有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；所述發(fā)光層的材料為客體材料、第一主體材料和第二主體材料混合形成的混合物。這種有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比自靠近空穴傳輸層的一側(cè)至遠(yuǎn)離空穴傳輸層的一側(cè)梯次提高，客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比自靠近空穴傳輸層的一側(cè)至遠(yuǎn)離空穴傳輸層的一側(cè)梯次降低，通過主體材料和客體材料的漸進(jìn)式混合，提高了主客體的能量轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明還公開了一種上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)具有一些獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):(I)OLED屬于擴(kuò)散型面光源，不需要像發(fā)光二極管(LED) —樣通過額外的導(dǎo)光系統(tǒng)來獲得大面積的白光光源；(2)由于有機(jī)發(fā)光材料的多樣性，OLED照明可根據(jù)需要設(shè)計(jì)所需顏色的光，目前無論是小分子0LED，還是聚合物有機(jī)發(fā)光二極管(PLED)都已獲得了包含白光光譜在內(nèi)的所有顏色的光；(3)OLED可在多種襯底如玻璃、陶瓷、金屬、塑料等材料上制作，這使得設(shè)計(jì)照明光源時(shí)更加自由；(4)采用制作OLED顯示的方式制作OLED照明面板，可在照明的同時(shí)顯示信息；(5)0LED在照明系統(tǒng)中還可被用作可控色，允許使用者根據(jù)個(gè)人需要調(diào)節(jié)燈光氛圍。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率一直是評(píng)價(jià)有機(jī)電致發(fā)光器件性能的重要指標(biāo)。傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層的材料通常是均勻摻雜了客體材料的主體材料，由于主客體的能量轉(zhuǎn)換效率相對(duì)較低，導(dǎo)致傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；
[0006]所述發(fā)光層的材料為客體材料、第一主體材料和第二主體材料混合形成的混合物；
[0007]所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比自靠近所述空穴傳輸層的一側(cè)至遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層的一側(cè)梯次提高；
[0008]所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比自靠近所述空穴傳輸層的一側(cè)至遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層的一側(cè)梯次降低；
[0009]所述客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥或三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥；
[0010]所述第一主體材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’-(1,3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N，- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、1，1- 二 [4_[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒或3-叔丁基_9，10- 二(2-萘)蒽；
[0011]所述第二主體材料為2，2’ -(1，3_苯基)二 [5_(4_叔丁基苯基)-1，3，4_惡二唑]、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、2，8-二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩、4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉或N-芳基苯并咪唑；
[0012]所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比為1.2?10.8:100 ；
[0013]所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比為0.2?4.8:100。
[0014]在一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層由依次層疊并且厚度相同的第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成，并且所述第一發(fā)光層層疊于所述空穴傳輸層上；
[0015]所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比梯次遞增；
[0016]所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比梯次遞減。
[0017]在一個(gè)實(shí)施例中，所述第四發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比是所述第一發(fā)光層中的所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比的1.5倍；
[0018]所述第三發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比是所述第四發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比的2倍；
[0019]并且所述第四發(fā)光層中的所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比是所述第四發(fā)光層中的所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比的9倍。
[0020]在一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層的厚度為1nm?30nm。
[0021]在一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴注入層的材料為摻雜有金屬氧化物的空穴傳輸材料；
[0022]所述金屬氧化物為MoO3、WO3、V2O5或ReO3 ；
[0023]所述空穴傳輸材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷；
[0024]所述金屬氧化物與所述空穴傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100 ；
[0025]所述空穴注入層的厚度為1nm?15nm。
