有機(jī)電致發(fā)光裝置、顯示屏及其終端的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光裝置、顯示屏及其終端。該有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括依次層疊結(jié)合的基板、陽(yáng)極層、有機(jī)功能層和作為出光面的陰極層，所述陽(yáng)極層包括依次層疊結(jié)合的金屬反射層、散射層、干涉層、半透金屬層；其中，所述散射層材料包括透明導(dǎo)電氧化物和摻雜于所述透明導(dǎo)電氧化物中的金屬粒子，所述干涉層材料為透明導(dǎo)電氧化物。本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光裝置的陽(yáng)極有效降低了該有機(jī)電致發(fā)光裝置的陽(yáng)極對(duì)光的反射率，提高了其的對(duì)比度。含有該有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯示屏及其終端具有高對(duì)比度，其顯示畫面清晰。
【專利說(shuō)明】有機(jī)電致發(fā)光裝置、顯示屏及其終端

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電光源【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說(shuō)是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光裝置、顯示屏及其終端。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light Emiss1n D1de,以下簡(jiǎn)稱0LED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]OLED具有發(fā)光效率高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光、輕、薄等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)擁有高清晰、廣視角、響應(yīng)速度快、低成本以及色彩鮮艷等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，因此，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來(lái)的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過(guò)去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來(lái)越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動(dòng)了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0005]但現(xiàn)有的OLED器件的陰極一般是使用高反射率的金屬陰極材料，具體地，該高反射率的金屬陰極材料制備成的高反射率的金屬陰極在可見(jiàn)光段具有超過(guò)90%的反射率，因此該如此高反射率陰極卻給OLED在顯示器件上的應(yīng)用帶來(lái)阻礙。這是因?yàn)?，作為顯示器件，高對(duì)比度是人們長(zhǎng)期的追求，對(duì)屏幕對(duì)比度的要求更高，如果將現(xiàn)有高反射率陰極的OLED器件在顯示器件上的應(yīng)用時(shí)，在太陽(yáng)光照射下，由于其高反射率陰極的高反射率作用，使得顯示器件的對(duì)比度低，顯示的內(nèi)容無(wú)法看清。因此，將OLED器件在顯示器中應(yīng)用時(shí)，如何降低OLED器件的反射率是待解決的技術(shù)難題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種陽(yáng)極具有低反射率的有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0007]本發(fā)明的另一目的在于提供一種對(duì)比度高的顯示屏。
[0008]本發(fā)明的又一目的在于提供一種含有上述顯示屏的終端。
[0009]為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0010]一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括依次層疊結(jié)合的基板、陽(yáng)極層、有機(jī)功能層和作為出光面的陰極層，所述有機(jī)功能層包括在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的發(fā)光層，所述陽(yáng)極層包括依次層疊結(jié)合的金屬反射層、散射層、干涉層、半透金屬層，所述金屬反射層與基板層疊結(jié)合，所述半透金屬層與有機(jī)功能層層疊結(jié)合；其中，所述散射層材料包括透明導(dǎo)電氧化物和摻雜于所述透明導(dǎo)電氧化物中的金屬粒子，所述干涉層材料為透明導(dǎo)電氧化物。
[0011]以及，一種顯示屏，包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，其中，所述顯示模塊含有如上述的有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0012]以及，一種設(shè)有顯示屏的終端，所述終端的顯示屏為上述含有有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯不器。
