一種半導(dǎo)體器件的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】。該方法包括：步驟S101、提供包括I/O區(qū)和核心區(qū)的半導(dǎo)體襯底，形成位于I/O區(qū)的柵氧化層和位于柵氧化層之上的保護(hù)層；步驟S102、形成位于核心區(qū)的偽界面層；步驟S103、在保護(hù)層和偽界面層之上分別形成包括偽柵極的偽柵極結(jié)構(gòu)，并在偽柵極結(jié)構(gòu)之間形成層間介電層；步驟S104、去除所述偽柵極；步驟S105、去除偽界面層位于核心區(qū)的柵極區(qū)域的部分；步驟S106、去除保護(hù)層位于I/O區(qū)的柵極區(qū)域的部分。該方法通過(guò)在I/O區(qū)的柵氧化層上方形成保護(hù)層，可以在去除位于核心區(qū)的偽界面層時(shí)保護(hù)柵氧化層免受損害，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，簡(jiǎn)化了工藝，提高了生產(chǎn)效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種半導(dǎo)體器件的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】中，隨著器件尺寸不斷縮小，高k金屬柵極技術(shù)成為了一項(xiàng)具有廣闊應(yīng)用前景的技術(shù)。高k金屬柵極技術(shù)包括“先高k/后柵極(high-k-first/gate-last)”和“后高k/后柵極(high k-last/gate-last)”等具體方案。當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)的工藝節(jié)點(diǎn)發(fā)展到28nm及以下，“先高k/后柵極”的技術(shù)方案已經(jīng)難以滿足進(jìn)一步降低“等效柵氧化層厚度”(EOT)的要求。因此,“后高k/后柵極(high k-last/gate-last)”的方案吸引了業(yè)界更多的注意。
[0003]目前，應(yīng)用“后高k/后柵極(high k-last/gate-last)”的高k金屬柵極技術(shù)進(jìn)行半導(dǎo)體器件制造的方法，一般包括如下步驟。其中，圖1A至II為示出了該半導(dǎo)體器件的制造方法的相關(guān)步驟形成的結(jié)構(gòu)的示意圖(截面圖)。
[0004]步驟El:提供包括I/O區(qū)和核心(Core)區(qū)的半導(dǎo)體襯底100，在半導(dǎo)體襯底100上形成柵氧化層101。如圖1A所示。
[0005]其中，柵氧化層101，用于作為位于I/O區(qū)的器件的柵氧化層。
[0006]步驟E2:去除柵氧化層101位于核心區(qū)的部分。形成的圖形，如圖1B所示。
[0007]步驟E3:在核心區(qū)形成偽界面層(dummy interfacial layer) 102。形成的圖形，如圖1C所示。
[0008]步驟E4:在I/O區(qū)形成包括偽柵極103B和偽柵極側(cè)壁104B的偽柵極結(jié)構(gòu)，在核心區(qū)形成包括偽柵極103A和偽柵極側(cè)壁104A的偽柵極結(jié)構(gòu)。形成的圖形，如圖1D所示。
[0009]其中，偽柵極103A和103B的材料可以為多晶硅。形成偽柵極103A和103B的方法可以為:沉積一層多晶硅材料層，然后對(duì)該多晶硅材料層進(jìn)行刻蝕形成偽柵極103A和103B。
[0010]步驟E5:在偽界面層102和保留柵氧化層101的上方、偽柵極結(jié)構(gòu)之間形成層間介電層(ILD) 105。形成的圖形，如圖1E所示。
[0011]其中，形成層間介電層(ILD) 105的方法，可以為沉積層間介電材料薄膜并進(jìn)行熱固化處理。
[0012]本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在步驟E4之后、E5之前，還可以包括進(jìn)行離子注入(IMP)以形成源極和漏極的步驟。
[0013]步驟E6:去除位于核心區(qū)的偽柵極103A和位于I/O區(qū)的偽柵極103B。形成的圖形,如圖1F所示。
[0014]經(jīng)過(guò)該步驟，暴露出了位于I/O區(qū)的柵氧化層101和位于核心區(qū)的偽界面層102。
[0015]步驟E7:在I/O區(qū)的上方形成掩膜層106。如圖1G所示。
[0016]其中，掩膜層106的作用在于，保護(hù)I/O區(qū)的柵氧化層101在后續(xù)去除位于核心區(qū)的偽界面層102的工藝中免受損害
[0017]步驟ES:去除位于核心區(qū)的偽界面層102。形成的圖形，如圖1H所示。
[0018]其中，去除偽界面層102可以采用的方法為濕法刻蝕。
[0019]步驟E9:在核心區(qū)原來(lái)偽界面層102的位置形成界面層107。形成的圖形，如圖1I所示。
[0020]在上述半導(dǎo)體器件的制造方法中，形成各層的工藝可以選用現(xiàn)有技術(shù)中的各種常用方法，在此不再一一贅述。對(duì)于這一半導(dǎo)體器件的制造方法，在去除偽界面層102之前，需要在I/O區(qū)的上方形成掩膜層106，以保護(hù)I/O區(qū)的柵氧化層101在去除偽界面層102的過(guò)程中免受傷害。然而，形成掩膜層106需要經(jīng)過(guò)成膜、曝光、顯影、刻蝕等一系列的工藝過(guò)程，導(dǎo)致相關(guān)工藝比較復(fù)雜，將占用比較多的工藝時(shí)間，在一定程度上造成半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)效率的下降。