[0026]在一個(gè)實(shí)施例中，所述空穴傳輸層的材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N’-二(3-甲基苯基)-N, N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺或 1，1-二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氣基]苯基]環(huán)己燒；
[0027]所述空穴傳輸層的厚度為30nm?50nm。
[0028]在一個(gè)實(shí)施例中，所述電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、4，7_二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；
[0029]所述電子傳輸層的厚度為1nm?60nm。
[0030]在一個(gè)實(shí)施例中，所述電子注入層的材料為摻雜有第一鹽和第二鹽的電子傳輸材料；
[0031 ]所述第一鹽為 LiF、LiN3、Li3N, CsF、CsN3 或 Cs3N ；
[0032]所述第二鹽為L(zhǎng)i2SO4' Na2SO4' K2SO4' Rb2SO4 或 Cs2SO4 ；
[0033]所述電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯；
[0034]所述第一鹽與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100 ；
[0035]所述第二鹽與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為6?25:100 ；
[0036]所述電子注入層的厚度為15nm?45nm。
[0037]—種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0038]對(duì)導(dǎo)電陽極基底進(jìn)行表面預(yù)處理；
[0039]在所述導(dǎo)電陽極基底上依次蒸鍍形成空穴注入層和空穴傳輸層；
[0040]在所述空穴傳輸層上蒸鍍形成發(fā)光層，所述發(fā)光層的材料為客體材料、第一主體材料和第二主體材料混合形成的混合物，所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比自靠近所述空穴傳輸層的一側(cè)至遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層的一側(cè)梯次提高，所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比自靠近所述空穴傳輸層的一側(cè)至遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層的一側(cè)梯次降低，所述客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥或三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥，所述第一主體材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺、1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒或3-叔丁基-9，10- 二(2-萘)蒽，所述第二主體材料為2，2’ -(I, 3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-惡二唑]、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1, 10-鄰二氮雜菲、2，8- 二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩、4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉或N-芳基苯并咪唑，所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比為1.2?10.8:100，所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比為0.2?4.8:100 ;以及
[0041 ] 在所述發(fā)光層上依次蒸鍍形成電子傳輸層、電子注入層和陰極層。
[0042]在一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述空穴傳輸層上蒸鍍形成發(fā)光層的步驟為:
[0043]在所述空穴傳輸層上依次蒸鍍形成厚度相同的第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層，所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層組成所述發(fā)光層，所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比梯次遞增，所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比梯次遞減。
[0044]這種有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比自靠近空穴傳輸層的一側(cè)至遠(yuǎn)離空穴傳輸層的一側(cè)梯次提高，客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比自靠近空穴傳輸層的一側(cè)至遠(yuǎn)離空穴傳輸層的一側(cè)梯次降低，通過主體材料和客體材料的漸進(jìn)式混合，提高了主客體的能量轉(zhuǎn)換效率。相對(duì)于傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，這種有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0045]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖2為如圖1所不的有機(jī)電致發(fā)光器件的一實(shí)施例的發(fā)光層的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0047]圖3為如圖1所示有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0048]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0049]如圖1所示的一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底10、空穴注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、電子傳輸層50、電子注入層60和陰極層70。
[0050]導(dǎo)電陽極基底10可以為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)。在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，導(dǎo)電陽極基底10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)。
[0051]陽極導(dǎo)電基底10的導(dǎo)電層的厚度可以為80nm?150nm。
[0052]空穴注入層20的材料可以為摻雜有金屬氧化物的空穴傳輸材料。
[0053]金屬氧化物可以為Mo03、WO3J2O5或ReO3。
