光伏器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及光伏器件，其包括：支撐層；含有鎘、碲、銅，且為n-型的第一層；含有鎘、碲、銅，且為p-型的第二層；以及透明導(dǎo)電氧化物層。本發(fā)明也涉及制備光伏器件的方法，其包括：提供具有含鎘和碲的層以及在含鎘和碲的層上的含銅層的元件；以及將元件加溫退火形成分別含有鎘、碲、銅的第一層和第二層，第一層為n-型，第二層為p-型。
【專利說明】 光伏器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種光伏器件及其制備方法。具體而言，本發(fā)明涉及一種包含碲和鎘的光伏器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]光伏器件，例如薄膜太陽(yáng)能電池，通常包括碲化鎘層和硫化鎘層。位于碲化鎘-硫化鎘接觸面的混合區(qū)域?qū)夥骷男阅芸赡墚a(chǎn)生不良影響。
[0003]因此，需要改進(jìn)的光伏器件及其制備方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的實(shí)施例可以滿足上述及其它需求。一個(gè)實(shí)施例是一種光伏器件。該光伏器件包括:支撐層；含有鎘、碲、銅，且為η-型的第一層；含有鎘、碲、銅，且為P-型的第二層；以及透明導(dǎo)電氧化物層。
[0005]—個(gè)實(shí)施例是一種制備光伏器件的方法。該方法包括:提供具有含鎘和締的層以及在含鎘和碲的層上的含銅層的元件；以及將元件加溫退火形成分別含有鎘、碲、銅的第一層和第二層，第一層為η-型，第二層為P-型。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]當(dāng)參考附圖閱讀下面的詳細(xì)描述時(shí)，本發(fā)明的這些和其它特征、方面及優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更好理解，在附圖中:
[0007]圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光伏器件的剖面示意圖；
[0008]圖2是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的光伏器件的剖面示意圖；
[0009]圖3所示為比較示例1-3和示例I中制備的光伏器件樣品在距離碲化鎘層與背電極的界面不同距離處的電壓。

【具體實(shí)施方式】
[0010]除非本發(fā)明中清楚另行定義，用到的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)的含義為本發(fā)明所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員所通常理解的含義。本發(fā)明中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。本發(fā)明中使用的“包括”、“包含”、“含有”或“具有”以及類似的詞語(yǔ)是指除了列于其后的項(xiàng)目及其等同物外，其他的項(xiàng)目也可在范圍以內(nèi)。
[0011]說明書和權(quán)利要求中的近似用語(yǔ)用來修飾數(shù)量，表示本發(fā)明并不限定于該具體數(shù)量,還包括與該數(shù)量接近的、可接受的、不會(huì)導(dǎo)致相關(guān)基本功能的改變的修正的部分。相應(yīng)的，用“大約”、“約”等修飾一個(gè)數(shù)值，意為本發(fā)明不限于該精確數(shù)值。在某些實(shí)施例中，近似用語(yǔ)可能對(duì)應(yīng)于測(cè)量數(shù)值的儀器的精度。說明書和權(quán)利要求中的范圍可以合并及/或互換，除非另行清楚說明，范圍包括其所涵蓋的所有子范圍。