[0013]上述有機(jī)電致發(fā)光裝置通過(guò)將陽(yáng)極設(shè)置成依次層疊結(jié)合的金屬反射層、散射層、干涉層、半透金屬層結(jié)構(gòu)，有效降低了該有機(jī)電致發(fā)光裝置的陽(yáng)極對(duì)光的反射率，提高了其的對(duì)比度。其中，半透金屬層能對(duì)由從陰極層端入射光起了半透半反射的作用；干涉層能對(duì)由半透金屬層折射的光產(chǎn)生干涉，使其再次發(fā)生折射，散射層不僅能對(duì)由干涉層入射的光發(fā)生干涉作用，其中的金屬粒子對(duì)入射光發(fā)生散射作用，因此，該干涉層與散射層協(xié)同作用，使半透金屬層反射光與金屬反射層反射光的相位相反，達(dá)到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射，實(shí)現(xiàn)低的反射率。
[0014]上述顯示屏由于含有上述有機(jī)電致發(fā)光裝置，因此其具有高對(duì)比度，其顯示畫面清晰。由于設(shè)有顯示屏的終端含有該高對(duì)比度的顯示屏，因此該終端的顯示屏畫面清晰。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光裝置另一優(yōu)選結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖3為本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光裝置制備方法的流程示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018]為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例與附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0019]有機(jī)電致發(fā)光像素對(duì)比度=(器件發(fā)光亮度(開(kāi))+器件反射的環(huán)境光亮度)/ (器件發(fā)光亮度(關(guān))+器件反射的環(huán)境光亮度)，根據(jù)這個(gè)計(jì)算方法，在透明陽(yáng)極的OLED器件中，提高對(duì)比度的方法之一就是降低器件對(duì)環(huán)境的光反射，也就是降低反射電極的反射率。
[0020]基于上述理論，本發(fā)明實(shí)施例采用降低陽(yáng)極反射率的途徑來(lái)提高有機(jī)電致發(fā)光像素對(duì)比度。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陽(yáng)極具有低反射率的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)如圖1至圖2所示。該有機(jī)電致發(fā)光裝置包括依次層疊結(jié)合的基板1、陽(yáng)極層2、有機(jī)功能層3和陰極層4。
[0021]具體地，上述基板I的材料為玻璃、聚合物薄膜材料等，如普通玻璃、聚合物薄膜材料基底等。當(dāng)然，基板I的材料還可采用本領(lǐng)域其他材料進(jìn)行替代?；錓的厚度也可以采用本領(lǐng)域常用的厚度或者根據(jù)應(yīng)用的要求進(jìn)行靈活選用。
[0022]上述陽(yáng)極層2包括依次層疊結(jié)合的金屬反射層21、散射層22、干涉層23和半透金屬層24，其中，金屬反射層21與基板I層疊結(jié)合，半透金屬層24與有機(jī)功能層3層疊結(jié)合。該結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極層2中的半透金屬層24能對(duì)由從陰極層4端入射光起了半透半反射的作用，散射層22、干涉層23不僅具有良好的導(dǎo)電性，能使空穴注入，更重要的是能對(duì)半透金屬層24反射光與金屬反射層21反射光的相位相反，達(dá)到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射，實(shí)現(xiàn)低的反射率。其中，該干涉層23對(duì)由半透金屬層折射的光產(chǎn)生干涉，使其再次發(fā)生折射，散射層不僅能對(duì)由干涉層入射的光發(fā)生干涉作用，其中的金屬粒子還能對(duì)入射光發(fā)生散射作用，因此，該干涉層23與散射層22協(xié)同作用對(duì)入射光產(chǎn)生干涉作用。具體地，從陰極層4端射向該結(jié)構(gòu)的陽(yáng)極層2的光線反射和折射如圖1、2中所示，環(huán)境光線a從外部入射時(shí)，在半透金屬層24表面發(fā)生第一次反射和折射，形成反射光線b，折射光線c依次經(jīng)過(guò)干涉層23、散射層22之間的協(xié)同干涉作用后，入射至金屬反射層21表面并發(fā)生反射，形成反射光線d。該發(fā)射光線b、反射光線d形成光線的干涉相消效應(yīng)，消弱陽(yáng)極層2產(chǎn)生的反射光，從而有效降低陽(yáng)極層2的反射率。
[0023]其中，該半透金屬層24能使由陰極層4端入射來(lái)的光在其界面發(fā)生部分透過(guò)部分反射。為了更好的調(diào)節(jié)光線的反射和透過(guò)率，作為優(yōu)選實(shí)施例，該半透金屬層24的厚度為5nm?10nm。作為另一優(yōu)選實(shí)施例，該半透金屬層24的材料為Ag、Al、Au、N1、Cr中的任一種或兩種以上的合金。應(yīng)該理解，只要能實(shí)現(xiàn)該半透金屬層24部分透過(guò)部分反射的其他厚度和其他能做陰極金屬材料也屬于本發(fā)明限定的范圍。