[0054]空穴傳輸材料可以為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或 1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。
[0055]金屬氧化物與空穴傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100。
[0056]空穴注入層20的厚度可以為1nm?15nm。
[0057]空穴傳輸層30的材料可以為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4,4’- 二胺(咿8)、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或 1，1-二[4-[N, N1-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。
[0058]空穴傳輸層30的厚度可以為30nm?50nm。
[0059]發(fā)光層40的材料可以為客體材料、第一主體材料和第二主體材料混合形成的混合物。
[0060]客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比為1.2?10.8:100。
[0061]客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比為0.2?4.8:100。
[0062]第一主體材料和第二主體材料不同。
[0063]客體材料可以為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy) 2 (acac))或三[2_(對(duì)甲苯基)批]合銥(Ir (mppy) 3)。
[0064]第一主體材料可以為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9，9’-(1，3_苯基)二 -9H-咔唑(mCP)、4, 4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))、1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)或 3-叔丁基-9，10- 二(2-萘)蒽(MADN)。
[0065]第二主體材料可以為2，2’ - (I, 3-苯基)二 [5_ (4_叔丁基苯基)-1, 3, 4_惡二唑](0XD-7)、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、2，8- 二 (二苯膦氧基)二苯并[b, d]噻吩(P015)、4，7- 二苯基-1, 10-菲羅啉(Bphen)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)。
[0066]發(fā)光層40的厚度可以為1nm?30nm。
[0067]發(fā)光層40中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比自靠近空穴傳輸層30的一側(cè)至遠(yuǎn)離空穴傳輸層30的一側(cè)梯次提高，客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比自靠近空穴傳輸層30的一側(cè)至遠(yuǎn)離空穴傳輸層30的一側(cè)梯次降低。
[0068]結(jié)合圖2，在一個(gè)具體的實(shí)施例中，發(fā)光層40由依次層疊并且厚度相同的第一發(fā)光層41、第二發(fā)光層43、第三發(fā)光層45和第四發(fā)光層47組成,并且第一發(fā)光層41層疊于空穴傳輸層30上。
[0069]第一發(fā)光層41、第二發(fā)光層43、第三發(fā)光層45和第四發(fā)光層47的材料均為客體材料、第一主體材料和第二主體材料混合形成的混合物，并且上述各層中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比和客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比均為單一值。
[0070]第一發(fā)光層41、第二發(fā)光層43、第三發(fā)光層45和第四發(fā)光層47中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比梯次遞增，并且第一發(fā)光層41、第二發(fā)光層43、第三發(fā)光層45和第四發(fā)光層47中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比梯次遞減。
[0071]本實(shí)施例中，厚度相同的第一發(fā)光層41、第二發(fā)光層43、第三發(fā)光層45和第四發(fā)光層47共四層結(jié)構(gòu)組成發(fā)光層40。在其他實(shí)施例中，還可以由二層結(jié)構(gòu)、三層結(jié)構(gòu)、五層結(jié)構(gòu)、六層結(jié)構(gòu)、七層結(jié)構(gòu)等等組成發(fā)光層40。
[0072]本實(shí)施例中，第四發(fā)光層47中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比是第一發(fā)光層41中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比的1.5倍，第三發(fā)光層45中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比是第四發(fā)光層47中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比的2倍，并且第四發(fā)光層47中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比是第四發(fā)光層47中的客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比的9倍。也就是說，本實(shí)施例中，記第四發(fā)光層47中的客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比為a，又由于是梯次摻雜，則第三發(fā)光層45中的客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比為2a，第二發(fā)光層43中的客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比為3a，第一發(fā)光層41中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比為4a，第一發(fā)光層41中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比為6a,第二發(fā)光層43中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比為7a,第三發(fā)光層45中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比為8a，第四發(fā)光層47中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比為9a。
