倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置及制備方法、顯示屏及其終端的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備方法、顯示屏及其終端。該倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置包括依次層疊結(jié)合的基板、陰極層、有機(jī)功能層和作為出光面的陽(yáng)極層，所述有機(jī)功能層包括在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的發(fā)光層，所述陰極層包括依次層疊結(jié)合的半透金屬層、漫反射層、金屬反射層，且所述半透金屬層與有機(jī)功能層層疊結(jié)合，所述金屬反射層與基板層疊結(jié)合，所述漫反射層材料為金屬反射層材料的氧化物。本發(fā)明倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置具有低的反射率，對(duì)比度高。含有該倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯示屏及其終端具有高對(duì)比度，其顯示畫(huà)面清晰。
【專(zhuān)利說(shuō)明】倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置及制備方法、顯示屏及其終端

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電光源【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說(shuō)是涉及一種倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備方法、含有該倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯示屏及其終端。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light Emiss1n D1de,以下簡(jiǎn)稱(chēng)0LED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]OLED具有發(fā)光效率高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光、輕、薄等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)擁有高清晰、廣視角、響應(yīng)速度快、低成本以及色彩鮮艷等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，因此，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來(lái)的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過(guò)去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來(lái)越多的照明和顯示廠(chǎng)家紛紛投入研發(fā)，大大的推動(dòng)了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0005]但現(xiàn)有的OLED器件的陰極一般是使用高反射率的金屬陰極材料，具體地，該高反射率的金屬陰極材料制備成的高反射率的金屬陰極在可見(jiàn)光段具有超過(guò)90%的反射率，因此該如此高反射率陰極卻給OLED在顯示器件上的應(yīng)用帶來(lái)阻礙。這是因?yàn)椋鳛轱@示器件，高對(duì)比度是人們長(zhǎng)期的追求，對(duì)屏幕對(duì)比度的要求更高，如果將現(xiàn)有高反射率陰極的OLED器件在顯示器件上的應(yīng)用時(shí)，在太陽(yáng)光照射下，由于其高反射率陰極的高反射率作用，使得顯示器件的對(duì)比度低，顯示的內(nèi)容無(wú)法看清。因此，將OLED器件在顯示器中應(yīng)用時(shí)，如何降低OLED器件的反射率是待解決的技術(shù)難題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種陰極具有低反射率的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種對(duì)比度高的顯示屏。
[0008]本發(fā)明的又一目的在于提供一種含有上述顯示屏的終端。
[0009]為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0010]一種倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括依次層疊結(jié)合的基板、陰極層、有機(jī)功能層和作為出光面的陽(yáng)極層，所述有機(jī)功能層包括在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的發(fā)光層，所述陰極層包括依次層疊結(jié)合的半透金屬層、漫反射層、金屬反射層，且所述半透金屬層與有機(jī)功能層層疊結(jié)合，所述金屬反射層與基板層疊結(jié)合，所述漫反射層材料為金屬反射層材料的氧化物。
[0011]以及，一種如上述的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法，其包括陰極層的如下制備步驟:
[0012]在真空鍍膜系統(tǒng)中，將金屬反射層材料蒸鍍?cè)诨逡槐砻?，形成金屬反射層?br> [0013]對(duì)所述金屬反射層外表面進(jìn)行氧化處理，形成金屬氧化物的漫反射層；
[0014]在真空鍍膜系統(tǒng)中，將半透金屬層材料蒸鍍?cè)谒雎瓷鋵油獗砻妫纬砂胪附饘賹印?br> [0015]以及，一種顯示屏，包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，其中所述顯示模塊含有如上述的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0016]以及，一種設(shè)有顯示屏的終端，所述終端的顯示屏為上述含有倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯示器。