[0024]該散射層22材料包括透明導(dǎo)電氧化物和摻雜于透明導(dǎo)電氧化物中的金屬粒子，干涉層23材料為透明導(dǎo)電氧化物。在優(yōu)選實(shí)施例中，該散射層22材料中的透明導(dǎo)電氧化物和干涉層23材料透明導(dǎo)電氧化物為相同或不相同的銦錫氧化物薄膜(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、或鋁鋅氧化物(AZO)，鎵鋅氧化物(GZO)中的至少一種。該優(yōu)選的透明導(dǎo)電氧化物對(duì)光具有合適的干涉作用，摻雜在散射層22中的金屬粒子還能起到對(duì)光的散射作用，實(shí)現(xiàn)散射層22與干涉層23之間對(duì)光的協(xié)同干涉作用，使得對(duì)半透金屬層24反射光與金屬反射層21反射光之間的干涉相消的效果好，有效減少了光總的反射，實(shí)現(xiàn)低的反射率。另外，該透明導(dǎo)電氧化物成膜導(dǎo)電性好，能有效提高空穴注入能力。
[0025]為了提高該散射層22對(duì)光的散射作用，在優(yōu)選實(shí)施例中，該散射層22材料中的金屬粒子摻雜量占散射層22總重量的9.1%?16.7%。其中，該金屬粒子優(yōu)選為Ag、Cr、N1、Pt、Cu中的至少一種。在另一優(yōu)選實(shí)施例中，該散射層22的厚度為1nm?20nm，該優(yōu)選厚度對(duì)光具有更好的干涉和散射作用。
[0026]作為優(yōu)選實(shí)施例，該干涉層23厚度為60nm?80nm。通過(guò)調(diào)節(jié)該干涉層23厚度實(shí)現(xiàn)其對(duì)光干涉作用的提高。
[0027]作為另一優(yōu)選實(shí)施例，散射層22的厚度為1nm?20nm，干涉層23厚度為60nm?80nm。通過(guò)同時(shí)調(diào)節(jié)兩層的厚度，使得兩層協(xié)同作用更好，增強(qiáng)兩層對(duì)光干涉作用。
[0028]該金屬反射層21設(shè)置的目的是將從散射層22傳輸來(lái)的光在其界面發(fā)生反射，并將該反射光通過(guò)散射層22、干涉層23的傳輸后與半透金屬層24界面發(fā)生反射的光互相抵消，以降低陽(yáng)極層2的反射率。作為優(yōu)選實(shí)施例，該金屬反射層21的厚度為70nm?200nm。作為另一優(yōu)選實(shí)施例，上述金屬反射層21金屬材料為Ag、Al、Au、N1、Cr中的任一種或兩種以上的合金。應(yīng)該理解，只要能實(shí)現(xiàn)該金屬反射層21反光作用的其他厚度和其他能做陽(yáng)極金屬材料也屬于本發(fā)明限定的范圍，如不計(jì)成本，該金屬反射層21的厚度還可以是200nm以上。
[0029]作為上述有機(jī)電致發(fā)光裝置的另一優(yōu)選實(shí)施例，金屬反射層21的厚度為70nm?200nm,散射層22的厚度為1nm?20nm,干涉層23的厚度為60nm?80nm和半透金屬層24厚度為5nm?10nm。該優(yōu)選實(shí)施例中各層厚度的組合,能使得金屬反射層21與半透金屬層24反射光相抵消的效果更好，使得陽(yáng)極層2有更低的反射率。
[0030]作為上述有機(jī)電致發(fā)光裝置的再一優(yōu)選實(shí)施例，上述金屬反射層21和半透金屬層24材料為Ag、Al、Au、N1、Cr中的任一種或兩種以上的合金；散射層22材料為上述透明導(dǎo)電氧化物與上述金屬粒子摻雜的混合物層，且金屬粒子摻雜量占散射層總重量的9.1%?16.7% ;干涉層23材料為上述透明導(dǎo)電氧化物。該優(yōu)選實(shí)施例中各層所選用材料的組合，賦予陽(yáng)極層2更低的反射率和空穴注入和傳輸性能。
[0031]作為上述有機(jī)電致發(fā)光裝置的又一優(yōu)選實(shí)施例，上述金屬反射層21的厚度為70nm?200nm，其材料為金屬Ag、Al、Au、N1、Cr中的任一種或兩種以上的合金；散射層22厚度為1nm?20nm，其材料為上述透明導(dǎo)電氧化物與上述金屬粒子摻雜的混合物層，且金屬粒子摻雜量占散射層總重量的9.1%?16.7% ;干涉層23厚度為60nm?80nm，其材料為上述透明導(dǎo)電氧化物；半透金屬層24厚度為5nm?1nm,其材料為金屬Ag、Al、Au、N1、Cr中的任一種或兩種以上的合金。該優(yōu)選實(shí)施例中各層厚度和材料的組合，使得陽(yáng)極層2更低的反射率以及優(yōu)異的空穴注入和傳輸性能。
[0032]上述有機(jī)電致發(fā)光裝置實(shí)施例中的有機(jī)功能層3包括依次層疊結(jié)合的空穴注入層31、空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34、電子注入層35，且空穴注入層31與陽(yáng)極層2的與襯底層I相結(jié)合面相對(duì)的表面層疊結(jié)合，電子注入層35與陰極層4層疊結(jié)合，如圖1所示。
[0033]在具體實(shí)施例中，上述空穴注入層31材料可以是ZnPc (酞菁鋅)、CuPc (酞菁銅)、VOPc (酞菁氧I凡)、T1Pc (酞菁氧鈦)中的至少一種。當(dāng)然，該空穴注入層31材料還可以是本領(lǐng)域常用的其他材料，如W03、V0x、W0x或MoO3等氧化物，或者無(wú)機(jī)空穴注入層材料與有機(jī)空穴注入層材料的摻雜混合物?？昭ㄗ⑷雽?1的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。該空穴注入層31的設(shè)置，能有效增強(qiáng)其與陽(yáng)極層2間的歐姆接觸，加強(qiáng)了導(dǎo)電性能，提高陽(yáng)極層2端的空穴注入能力。正因如此，該空穴注入層31也可以根據(jù)實(shí)際的需要不設(shè)置，也就是說(shuō)，空穴傳輸層32可以直接與陽(yáng)極層2直接層疊結(jié)合。