[0012]在說明書和權(quán)利要求中，除非清楚地另外指出，單復(fù)數(shù)不加以限制。除非上下文另外清楚地說明，術(shù)語(yǔ)“或”并不意味著排他，而是指存在提及部件(例如層)中的至少一個(gè)，并且包括提及部件的組合可以存在的情況。
[0013]本發(fā)明所提及的“可”和“可能”表示在一定環(huán)境下發(fā)生的可能性；具有指定的性質(zhì)，特征或者功能的可能性；和/或通過顯示一個(gè)或者多個(gè)能力、性能而適合于另一種動(dòng)作，或者與該適合的動(dòng)作相關(guān)的可能性。因此，用于“可”、和“可能”表示修飾的術(shù)語(yǔ)顯然適合、能夠或者適于所表示的能力，功能，或者用途，同時(shí)考慮在一些情況下，所修飾的術(shù)語(yǔ)可能有時(shí)不適合、不能或者不合適。例如，在一些情況下，事件或者能力可能是所期望的，而在其它情況下，該事件或者能力不能發(fā)生。這些情形通過術(shù)語(yǔ)“可”和“可能”描述。
[0014]本發(fā)明說明書中提及“一個(gè)實(shí)施例”、“另一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”等等，表示所述與本發(fā)明相關(guān)的一種特定要素(例如特征、結(jié)構(gòu)和/或特點(diǎn))被包含在本說明書所述的至少一個(gè)實(shí)施例中，可能或不可能出現(xiàn)于其他實(shí)施例中。另外，需要理解的是，所述發(fā)明特征可與各種實(shí)施例和構(gòu)造以任何適合的方式結(jié)合。
[0015]在下文中，將參照【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式，但不會(huì)詳細(xì)描述眾所周知的功能和結(jié)構(gòu)以及不必要的細(xì)節(jié)。如下詳細(xì)所述，本發(fā)明的實(shí)施例包括光伏器件和其制備方法。
[0016]光伏器件可為其應(yīng)用環(huán)境所需的任何結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，光伏器件包括以背電極為襯底的結(jié)構(gòu)。圖1所示為根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光伏器件I。參考圖1，光伏器件I包括支撐層2 ;含有鎘、碲、銅，且為η-型的第一層3 ;含有鎘、碲、銅，且為P-型的第二層4;以及透明導(dǎo)電氧化物層5。
[0017]在這樣的實(shí)施例中，太陽(yáng)光(未圖示)從透明導(dǎo)電氧化物層5進(jìn)入，在通過第一層3之后，進(jìn)入第二層4。入射光(例如，太陽(yáng)光)的電磁能在第一層3和第二層4轉(zhuǎn)化為電子-空穴對(duì)(即，自由電荷)。
[0018]在另一些實(shí)施例中，如圖2所示，示例光伏器件10包括以透明氧化物為襯底的結(jié)構(gòu)。光伏器件10包括支撐層20 ;含有鎘、碲、銅，且為η-型的第一層30 ;含有鎘、碲、銅，且為P-型的第二層40 ；以及透明導(dǎo)電氧化物層50。
[0019]在這樣的實(shí)施例中，太陽(yáng)光(未圖示)從支撐層20進(jìn)入，在通過透明導(dǎo)電氧化物層50和第一層30之后,進(jìn)入第二層40。入射光(例如,太陽(yáng)光)的電磁能在第一層30和第二層40轉(zhuǎn)化為電子-空穴對(duì)(即，自由電荷)。
[0020]本發(fā)明中使用的術(shù)語(yǔ)“層”或“區(qū)域”指以連續(xù)或不連續(xù)的方式，設(shè)置在下層表面的至少一部分上的材料。此外，“層”或“區(qū)域”并非必然意味著所設(shè)置的材料的厚度均勻，所設(shè)置的材料可具有均勻或可變的厚度。
