柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置及制備方法、顯示屏及其終端的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備方法、顯示屏及其終端。該柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置包括依次層疊結(jié)合的柔性聚合物基板、陰極層、有機(jī)功能層和陽(yáng)極層，所述陰極層包括依次層疊結(jié)合的半透金屬層、具有對(duì)光透過(guò)性和導(dǎo)電性的干涉層、金屬反射層，且半透金屬層與有機(jī)功能層層疊結(jié)合，所述金屬反射層的與干涉層結(jié)合的表面上分布有島狀的金屬顆粒；所述干涉層材料包含有機(jī)電子傳輸材料和摻雜于所述有機(jī)電子傳輸材料中的堿金屬化合物，且所述堿金屬化合物摻雜量占所述干涉層材料總重量的5～50%。本發(fā)明柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置具有穩(wěn)定的低反射率，對(duì)比度高。含有該柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯示屏及其終端具有高對(duì)比度，其顯示畫面清晰。
【專利說(shuō)明】柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置及制備方法、顯示屏及其終端

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電光源【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說(shuō)是涉及一種柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備方法、顯示屏及其終端。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light Emiss1n D1de,以下簡(jiǎn)稱0LED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽(yáng)極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]OLED具有發(fā)光效率高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光、輕、薄等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)擁有高清晰、廣視角、響應(yīng)速度快、低成本以及色彩鮮艷等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，因此，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來(lái)的照明和顯示器件市場(chǎng)上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過(guò)去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來(lái)越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動(dòng)了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0005]但現(xiàn)有的OLED器件的陰極一般是使用高反射率的金屬陰極材料，具體地，該高反射率的金屬陰極材料制備成的高反射率的金屬陰極在可見光段具有超過(guò)90%的反射率，因此該如此高反射率陰極卻給OLED在顯示器件上的應(yīng)用帶來(lái)阻礙。這是因?yàn)?，作為顯示器件，高對(duì)比度是人們長(zhǎng)期的追求，對(duì)屏幕對(duì)比度的要求更高，如果將現(xiàn)有高反射率陰極的OLED器件在顯示器件上的應(yīng)用時(shí)，在太陽(yáng)光照射下，由于其高反射率陰極的高反射率作用，使得顯示器件的對(duì)比度低，顯示的內(nèi)容無(wú)法看清。因此，將OLED器件在顯示器中應(yīng)用時(shí)，如何降低OLED器件的反射率是待解決的技術(shù)難題。
[0006]人們?yōu)榱私档蚈LED器件的反射率也做了一下嘗試，并取得了一定的收獲。如對(duì)于常用的平板玻璃基底OLED器件，采用黑膜技術(shù)來(lái)降低反射率，即采用一個(gè)黑電極作為反射電極，使環(huán)境光線在黑電極上發(fā)射干涉相消的作用，從而抵消反射。但是對(duì)于常用的黑膜，其厚度是固定的，因此能對(duì)某一固定波長(zhǎng)的光產(chǎn)生相消作用，使器件的反射率保持一個(gè)恒定的值。但是對(duì)于柔性O(shè)LED器件而言，在撓曲的過(guò)程中，由于基板曲率的變化，使入射光通過(guò)黑膜的長(zhǎng)度發(fā)生變化，因此在計(jì)算干涉相消的時(shí)候，其干涉效果也發(fā)生了變化，并且隨著曲率的不同，這種變化更加明顯。因此，對(duì)于目前采用的黑電極改善柔性O(shè)LED器件反射率的穩(wěn)定性差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種陰極具有穩(wěn)定的反射率，且反射率低的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制備方法。
[0008]本發(fā)明的另一目的在于提供一種對(duì)比度高的顯示屏。
[0009]本發(fā)明的又一目的在于提供一種含有上述顯示屏的終端。
[0010]為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0011]一種柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括依次層疊結(jié)合的柔性聚合物基板、陰極層、有機(jī)功能層和作為出光面的陽(yáng)極層，所述有機(jī)功能層包括在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的發(fā)光層，所述陰極層包括依次層疊結(jié)合的半透金屬層、具有對(duì)光透過(guò)性和導(dǎo)電性的干涉層、金屬反射層，且所述半透金屬層與有機(jī)功能層層疊結(jié)合，所述金屬反射層與柔性聚合物基板層疊結(jié)合；其中，所述金屬反射層的與干涉層結(jié)合的表面上分布有島狀的金屬顆粒；所述干涉層材料包含有機(jī)電子傳輸材料和摻雜于所述有機(jī)電子傳輸材料中的堿金屬化合物，且所述堿金屬化合物摻雜量占所述干涉層材料總重量的5?50%。
[0012]以及，上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的一種制備方法，其包括如下金屬反射層的制備步驟:
[0013]在在真空鍍膜系統(tǒng)中，將金屬反射層材料蒸鍍?cè)谌嵝跃酆衔锘逡槐砻娉赡ぃ纬山饘賹?；其中，蒸鍍所述金屬反射層材料的速率?.05?0.5nm/s ；
[0014]采用蒸鍍工藝，將金屬反射層材料蒸鍍?cè)谒鼋饘賹油饷姹碇苽鋶u狀的金屬顆粒；其中，蒸鍍所述島狀的金屬顆粒時(shí)的金屬反射層材料蒸鍍速率為0.5?lnm/s，蒸鍍時(shí)間為5?10s。
[0015]以及，一種顯示屏，包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，其中所述顯示模塊含有如上述的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置。
[0016]以及，一種設(shè)有顯示屏的終端，所述終端的顯示屏為上述含有柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯示器。
[0017]上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置通過(guò)將陰極設(shè)置成依次層疊結(jié)合的半透金屬層、具有對(duì)光透過(guò)性和導(dǎo)電性的干涉層、金屬反射層結(jié)構(gòu)，有效降低了該柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的陰極對(duì)光的反射率，提高了其的對(duì)比度。其中，在金屬反射層的與干涉層結(jié)合的表面上分布島狀金屬顆粒起到漫反射作用，當(dāng)該柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置在被撓曲時(shí)，從而保證了其在多個(gè)角度的反射率不發(fā)生變化，使其反射率穩(wěn)定；該半透金屬層能對(duì)由從陽(yáng)極端入射光起了半透半反射的作用；干涉層不僅能使電子注入，更重要的是還能將半透金屬層反射光與金屬反射層反射光的相位相反，達(dá)到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射，實(shí)現(xiàn)低的反射率。
[0018]上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法中，只需控制金屬反射層材料的蒸鍍速率即可制備出具一表面分布有島狀金屬顆粒的金屬反射層，其制備方法簡(jiǎn)單易控，良品率高，降低了生產(chǎn)成本。
[0019]上述顯示屏由于含有上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，因此其具有高對(duì)比度，其顯示畫面清晰。由于設(shè)有顯示屏的終端含有該高對(duì)比度的顯示屏，因此該終端的顯示屏畫面清晰。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1為本發(fā)明實(shí)施例柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為本發(fā)明實(shí)施例柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置另一優(yōu)選結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖3為本發(fā)明實(shí)施例柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置制備方法的流程示意圖；
[0023]圖4為實(shí)施例1-5和對(duì)比實(shí)例I制備的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中，圖4(a)為實(shí)施例1-5和對(duì)比實(shí)例I制備的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置未被彎曲時(shí)的示意圖；圖4(b)為實(shí)施例1-5和對(duì)比實(shí)例I制備的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置被彎曲的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0024]為了使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例與附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0025]有機(jī)電致發(fā)光像素對(duì)比度=(器件發(fā)光亮度(開)+器件反射的環(huán)境光亮度)/ (器件發(fā)光亮度(關(guān))+器件反射的環(huán)境光亮度)，根據(jù)這個(gè)計(jì)算方法，在透明陽(yáng)極的OLED器件中，提高對(duì)比度的方法之一就是降低器件對(duì)環(huán)境的光反射，也就是降低反射電極的反射率。
[0026]基于上述理論，本發(fā)明實(shí)施例采用降低陰極反射率的途徑來(lái)提高有機(jī)電致發(fā)光像素對(duì)比度。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陰極具有低反射率的且反射率穩(wěn)定的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)如圖1至圖2所示。該柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置包括依次層疊結(jié)合的柔性聚合物基板1、陰極層2、有機(jī)功能層3和陽(yáng)極層4。
[0027]具體地，上述柔性聚合物基板I的材料可以為PET、P1、PES或PEN。當(dāng)然，該柔性聚合物基板I還可以是本領(lǐng)域常見的其他聚合物薄膜材質(zhì)。柔性聚合物基板I的厚度也可以采用本領(lǐng)域常用的厚度或者根據(jù)應(yīng)用的要求進(jìn)行靈活選用。
[0028]上述陰極層2包括依次層疊結(jié)合的金屬反射層21、具有對(duì)光透過(guò)性和導(dǎo)電性的干涉層22和半透金屬層23。其中，半透金屬層23與有機(jī)功能層3層疊結(jié)合，金屬反射層21與柔性聚合物基板I層疊結(jié)合，且金屬反射層21的與干涉層22結(jié)合的表面上分布有島狀的金屬顆粒210。該結(jié)構(gòu)的陰極層2中的半透金屬層23能對(duì)從陽(yáng)極層4端入射光起了半透半反射的作用，干涉層22不僅能使電子注入，更重要的是還能使半透金屬層23反射光與金屬反射層21界面發(fā)生的漫反射光的相位相反，達(dá)到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射，實(shí)現(xiàn)低的反射率。具體地，從陽(yáng)極層4端射向該結(jié)構(gòu)的陰極層2的光線反射和折射如圖1、2中所示，環(huán)境光線a從外部入射時(shí)，在半透金屬層23表面發(fā)生反射和折射，形成反射光線b，折射光線c透過(guò)干涉層22到達(dá)金屬反射層21表面，由于金屬反射層21的與干涉層22結(jié)合的表面分布有島狀的金屬顆粒210，從而使得折射光線c在分布有島狀的金屬顆粒210的界面并發(fā)生漫反射，形成漫反射光線d。由于光線d是漫反射，當(dāng)該柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置被撓曲時(shí)，在干涉層22的作用下，該漫反射光線d與反射光線b形成光線的干涉相消，消弱陰極層2產(chǎn)生的反射光，從而有效降低陰極層2的反射率，且保證了該柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置被撓曲過(guò)程中穩(wěn)定且低的反射率。