[0034]上述空穴傳輸層32材料可以是NPB (N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺)、TPD (N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (3-甲基苯基)-1, I，-聯(lián)苯 _4，4’ - 二胺)、MeO-TPD (N, N, N，，N，-四甲氧基苯基)_ 對(duì)二氨基聯(lián)苯),MeO-Spr1-TPD (2，7-雙(N, N- 二(4-甲氧基苯基)氨基)_9，9-螺二芴)中的至少一種。當(dāng)然，該空穴傳輸層32材料還可以是本領(lǐng)域常用的其他材料，如4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)等?？昭▊鬏攲?2的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。
[0035]上述發(fā)光層33材料可以是客體材料與主體材料摻雜混合物。其中，客體材料為發(fā)光材料，其包括4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq) 3)、三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)中的至少一種；主體材料包括4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)U, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、N, N’-二苯基-N, N，-二 (1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)中的至少一種。主、客體材料可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)和應(yīng)用的需要進(jìn)行靈活復(fù)合，且客體材料與主體材料的質(zhì)量比可以為I?10:100。
[0036]另外，該發(fā)光層33材料還可以選用熒光材料4，4’ - 二(2，2- 二苯乙烯基)_1，l’-K*(DPVBi)、4，4’-| [4-( 二對(duì)甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)、5,6, 11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)等材料中的至少一種。該發(fā)光層33的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。
[0037]上述電子傳輸層34材料可以是2_(4_聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4_ Il惡二唑(PBD)、(8-羥基喹啉)_鋁(Alq3)、4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、l，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、1，2，4-三唑衍生物(TAZ)中至少一種。當(dāng)然，電子傳輸層34材料還可以是本領(lǐng)域公知的其他電子傳輸材料，其厚度也可以采用本領(lǐng)域常用的厚度。
[0038]上述電子注入層35材料可以LiF, CsF, NaF, MgF2等至少一種等堿金屬的齒化物，當(dāng)然，該電子注入層35材料還可以選用碘化鋰、碘化鉀、碘化鈉、碘化銫、碘化銣中的至少一種等堿金屬的鹵化物。電子注入層35的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。該電子注入層35的設(shè)置能有效增強(qiáng)其與陰極層4之間的歐姆接觸，加強(qiáng)了導(dǎo)電性能，進(jìn)一步提高陰極層4端的電子注入能力，以進(jìn)一步平衡載流子，控制復(fù)合區(qū)域，在發(fā)光層中增加激子量，獲得了理想的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。正因如此，該電子注入層35也可以根據(jù)實(shí)際的需要不設(shè)置，也就是說(shuō)，電子傳輸層34可以直接與陰極層4直接層疊結(jié)合。
[0039]在進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)施例中，在如圖1所不的有機(jī)功能層3的基礎(chǔ)上,上述有機(jī)功能層3還可以設(shè)置電子阻擋層36和空穴阻擋層37，如圖2所示。其中，該電子阻擋層36層疊結(jié)合在空穴傳輸層32與發(fā)光層33之間，空穴阻擋層37層疊結(jié)合在發(fā)光層33與電子傳輸層34之間。該電子阻擋層36的設(shè)置能將在發(fā)光層33中未形成激子的電子盡可能的阻擋截留在發(fā)光層33中，空穴阻擋層37的設(shè)置能將在發(fā)光層33中未形成激子的空穴盡可能的阻擋截留在發(fā)光層33中，以提高發(fā)光層33中的電子與空穴相遇機(jī)率，以提高兩者復(fù)合而形成的激子量，并將激子能量傳遞給發(fā)光材料，從而激發(fā)發(fā)光材料的電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能，以達(dá)到增強(qiáng)發(fā)光層33的發(fā)光強(qiáng)度的目的。當(dāng)然，該電子阻擋層36和空穴阻擋層37可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)的情況和應(yīng)用的需要擇一設(shè)置，其選用的材料和厚度可以按照本領(lǐng)域常用的材料和常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。
[0040]上述陰極層4材料為Ag、Al、Sm、Yb中的任一種或兩種以上的合金，其厚度為ISnm?35nm。該優(yōu)選的陰極材料以及厚度具有優(yōu)異的光透過(guò)率，能有效提高該有機(jī)電致發(fā)光裝置的出光率，另外，該優(yōu)選的陰極材料導(dǎo)電性能優(yōu)異。當(dāng)然，該銀極層4的材料和厚度還可以是本領(lǐng)域常規(guī)的其他材料和厚度。