[0021]在本發(fā)明中，當(dāng)層被描述為“在另一個(gè)層上“或者被描述為“在其他層之間”時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解的是，所述層可彼此直接接觸或在所述層之間具有一個(gè)(或多個(gè))層或特征。此外，術(shù)語(yǔ)“在…上”表示層彼此之間的相對(duì)位置，而并非必然意味著“在…頂部”，因?yàn)橄鄬?duì)位置上面或下面取決于器件相對(duì)于觀察者的方位。術(shù)語(yǔ)“鄰近”意味著兩個(gè)層接觸地設(shè)置，并彼此直接接觸。
[0022]在一些實(shí)施例中，支撐層2，20在期望透過支撐層2，20的波長(zhǎng)的范圍內(nèi)是透明的。在一些實(shí)施例中，支撐層2，20包括二氧化硅、硼硅酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、聚酰亞胺或它們的任意組合。
[0023]在一些實(shí)施例中，光伏器件(未圖示)的支撐層包括可導(dǎo)電物質(zhì)，充當(dāng)背電極，從而不具有其他單獨(dú)的背電極?？蓪?dǎo)電物質(zhì)包括但不限于，金，鉬，鑰，鎢，鉭，鈦，鈀，鋁，鉻，鎳，銀，石墨，或上述物質(zhì)的任意組合。
[0024]在一些實(shí)施例中，特定其他層，例如減反層(未圖示)，可置于透明導(dǎo)電氧化物層或支撐層上太陽(yáng)光入射的一側(cè)。
[0025]在一些實(shí)施例中，特定其他層，例如阻擋層(未圖示)，可置于支撐層上，位于透明導(dǎo)電氧化物層和支撐層之間、或者背電極和支撐層之間。
[0026]本發(fā)明使用的術(shù)語(yǔ)“透明導(dǎo)電氧化物層”指的是能夠用作前集流體的基本透明的層或區(qū)域。在一些實(shí)施例中，當(dāng)入射光的波長(zhǎng)在350納米到850納米之間的時(shí)候，透明導(dǎo)電氧化物層5，50的平均透過率至少大于70%。
[0027]在一些實(shí)施例中，透明導(dǎo)電氧化物層5，50包括透明導(dǎo)電氧化物。透明導(dǎo)電氧化物的非限制性示例包括錫酸鎘(Cd2SnO4或CT0)，氧化銦錫(ΙΤ0)，摻氟氧化錫(SnO:F或FT0)，摻銦氧化鎘，摻鋁氧化鋅(ZnO: Al或ΑΖ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)和氧化鋅錫(ZnSnOx)等摻雜氧化鋅，或它們的任意組合。根據(jù)采用的具體透明導(dǎo)電氧化物及其薄層電阻，在一些實(shí)施例中，透明導(dǎo)電氧化物層5，50的厚度可在約50nm至約600nm的范圍內(nèi)。
[0028]在一些實(shí)施例中,光伏器件1,10具有背電極6,60。在一些實(shí)施例中，背電極6,60包括金，鉬，鑰，鎢，鉭，鈦，鈀，鋁，鉻，鎳，銀，石墨，或上述物質(zhì)的任意組合。背電極6，60可包括一起起接觸作用的許多層。
[0029]在一些實(shí)施例中，其他金屬層(未圖示)，例如鋁，可設(shè)置在背電極6，60上以提供與外部電路的連接。在一些實(shí)施例中，多個(gè)金屬層(未圖示)，例如鋁和鉻，可設(shè)置在背電極6，60上以提供與外部電路的連接。在一些實(shí)施例中，背電極6,60可包括一層碳,例如石墨,設(shè)置在第二層4，40之上，然后再設(shè)置其他金屬層，例如前述中的金屬。
[0030]在一些實(shí)施例中，光伏器件1，10包括位于透明導(dǎo)電氧化物層5，50與第一層3，30之間的緩沖層(未圖示)。緩沖層的薄層電阻比透明導(dǎo)電氧化物層5，50高。緩沖層有時(shí)也被稱為“高電阻透明導(dǎo)電氧化物層”或“HRT層”。緩沖層的合適材料包括但不限于含有鋅、錫、鈦或銦的氧化物，即二氧化錫，鋅錫氧化物(錫酸鋅(ΖΤ0))，摻鋅二氧化錫(Sn02:Zn)，氧化鋅(ZnO),氧化銦(In2O3), 二氧化鈦(T12),或前述物質(zhì)的任意組合。在一些實(shí)施例中，緩沖層的厚度范圍為大約20nm至大約200nm。