[0029]其中，該半透金屬層23與有機(jī)功能層3層疊結(jié)合，該半透金屬層23能使陽(yáng)極層4端發(fā)射來(lái)的光在其界面發(fā)生部分透過(guò)部分反射。為了更好的調(diào)節(jié)光線的反射和透過(guò)率，作為優(yōu)選實(shí)施例，該半透金屬層23的厚度為5?10nm，其厚度還可以根據(jù)材料的不同而靈活調(diào)整。作為另一優(yōu)選實(shí)施例，上述半透金屬層23金屬材料為Mg、Ag、Al、Ca中的任一種或兩者以上合金。應(yīng)該理解，只要能實(shí)現(xiàn)該半透金屬層23部分透過(guò)部分反射的其他厚度和其他能做陰極金屬材料也屬于本發(fā)明限定的范圍。
[0030]該干涉層22層疊在半透金屬層23和金屬反射層21之間，能使得兩層反射的光的相位相反，達(dá)到干涉相消的效果，有效減少了光總的反射。且干涉層22作為陰極2的一部分，因此，該干涉層22材料不僅僅必須具有光線透過(guò)性，還必須具有電子注入、傳輸能力和電導(dǎo)率。干涉層22材料包含有機(jī)電子傳輸材料和摻雜于所述有機(jī)電子傳輸材料中的堿金屬化合物，且所述堿金屬化合物摻雜量占所述干涉層材料總重量的5?50%。該互相摻雜的電子傳輸材料與堿金屬化合物產(chǎn)生對(duì)入射光的協(xié)同增效作用，賦予該干涉層22對(duì)入射光的干涉作用，與此同時(shí)，堿金屬化合物的摻雜，增強(qiáng)了干涉層22對(duì)電子注入能力，從而使得干涉層22能夠獲得對(duì)光非常好的干涉相消作用，以實(shí)現(xiàn)減反射的作用，具體的是使得從半透金屬層23透過(guò)的光傳遞至金屬反射層21并發(fā)生漫反射，以實(shí)現(xiàn)半透金屬層23與金屬反射層21反射光相抵消的效果。同時(shí)賦予陰極層2優(yōu)異的電子傳輸和注入性能。因此，該材料的干涉層22賦予本發(fā)明實(shí)施例柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置優(yōu)異的發(fā)光強(qiáng)度和高對(duì)比度。
[0031]為了實(shí)現(xiàn)該干涉層22對(duì)光更好的干涉作用和對(duì)電子的傳輸和注入性能，作為優(yōu)選實(shí)施例，該干涉層22材料中的有機(jī)電子傳輸材料為Alq3、TPB1、Bphen, PBD、BCP中的至少一種。當(dāng)然，該有機(jī)電子傳輸材料還可以是本領(lǐng)域常用的其他有機(jī)電子傳輸材料。
[0032]作為另一優(yōu)選實(shí)施例，該干涉層22材料中的堿金屬化合物為L(zhǎng)1、Na、Cs、Ru、K中至少一種的碳酸化合物、疊氮化合物、氮化物和/或硼氫化物。具體的如Li3N、CsN3、Rb2C03、KBH4、NaBH4 等。
[0033]作為又一優(yōu)選實(shí)施例，該干涉層22材料中的電子傳輸材料為Alq3、TPBi> Bphen>PBD、BCP中的至少一種；摻雜于電子傳輸材料中的堿金屬化合物為L(zhǎng)1、Na、Cs、Ru、K中至少一種的碳酸化合物、疊氮化合物、氮化物和/或硼氫化物。具體的如Li3N、CsN3、Rb2C03、KBH4、NaBH4 等。
[0034]通過(guò)調(diào)節(jié)干涉層22的厚度，能有效提高半透金屬層23與金屬反射層21漫反射光相抵消的效果。因此，作為優(yōu)選實(shí)施例，該干涉層22的厚度為60nm?80nm，在具體實(shí)施例中，其厚度可以是 60nm、65nm、70nm、75nm、80nm 等。
[0035]該金屬反射層21設(shè)置的目的是將從干涉層22傳輸來(lái)的光在其表面發(fā)生漫反射，并將該漫反射光通過(guò)干涉層22的干涉?zhèn)鬏敽笈c半透金屬層23界面發(fā)生反射的光互相抵消，以降低陰極層2的反射率。作為優(yōu)選實(shí)施例，該金屬反射層21的厚度為70?200nm。作為另一優(yōu)選實(shí)施例，上述金屬反射層21金屬材料為Ag, Al, Au, Ni, Mg中的任一種或兩者以上合金。應(yīng)該理解，只要能實(shí)現(xiàn)該金屬反射層21的反光作用的其他厚度和其他能做陰極金屬材料也屬于本發(fā)明限定的范圍，如不計(jì)成本，該金屬反射層21的厚度還可以是200nm以上。
[0036]作為又一實(shí)施例，該金屬反射層21的與干涉層22結(jié)合的表面上分布的島狀的金屬顆粒210粒徑為2?10nm，其材料為Ag，Al，Au，Ni，Mg中的任一種或兩者以上合金金屬顆粒。該特征的島狀的金屬顆粒210的分布，使得射向該表面的光發(fā)生漫反射效果更好，從而使得該柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置在被撓曲過(guò)程中具有穩(wěn)定的低反射率。
[0037]作為上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的另一優(yōu)選實(shí)施例，上述半透金屬層23的厚度為5?10nm，干涉層22的厚度為60?80nm，金屬反射層21的厚度為70?200nm，且金屬反射層21的與干涉層22結(jié)合的表面上分布的島狀的金屬顆粒210粒徑為2?10nm，其材料為Ag，Al，Au，Ni，Mg中的任一種或兩者以上合金金屬顆粒。該優(yōu)選實(shí)施例中各層厚度以及金屬反射層21界面的島狀的金屬顆粒210分布的組合，能使得半透金屬層23和金屬反射層21漫反射的光干涉相消的效果更好，使得陰極層2更穩(wěn)定的低反射率。
[0038]作為上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的再一優(yōu)選實(shí)施例，上述半透金屬層23材料為Mg、Ag、Al、Ca中的任一種或兩者以上合金，干涉層22材料為含互相摻雜的上述有機(jī)電子傳輸材料和上述堿金屬化合物，金屬反射層21材料為Ag, Al, Au, Ni, Mg中的任一種或兩者以上合金。該優(yōu)選實(shí)施例中各層所選用材料的組合，賦予陰極層2更低的且穩(wěn)定的反射率和電子注入性能。