[0041]由上述可知，上述有機(jī)電致發(fā)光裝置通過(guò)將陽(yáng)極設(shè)置成依次層疊結(jié)合的金屬反射層21、散射層22、干涉層23、半透金屬層24結(jié)構(gòu)，通過(guò)陽(yáng)極層2的光反射抵消，從而有效降低了該有機(jī)電致發(fā)光裝置的陽(yáng)極對(duì)光的反射率，提高了其的對(duì)比度。另外，通過(guò)選用金屬反射層21、散射層22、干涉層23、半透金屬層24的材料和調(diào)節(jié)各層的厚度，特別是散射層22、干涉層23的厚度和材料，實(shí)現(xiàn)兩層的協(xié)同作用，能進(jìn)一步降低上述有機(jī)電致發(fā)光裝置的陰極對(duì)光的反射率，提高了其的對(duì)比度。
[0042]相應(yīng)地，上述實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光裝置制備方法可以按照如圖3所以示。的工藝流程制備，同時(shí)參見(jiàn)圖1?2，其制備方法包括如下步驟:
[0043]SO1.提供基板I ;
[0044]S02.制備陽(yáng)極層2:在真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射工藝，將金屬反射層材料、散射層材料、干涉層材料、半透金屬層材料依次濺射在步驟SOl的基板I 一表面制備依次層疊結(jié)合的金屬反射層21、散射層22、干涉層23和半透金屬層24，形成陽(yáng)極層2 ；
[0045]S03.制備有機(jī)功能層3:在步驟S02制備陽(yáng)極層2的與透光襯底層I相結(jié)合面相對(duì)的表面依次蒸鍍空穴注入層材料、空穴傳輸層材料、發(fā)光層材料、電子傳輸層材料和電子注入層材料，分別制備空穴注入層31、空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34、電子注入層35，形成有機(jī)功能層3 ;
[0046]S04.制備陰極層4:在真空鍍膜系統(tǒng)中，在有機(jī)功能層3外表面陰極材料，形成陰極層4。
[0047]具體地，上述SOl步驟中，基板I的結(jié)構(gòu)、材料及規(guī)格如上文所述，為了篇幅，在此不再贅述。另外，在該SOl步驟中，還包括對(duì)基板I的前期處理步驟，如清洗去污的步驟，具體清洗去污的步驟如下文實(shí)施例1的步驟I。
[0048]上述步驟S02中，濺射金屬反射層21、散射層22、干涉層23和半透金屬層24的工藝條件中，濺射各層時(shí)的基靶間距優(yōu)選為60mm，工作氣體為氬氣流量?jī)?yōu)選為25sCCm。具體地，在濺射金屬反射層21時(shí)，以上文所述的金屬反射層21金屬材料作為靶材，濺射速度為0.02?lnm/s ;濺射散射層22時(shí)，同時(shí)以上文所述的散射層22透明導(dǎo)電氧化物和金屬材料作為革巴材，金屬材質(zhì)的派射速度為0.1?0.2nm/s,氧化物的派射的速度為0.5?lnm/s ;派射干涉層23時(shí)，以上文所述的干涉層23透明導(dǎo)電氧化物單獨(dú)作為靶材，濺射速度為0.1?0.5nm/s ;濺射半透金屬層24時(shí)，以上文所述的半透金屬層24金屬材料作為靶材，濺射速度為0.02?0.lnm/s。濺射陽(yáng)極層2中各層的濺射時(shí)間根據(jù)各層的厚度而定。
[0049]上述步驟S03中，蒸鍍空穴注入層31、空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34、電子注入層35所選用的材料以及厚度均勻如上文所述。蒸鍍各層所涉及到工藝條件優(yōu)選為真空沉積成膜的工作壓強(qiáng)為I X 10_5?I X 10?,有機(jī)材料的蒸發(fā)速度為0.01?lnm/s。
[0050]當(dāng)有機(jī)功能層3如上文所述，其包括依次層疊結(jié)合的空穴注入層31、空穴傳輸層32、電子阻擋層36、發(fā)光層33、空穴阻擋層37、電子傳輸層34、電子注入層35時(shí)，或者其包括依次層疊結(jié)合的空穴傳輸層32、電子阻擋層36、發(fā)光層33、空穴阻擋層37、電子傳輸層34時(shí)，或者其包括依次層疊結(jié)合的空穴傳輸層32、發(fā)光層33、電子傳輸層34時(shí),制備有機(jī)功能層3的方法是在陽(yáng)極層2外表面依次蒸鍍?cè)摳鲗咏Y(jié)構(gòu)。
[0051]上述步驟S04中，蒸鍍陰極層4所用的陰極材料和制備得到的陰極層4的厚度均如上文所述，在此不再贅述。其蒸鍍條件采用本領(lǐng)域常規(guī)的工藝條件即可，如金屬的蒸鍍速度優(yōu)選為0.2?2nm/s，真空沉積成膜的工作壓強(qiáng)為I X 10_5?I X 10_3Pa。
[0052]當(dāng)然，還應(yīng)當(dāng)理解，關(guān)于本發(fā)明實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法還應(yīng)該包括該有機(jī)電致發(fā)光裝置后續(xù)的封裝方法。
[0053]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示屏，其包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，當(dāng)然還包括應(yīng)用與顯示屏的其他必要模塊。其中，該顯示模塊中包括如上述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，具體地，在顯示模塊中，上文所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置按照矩陣排布。由于該顯示屏含有上述有機(jī)電致發(fā)光裝置，因此其具有高對(duì)比度，其顯示畫面清晰。