[0017]上述倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置通過(guò)將陰極設(shè)置成依次層疊結(jié)合的半透金屬層、漫反射層、金屬反射層結(jié)構(gòu)，有效降低了該倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的陰極對(duì)光的反射率，提高了其的對(duì)比度。其中，該半透金屬層能對(duì)由從陽(yáng)極端入射光起了半透半反射的作用；漫反射層能將半透金屬層折射來(lái)的光進(jìn)行漫反射作用，使光線(xiàn)的反射方向呈多個(gè)角度，并且在裝置內(nèi)部不斷的發(fā)射吸收，干涉等現(xiàn)象，從而降低反射率，同時(shí)還起到干涉作用，使得透過(guò)漫反射層的光在金屬反射層發(fā)生反射后與半透金屬層反射光的相位相反，達(dá)到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射，實(shí)現(xiàn)低的反射率。
[0018]上述有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法中，通過(guò)對(duì)金屬反射層進(jìn)行直接氧化處理制備漫反射層，有效克服了用金屬氧化物蒸鍍成膜的困難，提高了裝置的良品率。另外，通過(guò)蒸鍍工藝與氧化反應(yīng)工藝相結(jié)合，制備出具有低反射率的陰極層，其制備方法簡(jiǎn)單易控，降低了生產(chǎn)成本。
[0019]上述顯示屏由于含有上述倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，因此其具有高對(duì)比度，其顯示畫(huà)面清晰。由于設(shè)有顯示屏的終端含有該高對(duì)比度的顯示屏，因此該終端的顯示屏畫(huà)面清晰。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為本發(fā)明實(shí)施例倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為本發(fā)明實(shí)施例倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置另一優(yōu)選結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3為本發(fā)明實(shí)施例倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置制備方法的流程示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0023]為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例與附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0024]有機(jī)電致發(fā)光像素對(duì)比度=(器件發(fā)光亮度(開(kāi))+器件反射的環(huán)境光亮度)/ (器件發(fā)光亮度(關(guān))+器件反射的環(huán)境光亮度)，根據(jù)這個(gè)計(jì)算方法，在透明陽(yáng)極的OLED器件中，提高對(duì)比度的方法之一就是降低器件對(duì)環(huán)境的光反射，也就是降低反射電極的反射率。
[0025]基于上述理論，本發(fā)明實(shí)施例采用降低陰極反射率的途徑來(lái)提高有機(jī)電致發(fā)光像素對(duì)比度。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陰極具有低反射率的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)如圖1至圖2所示。該倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置包括依次層疊結(jié)合的基板1、陰極層2、有機(jī)功能層3和陽(yáng)極層4。
[0026]具體地，上述基板I的材料為玻璃、硅片、聚合物薄膜材料等，如普通玻璃、PET、P1、PES或PEN聚合物薄膜材料等基板。當(dāng)然，基板I的材料還可采用本領(lǐng)域其他材料進(jìn)行替代?；錓的厚度也可以采用本領(lǐng)域常用的厚度或者根據(jù)應(yīng)用的要求進(jìn)行靈活選用。
[0027]上述陰極層2包括依次層疊結(jié)合的金屬反射層21、漫反射層22和半透金屬層23。其中，半透金屬層23與有機(jī)功能層3層疊結(jié)合，金屬反射層21與基板I層疊結(jié)合。因此，當(dāng)將該倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置接通外加電源時(shí)，外加電源的負(fù)極是接在半透金屬層23上的，而其正極是接在陽(yáng)極層4上的。該結(jié)構(gòu)的陰極層2工作原理是:當(dāng)從陽(yáng)極端入射的光入射至半透金屬層23時(shí)，該半透金屬層23對(duì)入射光起了半透半反射的作用，漫反射層22將半透金屬層23折射來(lái)的光進(jìn)行漫反射作用，使光線(xiàn)的反射方向呈多個(gè)角度，并且在裝置內(nèi)部不斷的發(fā)射吸收，干涉等現(xiàn)象，從而降低反射率。同時(shí)該漫反射層22還起到干涉作用，使得透過(guò)漫反射層22的光在金屬反射層21發(fā)生反射后與半透金屬層23反射光的相位相反，達(dá)到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射，實(shí)現(xiàn)低的反射率。
