本發(fā)明涉及攝像裝置和采用了該攝像裝置的顯示系統(tǒng)，該攝像裝置適用于醫(yī)療及無傷害檢測中廣泛使用的X射線攝像技術。

背景技術：
近年來，已經開發(fā)出諸如在不使用放射攝像膠片的情況下獲得基于輻射的圖像以作為電信號的人體胸部X線攝影裝置等攝像裝置。在這類攝像裝置中，每個像素上都布置有用于讀取累積信號電荷的場效應薄膜晶體管(TFT)，且通過使用包括該晶體管的像素電路得到基于輻射量的電信號。通常，將諸如所謂的頂柵型晶體管或底柵型晶體管等采用單柵極結構的晶體管用作此類晶體管。然而，對于前述用于獲得基于輻射的圖像的攝像裝置，已知的是，尤其當將氧化硅膜用于晶體管的柵極絕緣膜時，閾值電壓(Vth)會由于輻射的影響而偏移到負側(例如，參見日本未審查申請公開號2008-252074)。于是，提出了如下晶體管，該晶體管通過采用所謂的雙柵極結構(雙側柵極結構)來緩解上述閾值電壓偏移，在該雙柵極結構中設有兩個柵電極，且在這兩個柵電極之間插入有半導體層(例如，參見日本未審查申請公開號2004-265935)。然而，對于日本未審查申請公開號2004-265935所披露的雙柵極結構晶體管，與普通型的單柵極結構的晶體管相比，在從開啟操作切換到關閉操作時可能會出現漏電流，這導致了容易產生所謂的散粒噪聲(shotnoise)。從而存在如下缺點：由于該噪聲而導致圖像質量劣化。

技術實現要素：
因此，期望提供一種能提高成像質量的攝像裝置和使用該攝像裝置的攝像顯示系統(tǒng)。根據本發(fā)明的實施例的攝像裝置包括光電轉換裝置和至少一個晶體管。所述光電轉換裝置用于將入射的電磁輻射轉換成電信號。所述至少一個晶體管包括第一柵電極和位于所述第一柵電極上方的第二柵電極。所述第一柵電極和所述第二柵電極在非重疊區(qū)域中彼此不重疊。根據本發(fā)明實施例的攝像顯示系統(tǒng)設有基于攝像裝置獲得的信號來顯示圖像的顯示裝置和包括多個像素的所述攝像裝置。每個所述像素包括光電轉換裝置和至少一個晶體管，所述至少一個晶體管包括第一柵電極和位于所述第一柵電極上方的第二柵電極。所述第一柵電極和所述第二柵電極在非重疊區(qū)域中彼此不重疊。根據本發(fā)明實施例的攝像顯示裝置包括多個像素，各所述像素包括光電轉換裝置和場效應晶體管。所述晶體管包括：半導體層，第一柵電極和第二柵電極，所述第一柵電極和所述第二柵電極布置成隔著所述半導體層彼此相對，且所述半導體層布置在所述第一柵電極和所述第二柵電極之間；源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極電連接到所述半導體層；及非重疊區(qū)域，在所述非重疊區(qū)域處所述第一柵電極和所述第二柵電極部分地彼此不重疊。根據本發(fā)明實施例的攝像顯示系統(tǒng)具有攝像裝置和顯示裝置。所述顯示裝置基于由所述攝像裝置獲得的攝像信號來顯示圖像。所述攝像裝置包括：多個像素，各所述像素包括光電轉換裝置和場效應晶體管。所述晶體管包括：半導體層，第一柵電極和第二柵電極，所述第一柵電極和所述第二柵電極布置成隔著所述半導體層彼此相對，且所述半導體層布置在所述第一柵電極和所述第二柵電極之間；源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極電連接到所述半導體層；及非重疊區(qū)域，在所述非重疊區(qū)域處所述第一柵電極和所述第二柵電極部分地彼此不重疊。在本發(fā)明的上述各實施例的攝像裝置和攝像顯示系統(tǒng)中，各個像素中的與光電轉換裝置一起設置的場效應晶體管具有第一柵電極和第二柵電極，且第一柵電極和第二柵電極之間布置有半導體層。晶體管包括第一柵電極和第二柵電極彼此不重疊的非重疊區(qū)域。于是，這減少了第一柵電極和第二柵電極之間的電容(柵極重疊電容)，并從而抑制了晶體管從開啟操作切換到關閉操作時出現的電流泄漏。根據本發(fā)明的上述各實施例的攝像裝置和攝像顯示系統(tǒng)，在各個像素的與光電轉換裝置一起設置的場效應晶體管中設置有第一柵電極和第二柵電極彼此不重疊的非重疊區(qū)域。這能夠抑制抑制晶體管從開啟操作切換到關閉操作時出現的電流泄漏，并減輕了散粒噪聲的影響。因此，能夠實現攝像質量的提高。應當理解，上文的簡要說明和下文的詳細說明都是示范性的，并意在對所要求保護的技術提供進一步的解釋。附圖說明所包含的附圖用于提供對本發(fā)明的進一步理解，且這些附圖包含在說明書中以構造說明書的一部分。附圖圖示了實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的技術原理。圖1是表示本發(fā)明實施例的攝像裝置的整體構造的示例的示意性框圖。圖2是表示圖1所示的攝像部的簡化構造的示例的示意圖。圖3是表示圖1所示的像素等部分的詳細構造的示例的電路圖。圖4是表示圖3所示的晶體管的詳細構造的示例的剖面圖。圖5是表示圖4所示的晶體管的平面構造的示例的示意圖。圖6是表示變形示例1-1的晶體管的詳細構造的示例的剖面圖。圖7是表示圖6所示的晶體管的平面構造的示例的示意圖。圖8是表示變形示例1-2的晶體管的詳細構造的示例的剖面圖。圖9是表示圖8所示的晶體管的平面構造的示例的示意圖。圖10是表示變形示例1-3的晶體管的詳細構造的示例的剖面圖。圖11是表示圖10所示的晶體管的平面構造的示例的示意圖。圖12是表示變形示例1-4的晶體管的詳細構造的示例的剖面圖。圖13是表示圖12所示的晶體管的平面構造的示例的示意圖。圖14是表示變形示例3-1的像素等部分的詳細構造的電路圖。圖15是表示變形示例3-2的像素等部分的詳細構造的電路圖。圖16是表示變形示例3-3的像素等部分的詳細構造的電路圖。圖17是表示變形示例3-4的像素等部分的詳細構造的電路圖。圖18A是表示變形示例4-1的攝像部的簡化構造的示意圖。圖18B是表示變形示例4-2的攝像部的簡化構造的示意圖。圖19是表示應用示例的攝像顯示系統(tǒng)的簡化構造的示意圖。