[0054]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步提供了一種設(shè)有顯示屏的終端，該終端的顯示屏為上述含有有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯示器。當(dāng)然，應(yīng)該理解，根據(jù)該終端的類型不同，該終端除了含有上文所述的顯示屏之外，還含有其他必要模塊或/和器件。因此，該終端可以是非便攜式終端和便攜式終端。非便攜式終端可以是大型家電(如電視機(jī)、臺(tái)式電腦顯示器、設(shè)有顯示屏的空調(diào)、洗衣機(jī)等)、工廠設(shè)有顯示屏的機(jī)床等；便攜式終端可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、游戲機(jī)和電子書(shū)等。這樣，由于該終端的顯示屏為上述含有有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯示屏，因此電子器件的顯示屏對(duì)比度高，畫面清晰。
[0055]當(dāng)然，上文所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置還可以在特性照明領(lǐng)域中應(yīng)用，如在要求反射率低的照明領(lǐng)域中應(yīng)用。
[0056]以下通過(guò)多個(gè)實(shí)施例來(lái)舉例說(shuō)明上述有機(jī)電致發(fā)光裝置方面。
[0057]實(shí)施例1
[0058]一種陽(yáng)極具有低反射率的且陰極作為出光面的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/Al(70nm)/IT0:Ni(10nm)/IT0(50nm)/Al(5nm)/ 空穴注入層(CuPc, 1nm)/ 空穴傳輸層(NPB，30nm)/發(fā)光層(DPVBi，1nm)/電子傳輸層(TPBi，30nm)/電子注入層(LiF, 0.5nm)/Ag(18nm)。其中，Al (70nm)/IT0:Ni (1nm)/ITO(50nm)/Al (5nm)構(gòu)成陽(yáng)極。
[0059]其制備方法如下:
[0060](I)將玻璃基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0061](2)在真空度為10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射工藝，在玻璃基板表面制備陽(yáng)極，其制備工藝參數(shù)中，基靶間距為60mm，工作氣體為氬氣流量為25sCCm:
[0062]首先制備反射金屬層:以金屬Al材料作為祀材，派射速度為0.02nm/s,厚度為70nm ；
[0063]再制備散射層:先制備厚度1nm的散射層，其中金屬材質(zhì)為Ni,派射速度為0.lnm/s,無(wú)機(jī)氧化物的材質(zhì)為ITO祀材賤射的速度為0.5nm/s ;其中,在制備的散射層,該Ni的摻雜量占散射層總重量的16.7% ；
[0064]然后制備介質(zhì)層:厚度為50nm,材質(zhì)是ITO革巴材賤射速度為0.lnm/s ；
[0065]最后制備半反射金屬層:材質(zhì)為Al,厚度為5nm,#i射速度為0.02nm/s ；
[0066](3)在陽(yáng)極表面蒸鍍制備依次為空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層，形成有機(jī)功能層，材質(zhì)依次為CuPc、NPB、DPVB1、TPB1、LiF，厚度依次為10nm、30nm、10nm、30nm、0.5nm ；
[0067](4)在有機(jī)功能層外表面制備Ag層形成陰極；厚度為18nm ；
[0068](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0069]實(shí)施例2
[0070]—種陽(yáng)極具有低反射率的且陰極作為出光面的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板 /Ag (200nm) /IZO: Ag (20nm)/IZO (60nm) /Ag (7nm) / 空穴注入層(ZnPc, 15nm) / 空穴傳輸層(TPD, 30nm) / 發(fā)光層(Ir (ppy) 3: TPBi (10%), 1nm)/ 電子傳輸層(Bphen, 40nm) / 電子注入層(CsF, lnm)/Sm(35nm)。其中，六區(qū)(200]1111)/120:六區(qū)(2011111)/120(6011111)/六區(qū)(711111)構(gòu)成陽(yáng)極。
[0071]其制備方法如下:
[0072](I)將玻璃基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0073](2)在真空度為10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射工藝，在玻璃基板表面制備陽(yáng)極，其制備工藝參數(shù)中，基靶間距為60mm，工作氣體為氬氣流量為25sCCm:
[0074]首先制備反射金屬層:以金屬Ag材料作為靶材，濺射速度為lnm/s，厚度為200nm ；
[0075]再制備散射層:先制備厚度20nm的散射層，其中金屬材質(zhì)為Ag，濺射速度為0.15nm/s,無(wú)機(jī)氧化物的材質(zhì)為IZO祀材賤射的速度為lnm/s ;其中，在制備的散射層,該Ag的摻雜量占散射層總重量的13.0% ；
[0076]然后制備介質(zhì)層:厚度為60nm,材質(zhì)是IZO革巴材,派射速度為0.05nm/s ；
[0077]最后制備半反射金屬層:材質(zhì)為Ag,厚度為7nm,#i射速度為0.05nm/s ；