[0028]其中，該半透金屬層23與有機(jī)功能層3層疊結(jié)合，該半透金屬層23設(shè)置的目的之一是將由陽(yáng)極層4端射來(lái)的光在其界面發(fā)生部分透過(guò)部分反射。其另一作用是起到電子注入作用，提高陰極層2的電子注入能力。因此，作為優(yōu)選實(shí)施例，該半透金屬層23的厚度為7nm?12nm，其厚度還可以根據(jù)材料的不同而靈活調(diào)整。作為另一優(yōu)選實(shí)施例，上述半透金屬層23金屬材料為Mg、Ag、Al、Ca中的任一種或兩者以上合金。該優(yōu)選的金屬材料能增強(qiáng)陰極層2的電子注入能力以及對(duì)光線(xiàn)的半透半反效果。應(yīng)該理解，只要能實(shí)現(xiàn)該半透金屬層23部分透過(guò)部分反射其具有電子注入性能的其他厚度和其他能做陰極金屬材料也屬于本發(fā)明限定的范圍。
[0029]該漫反射層22材料為金屬反射層21材料的氧化物，優(yōu)選為Al、Ag的氧化物如Al203、Ag20等。這樣，漫反射層22氧化物晶格與金屬反射層21金屬晶格明顯不同，因此，射向該漫反射層22界面的光發(fā)生漫反射。
[0030]發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，通過(guò)控制該漫反射層22的厚度，能提高其漫反射效果，與此同時(shí)，還能有效發(fā)揮干涉作用，將透過(guò)其界面的光在金屬反射層21發(fā)生反射后與半透金屬層23反射光的相位相反，進(jìn)一步提高干涉相消的效果。因此，作為優(yōu)選實(shí)施例，該漫反射層22的厚度為1nm?lOOnm。另外，該漫反射層22中的金屬氧化物中金屬元素可以與金屬反射層21材料的金屬元素相同也可以不同。為了使得漫反射層22的制備方便，該兩層中的金屬兀素相同。
[0031]該金屬反射層21設(shè)置的目的除了作為電極使用之外，是將透過(guò)漫反射層22的光在其表面發(fā)生反射，并將該反射光通過(guò)漫反射層22的干涉?zhèn)鬏敽笈c半透金屬層23界面發(fā)生反射的光互相抵消，以進(jìn)一步降低陰極層2的反射率。因此，作為優(yōu)選實(shí)施例，該金屬反射層21的厚度為70?500nm。作為另一優(yōu)選實(shí)施例，上述金屬反射層21金屬材料為Ag、Al中的任一種或兩者合金。應(yīng)該理解，只要能實(shí)現(xiàn)該金屬反射層21的反光作用的其他厚度和其他能做陰極金屬材料也屬于本發(fā)明限定的范圍，如不計(jì)成本，該金屬反射層21的厚度還可以是500nm以上。
[0032]作為上述倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的另一優(yōu)選實(shí)施例，上述半透金屬層23的厚度為7nm?12nm,漫反射層22的厚度為1nm?10nm,金屬反射層21的厚度為70nm?500nm。該優(yōu)選實(shí)施例中各層厚度的組合，通過(guò)漫反射層22對(duì)光的漫反射以及半透金屬層23和金屬反射層21反射的光干涉相消的效果更好，使得陰極層2更低的反射率。
[0033]作為上述倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的再一優(yōu)選實(shí)施例，上述半透金屬層23材料為Mg、Ag、Al、Ca中的任一種或兩者以上合金，漫反射層22材料為Ag、Al的氧化物，金屬反射層21材料為Ag、Al中的任一種或兩者合金。該優(yōu)選實(shí)施例中各層所選用材料的組合，賦予陰極層2更低的反射率和電子注入性能。
[0034]作為上述倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的又一優(yōu)選實(shí)施例，上述半透金屬層23材料為Mg、Ag、Al、Ca中的任一種或兩者以上合金，且其厚度為7nm?12nm ;漫反射層22的厚度為1nm?10nm ;金屬反射層21材料為Ag、Al中的任一種或兩者合金,且其厚度為70nm?500nm。該優(yōu)選實(shí)施例中各層厚度和材料的組合，使得陰極層2有更低的反射率以及優(yōu)異的電子注入性能。
[0035]上述倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置實(shí)施例中的有機(jī)功能層3包括依次層疊結(jié)合的電子注入層31、電子傳輸層32、發(fā)光層33、空穴傳輸層34、空穴注入層35,且電子注入層31與陰極層2層疊結(jié)合，具體地，電子注入層31與陰極層2層中半透金屬層23的與漫反射層22結(jié)合面相對(duì)的表面層疊結(jié)合，如圖1所示。
[0036]在具體實(shí)施例中，上述電子注入層31材料可以L(fǎng)iF, CsF, NaF, MgF2等至少一種等堿金屬的鹵化物，當(dāng)然，該電子注入層31材料還可以選用碘化鋰、碘化鉀、碘化鈉、碘化銫、碘化銣中的至少一種等堿金屬的鹵化物。電子注入層31的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。該電子注入層31的設(shè)置能有效增強(qiáng)其與陰極層2之間的歐姆接觸，加強(qiáng)了導(dǎo)電性能，進(jìn)一步提高陰極層2端的電子注入能力，以進(jìn)一步平衡載流子，控制復(fù)合區(qū)域，在發(fā)光層中增加激子量，獲得了理想的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。正因如此，該電子注入層31也可以根據(jù)實(shí)際的需要不設(shè)置，也就是說(shuō)，電子傳輸層32可以直接與陰極層2直接層疊結(jié)合。
[0037]上述電子傳輸層32材料可以是2_(4_聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4_ Il惡二唑(PBD)、(8-羥基喹啉)_鋁(Alq3)、4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、l，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi )、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)中至少一種。當(dāng)然，電子傳輸層32材料還可以是本領(lǐng)域公知的其他電子傳輸材料，其厚度也可以采用本領(lǐng)域常用的厚度。