[0039]作為上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的又一優(yōu)選實(shí)施例，上述半透金屬層23材料為Mg、Ag、Al、Ca中的任一種或兩者以上合金，且其厚度為5?1nm ;干涉層22材料為含互相摻雜的上述有機(jī)電子傳輸材料和上述堿金屬化合物，且其厚度為60?80nm ;金屬反射層21材料為Ag，Al，Au，Ni，Mg中的任一種或兩者以上合金，且其厚度為70?200nm和其與干涉層22結(jié)合的表面上分布的島狀的金屬顆粒210粒徑為2?10nm，其材料為Ag，Al，Au,Ni,Mg中的任一種或兩者以上合金金屬顆粒。該優(yōu)選實(shí)施例中各層厚度和材料的組合，能使得半透金屬層23反射光和金屬反射層21漫反射的光干涉相消的效果更好，使得陰極層2有更低的且穩(wěn)定的反射率以及優(yōu)異的電子注入性能。
[0040]上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置實(shí)施例中的有機(jī)功能層3包括依次層疊結(jié)合的電子注入層31、電子傳輸層32、發(fā)光層33、空穴傳輸層34、空穴注入層35，且電子注入層31與陰極層2層疊結(jié)合，具體地，電子注入層31與陰極層2層中半透金屬層23的與干涉層22結(jié)合面相對(duì)的表面層疊結(jié)合，如圖1所示。
[0041]在具體實(shí)施例中，上述電子注入層31材料可以LiF, CsF, NaF, MgF2等至少一種等堿金屬的鹵化物，當(dāng)然，該電子注入層31材料還可以選用碘化鋰、碘化鉀、碘化鈉、碘化銫、碘化銣中的至少一種等堿金屬的鹵化物。電子注入層31的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。該電子注入層31的設(shè)置能有效增強(qiáng)其與陰極層2之間的歐姆接觸，加強(qiáng)了導(dǎo)電性能，進(jìn)一步提高陰極層2端的電子注入能力，以進(jìn)一步平衡載流子，控制復(fù)合區(qū)域，在發(fā)光層中增加激子量，獲得了理想的發(fā)光亮度和發(fā)光效率。正因如此，該電子注入層31也可以根據(jù)實(shí)際的需要不設(shè)置，也就是說(shuō)，電子傳輸層32可以直接與陰極層2直接層疊結(jié)合。
[0042]上述電子傳輸層32材料可以是2_(4_聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4_ Il惡二唑(PBD)、(8-羥基喹啉)_鋁(Alq3)、4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)、l，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi )、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)中至少一種。當(dāng)然，電子傳輸層32材料還可以是本領(lǐng)域公知的其他電子傳輸材料，其厚度也可以采用本領(lǐng)域常用的厚度。
[0043]上述發(fā)光層33材料可以是客體材料與主體材料摻雜混合物。其中，客體材料為發(fā)光材料，其包括4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、雙(4，6-二氟苯基吡啶)_四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq) 3)、三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)中的至少一種；主體材料包括4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)U, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、N, N’-二苯基-N, N，-二 (1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)中的至少一種。主、客體材料可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)和應(yīng)用的需要進(jìn)行靈活復(fù)合，且客體材料與主體材料的質(zhì)量比可以為I?10:100。
[0044]另外，該發(fā)光層33材料還可以選用熒光材料4，4’ - 二(2，2- 二苯乙烯基)_1，l’-K*(DPVBi)、4，4’-| [4-( 二對(duì)甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯(DPAVBi)、5,6, 11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)、二甲基喹吖啶酮(DMQA)等材料中的至少一種。該發(fā)光層33的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。
[0045]上述空穴傳輸層34材料可以是NPB (N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺)、TPD (N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (3-甲基苯基)-1, I，-聯(lián)苯 _4，4’ - 二胺)、MeO-TPD (N, N, N，，N，-四甲氧基苯基)-對(duì)二氨基聯(lián)苯),MeO-Spr1-TPD (2，7-雙(N, N- 二(4-甲氧基苯基)氨基)_9，9-螺二芴)中的至少一種。當(dāng)然，該空穴傳輸層34材料還可以是本領(lǐng)域常用的其他材料，如4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)等。空穴傳輸層34的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。
[0046]上述空穴注入層35材料可以是ZnPc (酞菁鋅)、CuPc(酞菁銅)、V0Pc (酞菁氧釩)、T1Pc (酞菁氧鈦)中的至少一種。當(dāng)然，該空穴注入層35材料還可以是本領(lǐng)域常用的其他材料，如W03、V0x、W0x或MoO3等氧化物，或者無(wú)機(jī)空穴注入層材料與有機(jī)空穴注入層材料的摻雜混合物?？昭ㄗ⑷雽?5的厚度也可按照本領(lǐng)域常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。該空穴注入層35的設(shè)置，能有效增強(qiáng)其與陽(yáng)極層4間的歐姆接觸，加強(qiáng)了導(dǎo)電性能，提高陽(yáng)極層4端的空穴注入能力。正因如此，該空穴注入層35也可以根據(jù)實(shí)際的需要不設(shè)置，也就是說(shuō)，空穴傳輸層34可以直接與陽(yáng)極層4直接層疊結(jié)合。