[0073]在其他的實(shí)施例中，第四發(fā)光層47中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比也可以不是第一發(fā)光層41中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比的1.5倍，第三發(fā)光層45中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比也可以不是第四發(fā)光層47中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比的2倍，并且第四發(fā)光層47中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比也可以不是第四發(fā)光層47中的客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比的9倍。
[0074]電子傳輸層50的材料可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)或I, 3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
[0075]電子傳輸層50的可以厚度為1nm?60nm。
[0076]電子注入層60的材料可以為摻雜有第一鹽和第二鹽的電子傳輸材料。
[0077]第一鹽可以為L(zhǎng)iF、LiN3、Li3N, CsF、CsN3 或 Cs3N。
[0078]第二鹽可以Li2SO4' Na2SO4' K2SO4' Rb2SO4 或 Cs2SO4。
[0079]電子傳輸材料可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)或I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
[0080]第一鹽與電子傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100。
[0081]第二鹽與電子傳輸材料的質(zhì)量比為6?25:100。
[0082]電子注入層60的厚度可以為15nm?45nm。
[0083]陰極層70的材料可以為銀(Ag)、鋁(Al)或金(Au)。
[0084]陰極層70的厚度可以為50nm?200nm。
[0085]這種有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層40中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比自靠近空穴傳輸層30的一側(cè)至遠(yuǎn)離空穴傳輸層30的一側(cè)梯次提高，發(fā)光層40中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比自靠近空穴傳輸層30的一側(cè)至遠(yuǎn)離空穴傳輸層30的一側(cè)梯次降低，通過主體材料和客體材料的漸進(jìn)式混合,提高了主客體的能量轉(zhuǎn)換效率。相對(duì)于傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，這種有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。
[0086]如圖3所示的上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0087]S10、對(duì)導(dǎo)電陽極基底10進(jìn)行表面預(yù)處理。
[0088]導(dǎo)電陽極基底10可以為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)。在一個(gè)較優(yōu)的實(shí)施例中，導(dǎo)電陽極基底10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)。
[0089]陽極導(dǎo)電基底10的導(dǎo)電層的厚度可以為80nm?150nm。
[0090]表面預(yù)處理的操作可以為:依次對(duì)導(dǎo)電陽極基底10進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，得到潔凈的導(dǎo)電陽極基底10。接著對(duì)潔凈的導(dǎo)電陽極基底10的導(dǎo)電層進(jìn)行表面活化處理，增加導(dǎo)電陽極基底10的導(dǎo)電層的含氧量和功函數(shù)。
[0091]上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時(shí)間為5min，間隔時(shí)間為5min。同時(shí)，上述清洗均采用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行。
[0092]表面活化處理可以為采用紫外-臭氧(UV-ozone )對(duì)清洗干燥后的陽極進(jìn)行處理30?50分鐘。
[0093]S20、在導(dǎo)電陽極基底10上依次蒸鍍形成空穴注入層20和空穴傳輸層30。
[0094]顯然，空穴注入層20形成在導(dǎo)電陽極基底10的導(dǎo)電層上。
[0095]本實(shí)施方式中，在真空度為lX10_5Pa?I X 10_3Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A?l A/s的條件下，在導(dǎo)電陽極基底10的導(dǎo)電層上蒸鍍形成空穴注入層20。
[0096]空穴注入層20的材料可以為摻雜有金屬氧化物的空穴傳輸材料。
[0097]金屬氧化物可以為Mo03、TO3J2O5或Re03。
[0098]空穴傳輸材料可以為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯_4，4’ - 二胺(NPB)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4，- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N，- 二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或 1，1-二 [4_[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。
[0099]金屬氧化物與空穴傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100。
[0100]空穴注入層20的厚度可以為1nm?15nm。
[0101]本實(shí)施方式中，在真空度為lX10_5Pa?lX10_3Pa，蒸發(fā)速度為0.1A?2A/S的條件下，在空穴注入層20上蒸鍍形成空穴傳輸層30。
[0102]空穴傳輸層30的材料可以為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’_ 二胺(NPB)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4，4’- 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)或 1，1-二[4-[N, N1-二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。
[0103]空穴傳輸層30的厚度可以為30nm?50nm。
[0104]S30、在空穴傳輸層30上蒸鍍形成發(fā)光層40。
[0105]本實(shí)施方式中，在真空度為1\10_^?1\10_^，蒸發(fā)速度為0.|入?丨人/^的條件下，在空穴傳輸層30上蒸鍍形成發(fā)光層40。
[0106]發(fā)光層40的材料可以為客體材料、第一主體材料和第二主體材料混合形成的混合物。
[0107]客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比為1.2?10.8:100。