[0038]上述發(fā)光層33材料可以是客體材料與主體材料摻雜混合物。其中，客體材料為發(fā)光材料，其包括4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq) 3)、三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)中的至少一種；主體材料包括4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)U, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、N, N’-二苯基-N, N，-二 (1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)中的至少一種。主、客體材料可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)和應(yīng)用的需要進(jìn)行靈活復(fù)合，且客體材料與主體材料的質(zhì)量比可以為I?10:100。
[0039]另外，該發(fā)光層33材料還可以選用熒光材料4，4’ - 二(2，2- 二苯乙烯基)_1，l’-K*(DPVBi)、4，4’-| [4-( 二對(duì)甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)、
5,6,11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)等材料中的至少一種。該發(fā)光層33的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。
[0040]上述空穴傳輸層34材料可以是NPB (N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺)、TPD (N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (3-甲基苯基)-1, I，-聯(lián)苯 _4，4’ - 二胺)、MeO-TPD (N, N, N，，N，-四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯),MeO-Spr1-TPD (2，7-雙(N, N- 二(4-甲氧基苯基)氨基)_9，9-螺二芴)中的至少一種。當(dāng)然，該空穴傳輸層34材料還可以是本領(lǐng)域常用的其他材料，如4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)等?？昭▊鬏攲?4的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。
[0041]上述空穴注入層35材料可以是ZnPc (酞菁鋅)、CuPc(酞菁銅)、VOPc (酞菁氧釩)、T1Pc (酞菁氧鈦)中的至少一種。當(dāng)然，該空穴注入層35材料還可以是本領(lǐng)域常用的其他材料，如W03、V0x、W0x或MoO3等氧化物，或者無(wú)機(jī)空穴注入層材料與有機(jī)空穴注入層材料的摻雜混合物?？昭ㄗ⑷雽?5的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。該空穴注入層35的設(shè)置，能有效增強(qiáng)其與陽(yáng)極層4間的歐姆接觸，加強(qiáng)了導(dǎo)電性能，提高陽(yáng)極層4端的空穴注入能力。正因如此，該空穴注入層35也可以根據(jù)實(shí)際的需要不設(shè)置，也就是說(shuō)，空穴傳輸層34可以直接與陽(yáng)極層4直接層疊結(jié)合。
[0042]在進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)施例中，在如圖1所不的有機(jī)功能層3的基礎(chǔ)上,上述有機(jī)功能層3還可以設(shè)置空穴阻擋層36和電子阻擋層37和，如圖2所示。其中，該電子阻擋層37層疊結(jié)合在空穴傳輸層34與發(fā)光層33之間，空穴阻擋層36層疊結(jié)合在發(fā)光層33與電子傳輸層32之間。該電子阻擋層37的設(shè)置能將在發(fā)光層33中未形成激子的電子盡可能的阻擋截留在發(fā)光層33中，空穴阻擋層36的設(shè)置能將在發(fā)光層33中未形成激子的空穴盡可能的阻擋截留在發(fā)光層33中，以提高發(fā)光層33中的電子與空穴相遇機(jī)率，以提高兩者復(fù)合而形成的激子量，并將激子能量傳遞給發(fā)光材料，從而激發(fā)發(fā)光材料的電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能，以達(dá)到增強(qiáng)發(fā)光層33的發(fā)光強(qiáng)度的目的。當(dāng)然，該電子阻擋層37和空穴阻擋層36可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)的情況和應(yīng)用的需要擇一設(shè)置，其選用的材料和厚度可以按照本領(lǐng)域常用的材料和常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。
[0043]上述陽(yáng)極層4作為上述倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的出光面，因此，其厚度優(yōu)選為為18?35nm,更優(yōu)選為25nm。該陽(yáng)極層4材料優(yōu)選為Ag、Au、Al中的任一種或兩種以上的合金，該優(yōu)選的陽(yáng)極材料導(dǎo)電性能優(yōu)異。當(dāng)然，該陽(yáng)極層4材料和厚度還可以是本領(lǐng)域常規(guī)的其他材料和厚度。
[0044]由上述可知，上述倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置通過(guò)將陰極設(shè)置成依次層疊結(jié)合的金屬反射層21、漫反射層22、半透金屬層23結(jié)構(gòu)，通過(guò)陰極層2的光反射抵消作用和對(duì)光的漫反射作用，從而有效降低了該倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的陰極對(duì)光的反射率，提高了其的對(duì)比度。另外，通過(guò)選用金屬反射層21、漫反射層22、半透金屬層23的材料和厚度的控制，能進(jìn)一步降低上述倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的陰極對(duì)光的反射率，提高了其對(duì)比度。