[0047]在進(jìn)一步優(yōu)選實(shí)施例中，在如圖1所不的有機(jī)功能層3的基礎(chǔ)上,上述有機(jī)功能層3還可以設(shè)置空穴阻擋層36和電子阻擋層37和，如圖2所示。其中，該電子阻擋層37層疊結(jié)合在空穴傳輸層34與發(fā)光層33之間，空穴阻擋層36層疊結(jié)合在發(fā)光層33與電子傳輸層32之間。該電子阻擋層37的設(shè)置能將在發(fā)光層33中未形成激子的電子盡可能的阻擋截留在發(fā)光層33中，空穴阻擋層36的設(shè)置能將在發(fā)光層33中未形成激子的空穴盡可能的阻擋截留在發(fā)光層33中，以提高發(fā)光層33中的電子與空穴相遇機(jī)率，以提高兩者復(fù)合而形成的激子量，并將激子能量傳遞給發(fā)光材料，從而激發(fā)發(fā)光材料的電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過(guò)輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能，以達(dá)到增強(qiáng)發(fā)光層33的發(fā)光強(qiáng)度的目的。當(dāng)然，該電子阻擋層37和空穴阻擋層36可以根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)的情況和應(yīng)用的需要擇一設(shè)置，其選用的材料和厚度可以按照本領(lǐng)域常用的材料和常規(guī)的厚度進(jìn)行設(shè)置。
[0048]上述陽(yáng)極層4作為上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的出光面，因此，其厚度優(yōu)選為為18?35nm。該陽(yáng)極層4材料優(yōu)選為Ag、Au、Al中的任一種或兩種以上的合金,或者為銦錫氧化物薄膜(ΙΤ0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、或鋁鋅氧化物(ΑΖ0)、鎵鋅氧化物(GZO)中的至少一種，該優(yōu)選的陽(yáng)極材料導(dǎo)電性能優(yōu)異。當(dāng)然，該陽(yáng)極層4材料和厚度還可以是本領(lǐng)域常規(guī)的其他材料和厚度。
[0049]由上述可知，上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置通過(guò)將陰極設(shè)置成依次層疊結(jié)合的金屬反射層21、具有對(duì)光透過(guò)性和導(dǎo)電性的干涉層22、半透金屬層23結(jié)構(gòu)，通過(guò)陰極層2的光反射抵消作用，從而有效降低了該柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的陰極對(duì)光的反射率，提高了其的對(duì)比度。特別的是將金屬反射層21的與干涉層22結(jié)合的表面上分布島狀金屬顆粒210起到漫反射作用，當(dāng)該柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置在被撓曲時(shí)，從而保證了其在多個(gè)角度的反射率不發(fā)生變化，使其反射率穩(wěn)定。另外，通過(guò)選用金屬反射層21、具有對(duì)光透過(guò)性和導(dǎo)電性的干涉層22、半透金屬層23的材料和厚度，能進(jìn)一步降低上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的陰極對(duì)光的反射率和反射率的穩(wěn)定性，提高了其的對(duì)比度。
[0050]相應(yīng)地，上述實(shí)施例柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置制備方法可以按照如圖3所以示。的工藝流程制備，同時(shí)參見圖1?2，其制備方法包括如下步驟:
[0051]S01.提供柔性聚合物基板I ;
[0052]S02.制備陰極層2:在真空鍍膜系統(tǒng)中，將金屬反射層材料蒸鍍?cè)谌嵝跃酆衔锘錓 一表面成膜，形成金屬層，接著采用蒸鍍工藝在金屬層外面表制備島狀的金屬顆粒210，該金屬層及其外表面分布的島狀的金屬顆粒210 —起構(gòu)成了金屬反射層21 ;再在金屬反射層21外表面依次蒸鍍干涉層22材料和半透金屬層23材料，分別制備干涉層22和半透金屬層23，形成陰極層2;
[0053]S03.制備有機(jī)功能層3:在步驟S02制備陰極層2的與基板I相結(jié)合面相對(duì)的表面依次蒸鍍電子注入層材料、電子傳輸層材料、發(fā)光層材料、空穴傳輸層材料和空穴注入層材料，分別制備電子注入層31、電子傳輸層32、發(fā)光層33、空穴傳輸層34和空穴注入層35,形成有機(jī)功能層3 ；
[0054]S04.制備陽(yáng)極層4:在真空鍍膜系統(tǒng)中，在有機(jī)功能層3外表面蒸鍍陽(yáng)極材料，形成陽(yáng)極層4。
[0055]具體地，上述SOl步驟中，柔性聚合物基板I的結(jié)構(gòu)、材料及規(guī)格如上文所述，為了篇幅，在此不再贅述。另外，在該SOl步驟中，還包括對(duì)基板I的前期處理步驟，如清洗去污的步驟，具體清洗去污的步驟如下文實(shí)施例1的步驟I。
[0056]上述步驟S02中，蒸鍍金屬反射層21中的金屬層時(shí)，蒸鍍金屬反射層材料的速率為0.05?0.5nm/s,蒸鍍制備島狀金屬顆粒210時(shí),可以采用同樣的金屬反射層也可以采用不同的金屬反射層，但是蒸鍍速度改為0.5?lnm/s,蒸鍍時(shí)間為5?1s,采用較快的蒸鍍速度和較短的蒸鍍時(shí)間，使在金屬層表面形成島狀的金屬顆粒，從而形成金屬反射層21。
[0057]該步驟S02中，蒸鍍干涉層22半透金屬層23所選用的材料以及厚度均勻如上文所述。其中，干涉層22的速率依據(jù)摻雜比例調(diào)節(jié)，其中摻雜劑堿金屬化合物的蒸鍍速度優(yōu)選為0.01?0.lnm/s之間,有機(jī)電子傳輸材料的蒸鍍速度優(yōu)選為0.02?0.2nm/s,半透金屬層材料的蒸鍍速度優(yōu)選為0.1?0.5nm/s。
[0058]上述步驟S03中，蒸鍍電子注入層31、電子傳輸層32、發(fā)光層33、空穴傳輸層34和空穴注入層35所選用的材料以及厚度均勻如上文所述。蒸鍍各層所涉及到工藝條件優(yōu)選為真空沉積成膜的工作壓強(qiáng)為I X 10_5?I X 10?,有機(jī)材料的蒸發(fā)速度為0.01?lnm/s。
[0059]當(dāng)有機(jī)功能層3如上文所述，其包括依次層疊結(jié)合的電子注入層31、電子傳輸層32、空穴阻擋層36、發(fā)光層33、電子阻擋層37、空穴傳輸層34和空穴注入層35時(shí)，或者其只包括依次層疊結(jié)合的電子傳輸層32、空穴阻擋層36、發(fā)光層33、電子阻擋層37和空穴傳輸層34時(shí),或者其包括依次層疊結(jié)合的電子傳輸層32、發(fā)光層33和空穴傳輸層34時(shí),制備有機(jī)功能層3的方法是在陰極層2外表面依次蒸鍍?cè)摳鲗咏Y(jié)構(gòu)。