[0031]在一些實(shí)施例中，光伏器件1,10包括位于第二層4,40和背電極6,60之間、含有如以等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)或?yàn)R射等任何適當(dāng)方式設(shè)置的P+-型材料的P+-型半導(dǎo)體層(未圖示)。在另一實(shí)施例中，P+-型半導(dǎo)體區(qū)可在第二層4，40中形成，通過(例如，使用碘和銅)化學(xué)處理第二層4，40，提高第二層4，40背面(與金屬層相接觸而與第一層3，30相反的面)的載流子濃度。在一些實(shí)施例(未圖示)中，背電極6，60，例如石墨層，可設(shè)置在P+-型半導(dǎo)體層上，或者直接設(shè)置在第二層4，40上。多個(gè)金屬層可進(jìn)一步設(shè)置在背電極6，60上。在一些實(shí)施例中，p+-型透明導(dǎo)電氧化物可設(shè)置在背電極上，第二層可與P+-型透明導(dǎo)電氧化物層鄰接。
[0032]本發(fā)明使用的術(shù)語(yǔ)“p+-型半導(dǎo)體層”指的是與第二層4，40中的P型載流子或空穴濃度相比具有額外可移動(dòng)的P型載流子或空穴的半導(dǎo)體層。在一些實(shí)施例中，P+-型半導(dǎo)體層的P型載流子濃度在高于每立方厘米約IX116的范圍內(nèi)。在一些實(shí)施例中，P+-型半導(dǎo)體層可用作第二層4，40和背電極6，60之間的界面。
[0033]在一些實(shí)施例中，p+-型半導(dǎo)體層包括重?fù)诫s的P型材料，該重?fù)诫s的P型材料包括非晶=SiC:H、晶體S1、微晶S1:H、微晶SiGe:H、非晶SiGe:H、非晶Ge、微晶Ge、GaAs λ BaCuSF、BaCuSeF、BaCuTeF、LaCuOS Λ LaCuOSe Λ LaCuOTe Λ LaSrCuOS Λ LaCuOSeci 6Te0 4'BiCuOSe、BiCaCuOSe、PrCuOSe、NdCuOS、Sr2Cu2ZnO2S2^ Sr2CuGaO3S^ (Zn，Co，Ni) Ox 或它們的任意組合。在另一個(gè)實(shí)施例中，P+-型半導(dǎo)體層包括P+-摻雜材料，該P(yáng)+-摻雜材料包括碲化鋅、締化鎂、締化猛、締化鈹、締化萊、締化砷、締化鋪、締化銅或它們的任意組合。在一些實(shí)施例中，P+-雜質(zhì)還具有包括銅、金、氮、磷、鋪、砷、銀、秘、硫、鈉或它們的任意組合的摻雜劑。
[0034]如本領(lǐng)域技術(shù)人員所了解，光伏器件各層的設(shè)置順序可取決于所期望的光伏器件結(jié)構(gòu)，例如取決于光伏器件是采用以背電極為襯底的結(jié)構(gòu)還是以透明氧化物為襯底的結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，制備光伏器件1，10的方法包括:提供具有含鎘和碲的層(未圖示)以及在含鎘和碲的層上的含銅層(未圖示)的元件(未圖示)；以及將元件加溫退火形成分別含有鎘、碲、銅的第一層3，30和第二層4，40，第一層為η-型，第二層為ρ-型。
[0035]在一些實(shí)施例中，元件包括支撐層2和設(shè)置在支撐層2上的背電極6。含鎘和碲的層設(shè)置在背電極6上。
[0036]除非另外明確地說明，本發(fā)明使用的術(shù)語(yǔ)“設(shè)置在…上”指的是層直接彼此接觸地設(shè)置或通過在層之間具有中間層而間接地設(shè)置。
[0037]在一些實(shí)施例中，在元件退火后，透明導(dǎo)電氧化物層5通過任何適當(dāng)?shù)姆绞皆O(shè)置在第一層3上，例如濺射，化學(xué)氣相沉積，旋轉(zhuǎn)涂覆，或浸潰涂覆。
[0038]在一些實(shí)施例中，透明導(dǎo)電氧化物層50可通過任何適當(dāng)?shù)姆绞皆O(shè)置在支撐層20上，例如濺射，化學(xué)氣相沉積，旋轉(zhuǎn)涂覆，或浸潰涂覆。
[0039]在一些實(shí)施例中，緩沖層(未圖示)可通過濺射方式設(shè)置在透明導(dǎo)電氧化物層5，50上。
[0040]在一些實(shí)施例中，碲化鎘層設(shè)置在透明導(dǎo)電氧化物層上。