具體實施方式在下文中，將參照附圖說明本發(fā)明的實施例。應注意到，將以下述順序進行說明。1.實施例(在溝道層上具有設置在漏極側的端部處的非重疊區(qū)域的攝像裝置的示例)2.變形示例1-1～1-4(非重疊區(qū)域的其他示例)3.變形示例2(設計成使溝道層的頂側和底側之間的柵極-溝道電容柵極-溝道間電容存在差異的示例)4.變形示例3-1和3-2(被動型像素電路的其它示例)5.變形示例3-3和3-4(主動型像素電路的示例)6.變形示例4-1和4-2(間接轉換型攝像裝置和直接轉換型攝像裝置的示例)7.應用示例(攝像顯示系統(tǒng)的示例)實施例構造圖1示出了本發(fā)明實施例的攝像裝置(攝像裝置1)的整體塊構造。攝像裝置1基于入射光(攝像光)讀取物體的信息(獲取物體的圖像)。攝像裝置1包括攝像部11、行掃描部13、A/D轉換部14、列掃描部15和系統(tǒng)控制部16。攝像部11攝像部11生成取決于入射光(攝像光)的電信號。在攝像部11中，像素(攝像像素，單元像素)20可二維地布置成行-列圖案(矩陣圖案)，且每個像素20具有光電轉換裝置(下文所述的光電轉換裝置21)，光電轉換裝置產生具有與攝像光的量相對應的電荷量的光電電荷，并在內部將獲得的光電電荷累積起來。應注意到，在下文中以下述方式給出說明：如圖1所示，攝像部11中的水平方向(行方向)稱為“H”方向，而垂直方向(列方向)稱為“V”方向。圖2示出了攝像部11的簡化構造的示例。攝像部11具有光電轉換層111，在光電轉換層111上針對每個像素20布置有光電轉換裝置21。如圖2所示，光電轉換層111上執(zhí)行基于入射攝像光Lin的光電轉換(將攝像光Lin轉換成信號電荷的轉換)。圖3示出了像素20(所謂的被動型電路構造)以及下述的位于A/D轉換部14中的電荷放大器171的電路構造的示例。在被動型像素20中，可設有包括單個光電轉換裝置21和單個晶體管22。此外，沿H方向延伸的讀出控制線Lread和沿V方向延伸的信號線Lsig都與該像素20相連接。光電轉換裝置21例如可由正-本征-負(PositiveIntrinsicNegative，PIN)型光電二極管或金屬-絕緣體-半導體(Metal-Insulator-Semiconductor，MIS)型傳感器組成，光電轉換裝置21產生具有與入射光(攝像光Lin)的量相對應的電荷量的信號電荷。應注意到，在此情況下，光電轉換裝置21的陰極與累積節(jié)點N相連接。晶體管22是如下晶體管(讀出晶體管)，其根據從讀出控制線Lread提供的行掃描信號開啟，由此將由光電轉換裝置21產生的信號電荷(輸入電壓Vin)輸出至信號線Lsig。在此情況下，晶體管22可由N溝道型(N型)場效應晶體管(FET)構成。然而，晶體管22也可由諸如P溝道型(P型)場效應晶體管等任何其它元件組成。在像素20中，例如晶體管22的柵極與讀出控制線Lread相連接，源極(或漏極)與信號線Lsig相連接，而漏極(源極)通過累積節(jié)點N與光電轉換裝置21的陰極相連接。此外，在此情況下，光電轉換裝置21的陽極與地相連接(接地)。下文將描述晶體管22的具體剖面構造。行掃描部13可包括下文所述的移位寄存器電路、預定邏輯電路等，其是用于針對攝像部11內的多個像素20以行為單位(以水平線為單位)執(zhí)行驅動(線序掃描)的像素驅動部(行掃描電路)。具體而言，行掃描部13例如通過線序掃描來執(zhí)行諸如下文所述的讀出操作等攝像操作。應注意到，該線序掃描可通過借助讀出控制線Lread將上文所述的行掃描信號提供到各像素20來實現。A/D轉換部14可具有被設置成與多條信號線Lsig(此示例紅為4條)一一對應的多個列選擇部17，且基于經信號線Lsig輸入的信號電壓(信號電荷)來執(zhí)行A/D轉換(模擬-數字轉換)。由此產生了具有數字信號形式并被輸出到外部的輸出數據Dout(攝像信號)。如圖3中的示例所示，每個列選擇部17具有包括電荷放大器172、電容器(諸如電容和反饋電容器)C1和開關SW1的電荷放大器電路171，以及圖中未顯示的采樣/保持(Sample/Hold，S/H)電路、多路復用電路(選擇電路)和A/D轉換裝置。電荷放大器172是用于將從信號線Lsig讀出的信號電荷轉換成電壓(Q-V轉換)的放大器。在電荷放大器172中，負側(-側)輸入端子與信號線Lsig的一個端部相連接，而正側(+側)輸入端子輸入有預定的復位電壓Vrst。通過電容元件C1和開關SW1的并聯電路，在電荷放大器172的輸出端子和負側輸入端子之間形成反饋連接。換句話說，電容元件C1的第一端子和電荷放大器172的負側輸入端子相連接，而第二端子和電荷放大器172的輸出端子相連接。同樣地，開關SW1的第一端子和電荷放大器172的負側輸入端子相連接，而第二端子和電荷放大器172的輸出端子相連接。應注意到，通過使用借助放大器復位控制線Lcarst從系統(tǒng)控制部16提供的控制信號(放大器復位控制信號)來控制開關SW1的開/關狀態(tài)。列掃描部15可例如包括移位寄存器、地址譯碼器等圖中未顯示的元件，其依次掃描各個列選擇部17以進行驅動。.通過列掃描部15運行的選擇性掃描，各像素20的信號(上文所述輸出數據Dout)經各條信號線Lsig依次輸出到外部。系統(tǒng)控制部16控制行掃描部13、A/D轉換部14和列掃描部15的運行。具體而言，系統(tǒng)控制部16具有時序發(fā)生器以生成各種時序信號(控制信號)，從而基于由該時序發(fā)生器產生的這些信號來執(zhí)行對行掃描部13、A/D轉換部14和列掃描部15的驅動控制。通過系統(tǒng)控制部16的控制，行掃描部13、A/D轉換部14和列掃描部15中的每一者執(zhí)行各像素20的攝像操作(線序攝像驅動)，由此從攝像部11獲得輸出數據Dout。晶體管22的詳細構造圖4示出了晶體管22的剖面構造的示例。晶體管22具有所謂的雙柵極型結構，在該雙柵極型結構中設有兩個柵電極(柵電極120A和柵電極120B)，且在兩個柵極之間插入有半導體層(半導體層126)。