[0060]上述步驟S04中，蒸鍍陽(yáng)極層4所用的陽(yáng)極材料和制備得到的陽(yáng)極層4的厚度均如上文所述，在此不再贅述。其蒸鍍條件采用本領(lǐng)域常規(guī)的工藝條件即可，如金屬的蒸鍍速度優(yōu)選為0.2?2nm/s，真空沉積成膜的工作壓強(qiáng)為I X 10_5?I X 10_3Pa。
[0061]當(dāng)然，還應(yīng)當(dāng)理解，關(guān)于本發(fā)明實(shí)施例柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法還應(yīng)該包括該柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置后續(xù)的封裝方法。
[0062]上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的制備方法簡(jiǎn)單易控，良品率高，降低了生產(chǎn)成本。
[0063]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示屏，其包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，當(dāng)然還包括應(yīng)用與顯示屏的其他必要模塊。其中，該顯示模塊中包括如上述的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，具體地，在顯示模塊中，上文所述的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置按照矩陣排布，因此，由該柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置所構(gòu)成的顯示屏可以是柔性的。由于該顯示屏含有上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，因此其具有高對(duì)比度，其顯示畫面清晰。
[0064]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步提供了一種設(shè)有顯示屏的終端，該終端的顯示屏為上述含有柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯示器。當(dāng)然，應(yīng)該理解，根據(jù)該終端的類型不同，該終端除了含有上文所述的顯示屏之外，還含有其他必要模塊或/和器件。因此，該終端可以是非便攜式終端和便攜式終端。非便攜式終端可以是大型家電(如電視機(jī)、臺(tái)式電腦顯示器、設(shè)有顯示屏的空調(diào)、洗衣機(jī)等)、工廠設(shè)有顯示屏的機(jī)床等；便攜式終端可以是手機(jī)、平板電腦、筆記本計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理、游戲機(jī)和電子書等。這樣，由于該終端的顯示屏為上述含有柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置的顯示屏，因此電子器件的顯示屏對(duì)比度高，畫面清晰。
[0065]當(dāng)然，上文所述的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置還可以在特性照明領(lǐng)域中應(yīng)用，如在要求反射率低的照明領(lǐng)域中應(yīng)用。
[0066]以下通過(guò)多個(gè)實(shí)施例來(lái)舉例說(shuō)明上述柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置等方面。
[0067]實(shí)施例1
[0068]一種陰極具有穩(wěn)定的低反射率的且陽(yáng)極作為出光面的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:PET 基板/Ag(70nm)/Alq3:Li3N(50%) (60nm)/Al (5nm) / 電子注入層(LiF, Inm)/ 電子傳輸層(TPBi, 40nm) / 發(fā)光層(Rubrene, 5nm)/ 空穴傳輸層(NPB, 30nm) / 空穴注入層(CuPc, 1nm)/Au(30nm)。其中，Ag(70nm)/Alq3:Li3N(50%) (60nm)/Al (5nm)構(gòu)成陰極。且陰極中的反射層Ag(70nm)的與干涉層Alq3:Li3N(50%) (60nm)相結(jié)合的表面上分布有粒徑為7nm的島狀分布的Ag顆粒。
[0069]其制備方法如下:
[0070](I)將PET基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0071](2)在真空度為10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板上制備陰極；具體地，首先制備反射電極，材質(zhì)為金屬Ag,厚度為70nm,蒸鍍速度為0.05nm/s,蒸鍍完畢后,用0.5nm/s的速度蒸鍍金屬Ag,時(shí)間為1s,在Ag層表面形成島狀分布的Ag顆粒,完畢后,蒸鍍干涉層,材質(zhì)為L(zhǎng)i3N摻雜的Alq3，摻雜質(zhì)量比為50% (Li3N占干涉層中質(zhì)量的50%)，其中Li3N的蒸鍍速度為0.05nm/s, Alq3的蒸鍍速度為0.lnm/s,厚度為60nm,隨后,在干涉層表面蒸鍍半透半反射層，材質(zhì)為金屬Al,厚度為5nm,蒸鍍速度為0.lnm/s,形成陰極；
[0072](3)在陰極表面制備有機(jī)功能層，依次為電子注入層，材質(zhì)為L(zhǎng)iF，電子傳輸層材質(zhì)為TPBi，發(fā)光層材質(zhì)為Rubrene，空穴傳輸層材質(zhì)為NPB，空穴注入層材質(zhì)為CuPc，厚度依次為 lnm, 40nm, 5nm, 30nm, 1nm,蒸鍛速度依次為 0.02nm/s, 0.5nm/s, 0.lnm/s, 0.5nm/s,
0.2nm/s ;
[0073](4)在有機(jī)功能層外表面制備陽(yáng)極,材質(zhì)為薄層金屬Au,厚度為30nm,蒸鍍速度為
0.05nm/s ;
[0074](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0075]實(shí)施例2
[0076]一種陰極具有穩(wěn)定的低反射率的且陽(yáng)極作為出光面的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:PET 基板 /Al (200nm) /BpheniCsN3 (10%) (65nm) /Ag (7nm) / 電子注入層(LiF, Inm)/ 電子傳輸層(TPBi, 40nm) / 發(fā)光層(Rubrene, 5nm) / 空穴傳輸層(NPB, 30nm) / 空穴注入層(CuPc, 1nm)/Ag(20nm)。其中，Al (200nm)/Bphen:CsN3(10%) (65nm)/Ag(7nm)構(gòu)成陰極。且陰極中的反射層Al (200nm)的與干涉層Bphen:CsN3(10%) (65nm)相結(jié)合的表面上分布有粒徑約為2nm，的島狀分布的Al顆粒。