[0041]用于沉積含鎘和碲的層的方法的非限制性示例包括近空間升華(CSS)、氣相輸運(yùn)沉積(VTD)、濺射(例如，直流脈沖濺射(DCP))、電化學(xué)沉積(Ε⑶)、離子輔助物理氣相沉積(IAPVD)、射頻或脈沖磁控濺射(RFS或PMS)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PEVCD)以及化學(xué)浴沉積(CBD)中的一種或多種。
[0042]在一些實(shí)施例中，含銅層包括金屬銅、CuS> CuSe> ZnTe:Cu、或上述物質(zhì)的任意組合。含銅層可用適當(dāng)方法沉積，或通過把元件浸入銅溶液中形成。在一些實(shí)施例中，銅溶液含有乙酸銅,或者氯化銅。
[0043]在一些實(shí)施例中,含銅層直接沉積在含鎘和締的層上。在一些實(shí)施例中，含鎘和締的層直接沉積在含銅層上。
[0044]在元件退火后，含鎘和碲的層和含銅層形成分別包括鎘，碲，銅的第一層3，30和第二層4，40。在一些實(shí)施例中，含鎘和碲的層包括第一區(qū)和第二區(qū)。在結(jié)構(gòu)或化學(xué)組分方面，第二區(qū)與第一區(qū)可相同，也可不同。在元件退火后，銅進(jìn)入第一區(qū)和第二區(qū)，第一區(qū)形成η-型的第一層3，30，而第二區(qū)形成ρ-型的第二層4，40。
[0045]在一些實(shí)施例中，在溫度和時(shí)間等條件適合的情況下，含鎘和碲的層的沉積與含鎘和碲的層和含銅層的退火可在同一個(gè)步驟中進(jìn)行。
[0046]在一些實(shí)施例中，退火的溫度為大約250° C,時(shí)間為多于約12分鐘但少于約30分鐘。
[0047]含鋪和締的層包括鋪、締，以及，在一些實(shí)施例中，鋒、砸、萊、鉛、硫，或者如述物質(zhì)的任意組合。
[0048]在一些實(shí)施例中，第一層或第二層包括鋅，硒，汞，鉛，硫，或者前述物質(zhì)的任意組合。在第一層或第二層中的鋅，硒，汞，鉛，硫，或者前述物質(zhì)的任意組合的原子百分比共計(jì)低于或等于大約百分之十。
[0049]鎘，締，銅，或者可選的鋅，硒，萊，鉛，硫，或者前述物質(zhì)的任意組合在第一層3，30或者第二層4，40的濃度可恒定或者在不同的層，不同的方向有一定的梯度。
[0050]在一些實(shí)施例中，一系列的后處理可進(jìn)一步施加到第一層3或第二層40的表面。這些處理可改變第一層3或第二層40的功能，并為把第一層3或第二層40粘合到透明導(dǎo)電氧化物層5，背電極60，或其他層做準(zhǔn)備。例如，可在高溫下對(duì)第二層40進(jìn)行足夠時(shí)間的退火，以產(chǎn)生高質(zhì)量的P-型層。而且，可使用鈍化劑(例如，氯化鎘)和選擇性腐蝕劑(例如，碘或碘化物)來處理第二層40，以在第二層40中形成富碲區(qū)域。
[0051]在一些實(shí)施例中，形成鈍化層來鈍化第一層的表面。鈍化層使用的材料示例包括但不限于CdMnTe或CdMgTe。
[0052]第一層3，第二層40，背電極6，60，或者P+-型層(可選)中的一層或者多層，可在生成后進(jìn)一步加熱或進(jìn)一步處理(例如退火)，以制造光伏器件1，10。
[0053]本發(fā)明涉及的光伏器件可因省略硫化鎘(CdS)層而降低成本，此外，省略的CdS層的吸收損失也不再存在，光伏器件的效率因此可以得到提高。
[0054]示例
[0055]下述示例為本【技術(shù)領(lǐng)域】?jī)?nèi)的技術(shù)人員實(shí)施本發(fā)明提供進(jìn)一步的指導(dǎo)。示例并不限定權(quán)利要求書中界定的本發(fā)明的范圍。
[0056]比較示例1:
[0057]通過將幾個(gè)層沉積在支撐層上而制成光伏器件。支撐層是1.4毫米厚的PVN++玻璃，涂覆有錫酸鎘(CTO)透明導(dǎo)電氧化物層和高電阻透明氧化鋅錫(ZTO)緩沖層。硫化鎘層(CdS:0，在硫化鎘層中有5摩爾百分比的氧)隨后通過直流濺射而沉積在ZTO層上，然后在550°C沉積碲化鎘(CdTe)層以提供元件。在元件的CdTe層上沉積一層金作為光伏器件的背電極。