應注意到，柵電極120A對應于本發(fā)明的一個實施例中的“第一柵電極”的具體的但非限定性的示例，柵電極120B對應于“第二柵電極”的具體的但非限定性的示例。在基板110上，晶體管22具有柵電極120A，并具有形成為覆蓋柵電極120A的第一柵極絕緣膜129。在第一柵極絕緣膜129上，設有半導體層126，且第二柵極絕緣膜130可形成為覆蓋半導體層126。在第二柵極絕緣膜130的與柵電極120A相對的區(qū)域處布置有柵電極120B。在柵電極120B上形成有具有接觸孔H1的第一層間絕緣膜131，且源電極128A和漏電極128B形成為填充該接觸孔H1。在第一層間絕緣膜131、源電極128A和漏電極128B上設有保護膜132。柵電極120A和120B中的每一者可以是由諸如鈦(Ti)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎢(W)和鉻(Cr)等元素中的任一元素組成的單層膜或者是由這些元素中的兩種以上元素組成的多層膜。如上所述，柵電極120A和120B可以隔著位于它們之間的第一柵極絕緣膜129、半導體層126和第二柵極絕緣膜130設置成彼此相對。在這些柵電極中，柵電極120A和讀出控制線Lread1相連接，而柵電極120B和讀出控制線Lread2相連接。晶體管22的源極(源電極128A)例如經由累積節(jié)點N連接到光電轉換裝置21的陰極，且漏極(漏電極128B)例如和信號線Lsig相連接。而且，在此情況下，光電轉換裝置21的陽極與地相連接(接地)。第一柵極絕緣膜129和第二柵極絕緣膜130中的每一者可以是諸如氧化硅膜(SiOx)和氮氧化硅膜(SiON)等單層膜，或者是具有此類硅化合物膜和氮化硅膜(SiNx)的多層膜。例如，第一柵極絕緣膜129具有從基板110側開始依次層疊有氮化硅膜129A和氧化硅膜129B的構造，而第二柵極絕緣膜130可具有從基板110側開始依次層疊有氧化硅膜130A、氮化硅膜130B和氧化硅膜130C的構造。在一個將低溫多晶硅(Low-TemperaturePolycrystallineSilicon，LTPS)用于半導體層126的實施例中，如上所述，可以采用在第一柵極絕緣膜129和第二柵極絕緣膜130中層疊有氧化硅膜的層結構。在本發(fā)明的該實施例中，在第一柵極絕緣膜129和第二柵極絕緣膜130中，對由上述硅化合物組成的各層的多層結構和膜厚等因素進行設計，以確保柵電極120A和120B中每一者與溝道層126a之間產生的電容相同。半導體層126例如由低溫多晶硅(LTPS)組成。然而，其組成材料并不限于此，且半導體層126也可由諸如非晶硅(amorphoussilicon)、微晶硅和多晶硅等基于硅的半導體組成?；蛘撸部梢允褂弥T如銦鎵鋅氧化物(InGaZnO)和氧化鋅(ZnO)等氧化物半導體。半導體層126至少包括溝道層。在本發(fā)明的該實施例中，在半導體層126中，可以在作為活性層(activelayer)的溝道層126a和N+層126c之間形成有輕摻雜漏極(Lightly-DopedDrain，LDD)層126b1和126b2。具體而言，LDD層126b1設置成鄰近于溝道層126a的源電極128A側(下文簡記為“源極側”)的端部126e1(第一端部)。LDD層126b2設置成鄰近于溝道層126a的漏電極128B側(下文簡記為“漏極側”)的端部126e2(第二端部)。源電極128A和漏電極128B中每一者例如是由諸如鈦(Ti)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎢(W)和鉻(Cr)等元素中的任一元素組成的單層膜或由任意兩種以上元素組成的多層膜。源電極128A和漏電極128B中每一者可通過接觸孔H1形成為鄰近于N+層126c，并與該半導體層126電連接。第一層間絕緣膜131和保護膜132中每一者例如可由諸如氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜等單層膜構成的單層膜，或由任意兩種所述膜組成的多層膜結構。例如，第一層間絕緣膜131可具有從基板110側起依次層疊有氧化硅膜131a和氮化硅膜131b的構造，而保護膜132可由氧化硅膜組成。如上所述，本發(fā)明該實施例中的晶體管22包括彼此相對地布置且其間布置有半導體層126的柵電極120A和120B，并且晶體管22具有如下區(qū)域(非重疊區(qū)域d2)，在該非重疊區(qū)域處柵電極120A和120B彼此不重疊。圖5示出了柵電極120A和120B以及半導體層126(溝道層126a、LDD層126b1和126b2、及N+層126c)的平面(平行于基板表面的平面)布局的示例。非重疊區(qū)域d2可設置在與溝道層126a的漏極側的端部126e2和源極側的端部126e1中一者或兩者相對應的區(qū)域處。這里，如上所述，在LDD層126b1和126b2設置成鄰近于溝道層126a的兩個端部126e1和126e2的構造中，非重疊區(qū)域d2只形成在與溝道層126a的端部126e2相對應的區(qū)域處。換言之，溝道層126a的端部126e1設置在柵電極120A和120B之間(在與端部126e1相對應的區(qū)域處，柵電極120A和120B設置成彼此重疊)。另一方面，溝道層126a的端部126e2設置成從柵電極120A或120B(此處為柵電極120B)露出。具體而言，柵電極120A和120B的源極側的端部例如可設置在與溝道層126a的端部126e1幾乎相同的位置處或設置在該位置向外的位置e1處。另一方面，柵電極120A的漏極側的端部可例如設置在與溝道層126a的端部126e2幾乎相同的位置處或設置在該置向外的位置e2處，而柵電極120B的漏極側的端部可例如設置在溝道層126a的端部126e2向內的位置e2a處。通過這種方式，在本發(fā)明的該實施例中，柵電極120A和120B可具有彼此不同的寬度(即柵極長度L，此處L1>L2)。