[0077]其制備方法如下:
[0078](I)將PET基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0079](2)在真空度為10_3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板上制備陰極；具體地，首先制備反射電極，材質(zhì)為金屬Al,厚度為200nm,蒸鍍速度為0.5nm/s,蒸鍍完畢后,用lnm/s的速度蒸鍍金屬Al，時(shí)間為5s，在Al層表面形成島狀分布的Al顆粒，完畢后，蒸鍍干涉層，材質(zhì)為CsN3摻雜的Bphen，摻雜質(zhì)量比為10%，其中Cs3N的蒸鍍速度為0.01nm/s,Alq3的蒸鍍速度為0.lnm/s,厚度為65nm,隨后,在干涉層表面蒸鍍半透半反射層,材質(zhì)為金屬Ag,厚度為7nm,蒸鍍速度為0.5nm/s,形成陰極；
[0080](3)在陰極表面制備有機(jī)功能層，參照實(shí)施例1的步驟(3)；
[0081](4)在有機(jī)功能層外表面制備陽(yáng)極,材質(zhì)為薄層金屬Ag,厚度為20nm,蒸鍍速度為0.02nm/s ；
[0082](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0083]實(shí)施例3
[0084]一種陰極具有穩(wěn)定的低反射率的且陽(yáng)極作為出光面的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為 PI 基板 /Au (10nm) /TPB1: Rb2CO3 (5%) (80nm) /Mg (1nm) / 電子注入層(LiF, Inm)/ 電子傳輸層(TPBi, 40nm) / 發(fā)光層(Rubrene, 5nm)/ 空穴傳輸層(NPB, 30nm) / 空穴注入層(CuPc, 1nm)/ITO (50nm)。其中，Au (10nm)/TPB1: Rb2CO3 (5%) (80nm)/Mg (1nm)構(gòu)成陰極。且陰極中的反射層Au(10nm)的與干涉層TPB1: Rb2CO3 (5%) (80nm)相結(jié)合的表面上分布有粒徑約為5nm，的島狀分布的Au顆粒。
[0085]其制備方法如下:
[0086](I)將PI基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0087](2)在真空度為10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板上制備陰極；具體地，首先制備反射電極，材質(zhì)為金屬Au,厚度為10nm,蒸鍍速度為0.lnm/s,蒸鍍完畢后,用lnm/s的速度蒸鍍金屬Au，時(shí)間為6s，在Au層表面形成島狀分布的Au顆粒，完畢后，蒸鍍干涉層，材質(zhì)為Rb2CO3摻雜的TPBi，摻雜質(zhì)量比為5%，其中Rb2CO3的蒸鍍速度為0.0 lnm/s, TPBi的蒸鍍速度為0.2nm/s,厚度為80nm,隨后,在干涉層表面蒸鍍半透半反射層,材質(zhì)為金屬M(fèi)g,厚度為1nm,蒸鍍速度為0.5nm/s,形成陰極；
[0088](3)在陰極表面制備有機(jī)功能層，參照實(shí)施例1的步驟(3);
[0089](4)在有機(jī)功能層外表面制備陽(yáng)極,材質(zhì)為ΙΤ0,采用派射工藝制備,厚度為50nm,蒸鍍速度為0.0 lnm/s ；
[0090](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0091]實(shí)施例4
[0092]一種陰極具有穩(wěn)定的低反射率的且陽(yáng)極作為出光面的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:PES 基板 /Mg (10nm) /PBD:NaBH4 (5%) (70nm) /Ca (1nm) / 電子注入層(LiF, Inm)/ 電子傳輸層(TPBi, 40nm) / 發(fā)光層(Rubrene, 5nm)/ 空穴傳輸層(NPB, 30nm) / 空穴注入層(CuPc, 1nm)/AZO(70nm)。其中，Mg(10nm)/PBD:NaBH4(5%) (70nm)/Ca(1nm)構(gòu)成陰極。且陰極中的反射層Mg(10nm)的與干涉層PBD = NaBH4 (5%) (70nm)相結(jié)合的表面上分布有粒徑約為4nm，的島狀分布的Mg顆粒。
[0093]其制備方法如下:
[0094](I)將PES基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0095](2)在真空度為10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板上制備陰極；具體地，首先制備反射電極，材質(zhì)為金屬M(fèi)g,厚度為10nm,蒸鍍速度為0.2nm/s,蒸鍍完畢后,用0.6nm/s的速度蒸鍍金屬M(fèi)g,時(shí)間為8s,在Mg層表面形成島狀分布的Mg顆粒,完畢后，蒸鍍干涉層，材質(zhì)為NaBH4摻雜的PBD，摻雜質(zhì)量比為50%，其中NaBH4的蒸鍍速度為0.0 lnm/s, PBD的蒸鍍速度為0.02nm/s,厚度為70nm,隨后,在干涉層表面蒸鍍半透半反射層,材質(zhì)為金屬Ca,厚度為1nm,蒸鍍速度為0.2nm/s,形成陰極；
[0096](3)在陰極表面制備有機(jī)功能層，參照實(shí)施例1的步驟(3)；
[0097](4)在有機(jī)功能層外表面制備陽(yáng)極,材質(zhì)為ΑΖ0,采用派射工藝制備,厚度為70nm,蒸鍍速度為0.0 lnm/s ；
[0098](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0099]實(shí)施例5
[0100]一種陰極具有穩(wěn)定的低反射率的且陽(yáng)極作為出光面的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為=PEN 基板 /Ni (10nm) /BCP: KBH4 (5%) (75nm) /Ca (1nm) / 電子注入層(LiF, Inm)/ 電子傳輸層(TPBi, 40nm) / 發(fā)光層(Rubrene, 5nm)/ 空穴傳輸層(NPB, 30nm) / 空穴注入層(CuPc, 1nm)/IZO(50nm)。其中，Mg(10nm)/PBD:NaBH4(5%) (70nm)/Ca(1nm)構(gòu)成陰極。且陰極中的反射層Ni (10nm)的與干涉層BCP = KBH4 (5%) (75nm)相結(jié)合的表面上分布有粒徑約為10nm，的島狀分布的Ni顆粒。
[0101]其制備方法如下:
[0102](I)將PEN基板用清洗劑清洗，然后用蒸餾水，丙酮依次超聲清洗；