[0058]比較示例2:
[0059]通過類似于比較示例I的方法制備光伏器件，但對(duì)元件的CdTe層采用“氯化鎘處理”工藝，即，在制備背電極之前，在400° C于氯化鎘和空氣中高溫退火。
[0060]比較示例3
[0061]通過類似于比較示例2的方法制備四個(gè)光伏器件，但四個(gè)分別包括支撐層，透明導(dǎo)電氧化物層，緩沖層，硫化鎘層，和碲化鎘層的元件在氯化鎘處理后、制備背電極前，浸入乙酸銅溶液中，然后各自在170° C，210° C或250° C的溫度退火12分鐘，或者250 ° C的溫度退火30分鐘。
[0062]示例 I
[0063]通過類似于比較示例3的方法制備光伏器件，但在退火過程中，溫度為250° C而時(shí)間為18分鐘。
[0064]示例2
[0065]對(duì)比較示例1-3和示例I所得光伏器件樣品進(jìn)行掃描電容顯微鏡(SCM)線掃描。圖3所示為從距離碲化鎘層和背電極間的界面不同距離之處所得的光伏器件的電壓。
[0066]圖3顯示氯化鎘處理不影響載流子濃度，在170° C溫度退火12分鐘所得樣品在接近界面的位置形成了 P-型碲化鎘，并且銅在210° C和250° C退火12分鐘的樣品的碲化鎘層上的分布更均勻。250° C退火18分鐘制備的樣品在分別接近和遠(yuǎn)離含碲化鎘層和背電極間的界面的位置上，分別形成了 η-型碲化鎘層和ρ-型碲化鎘層。
[0067]盡管在【具體實(shí)施方式】中對(duì)本發(fā)明的部分特征進(jìn)行了詳細(xì)的說明和描述，但在不脫離本發(fā)明精神的前提下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改變和替換。同樣的，本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以根據(jù)常規(guī)實(shí)驗(yàn)獲得本發(fā)明公開的其它改變和等同物。所有這些改變，替換和等同物都在本發(fā)明所定義的權(quán)利要求的構(gòu)思和范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種光伏器件，其包括: 支撐層； 含有鎘、碲、銅且為η-型的第一層； 含有鎘、碲、銅且為P-型的第二層；以及 透明導(dǎo)電氧化物層。
2.如權(quán)利要求1所述的光伏器件，其中第一層或第二層含有鋅、硒、汞、鉛、硫或其任意組合。
3.如權(quán)利要求2所述的光伏器件，其中鋅、硒、汞、鉛、硫或其任意組合在第一層或第二層的原子百分比小于、等于約百分之十。
4.如權(quán)利要求1所述的光伏器件，其中支撐層為背電極。
5.如權(quán)利要求1所述的光伏器件，包括背電極。
6.如權(quán)利要求5所述的光伏器件，其中第一層位于透明氧化物層和第二層之間，第二層位于第一層和背電極之間。
7.如權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的光伏器件，包括含有鋅、錫、鈦或銦的氧化物的緩沖層。
8.一種制備光伏器件的方法，其包括: 提供具有含鎘和碲的層以及在含鎘和碲的層上的含銅層的元件；以及將元件加溫退火形成分別含有鎘、碲、銅的第一層和第二層，第一層為η-型，第二層為P-型。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其包括提供支撐層和透明導(dǎo)電氧化物層。
10.如權(quán)利要求8或9所述的方法，其中加溫退火在約250°C進(jìn)行超過約12分鐘但短于約30分鐘的時(shí)間。
【文檔編號(hào)】H01L31/073GK104183663SQ201310190090
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年5月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月21日
【發(fā)明者】巴斯提安.柯雷法爾, 黃群健, 金益騰, 辛騫騫 申請(qǐng)人:通用電氣公司