操作和有益效果在本發(fā)明的該實施例的攝像裝置1中，當攝像光Lin進入攝像部11時，各像素20內的光電轉換裝置21將攝像光Lin轉換成信號電荷(光電轉換)。此時，在累積節(jié)點N上，由于由光電轉換產生的信號電荷的累積而出現了取決于節(jié)點電容的電壓變化。具體而言，如果累積節(jié)點電容為Cs，且生成的信號電荷為q，則累積節(jié)點N上的電壓變化(此處減小)的值為(q/Cs)。響應于該電壓變化，在晶體管22的漏極上施加有與信號電荷相對應的電壓。隨后，當晶體管22響應于來讀出控制線Lread(Lread1和Lread2)提供的行掃描信號而開啟時，像素20的在累積節(jié)點N累積的信號電荷(與上述信號電荷相對應的電壓施加到晶體管22的漏極)被讀出到信號線Lsig。針對多個(此處4個)像素列中每一像素列，通過信號線Lsig將讀出的信號電荷輸入至A/D轉換部14中的列選擇部17。在列選擇部17中，電荷放大器171針對來自各信號線Lsig的各個信號電荷執(zhí)行Q-V轉換(信號電荷-信號電壓變換)，并隨后進行A/D轉換處理等，由此生成具有數字信號形式的輸出數據Dout(攝像信號)。通過這種方式，將輸出數據Dout順序從各列選擇部17輸出，并接著將其傳送至外部(或輸入至圖中未示的內部存儲器)。已知的是，特別當使用輻射射線作為攝像光Lin時，晶體管特性會由于輻射泄漏而劣化。例如，特別是對于使用低溫多晶硅的晶體管，需在氧化硅膜之間插入半導體層，然而由于所謂的光電效應、康普頓散射(Comptonscattering)、電子對生成等，在此類含氧的膜中的輻射入射激發(fā)了膜中存在的電子。結果，電子空穴在任意界面中被捕獲或分裂以保持不變(被充電)，這導致晶體管的閥值電壓偏移到負側。于是，為了抑制該閥值電壓的偏移，如同本發(fā)明的該實施例，優(yōu)選地采用設有柵電極120A和120B且在柵電極120A和120B之間布置有半導體層的雙柵極結構。然而，當采用雙柵極結構時，晶體管22在讀出信號電荷期間從開啟操作至關閉操作的切換會產生動態(tài)泄漏電流(瞬態(tài)電流)。原因在于，柵極120A和120B之間出現電容(柵極重疊電容和溝道電容)，這導致電荷(如電子)的累積。在關閉操作時，電荷(如電子空穴)從源極、漏極兩側流入，且由此在柵極120A和120B之間累積的電子從源極、漏極兩側流出。這種現象被稱為電荷注入，這會引起散粒噪聲(shotnoise)和攝像質量的劣化。在本發(fā)明的該實施例中，晶體管22具有非重疊區(qū)域d2，柵電極120A和120B在非重疊區(qū)域d2處部分地彼此不重疊，柵電極120A和120B布置成彼此相對且它們中間布置有半導體層126。通過設置非重疊區(qū)域d2，可抑制如上文所述的由雙柵極結構中的輻射照射引起的閥值電壓偏移，并同時減小柵極重疊電容。因此，能夠減少泄漏電流，并由此抑制了散粒噪聲。如上所述，在本發(fā)明的該實施例中，各像素20的與光電轉換裝置21一起設置的晶體管22包括柵電極120A和120B以及布置在柵電極120A和120B之間的半導體層126，且具有非重疊區(qū)域d2，柵電極120A和120B在非重疊區(qū)域d2處部分地彼此不重疊。這能夠抑制晶體管從開啟操作至關閉操作的切換時產生的泄漏電流以及減輕了散粒噪聲的影響。因此，能夠實現成像質量的提高。下面，將描述本發(fā)明該實施例的變形示例(變形示例1-1到1-4、2、3-1到3-4、4-1和4-2)。應注意到，使用相同的附圖標記來表示與本發(fā)明的上述實施例的組成部分實質相同的組成部分，并適當地省略相關說明。變形示例1-1圖6示出了變形示例1-1的晶體管(晶體管22A)剖面結構。如同本發(fā)明上述實施例的晶體管22，在上述攝像裝置1的攝像部11的各像素20中，設置有晶體管22A及光電轉換裝置21。在本變形示例的晶體管22A中，柵電極120A和120B布置成彼此相對且中間布置有半導體層126，LDD層126b1和126b2可形成為鄰近于半導體層126中的溝道層126a的源極側和漏極側的兩個端部126e1和126e2。在該構造中，如同本發(fā)明上述實施例的構造，晶體管22A也具有非重疊區(qū)域d2，非重疊區(qū)域d2對應于溝道層126a的漏極側的端部126e2。然而，本變形示例的晶體管22A還具有另一非重疊區(qū)域(非重疊區(qū)域d1)，非重疊區(qū)域d1對應于溝道層126a的源極側的端部126e1。即，非重疊區(qū)域d1和d2形成在與溝道層126a的兩個端部126e1和126e2對應的區(qū)域處。圖7示出了本變形示例的柵電極120A和120B以及半導體層126(溝道層126a、LDD層126b1和126b2及N+層126c)的平面布局構造的示例。從圖7可以看出，溝道層126a的兩個端部126e1和126e2設置成從柵電極120A或120B(圖中是柵電極120B)露出。具體而言，柵電極120B的源極側和漏極側的兩個端部可例如設置在從溝道層126a的端部126e1和126e2向內的位置e1a和e2a處。另一方面，柵電極120A的源極側和漏極側的兩個端部可設置在與溝道層126a的端部126e1和126e2幾乎相同的位置處或設置在從這些位置向外的位置e1和e2處。通過采用這樣的構造，在本發(fā)明的該實施例中，柵電極120A和120B具有彼此不同的寬度(柵極長度L，此處L1>L2)。如上所述，非重疊區(qū)域d1和d2并不局限于溝道層126a的漏極側，還可設置在源極側和漏極側的兩個端部126e1和126e2處。即使在這種情況下，如同本發(fā)明的上述實施例，能夠減小柵極重疊電容并抑制了散粒噪聲的影響。于是，實現了與本發(fā)明的上述實施例相同的效果。變形示例1-2圖8示出了變形示例1-2的晶體管(晶體管22B)的剖面結構。如同本發(fā)明上述實施例的晶體管22，在上述攝像裝置1的攝像部11的各像素20內，設置有晶體管22B和光電轉換裝置21。