[0078](3)在陽(yáng)極表面蒸鍍制備依次為空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層，形成有機(jī)功能層；
[0079](4)在有機(jī)功能層外表面制備Sm層形成陰極；厚度為35nm ；
[0080](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0081]實(shí)施例3
[0082]一種陽(yáng)極具有低反射率的且陰極作為出光面的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板 /Au (10nm) /GZO: Pt (15nm) /GZO (60nm) /Au (1nm) / 空穴注入層(T1Pc, 20nm) / 空穴傳輸層(MeO-Spr1-TPD，40nm)/發(fā)光層(DCJTB = Alq3 (1%)，15nm) / 電子傳輸層(PBD, 50nm) /電子注入層(NaF, 0.8nm) /Yb (30nm)。其中，Au (10nm) /GZO:Pt (15nm) /GZO(60nm) /Au (1nm)構(gòu)成陽(yáng)極。
[0083]其制備方法如下:
[0084](I)將玻璃基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0085](2)在真空度為10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射工藝，在玻璃基板表面制備陽(yáng)極，其制備工藝參數(shù)中，基靶間距為60mm，工作氣體為氬氣流量為25sCCm:
[0086]首先制備反射金屬層:以金屬Au材料作為祀材，派射速度為0.5nm/s,厚度為10nm ；
[0087]再制備散射層:先制備厚度15nm的散射層，其中金屬材質(zhì)為Pt,派射速度為0.lnm/s,無(wú)機(jī)氧化物的材質(zhì)為GZO祀材賤射的速度為lnm/s ;其中,在制備的散射層,該P(yáng)t的摻雜量占散射層總重量的9.1% ；
[0088]然后制備介質(zhì)層:厚度為60nm,材質(zhì)是GZO祀材,派射速度為0.5nm/s ；
[0089]最后制備半反射金屬層:材質(zhì)為Au,厚度為1nm,派射速度為0.lnm/s ；
[0090](3)在陽(yáng)極表面蒸鍍制備依次為空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層，形成有機(jī)功能層；
[0091](4)在有機(jī)功能層外表面制備Yb層形成陰極；厚度為30nm ；
[0092](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0093]實(shí)施例4
[0094]一種陽(yáng)極具有低反射率的且陰極作為出光面的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板 /Cr(70nm)/AZ0:Pt(10nm)/AZ0(50nm)/Cr(5nm)/ 空穴注入層(VOPc, 15nm)/ 空穴傳輸層(MeO-TPD, 35nm)/發(fā)光層(Ir (piq) 3:NPB (10%)，12nm) / 電子傳輸層(PBD, 40nm)/ 電子注入層(MgF2, 0.5nm)/Ag (18nm)。其中，Cr (70nm)/AZ0:Pt (1nm)/AZO (50nm)/Cr (5nm)構(gòu)成陽(yáng)極。
[0095]其制備方法如下:
[0096](I)將玻璃基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0097](2)在真空度為10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射工藝，在玻璃基板表面制備陽(yáng)極，其制備工藝參數(shù)中，基靶間距為60mm，工作氣體為氬氣流量為25sCCm:
[0098]首先制備反射金屬層:以金屬Cr材料作為祀材，派射速度為0.02nm/s,厚度為70nm ；
[0099]再制備散射層:先制備厚度1nm的散射層，其中金屬材質(zhì)為Pt,派射速度為0.lnm/s,無(wú)機(jī)氧化物的材質(zhì)為AZO祀材,派射的速度為0.5nm/s ;其中,在制備的散射層,該P(yáng)t的摻雜量占散射層總重量的16.7% ；
[0100]然后制備介質(zhì)層:厚度為50nm,材質(zhì)是AZO祀材賤射速度為0.lnm/s ；
[0101]最后制備半反射金屬層:材質(zhì)為Cr,厚度為5nm,#i射速度為0.02nm/s ；
[0102](3)在陽(yáng)極表面蒸鍍制備依次為空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層，形成有機(jī)功能層；
[0103](4)在有機(jī)功能層外表面制備Ag層形成陰極；厚度為18nm ；
[0104](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0105]實(shí)施例5
[0106]一種陽(yáng)極具有低反射率的且陰極作為出光面的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板 /Ni (10nm) /ITO: Cu (1nm)/ITO (50nm) /Ni (5nm) / 空穴注入層(VOPc, 15nm) / 空穴傳輸層(MeO-TPD, 35nm)/發(fā)光層(Ir (piq) 3:NPB (10%)，12nm) / 電子傳輸層(PBD, 40nm)/ 電子注入層(MgF2, 0.5nm)/Ag(18nm)。其中，Ni (10nm)/ITO:Cu(1nm)/ITO(50nm)/Ni (5nm)構(gòu)成陽(yáng)極。
[0107]其制備方法如下:
[0108](I)將玻璃基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0109](2)在真空度為10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射工藝，在玻璃基板表面制備陽(yáng)極，其制備工藝參數(shù)中，基靶間距為60mm，工作氣體為氬氣流量為25sCCm:
[0110]首先制備反射金屬層:以金屬Ni材料作為祀材，派射速度為0.02nm/s,厚度為10nm ；
[0111]再制備散射層:先制備厚度1nm的散射層，其中金屬材質(zhì)為Cu,派射速度為
0.lnm/s,無(wú)機(jī)氧化物的材質(zhì)為ITO祀材賤射的速度為0.5nm/s ;其中,在制備的散射層,該Cu的摻雜量占散射層總重量的16.7% ；
[0112]然后制備介質(zhì)層:厚度為50nm,材質(zhì)是ITO祀材賤射速度為0.lnm/s ；
[0113]最后制備半反射金屬層:材質(zhì)為Ni,厚度為5nm,#i射速度為0.02nm/s ；
[0114]( 3 )在陽(yáng)極表面蒸鍍制備依次為空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層，電子傳輸層，電子注入層，形成有機(jī)功能層；
[0115](4)在有機(jī)功能層外表面制備Ag層形成陰極；厚度為18nm ;
[0116](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0117]對(duì)比實(shí)例I
[0118]—種陰極作為出光面的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:玻璃基板/Ag(10nm)/空穴注入層(CuPc，1nm)/空穴傳輸層(NPB，30nm)/發(fā)光層(DPVBi，1nm)/電子傳輸層(TPBi, 30nm)/ 電子注入層(LiF, 0.5nm)/Ag(18nm)。其中，Ag(10nm)為陽(yáng)極。
[0119]有機(jī)電致發(fā)光裝置進(jìn)行相關(guān)性能測(cè)試
[0120]將上述實(shí)施例1至實(shí)施例5制備的有機(jī)電致發(fā)光裝置和對(duì)比實(shí)例I中現(xiàn)有陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光裝置不點(diǎn)亮?xí)r進(jìn)行反射率測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如下述表1。
[0121]表1
[0122]

【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括依次層疊結(jié)合的基板、陽(yáng)極層、有機(jī)功能層和作為出光面的陰極層，所述有機(jī)功能層包括在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的發(fā)光層，其特征在于:所述陽(yáng)極層包括依次層疊結(jié)合的金屬反射層、散射層、干涉層、半透金屬層，所述金屬反射層與基板層疊結(jié)合，所述半透金屬層與有機(jī)功能層層疊結(jié)合；其中，所述散射層材料包括透明導(dǎo)電氧化物和摻雜于所述透明導(dǎo)電氧化物中的金屬粒子，所述干涉層材料為透明導(dǎo)電氧化物。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述散射層材料中的透明導(dǎo)電氧化物和干涉層材料透明導(dǎo)電氧化物為相同或不相同的銦錫氧化物薄膜、銦鋅氧化物、或鋁鋅氧化物、鎵鋅氧化物中的至少一種。
3.如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述散射層材料中的金屬粒子摻雜量占散射層總重量的9.1%?16.7%，所述金屬粒子為Ag、Cr、N1、Pt、Cu中的至少一種。
4.如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述散射層的厚度為1nm ?20nmo
5.如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述干涉層的厚度為60nm ?80nm。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述金屬反射層的厚度為70nm ?200nm。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述半透金屬層厚度為5nm ?1nm0
8.如權(quán)利要求1或6或7所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述金屬反射層材料或/和半透金屬層材料為金屬Ag、Al、Au、N1、Cr中的任一種或兩種以上的合金。
9.一種顯示屏，包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，其特征在于:所述顯不模塊含有如權(quán)利要求1?8任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置。
10.一種設(shè)有顯示屏的終端，所述終端的顯示屏為如權(quán)利要求9所述的顯示屏。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104183720SQ201310193565
【公開(kāi)日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月22日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 陳吉星, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司