[0021]因此，有必要提出一種新的半導(dǎo)體器件的制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中出現(xiàn)的上述問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0022]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括:
[0023]步驟SlOl:提供包括I/O區(qū)和核心區(qū)的半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成位于所述I/o區(qū)的柵氧化層和位于所述柵氧化層之上的保護(hù)層；
[0024]步驟S102:在所述半導(dǎo)體襯底上形成位于所述核心區(qū)的偽界面層；
[0025]步驟S103:在所述保護(hù)層和所述偽界面層之上分別形成包括偽柵極的偽柵極結(jié)構(gòu)，并在所述偽柵極結(jié)構(gòu)之間形成層間介電層；
[0026]步驟S104:去除所述偽柵極；
[0027]步驟S105:去除所述偽界面層位于所述核心區(qū)的柵極區(qū)域的部分；
[0028]步驟S106:去除所述保護(hù)層位于所述I/O區(qū)的柵極區(qū)域的部分。
[0029]其中，所述步驟SlOl包括:
[0030]步驟SlOll:提供包括I/O區(qū)和核心區(qū)的半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成覆蓋所述I/o區(qū)和所述核心區(qū)的柵氧化層；
[0031]步驟S1012:在所述柵氧化層上形成保護(hù)層；
[0032]步驟S1013:去除所述保護(hù)層和所述柵氧化層位于所述核心區(qū)的部分。
[0033]其中，所述步驟S1013包括:
[0034]步驟S10131:在所述保護(hù)層位于所述I/O區(qū)的部分的上方形成圖形化的光刻膠；
[0035]步驟S10132:以所述圖形化的光刻膠為掩膜，刻蝕去除所述保護(hù)層和所述柵氧化層位于所述核心區(qū)的部分。
[0036]其中，在所述步驟SlOl中，形成所述保護(hù)層所采用的方法為:原子層沉積法、化學(xué)氣相沉積法或爐管工藝。
[0037]其中，所述保護(hù)層的材料為氮化硅。
[0038]其中，所述保護(hù)層的厚度為3人-30人。
[0039]其中，所述步驟S105包括:利用DHF對(duì)所述偽界面層進(jìn)行濕法刻蝕，去除所述偽界面層位于所述核心區(qū)的柵極區(qū)域的部分。
[0040]其中，在所述步驟S106之后還包括步驟S107:在所述核心區(qū)的柵極區(qū)域形成界面層。
[0041]其中，在所述步驟S107之后還包括步驟S108:在所述界面層的上方形成高k介電層。
[0042]其中，在所述步驟S108之后還包括步驟S109:在所述高k介電層的上方形成金屬柵極。
[0043]本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法，通過(guò)在I/O區(qū)的柵氧化層上方與柵氧化層一起形成保護(hù)層，可以在去除位于核心區(qū)的偽界面層時(shí)保護(hù)柵氧化層免受損害，相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)，省略了在去除位于核心區(qū)的偽界面層之前形成覆蓋I/o區(qū)的掩膜層的步驟，簡(jiǎn)化了工藝，提高了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)效率。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0044]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。
[0045]附圖中:
[0046]圖1A至II為現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件的制造方法的相關(guān)步驟形成的結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0047]圖2A至圖2J為本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的相關(guān)步驟形成的結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0048]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提出的一種半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0049]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)的是，本發(fā)明可以無(wú)需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0050]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件的制造方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0051]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0052]下面，參照?qǐng)D2A至圖2J和圖3來(lái)描述本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件的制造方法一個(gè)示例性方法的詳細(xì)步驟。