在本變形示例的晶體管22B中，柵電極120A和120B布置成彼此相對且它們之間布置有半導體層126。如同本發(fā)明上述實施例，晶體管22B具有非重疊區(qū)域d2，非重疊區(qū)域d2對應于溝道層126a的漏極側的端部126e2。然而，在本變形示例的晶體管22B中，在半導體層126中，LDD層126b2形成為僅鄰近于溝道層126a的漏極側的端部126e2。圖9示出了本變形示例的柵電極120A和120B以及半導體層126(溝道層126a、LDD層126b1和126b2以及N+層126c)的平面布局構造的示例。如圖9所示，端部126e2鄰近于LDD層126b2，并設置成從柵電極120A或120B(在圖9中為柵電極120B)露出。除未形成LDD層126b1外，構造與本發(fā)明的上述實施例的構造相同。如上所述，在半導體層126中，例如，LDD層126b2僅設置在溝道層126a的漏極側的結構也是可行的。而且，在這種情況下，通過例如在與溝道層126a的漏極側的端部126e2相對應的區(qū)域設置非重疊區(qū)域d2，能夠實現與本發(fā)明的上述實施例相同的效果。變形示例1-3圖10示出了變形示例1-3的晶體管(晶體管22C)的剖面結構。圖11示出了本變形示例的柵電極120A和120B以及半導體層126(溝道層126a、LDD層126b1和126b2、及N+層126c)的平面布局構造的示例。在上文所述的變形示例1-2中，說明了LDD層126b2僅設置在溝道層126a的漏極側的構造，然而也如同在變形示例1-1中，非重疊區(qū)域d1和d2可設置在與溝道層126a的兩個端部126e1和126e2相對應的區(qū)域處。在這種情況下，也能夠實現與本發(fā)明上述實施例相同的效果。變形示例1-4圖12示出了變形示例1-4的晶體管(晶體管22D)的剖面結構。圖13示出了本變形示例的柵電極120A和120B以及半導體層126(溝道層126a、LDD層126b1和126b2、及N+層126c)的平面布局構造的示例。在本變形示例中，非重疊區(qū)域d1和d2設置在溝道層126a的兩個端部126e1和126e2處，溝道層126a的端部126e1可從非重疊區(qū)域d1處的柵電極120A露出，而端部126e2可從非重疊區(qū)域d2處的柵電極120B露出。或者，相反地，溝道層126a的端部126e1可從柵電極120B露出，而端部126e2可從柵電極120A露出。在本變形示例中，柵電極120A和120B的寬度可能彼此相同，也可能彼此不相等。該結構也能夠減小柵極重疊電容并實現與本發(fā)明的上述實施例相同的效果。應注意到，如同上述變形示例1-2，本變形示例的柵電極120A和120B中每一者的結構同樣適用于LDD層126b2僅設置在半導體層126的溝道層126a的漏極側的結構。變形示例2此外，在本發(fā)明的上述實施例中，對柵電極120A和120B中每一者與溝道層126a之間出現的電容彼此相同的情況進行了說明，然而這些電容也可彼此不同。在這種情況下，通過適當調整第一柵極絕緣膜129和第二柵極絕緣膜130中的諸如硅化合物膜的多層膜結構和膜厚等因素來使溝道層126a的頂側和底側之間的電容變得不同。例如，優(yōu)選地，通過將第二柵極絕緣膜130的厚度設定成大于第一柵極絕緣膜129的厚度，使柵電極120B和溝道層126a之間電容小于柵電極120A和溝道層126a之間電容。此處，溝道層126a的上表面(溝道層126a和第二柵極絕緣膜130之間的界面)易受污染，這導致容易產生界面狀態(tài)。原因如下。即，例如，當溝道層126a采用低溫多晶硅時，由于能夠在真空中連續(xù)形成布置成下層的第一柵極絕緣膜129和作為溝道層126a的半導體層(α-Si；H)，所以第一柵極絕緣膜129和溝道層126a之間界面不太可能容易受到污染，且易于將界面狀態(tài)保持為最佳狀態(tài)。另一方面，在溝道層126a的結晶化處理(例如，諸如ELA等激光退火處理)之后形成第二柵極絕緣膜130。隨后，在第二柵極絕緣膜130形成之前，溝道層126a的上表面曾曝露于空氣中，且因而溝道層126a的第二柵極絕緣膜130側的界面比第一柵極絕緣膜129側的界面更容易受到污染?；谶@個原因，如上所述地有利于減少散粒噪聲，以尤其減少溝道層126a的上層部分處的電容。應注意到，使頂側(第二柵極絕緣膜130側)的電容小于底側(第一柵極絕緣膜129側)電容的類似構造僅是示例性的，而非限制性的。也可以使溝道層126a的底側的電容小于頂側的電容。然而，如上所述，溝道層126a的頂側處的界面易受污染，且優(yōu)選地使頂側的電容小于底側的電容。變形示例3-1圖14示出了變形示例3-1的像素(像素20A)的電路構造以及電荷放大器電路171的電路構造示例。如同本發(fā)明的上述實施例的像素20，像素20A包括被動型(passive-type)像素電路，且可具有一個光電轉換裝置21和一個晶體管22。而且，像素20A連接到讀出控制線Lread(Lread1和Lread2)和信號線Lsig。然而，不同于本發(fā)明的上述實施例的像素20，在本變形示例的像素20A中，光電轉換裝置21的陽極和累積節(jié)點N相連接，陰極和電源端子相連接。采用這種方式，在像素20A中，累積節(jié)點N可以和光電轉換裝置21的陽極相連接，且即使在這種情況下也能夠實現和本發(fā)明的上述實施例的攝像裝置1同樣的效果。變形示例3-2圖15示出了變形示例3-2的像素(像素20B)的電路構造以及電荷放大器電路171的電路構造示例。如同本發(fā)明的上述實施例的像素20，像素20B采用被動型(passive-type)像素電路構造，像素20B連接到讀出控制線Lread(Lread1和Lread2)和信號線Lsig。然而，在本變形示例中，像素20B具有一個光電轉換裝置21和兩個晶體管22。這兩個晶體管22彼此串聯連接(一個晶體管的源極或源極和另一個晶體管的漏極或源極電連接)。各晶體管22的柵極和讀出控制線Lread相連接。