[0103](2)在真空度為10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在基板上制備陰極；具體地，首先制備反射電極，質(zhì)為金屬Ni,厚度為10nm,蒸鍍速度為0.2nm/s,蒸鍍完畢后,用lnm/s的速度蒸鍍金屬Ni，時(shí)間為10s，在Ni層表面形成島狀分布的Ni顆粒，完畢后，蒸鍍干涉層，材質(zhì)為KBH4摻雜的BCP，摻雜質(zhì)量比為20%，其中NaBH4的蒸鍍速度為0.04nm/s, PBD的蒸鍍速度為0.2nm/s,厚度為75nm,隨后,在干涉層表面蒸鍍半透半反射層,材質(zhì)為金屬Ca,厚度為1nm,蒸鍍速度為0.2nm/s,形成陰極；
[0104](3)在陰極表面制備有機(jī)功能層，參照實(shí)施例1的步驟(3)；
[0105](4)在有機(jī)功能層外表面制備陽(yáng)極,材質(zhì)為ΙΖ0,采用派射工藝制備,厚度為50nm,蒸鍍速度為0.02nm/s ；
[0106](5)制備完畢后，采用玻璃蓋板進(jìn)行封裝。
[0107]對(duì)比實(shí)例I
[0108]一種陽(yáng)極作為出光面的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其結(jié)構(gòu)為:PET基板/Ag(70nm)/Alq3:Li3N(50%) (60nm)/Al (5nm)/ 電子注入層(LiF, Inm)/ 電子傳輸層(TPBi, 40nm) / 發(fā)光層(Rubrene, 5nm) / 空穴傳輸層(NPB, 30nm) / 空穴注入層(CuPc, 1nm) /Au(30nm)。其中，Ag(70nm)/Alq3:Li3N(50%) (60nm)/Al (5nm)構(gòu)成陰極,其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1中的裝置類似，不同之處在于陰極中的反射層Ag (70nm)的與干涉層Alq3: Li3N (50%) (60nm)相結(jié)合的表面上不設(shè)置分布有的島狀分布的Ag顆粒。
[0109]柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置進(jìn)行相關(guān)性能測(cè)試
[0110]將上述實(shí)施例1至實(shí)施例5制備的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置和對(duì)比實(shí)例I制備柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置不點(diǎn)亮?xí)r進(jìn)行反射率測(cè)試，在對(duì)比過(guò)程中，將各柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置按照不同的彎曲程度進(jìn)行測(cè)試反射率，如圖4所示。將發(fā)光器件的原始長(zhǎng)度(寬度)定為L(zhǎng)0，如圖4 (a)，經(jīng)過(guò)彎曲后，長(zhǎng)度(寬度)縮短為L(zhǎng)，如圖4 (a)，當(dāng)器件的彎曲程度不同時(shí)，該L值也會(huì)隨著相應(yīng)變化。計(jì)算不同LO:L比值下，柔性O(shè)LED器件的反射率，測(cè)試結(jié)果如下述表1。
[0111]表1
[0112]

【權(quán)利要求】
1.一種柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，包括依次層疊結(jié)合的柔性聚合物基板、陰極層、有機(jī)功能層和作為出光面的陽(yáng)極層，所述有機(jī)功能層包括在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光的發(fā)光層，其特征在于:所述陰極層包括依次層疊結(jié)合的半透金屬層、具有對(duì)光透過(guò)性和導(dǎo)電性的干涉層、金屬反射層，且所述半透金屬層與有機(jī)功能層層疊結(jié)合，所述金屬反射層與柔性聚合物基板層疊結(jié)合；其中，所述金屬反射層的與干涉層結(jié)合的表面上分布有島狀的金屬顆粒；所述干涉層材料包含有機(jī)電子傳輸材料和摻雜于所述有機(jī)電子傳輸材料中的堿金屬化合物，且所述堿金屬化合物摻雜量占所述干涉層材料總重量的5?50%。
2.如權(quán)利要求1所述的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述島狀的金屬顆粒粒徑為2?10nm。
3.如權(quán)利要求1所述的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述堿金屬化合物為L(zhǎng)1、Na、Cs、Ru、K中至少一種的碳酸化合物、疊氮化合物、氮化物和/或硼氫化物。
4.如權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述干涉層的厚度為60nm?80nm。
5.如權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述半透金屬層的厚度為5nm?10nm。
6.如權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于:所述金屬反射層的厚度為70?200nm。
7.如權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其特征在于: 所述半透金屬層的厚度為5?1nm ； 所述干涉層的厚度為60?80nm ； 所述金屬反射層的厚度為70?200nm。
8.—種如權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置，其包括如下陰極層的制備步驟: 在真空鍍膜系統(tǒng)中，將金屬反射層材料蒸鍍?cè)谌嵝跃酆衔锘逡槐砻娉赡?，形成金屬層；其中，蒸鍍所述金屬反射層材料的速率?.05?0.5nm/s ； 采用蒸鍍工藝，將金屬反射層材料蒸鍍?cè)谒鼋饘賹油饷姹碇苽鋶u狀分布的金屬顆粒；其中，蒸鍍所述島狀的金屬顆粒時(shí)的金屬反射層材料蒸鍍速率為0.5?lnm/s，蒸鍍時(shí)間為5?10s。
9.一種顯示屏，包括顯示模塊和用于控制顯示模塊的控制模塊，其特征在于:所述顯示模塊含有如權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的柔性倒置有機(jī)電致發(fā)光裝置。
10.一種設(shè)有顯示屏的終端，所述終端的顯示屏為如權(quán)利要求9所述的顯示屏。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK104183766SQ201310193571
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月22日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 陳吉星, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司