圖2A至圖2J為本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的相關(guān)步驟形成的結(jié)構(gòu)的示意圖(截面圖)；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提出的一種半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。
[0053]本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法，包括如下步驟:
[0054]步驟Al:提供包括I/O區(qū)和核心(Core)區(qū)的半導(dǎo)體襯底200，在半導(dǎo)體襯底200上形成覆蓋I/o區(qū)和核心區(qū)的柵氧化層201。如圖1A所示。
[0055]其中，柵氧化層201，用于作為位于I/O區(qū)的器件的柵氧化層。
[0056]本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，I/O區(qū)即輸入/輸出區(qū)，在半導(dǎo)體器件制造完成后，該區(qū)域形成有用于起輸入/輸出作用的器件。核心區(qū)(Core Area)也稱(chēng)內(nèi)核區(qū)，即用于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的核心功能的區(qū)域。
[0057]作為示例，在本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底200選用單晶硅材料構(gòu)成。所述半導(dǎo)體襯底中還形成有各種阱(well)結(jié)構(gòu)，為了簡(jiǎn)化，圖示中予以省略。
[0058]步驟A2:在柵氧化層201上形成保護(hù)層2011。形成的圖形，如圖2B所示。
[0059]其中，保護(hù)層2011的作用在于，在后續(xù)去除位于核心區(qū)的偽界面層的步驟中保護(hù)柵氧化層201免受損害。
[0060]在本實(shí)施例中，保護(hù)層2011的材料可以為氮化硅、碳化硅等。現(xiàn)有技術(shù)中各種與后續(xù)形成偽界面層的材料具有較大的刻蝕選擇比的材料，均可以用于形成保護(hù)層2011。實(shí)際上，在本發(fā)明實(shí)施例中，上述保護(hù)層2011材料的濕法刻蝕的刻蝕率均比較低，而后續(xù)形成的偽界面層在去除時(shí)則采用濕法刻蝕去除。
[0061]在本實(shí)施例中，形成保護(hù)層2011的方法可以為ALD (原子層沉積法)、CVD (化學(xué)氣相沉積法)或furnace (爐管工藝)。示例性的，保護(hù)層2011的材料為氮化硅。在本實(shí)施例中，保護(hù)層2011的厚度優(yōu)選采用3Λ-30人。當(dāng)保護(hù)層2011處于這一厚度可以在保證起到保護(hù)作用的同時(shí)，保證器件的均一性。如果保護(hù)層過(guò)厚，將造成半導(dǎo)體器件的I/O區(qū)與核心區(qū)的厚度差異比較大，使得器件的均一性受到影響。而如果保護(hù)層過(guò)薄，則無(wú)法起到保護(hù)層的作用。
[0062]步驟A3:去除保護(hù)層2011和柵氧化層201位于半導(dǎo)體襯底的核心區(qū)的部分。形成的圖形，如圖2C所示。
[0063]示例性的，步驟A3可以包括如下步驟:
[0064]首先，在保護(hù)層2011位于半導(dǎo)體襯底的I/O區(qū)的部分的上方形成圖形化的光刻膠；
[0065]然后，以圖形化的光刻膠為掩膜，通過(guò)濕法刻蝕去除保護(hù)層2011和柵氧化層201位于半導(dǎo)體襯底的核心區(qū)的部分。
[0066]步驟A4:在半導(dǎo)體襯底200的核心區(qū)形成偽界面層(dummy interfacial layer)
202。形成的圖形，如圖2D所示。
[0067]步驟A5:在核心區(qū)形成包括偽柵極203A和偽柵極側(cè)壁204A的偽柵極結(jié)構(gòu)，在I/O區(qū)形成包括偽柵極203B和偽柵極側(cè)壁204B的偽柵極結(jié)構(gòu)。形成的圖形，如圖2E所示。
[0068]其中，偽柵極203A和203B的材料，可以為多晶硅或其他合適的材料。形成偽柵極203A和203B的方法可以為:沉積一層多晶硅材料層，然后對(duì)該多晶硅材料層進(jìn)行刻蝕形成偽柵極203A和203B。