以此方式，可采用在像素20B中設置有彼此串聯連接的兩個晶體管22的構造，且即使在這種情況下也能夠實現和本發(fā)明的上述實施例同樣的效果。變形示例3-3和3-4圖16示出了變形示例3-3的像素(像素20C)的電路構造以及放大器電路171A的電路構造示例。圖17示出了變形示例3-4的像素(像素20D)的電路構造以及放大器電路171A的電路構造示例。不同于上述像素20、20A和20B，像素20C和20D中每一者都采用了所謂的主動型(active-type)像素電路。在像素20C和20D的每一者中，設有一個光電轉換裝置21以及三個晶體管22、23和24。像素20C和20D中每一者除與讀出控制線Lread和信號線Lsig相連接外也和復位控制線Lrst相連接。在像素20C和20D中每一者中，晶體管22的兩個柵極分別和讀出控制線Lread1和Lread2相連接，其源極例如和信號線Lsig相連接，其漏極和構成源極跟隨電路(sourcefollowercircuit)的晶體管23的漏極相連接。晶體管23的源極可例如和電源VDD相連接，其柵極可例如通過累積節(jié)點N和光電轉換裝置21的陰極(圖16的示例)或陽極(圖17的示例)以及作為復位晶體管的晶體管24的漏極相連接。晶體管24的柵極與復位控制線Lrst相連接，且源極上施加有復位電壓Vrst。在圖16的變形示例3-3中，光電轉換裝置21的陽極與地相連接(接地)，而在圖17的變形示例3-4中，光電轉換裝置21的陰極和電源端子相連接。放大器電路171A設有恒流電源171和放大器176，以取代在上述列選擇部17中的電荷放大器172、電容器C1和開關SW1。在放大器176中，信號線Lsig和正側輸入端子相連接，而負側輸入端子和輸出端子彼此相連接以形成電壓跟隨電路(voltagefollowercircuit)。應注意到，恒流電源171的第一端子和信號線Lsig一端側相連接，而電源端子VSS和恒流電源171的第二端子相連接。在具有此類主動型(active-type)像素20C和20D的攝像裝置中，也例如能夠使用本發(fā)明的上述實施例中所述的晶體管22作為讀出晶體管，這能夠抑制散粒噪聲或暗電平的變化。從而，能夠實現和本發(fā)明的上述實施例相同的效果。變形示例4-1圖18A示意示出了變形示例4-1的攝像部(攝像部11A)的簡化構造。攝像部11A在本發(fā)明的上述實施例中的光電轉換層111(受光面?zhèn)?上還額外具有波長轉換層112。波長轉換層112對輻射射線Rrad(諸如α射線，β射線，γ射線和X射線)進行波長轉換，以輻射射線Rrad具有處于光電傳感層111的靈敏度范圍內的波長，從而能夠基于光電傳感層111上的該輻射射線Rrad來讀取信息。波長轉換層112可例如由用于將諸如X射線等輻射射線轉換成可見光的熒光劑(如閃爍物)組成。例如，此類波長轉換成可由以下方式獲得：在光電轉換層111上形成由諸如有機平坦化膜和旋制玻璃(Spin-On-Glass)等材料組成的平坦化膜，并再在上面形成熒光劑膜(如CsI；Tl(CsI中摻雜鉈)和Gd2O2S)。該攝像部11A可例如應用于所謂的間接型放射攝像裝置。變形示例4-2圖18B示意示出了變形示例4-2的攝像部(攝像部11B)的簡化構造。不同于本發(fā)明的上述實施例，攝像部11B具有用于將入射的放射線Rrad轉換成電信號的光電轉換層111B。光電轉換層111B可例如由諸如非晶硒(a-se)半導體和碲化鎘(CdTe)半導體等材料組成。攝像部11B可應用于所謂的直接型放射攝像裝置。可以使用包括上述變形示例4-1和4-2的攝像部11A和11B中任一攝像部的攝像裝置，以作為用于獲取基于入射的輻射射線Rrad的電信號的各類型的放射攝像裝置。此類放射攝像裝置的可能應用包括但不限于醫(yī)學X射線攝像裝置(諸如數字X射線照相)、機場使用的便攜物體檢查用X射線攝像裝置和工業(yè)X射線攝像裝置(諸如集裝箱危險品檢查裝置、裝袋物品檢查裝置)等。應用示例本發(fā)明的上述實施例和變形示例的各個攝像裝置可應用于下述攝像顯示系統(tǒng)。圖19示意示出了應用示例中的攝像顯示系統(tǒng)(攝像顯示系統(tǒng)5)的簡化構造示例。攝像顯示系統(tǒng)5包括具有上述攝像部11(或攝像部11A和11B中一者)的攝像裝置1、圖像處理部52和顯示裝置4。在此示例中，攝像顯示系統(tǒng)5可以是使用輻射射線的攝像顯示系統(tǒng)(放射攝像顯示系統(tǒng))。圖像處理部52通過對攝像裝置1輸出的輸出數據Dout(攝像信號)進行預定的圖像處理來生成圖像數據D1。顯示裝置4基于圖像處理部52生成的圖像數據D1在預定的屏幕40上顯示圖像。在攝像顯示系統(tǒng)5中，攝像裝置1(此處為放射攝像裝置)基于從光源(此處是輻射源，如X射線源)射向物體50的照射光(此處為輻射射線)獲取物體50的圖形數據Dout并輸出至圖像處理部52。圖像處理部52對輸入的圖像數據Dout進行上述的預定圖像處理，從而生成圖像數據(顯示數據)D1并輸出至顯示裝置4。顯示裝置4在預定屏幕40上顯示基于輸入的圖像數據D1的圖像信息(攝像圖像)。如上所述，在本應用示例的攝像顯示系統(tǒng)5中，能夠在攝像裝置1中獲得物體50的圖像作為電信號，這能夠通過將獲得的電信號傳輸到顯示裝置4來顯示圖像。換句話說，能夠在不使用現有的放射照相膠片的情況下就能觀察到物體50的圖像，且也能夠處理運動圖像攝像和運動圖像顯示。應注意到，在本應用示例中，參考將攝像裝置1構造成放射攝像裝置以作為使用輻射射線的攝像顯示系統(tǒng)的情況進行說明，然而本發(fā)明的攝像顯示系統(tǒng)也可應用于使用其他方法的任意系統(tǒng)。本發(fā)明通過示例性實施例、變形示例和應用示例進行了描述，但并不限于此，其同樣可做出其他變化。例如，本文主要對溝道層126a的端部126e1和126e2中的一者或兩者從柵電極120B(柵電極120B的寬度短于柵電極120A的寬度)露出的情況進行說明，但柵電極120A和120B之間的寬度大小關系可以是顛倒的。