[0045]相應(yīng)地，上述實(shí)施例倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置制備方法可以按照如圖3所以示。的工藝流程制備，同時(shí)參見(jiàn)圖1?2，其制備方法包括如下步驟:
[0046]S01.提供基板I ;
[0047]S02.制備陰極層2:在真空鍍膜系統(tǒng)中，將金屬反射層材料蒸鍍?cè)诨錓 一表面成膜，形成金屬反射層21 ；
[0048]將該金屬反射層21外表面進(jìn)行氧化處理，形成金屬氧化物的漫反射層22 ；
[0049]在真空鍍膜系統(tǒng)中，將半透金屬層材料蒸鍍?cè)诼瓷鋵?2外表面，形成半透金屬層23，金屬反射層21、漫反射層22和半透金屬層23形成陰極層2 ；
[0050]S03.制備有機(jī)功能層3:在步驟S02制備陰極層2的與基板I相結(jié)合面相對(duì)的表面依次蒸鍍電子注入層材料、電子傳輸層材料、發(fā)光層材料、空穴傳輸層材料和空穴注入層材料，分別制備電子注入層31、電子傳輸層32、發(fā)光層33、空穴傳輸層34和空穴注入層35,形成有機(jī)功能層3 ；
[0051]S04.制備陽(yáng)極層4:在真空鍍膜系統(tǒng)中，在有機(jī)功能層3外表面蒸鍍陽(yáng)極材料，形成陽(yáng)極層4。
[0052]具體地，上述SOl步驟中，基板I的結(jié)構(gòu)、材料及規(guī)格如上文所述，為了篇幅，在此不再贅述。另外，在該SOl步驟中，還包括對(duì)基板I的前期處理步驟，如清洗去污的步驟，具體清洗去污的步驟如下文實(shí)施例1的步驟I。
[0053]上述步驟S02中，在制備金屬反射層21時(shí)，真空鍍膜系統(tǒng)的真空度為10_3?10_5Pa,金屬反射層材料的蒸發(fā)速度優(yōu)選為0.2?lnm/s之間。
[0054]在制備漫反射層22時(shí)，將蒸鍍有金屬反射層21的基板移出鍍室，采用氧化的方法，對(duì)金屬反射層21的外表面氧化制備金屬氧化物層，形成漫反射層22。在優(yōu)選實(shí)施例中，該氧化方法包括臭氧處理，等離子處理，紫外處理等方法。具體地，
[0055]臭氧處理方法是將蒸鍍有金屬反射層21的基板移出鍍室，轉(zhuǎn)移至臭氧發(fā)生器中，發(fā)生器的UV光源發(fā)射波長(zhǎng)優(yōu)選為185nm和254nm,對(duì)金屬反射層21外表面處理時(shí)間優(yōu)選5-30分鐘，形成金屬氧化物的漫反射層22。
[0056]等離子處理方法是將蒸鍍有金屬反射層21的基板移出鍍室，轉(zhuǎn)移至臭氧發(fā)生器中，然后通入體積比優(yōu)選為2?5:1的Ar與O2混合氣體，維持等離子處理室壓力優(yōu)選為10?lOOpa，射頻電源功率優(yōu)選為10?100W，處理時(shí)間優(yōu)選為5?30分鐘，形成漫反射層22。在進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)施例中，該Ar與O2體積比優(yōu)選為5:1，維持等離子處理室壓力為40pa，射頻電源功率為30W，處理時(shí)間5?30分鐘，形成金屬氧化物的漫反射層22。
[0057]紫外處理是將方法是將蒸鍍有金屬反射層21的基板移出鍍室，轉(zhuǎn)移至空氣中，通過(guò)紫外燈照射金屬反射層21外表面，進(jìn)行氧化處理，處理時(shí)間優(yōu)選為5?30分鐘，形成金屬氧化物的漫反射層22。
[0058]在制備半透金屬層23時(shí)，真空鍍膜系統(tǒng)的真空度為I X 10_5?I X 10?,半透金屬層材料的蒸發(fā)速度優(yōu)選為0.02?0.5nm/s。
[0059]上述步驟S03中，蒸鍍電子注入層31、電子傳輸層32、發(fā)光層33、空穴傳輸層34和空穴注入層35所選用的材料以及厚度均勻如上文所述。蒸鍍各層所涉及到工藝條件優(yōu)選為真空沉積成膜的工作壓強(qiáng)為I X 10_5?I X 10?,有機(jī)材料的蒸發(fā)速度為0.01?lnm/s。
[0060]當(dāng)有機(jī)功能層3如上文所述，其包括依次層疊結(jié)合的電子注入層31、電子傳輸層32、空穴阻擋層36、發(fā)光層33、電子阻擋層37、空穴傳輸層34和空穴注入層35時(shí)，或者其只包括依次層疊結(jié)合的電子傳輸層32、空穴阻擋層36、發(fā)光層33、電子阻擋層37和空穴傳輸層34時(shí),或者其包括依次層疊結(jié)合的電子傳輸層32、發(fā)光層33和空穴傳輸層34時(shí),制備有機(jī)功能層3的方法是在陰極層2外表面依次蒸鍍?cè)摳鲗咏Y(jié)構(gòu)。
[0061]上述步驟S04中，蒸鍍陽(yáng)極層4所用的陽(yáng)極材料和制備得到的陽(yáng)極層4的厚度均如上文所述，在此不再贅述。其蒸鍍條件采用本領(lǐng)域常規(guī)的工藝條件即可，如金屬的蒸鍍速度優(yōu)選為0.2?2nm/s，真空沉積成膜的工作壓強(qiáng)為I X 10_5?I X 10_3Pa。
[0062]當(dāng)然，還應(yīng)當(dāng)理解，關(guān)于本發(fā)明實(shí)施例倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法還應(yīng)該包括該倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置后續(xù)的封裝方法。
[0063]上述有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法通過(guò)對(duì)金屬反射層21進(jìn)行直接氧化處理制備漫反射層22，有效克服了用金屬氧化物蒸鍍成膜的困難，提高了裝置的良品率。另外，通過(guò)蒸鍍工藝與氧化反應(yīng)工藝相結(jié)合，制備出具有低反射率的陰極層，其制備方法簡(jiǎn)單易控，降低了生產(chǎn)成本。