[0069]本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，位于核心區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)和位于I/O區(qū)的偽柵極結(jié)構(gòu)，可以在同一工藝中同時(shí)形成，也可以分步形成，本實(shí)施例并不對(duì)此進(jìn)行限定。并且，偽柵極側(cè)壁204A和204B可以省略，或者，可以為多層結(jié)構(gòu)，在此并不進(jìn)行限定。
[0070]步驟A6:在偽界面層202和保留保護(hù)層201的上方、偽柵極結(jié)構(gòu)之間形成層間介電層(ILD) 205。形成的圖形，如圖2F所示。
[0071]其中，形成層間介電層205的方法，可以為沉積層間介電材料薄膜并進(jìn)行熱固化處理。
[0072]本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在步驟A5之后、A6之前，還可以包括:進(jìn)行離子注入(IMP)以在半導(dǎo)體襯底上形成器件的源極和漏極的步驟。
[0073]步驟A7:去除偽柵極，具體地，去除位于核心區(qū)的偽柵極203A和位于I/O區(qū)的偽柵極203B。形成的圖形，如圖2G所示。
[0074]經(jīng)過(guò)該步驟，暴露出了位于I/O區(qū)的位于柵氧化層201上方的保護(hù)層2011和位于核心區(qū)的偽界面層202。
[0075]步驟AS:去除位于核心區(qū)的偽界面層202。具體地，去除偽界面層202位于核心區(qū)的柵極區(qū)域的部分。形成的圖形，如圖2H所示。
[0076]其中，去除偽界面層202可以采用的方法為濕法刻蝕。具體的，可以采用DHF進(jìn)行濕法刻蝕去除偽界面層202。
[0077]在本步驟中，由于形成保護(hù)層2011的材料與形成偽界面層202的材料之間具有較大的刻蝕選擇比，因此，在刻蝕去除偽界面層202的過(guò)程中，保護(hù)層2011可以保護(hù)柵氧化層201免受損害。
[0078]由于保護(hù)層2011的存在，因此，不需要如現(xiàn)有技術(shù)一樣，在去除位于核心區(qū)的偽界面層202之前形成位于I/O區(qū)的掩膜層106。即可以省略形成掩膜層106所需要的成膜、曝光、顯影、刻蝕等一系列工藝，因而簡(jiǎn)化了工藝過(guò)程，節(jié)省了工藝時(shí)間。
[0079]步驟A9:去除位于I/O區(qū)的柵極區(qū)域的保護(hù)層2011。形成的圖形，如圖21所示。
[0080]其中，去除的方法，可以為干法刻蝕或濕法刻蝕等，在此并不進(jìn)行限定。
[0081]步驟AlO:在核心區(qū)的柵極區(qū)域(即原來(lái)偽界面層202的位置)形成界面層206。形成的圖形，如圖2J所示。
[0082]其中，形成界面層206的方法，可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的各種方法，比如化學(xué)氣相沉積法或其他合適的方法。界面層206的材料，可以選用現(xiàn)有技術(shù)中各種合適的材料，在此并不進(jìn)行限定。
[0083]至此，完成了本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的相關(guān)步驟的介紹。下面，可以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)中的應(yīng)用“后高k/后柵極(high k-last/gate-last)”方案的高k金屬柵極技術(shù)進(jìn)行半導(dǎo)體器件制造的方法，來(lái)完成整個(gè)半導(dǎo)體器件的制造。并且，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，上述步驟Al至AlO僅為半導(dǎo)體器件的制造方法的所有步驟中的一部分步驟，不僅在步驟AlO之后還包括其他步驟，在步驟Al之前以及步驟Al與AlO之間，均可以包括其他步驟。關(guān)于其他步驟，均可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的各種方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，在此不再一一贅述。
[0084]其中，在步驟AlO之后，還可以包括如下步驟:
[0085]步驟Al 1:在核心區(qū)的界面層206的上方形成高k介電層。
[0086]其中，高k介電層的材料，可以為鉿氧化物、鉿硅酸鹽、鉿硅氧氮化合物等，在此并不進(jìn)行限定。
[0087]步驟A12:在核心區(qū)的高k介電層的上方形成金屬柵極。
[0088]當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法，還可以包括其他步驟，此處不再贅述。
[0089]本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法，通過(guò)在I/O區(qū)的柵氧化層上方形成保護(hù)層，可以在去除位于核心區(qū)的偽界面層時(shí)保護(hù)柵氧化層免受損害，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，省略了在去除位于核心區(qū)的偽界面層之前形成覆蓋I/o區(qū)的掩膜層的步驟，簡(jiǎn)化了工藝，提高了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)效率。
