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的方法，其特征在于: 在將所述內(nèi)銅箔層加工成內(nèi)層線路圖形的過程中，去除所述凹腔位置的內(nèi)銅箔層； 所述的制作多層基板之后還包括: 進(jìn)行沉銅和電鍍，在所述凹腔的底部形成金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述的制作多層基板之后還包括: 將所述凹腔的側(cè)壁金屬化。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述的將所述多層基板的外銅箔層和所述凹腔底部的金屬層加工成線路圖形之后還包括: 去除所述多層基板表面殘留的感光干膜； 在所述多層基板的表面設(shè)置阻焊層； 將電子元件裝入所述凹腔中。
【文檔編號(hào)】H01L21/48GK104167366SQ201310186186
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2013年5月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月17日
【發(fā)明者】高成志, 趙增源 申請(qǐng)人:深南電路有限公司