更具體地，溝道層126a的端部126e1和126e2可能從柵電極120A(柵電極120A的寬度短于柵電極120B的寬度)露出。此外，在本發(fā)明的上述實施例等中，作為示例，說明了半導體層126中的LDD層設置在溝道層126a的一側(漏極側)或兩側(源極側和漏極側)的情況，但該LDD層并不是必需設置的。具體而言，也可采用N+層126c形成為鄰近于溝道層126a兩側的構造。該結構特別適用于半導體層126采用非晶硅的情況。當半導體層采用低溫多晶硅時，優(yōu)選地但非絕對必需地設置上述LDD層。在本發(fā)明的上述實施例等中，攝像部的像素電路構造不限于本發(fā)明的上述實施例等中描述的構造(像素20、20A～20D的電路構造)，也可使用其他構造。類似地，行掃描部、列掃描部等部件的電路構造也并不限于本發(fā)明的上述實施例等中描述的結構，也可使用其他構造。此外，在本發(fā)明的上述實施例等中描述的攝像部、行掃描部、A/D轉換部(列選擇部)、列掃描部等部分或全部部件可例如形成在同一基板上。具體而言，諸如低溫多晶硅等多晶硅半導體的使用也允許將那些電路部分中的開關等形成在同一基板上。這能夠基于來自外部系統(tǒng)控制部的控制信號在同一基板上進行驅動操，從而減小窗口尺寸(無三邊邊框結構)并提高線路連接的可靠性。此外，本發(fā)明包含了本文所述和所包含的各種實施例和變形示例中部分或全部的任何可能的組合。因此，從本發(fā)明的上述實施例、變形示例和應用示例能夠至少獲得下述構造：(1)一種攝像裝置，其包括多個像素，各所述像素包括：光電轉換裝置，其用于將入射的電磁輻射轉換成電信號；及至少一個晶體管，其包括第一柵電極和位于所述第一柵電極上方的第二柵電極，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極在非重疊區(qū)域中不彼此重疊。(2)如(1)所述的攝像裝置，所述至少一個晶體管還包括：半導體層，其位于所述第一柵電極和所述第二柵電極之間；源電極，其電連接到所述半導體層的第一端部；及漏電極，其電連接到所述半導體層的第二端部。(3)如(2)所述的攝像裝置，其中，所述半導體層包括溝道層，所述溝道層具有朝向所述源電極的第一端部和朝向所述漏電極的第二端部。(4)如(3)所述的攝像裝置，其中，所述溝道層的所述第一端部和所述第二端部中的一者位于所述非重疊區(qū)域中。(5)如(4)所述的攝像裝置，其中，所述溝道層的所述第一端部和所述第二端部中的一者在所述非重疊區(qū)域中不與所述第一柵電極和所述第二柵電極中的一者重疊。(6)如(3)所述的攝像裝置，其中，所述非重疊區(qū)域包括第一非重疊區(qū)域和第二非重疊區(qū)域；所述溝道層的所述第一端部位于所述第一非重疊區(qū)域中；及所述溝道層的所述第二端部位于所述第二非重疊區(qū)域中。(7)如(6)所述的攝像裝置，其中，所述溝道層的所述第一端部在所述第一非重疊區(qū)域中不與所述第一柵電極和所述第二柵電極中的一者重疊；且所述溝道層的所述第二端部在所述第二非重疊區(qū)域中不與所述第一柵電極和所述第二柵電極中的一者重疊。(8)如(1)所述的攝像裝置，其中，所述第一柵電極的寬度等于或大于所述第二柵電極的寬度。(9)如(3)所述的攝像裝置，其中，所述第一柵電極與所述溝道層之間的電容等于或大于所述第二柵電極與所述溝道層之間的電容。(10)如(3)所述的攝像裝置，其中，所述半導體層還包括：第一活性層，其位于所述半導體層的所述第一端部處，并電連接到所述源電極；第二活性層，其位于所述半導體層的所述第二端部處，并電連接到所述漏電極；及輕摻雜漏極(LDD)層，其位于所述溝道層和所述第二活性層之間。(11)如(10)所述的攝像裝置，其中，所述第一活性層是第一N+層，且所述第二活性層是第二N+層。(12)如(2)所述的攝像裝置，其中，所述至少一個晶體管包括：第一柵極絕緣膜，其位于所述第一柵電極和所述半導體層之間；及第二柵極絕緣膜，其位于所述第二柵電極和所述半導體層之間，其中，所述第一柵極絕緣膜的厚度小于所述第二柵極絕緣膜的厚度。(13)如(1)所述的攝像裝置，其中，所述至少一個晶體管包括電串聯連接的第一晶體管和第二晶體管。(14)如(1)所述的攝像裝置，其中，所述電磁輻射包括X射線光譜中的光線和可見光光譜中的光線中的至少一者。(15)一種攝像顯示系統(tǒng)，其包括：顯示裝置，其基于由攝像裝置獲得的信號來顯示圖像；及所述攝像裝置，其包括多個像素，各所述像素包括：(a)光電轉換裝置，和(b)至少一個晶體管，其包括第一柵電極和位于所述第一柵電極上方的第二柵電極，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極在非重疊區(qū)域中彼此不重疊。(16)如(15)所述的攝像顯示系統(tǒng)，其中，所述至少一個晶體管還包括：半導體層，其位于所述第一柵電極和所述第二柵電極之間；源電極，其電連接到所述半導體層的第一端部；及漏電極，其電連接到所述半導體層的第二端部。(17)如(16)所述的攝像顯示系統(tǒng)，其中，所述半導體層包括溝道層，所述溝道層具有朝向所述源電極的第一端部和朝向所述漏電極的第二端部。(18)如(17)所述的攝像顯示系統(tǒng)，其中，所述溝道層的所述第一端部和所述第二端部中的一者位于所述非重疊區(qū)域中。(19)如(17)所述的攝像顯示系統(tǒng)，其中，所述非重疊區(qū)域包括第一非重疊區(qū)域和第二非重疊區(qū)域；所述溝道層的所述第一端部位于所述第一非重疊區(qū)域中；及所述溝道層的所述第二端部位于所述第二非重疊區(qū)域中。(20)一種輻射射線感測裝置，所述輻射射線感測裝置包括多個像素，各所述像素包括：光電轉換裝置，其用于將入射的電磁輻射轉換成電信號；及至少一個晶體管，其包括第一柵電極和位于所述第一柵電極上方的第二柵電極，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極在非重疊區(qū)域中不彼此重疊。