[0090]本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，在本發(fā)明實(shí)施例中，形成以及去除保護(hù)層2011的所有相關(guān)工藝，所占用的工藝時(shí)間之和遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有技術(shù)中形成覆蓋I/o區(qū)的掩膜層的工藝時(shí)間，且工藝復(fù)雜度也得到了降低。
[0091]參照?qǐng)D3，其中示出了本發(fā)明提出的半導(dǎo)體器件的制造方法中的一種典型方法的流程圖，用于簡(jiǎn)要示出相關(guān)制造工藝的流程。該方法具體包括:
[0092]步驟SlOl:提供包括I/O區(qū)和核心區(qū)的半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成位于所述I/o區(qū)的柵氧化層和位于所述柵氧化層之上的保護(hù)層；
[0093]步驟S102:在所述半導(dǎo)體襯底上形成位于所述核心區(qū)的偽界面層；
[0094]步驟S103:在所述保護(hù)層和所述偽界面層之上分別形成包括偽柵極的偽柵極結(jié)構(gòu)，并在所述偽柵極結(jié)構(gòu)之間形成層間介電層；
[0095]步驟S104:去除所述偽柵極；
[0096]步驟S105:去除所述偽界面層位于所述核心區(qū)的柵極區(qū)域的部分；
[0097]步驟S106:去除所述保護(hù)層位于所述I/O區(qū)的柵極區(qū)域的部分。
[0098]本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 步驟SlOl:提供包括I/O區(qū)和核心區(qū)的半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成位于所述I/o區(qū)的柵氧化層和位于所述柵氧化層之上的保護(hù)層； 步驟S102:在所述半導(dǎo)體襯底上形成位于所述核心區(qū)的偽界面層； 步驟S103:在所述保護(hù)層和所述偽界面層之上分別形成包括偽柵極的偽柵極結(jié)構(gòu)，并在所述偽柵極結(jié)構(gòu)之間形成層間介電層； 步驟S104:去除所述偽柵極； 步驟S105:去除所述偽界面層位于所述核心區(qū)的柵極區(qū)域的部分； 步驟S106:去除所述保護(hù)層位于所述I/O區(qū)的柵極區(qū)域的部分。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟SlOl包括: 步驟SlOll:提供包括I/O區(qū)和核心區(qū)的半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成覆蓋所述I/O區(qū)和所述核心區(qū)的柵氧化層； 步驟S1012:在所述柵氧化層上形成保護(hù)層； 步驟S1013:去除所述保護(hù)層和所述柵氧化層位于所述核心區(qū)的部分。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S1013包括: 步驟S10131:在所述保護(hù)層位于所述I/O區(qū)的部分的上方形成圖形化的光刻膠； 步驟S10132:以所述圖形化的光刻膠為掩膜，刻蝕去除所述保護(hù)層和所述柵氧化層位于所述核心區(qū)的部分。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟SlOl中，形成所述保護(hù)層所采用的方法為:原子層沉積法、化學(xué)氣相沉積法或爐管工藝。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述保護(hù)層的材料為氮化硅。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為3A-30A。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S105包括:利用DHF對(duì)所述偽界面層進(jìn)行濕法刻蝕，去除所述偽界面層位于所述核心區(qū)的柵極區(qū)域的部分。
8.如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S106之后還包括: 步驟S107:在所述核心區(qū)的柵極區(qū)域形成界面層。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S107之后還包括: 步驟S108:在所述界面層的上方形成高k介電層。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟S108之后還包括: 步驟S109:在所述高k介電層的上方形成金屬柵極。
【文檔編號(hào)】H01L21/28GK104183471SQ201310190221
【公開(kāi)日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年5月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月21日
【發(fā)明者】禹國(guó)賓 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司