[0064]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示屏，其包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，當(dāng)然還包括應(yīng)用與顯示屏的其他必要模塊。其中，該顯示模塊中包括如上述的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，具體地，在顯示模塊中，上文所述的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置按照矩陣排布，因此，由該倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置所構(gòu)成的顯示屏可以是的。由于該顯示屏含有上述倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，因此其具有高對(duì)比度，其顯示畫(huà)面清晰。
[0065]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步提供了一種設(shè)有顯示屏的終端，該終端的顯示屏為上述含有倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯示器。當(dāng)然，應(yīng)該理解，根據(jù)該終端的類(lèi)型不同，該終端除了含有上文所述的顯示屏之外，還含有其他必要模塊或/和器件。因此，該終端可以是非便攜式終端和便攜式終端。非便攜式終端可以是大型家電(如電視機(jī)、臺(tái)式電腦顯示器、設(shè)有顯示屏的空調(diào)、洗衣機(jī)等)、工廠(chǎng)設(shè)有顯示屏的機(jī)床等；便攜式終端可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、游戲機(jī)和電子書(shū)等。這樣，由于該終端的顯示屏為上述含有倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯示屏，因此電子器件的顯示屏對(duì)比度高，畫(huà)面清晰。
[0066]當(dāng)然，上文所述的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置還可以在特性照明領(lǐng)域中應(yīng)用，如在要求反射率低的照明領(lǐng)域中應(yīng)用。
[0067]以下通過(guò)多個(gè)實(shí)施例來(lái)舉例說(shuō)明上述倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置等方面。
[0068]實(shí)施例1
[0069]一種陰極具有低反射率的且陽(yáng)極作為出光面的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/Ag(70nm)/Ag20(10nm)/Ag(7nm)/電子注入層(LiF, Inm)/電子傳輸層(Bphen, 30nm)/發(fā)光層(Ir (ppy) 3: TPBi (10%)，1nm) / 空穴傳輸層(NPB，40nm)/空穴注入層(ZnPc, 15nm)/Ag(18nm)。其中，Ag(70nm)/Ag2O(1nm)/Ag(7nm)構(gòu)成陰極。
[0070]其制備方法如下:
[0071](I)將玻璃基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0072](2)在真空度為10_3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板上制備陰極；具體地，用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0X10_3Pa,材質(zhì)為Ag,蒸發(fā)速度為0.2nm/s之間，厚度為70nm，制備金屬反射層；將金屬反射層移出鍍室，采用氧化的方法，在金屬反射層電極表面氧化制備金屬氧化物Ag2O,形成漫反射層，該氧化方法采用等離子處理:將蒸鍍有金屬反射層的基板移出鍍室，轉(zhuǎn)移至等離子處理室中，然后通入Ar:02(5:l，體積比)混合氣體，維持等離子處理室壓力為40pa，射頻電源功率為30W，處理時(shí)間5分鐘；將氧化處理后的基板轉(zhuǎn)移至真空度為KT3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，然后在A(yíng)g2O漫反射層表面制備半透金屬層，材質(zhì)為金屬Ag，厚度為7nm，蒸發(fā)速度為0.02nm/s ;金屬反射層、漫反射層、半透金屬層形成陰極層；
[0073](3)在陰極表面制備有機(jī)功能層，依次為電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層各層的材料制備相應(yīng)的各層，具體的是以L(fǎng)iF、Bphen、Ir (ppy)3 =TPBi(10%)、NPB、ZnPc為材料,蒸鍍制備電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層，厚度依次為 lnm，30nm，1nm, 40nm, 15nm ；
[0074](4)在有機(jī)功能層外表面制備陽(yáng)極,材質(zhì)為金屬Ag,厚度為18nm ;
[0075](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0076]實(shí)施例2
[0077]一種陰極具有低反射率的且陽(yáng)極作為出光面的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/Ag(500nm)/Ag2O(10nm)/Al (7nm)/電子注入層(LiF, Inm)/電子傳輸層(Alq3, 60nm) / 發(fā)光層 Ir (MDQ) 2 (acac): NPB (8%) (1nm) / 空穴傳輸層(TPD, 40nm) / 空穴注入層(CuPc, 20nm)/Au (35nm)。其中，Ag (500nm)/Ag2O (10nm)/Al (7nm)構(gòu)成陰極。
[0078]其制備方法如下:
[0079](I)將玻璃基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0080](2)在真空度為10_3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板上制備陰極；具體地，用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0X l(T3Pa,材質(zhì)為Ag,蒸發(fā)速度為lnm/s之間，厚度為500nm，制備金屬反射層；將金屬反射層移出鍍室，采用氧化的方法，在金屬電極表面氧化制備金屬氧化物Ag2O,形成漫反射層，該氧化方法采用臭氧氧化處理:將金屬反射層移出鍍室轉(zhuǎn)移至臭氧發(fā)生器中，發(fā)生器的UV光源發(fā)射波長(zhǎng)為185nm和254nm，處理時(shí)間30分鐘；將氧化處理后的基板轉(zhuǎn)移至真空度為10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，然后在A(yíng)g2O漫反射層表面制備半透金屬層，材質(zhì)為金屬Al,厚度為7nm,蒸發(fā)速度為0.5nm/s ;金屬反射層、漫反射層、半透金屬層形成陰極層；
[0081](3)在陰極表面制備有機(jī)功能層，依次為L(zhǎng)iF、Alq3、Ir (MDQ) 2 (acac):NPB (8%)、TPD>CuPc為材料蒸鍍電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層各層,厚度依次為 lnm、60nm、10nm、40nm、20nm ；
[0082](4)在有機(jī)功能層外表面制備陽(yáng)極,材質(zhì)為金屬Au ;厚度為35nm ；
[0083](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0084]實(shí)施例3
[0085]一種陰極具有低反射率的且陽(yáng)極作為出光面的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為玻璃基板/Al (10nm)/Al2O3(1nm)/Mg(12nm)/電子注入層(NaF，0.5nm)/電子傳輸層(PBD, 50nm)/ 發(fā)光層(DCJTB = Alq3 (1%)，Inm) / 空穴傳輸層(MeO-Spr1-TH)，40nm)/ 空穴注入層(T1Pc, 15nm)/Al (25nm)。其中，Al (10nm)/Al2O3 (1nm)/Mg (12nm)構(gòu)成陰極。
[0086]其制備方法如下:
[0087](I)將玻璃基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0088](2)在真空度為10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板上制備陰極；具體地，用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0 X 10_4Pa，材質(zhì)為Al，蒸發(fā)速度為0.5nm/s,厚度為lOOnm，制備金屬反射層；將金屬反射層移出鍍室，采用氧化的方法，在金屬電極表面氧化制備金屬氧化物Al2O3,形成漫反射層，該氧化方法采用紫外處理:將金屬反射層移出鍍室轉(zhuǎn)移至空氣中，通過(guò)紫外燈照射，進(jìn)行氧化處理，處理時(shí)間10分鐘；將氧化處理后的基板轉(zhuǎn)移至真空度為1-4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，然后在A(yíng)l2O3漫反射層表面制備半透金屬層，材質(zhì)為金屬M(fèi)g，厚度為12nm，蒸發(fā)速度為0.05nm/s ;金屬反射層、漫反射層、半透金屬層形成陰極層；
[0089](3)在陰極表面制備有機(jī)功能層，依次為NaF，PBD, DCJTB =Alq3 (1%)，MeO-Spr1-TPD, T1Pc為材料蒸鍍電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層各層，厚度依次為 0.5nm，50nm，lnm, 40nm, 15nm ；
[0090](4)在有機(jī)功能層外表面制備陽(yáng)極,材質(zhì)為金屬Al ;厚度為25nm ;
[0091](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0092]實(shí)施例4
[0093]一種陰極具有低反射率的且陽(yáng)極作為出光面的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/Ag(200nm)/Ag20(20nm)/Ca(10nm)/ 電子注入層(NaF，0.5nm)/ 電子傳輸層(PBD，50nm) /發(fā)光層(DPVBi，20nm) /空穴傳輸層(MeO-TTO，40nm) /空穴注入層(VOPc, 15nm)/Au (30nm)。其中，Ag(200nm)/Ag2O(20nm)/Ca(1nm)構(gòu)成陰極。
[0094]其制備方法如下:
[0095](I)將玻璃基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0096](2)在真空度為10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板上制備陰極；具體地，用機(jī)械泵和分子泵把腔體的真空度抽至1.0X 10_4Pa,材質(zhì)為Ag,蒸發(fā)速度為lnm/s,厚度為200nm,制備金屬反射層；將金屬反射層移出鍍室，采用氧化的方法，在金屬電極表面氧化制備金屬氧化物Ag2O,形成漫反射層，該氧化方法采用臭氧氧化處理:將金屬反射層移出鍍室轉(zhuǎn)移至臭氧發(fā)生器中，發(fā)生器的UV光源發(fā)射波長(zhǎng)為185nm和254nm,處理時(shí)間5分鐘；將氧化處理后的基板轉(zhuǎn)移至真空度為KT4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，然后在A(yíng)g2O漫反射層表面制備半透金屬層，材質(zhì)為金屬Ca,厚度為1nm,蒸發(fā)速度為0.05nm/s ;金屬反射層、漫反射層、半透金屬層形成陰極層；