(21)一種攝像裝置，其包括多個像素，各所述像素包括光電轉換裝置和場效應晶體管，所述晶體管包括：半導體層，第一柵電極和第二柵電極，所述第一柵電極和所述第二柵電極布置成隔著所述半導體層彼此相對，且所述半導體層布置在所述第一柵電極和所述第二柵電極之間，源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極電連接到所述半導體層，及非重疊區(qū)域，在所述非重疊區(qū)域處所述第一柵電極和所述第二柵電極部分地彼此不重疊。(22)如(21)所述的攝像裝置，其中，所述半導體層至少包括溝道層，所述溝道層具有第一端部和第二端部，所述第一端部設置成更靠近所述源電極和所述漏電極中的所述源電極，所述第二端部設置成更靠近所述源電極和所述漏電極中的所述漏電極，且所述非重疊區(qū)域設置在與所述第一端部和所述第二端部中的一者相對應的區(qū)域處，或設置在與所述第一端部和所述第二端部相對應的區(qū)域處。(23)如(22)所述的攝像裝置，其中，所述晶體管還包括第一柵極絕緣膜和第二柵極絕緣膜，所述第一柵電極、所述第一柵極絕緣膜、所述半導體層、所述第二柵極絕緣膜和所述第二柵電極從基板起依次層疊在所述基板上，且所述溝道層的所述第一端部和所述第二端部中的一者或兩者在所述非重疊區(qū)域中從所述第二柵電極露出。(24)如(23)所述的攝像裝置，其中，所述半導體層還包括輕摻雜漏極層，所述輕摻雜漏極層鄰近于所述溝道層的所述第一端部和所述第二端部中的每一者，且所述溝道層的所述第一端部設置在所述第一柵電極和所述第二柵電極之間，且所述第二端部從所述第二柵電極露出。(25)如(23)所述的攝像裝置，其中：所述半導體層還包括輕摻雜漏極層，所述輕摻雜漏極層鄰近于所述溝道層的所述第一端部和所述第二端部中的每一者，且所述溝道層的所述第一端部和所述第二端部從所述第二柵電極露出。(26)如(23)所述的攝像裝置，其中，所述半導體層還包括輕摻雜漏極層，所述輕摻雜漏極層僅鄰近于所述溝道層的所述第二端部，且所述溝道層的所述第一端部設置在所述第一柵電極和所述第二柵電極之間，且所述第二端部從所述第二柵電極露出。(27)如(23)所述的攝像裝置，其中，所述半導體層還包括輕摻雜漏極層，所述輕摻雜漏極層僅鄰近于所述溝道層的所述第二端部，且所述溝道層的所述第一端部和所述第二端部從所述第二柵電極露出。(28)如(22)所述的攝像裝置，其中，所述晶體管還包括第一柵極絕緣膜和第二柵極絕緣膜，所述第一柵電極、所述第一柵極絕緣膜、所述半導體層、所述第二柵極絕緣膜和所述第二柵電極從基板起依次層疊在所述基板上，且所述溝道層的所述第一端部和所述第二端部中的一者或兩者在所述非重疊區(qū)域中從所述第一柵電極露出。(29)如(22)所述的攝像裝置，其中，所述晶體管還包括第一柵極絕緣膜和第二柵極絕緣膜，所述第一柵電極、所述第一柵極絕緣膜、所述半導體層、所述第二柵極絕緣膜和所述第二柵電極從基板起依次層疊在所述基板上，且所述溝道層的所述第一端部和所述第二端部中的一者在所述非重疊區(qū)域中從所述第一柵電極露出，且所述溝道層的所述第一端部和所述第二端部中的另一者在所述非重疊區(qū)域中從所述第二柵電極露出。(30)如(21)至(29)中任一項所述的攝像裝置，其中，所述第一柵電極和所述第二柵電極的寬度彼此不同。(31)如(21)至(30)中任一項所述的攝像裝置，其中，所述晶體管還包括第一柵極絕緣膜和第二柵極絕緣膜，所述第一柵電極、所述第一柵極絕緣膜、所述半導體層、所述第二柵極絕緣膜和所述第二柵電極從基板起依次層疊在所述基板上，且所述第一柵電極和所述半導體層之間的電容與所述第二柵電極和所述半導體層之間的電容彼此不相等。(32)如(31)所述的攝像裝置，其中，所述第二柵電極和所述半導體層之間的電容小于所述第一柵電極和所述半導體層之間的電容。(33)如(32)所述的攝像裝置，所述第二柵極絕緣膜的厚度大于所述第一柵極絕緣膜的厚度。(34)如(21)至(33)中任一項所述的攝像裝置，其中，所述半導體層包含非晶硅、多晶硅和微晶硅中的一者。(35)如(34)所述的攝像裝置，其中，所述半導體層包括低溫多晶硅，且所述晶體管包括第一柵極絕緣膜和第二柵極絕緣膜，所述第一柵極絕緣膜和所述第二柵極絕緣膜中的每一者具有氧化硅膜。(36)如(21)至(35)中任一項所述的攝像裝置，其中，所述光電轉換裝置包括PIN型光電二極管和MIS型傳感器中的一者。(37)如(21)至(36)中任一項所述的攝像裝置，其中，各所述像素基于入射的輻射射線產生電信號。(38)如(21)至(37)中任一項所述的攝像裝置，其中，各所述像素包括位于所述光電轉換裝置上的波長轉換層，所述波長轉換層能夠將所述輻射射線轉換成具有處于所述光電轉換裝置的靈敏度范圍內的波長。(39)如(38)所述的攝像裝置，其中，所述輻射射線是X射線。(40)一種攝像顯示系統(tǒng)，所述攝像顯示系統(tǒng)具有攝像裝置和顯示裝置，所述顯示裝置基于由所述攝像裝置獲得的攝像信號來顯示圖像，所述攝像裝置包括多個像素，各所述像素包括光電轉換裝置和場效應晶體管，所述晶體管包括：半導體層，第一柵電極和第二柵電極，所述第一柵電極和所述第二柵電極布置成隔著所述半導體層彼此相對，且所述半導體層布置在所述第一柵電極和所述第二柵電極之間，源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極電連接到所述半導體層，及非重疊區(qū)域，在所述非重疊區(qū)域處所述第一柵電極和所述第二柵電極部分地彼此不重疊。本申請包含與2012年5月28日向日本專利局提交的日本在先專利申請JP2012-120551的公開內容相關的主題，在這里將該在先申請的全部內容以引用的方式并入本文。本領域技術人員應當理解，依據設計要求和其它因素，可以在本發(fā)明所附的權利要求或其等同物的范圍內進行各種修改、組合、次組合及改變。