[0097](3)在陰極表面制備有機(jī)功能層，依次為NaF，PBD, DPVBi, MeO-TPD, VOPc為材料蒸鍍電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層各層，厚度依次為0.5nm,50nm,20nm,40nm,15nm ；
[0098](4)在有機(jī)功能層外表面制備陽(yáng)極,材質(zhì)為金屬Au ;厚度為30nm ；
[0099](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0100]對(duì)比實(shí)例I
[0101]一種陽(yáng)極作為出光面的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:一種陰極具有低反射率的且陽(yáng)極作為出光面的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/Ag(10nm)/電子注入層(LiF, Inm)/ 電子傳輸層(Bphen, 30nm) / 發(fā)光層(Ir (ppy) 3: TPBi (10%), 1nm)/ 空穴傳輸層(NPB, 40nm) /空穴注入層(ZnPc, 15nm)/Ag (18nm)。其中，Ag(10nm)構(gòu)成陰極。其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1中的裝置類(lèi)似，不同之處在于陰極為Ag(10nm)。
[0102]倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置進(jìn)行相關(guān)性能測(cè)試
[0103]將上述實(shí)施例1至實(shí)施例4制備的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置和對(duì)比實(shí)例I制備倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置不點(diǎn)亮?xí)r進(jìn)行反射率測(cè)試，其中入射光從陽(yáng)極入射，然后積分計(jì)算反射光，測(cè)試結(jié)果如下述表I。
[0104]表I
[0105]

【權(quán)利要求】
1.一種倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括依次層疊結(jié)合的基板、陰極層、有機(jī)功能層和作為出光面的陽(yáng)極層，所述有機(jī)功能層包括在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的發(fā)光層，其特征在于:所述陰極層包括依次層疊結(jié)合的半透金屬層、漫反射層、金屬反射層，且所述半透金屬層與有機(jī)功能層層疊結(jié)合，所述金屬反射層與基板層疊結(jié)合，所述漫反射層材料為金屬反射層材料的氧化物。
2.如權(quán)利要求1所述的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述漫反射層的厚度為1nm ?10nm0
3.如權(quán)利要求1所述的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述金屬反射層的厚度為 70nm ?500nm。
4.如權(quán)利要求1或3所述的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述金屬反射層為Ag、Al中的任一種或兩者合金。
5.如權(quán)利要求1所述的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述半透金屬層的厚度為 7nm ?12nm。
6.如權(quán)利要求1或5所述的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述半透金屬層材料為Mg、Ag、Al、Ca中的任一種或兩者以上合金。
7.—種如權(quán)利要求1?6任一項(xiàng)所述的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法，其包括陰極層的如下制備步驟: 在真空鍍膜系統(tǒng)中，將金屬反射層材料蒸鍍?cè)诨逡槐砻?，形成金屬反射層? 將所述金屬反射層外表面進(jìn)行氧化處理，形成金屬氧化物的漫反射層； 在真空鍍膜系統(tǒng)中，將半透金屬層材料蒸鍍?cè)谒雎瓷鋵油獗砻?，形成半透金屬層?br> 8.如權(quán)利要求7所述的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法，其特征在于:在制備所述漫反射層的步驟中，所述氧化處理的方法為臭氧氧化處理、等離子氧化處理、紫外氧化處理中的任一中或兩種以上方法的結(jié)合；其中， 所述臭氧氧化處理的方法為:將蒸鍍有金屬反射層的基板置于臭氧發(fā)生器中，發(fā)生器的UV光源發(fā)射波長(zhǎng)為185nm和254nm，處理時(shí)間5?30分鐘； 所述等離子氧化處理的方法為:將蒸鍍有金屬反射層的基板置于等離子處理室中，通入體積比為(2?5):1的Ar與O2混合氣體，維持等離子處理室壓力為10?lOOpa，射頻電源功率為10?100W，處理時(shí)間為5?30分鐘； 所述紫外氧化處理的方法為:采用紫外光直接照射所述金屬反射層的外表面5?30分鐘。
9.一種顯示屏，包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，其特征在于:所述顯示模塊含有如權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置。
10.一種設(shè)有顯示屏的終端，所述終端的顯示屏為如權(quán)利要求9所述的顯示屏。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104183764SQ201310193542
【公開(kāi)日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月22日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 陳吉星, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司