[0108]客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比為0.2?4.8:100。
[0109]第一主體材料和第二主體材料不同。
[0110]客體材料可以為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)、乙酰丙酮酸二( 2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy) 2 (acac))或三[2_(對(duì)甲苯基)批]合銥(Ir (mppy) 3)。
[0111]第一主體材料可以為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、9，9’-(1，3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)、4, 4’ - 二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N, N’ - 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺(TH))、1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)或 3-叔丁基-9，10- 二(2-萘)蒽(MADN)。
[0112]第二主體材料可以為2，2’ - (I, 3-苯基)二 [5_ (4_叔丁基苯基)-1, 3, 4_惡二唑](0XD-7)、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)、2，8- 二 (二苯膦氧基)二苯并[b, d]噻吩(P015)、4，7- 二苯基-1, 10-菲羅啉(Bphen)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)。
[0113]發(fā)光層40的厚度可以為1nm?30nm。
[0114]發(fā)光層40中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比自靠近空穴傳輸層30的一側(cè)至遠(yuǎn)離空穴傳輸層30的一側(cè)梯次提高，客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比自靠近空穴傳輸層30的一側(cè)至遠(yuǎn)離空穴傳輸層30的一側(cè)梯次降低。
[0115]結(jié)合圖2，在一個(gè)具體的實(shí)施例中，發(fā)光層40由依次層疊并且厚度相同的第一發(fā)光層41、第二發(fā)光層43、第三發(fā)光層45和第四發(fā)光層47組成，并且第一發(fā)光層41層疊于空穴傳輸層30上。
[0116]第一發(fā)光層41、第二發(fā)光層43、第三發(fā)光層45和第四發(fā)光層47的材料均為客體材料、第一主體材料和第二主體材料混合形成的混合物，并且上述各層中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比和客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比均為單一值。
[0117]第一發(fā)光層41、第二發(fā)光層43、第三發(fā)光層45和第四發(fā)光層47中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比梯次遞增，并且第一發(fā)光層41、第二發(fā)光層43、第三發(fā)光層45和第四發(fā)光層47中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比梯次遞減。
[0118]本實(shí)施例中，厚度相同的第一發(fā)光層41、第二發(fā)光層43、第三發(fā)光層45和第四發(fā)光層47共四層結(jié)構(gòu)組成發(fā)光層40。在其他實(shí)施例中，還可以由二層結(jié)構(gòu)、三層結(jié)構(gòu)、五層結(jié)構(gòu)、六層結(jié)構(gòu)、七層結(jié)構(gòu)等等組成發(fā)光層40。
[0119]本實(shí)施例中，第四發(fā)光層47中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比是第一發(fā)光層41中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比的1.5倍，第三發(fā)光層45中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比是第四發(fā)光層47中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比的2倍，并且第四發(fā)光層47中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比是第四發(fā)光層47中的客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比的9倍。也就是說，本實(shí)施例中，記第四發(fā)光層47中的客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比為a，又由于是梯次摻雜，則第三發(fā)光層45中的客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比為2a，第二發(fā)光層43中的客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比為3a，第一發(fā)光層41中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比為4a，第一發(fā)光層41中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比為6a,第二發(fā)光層43中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比為7a,第三發(fā)光層45中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比為8a，第四發(fā)光層47中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比為9a。
[0120]在其他的實(shí)施例中，第四發(fā)光層47中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比也可以不是第一發(fā)光層41中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比的1.5倍，第三發(fā)光層45中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比也可以不是第四發(fā)光層47中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比的2倍，并且第四發(fā)光層47中的客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比也可以不是第四發(fā)光層47中的客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比的9倍。
[0121]S40、在發(fā)光層40上依次蒸鍍形成電子傳輸層50、電子注入層60和陰極層70。
[0122]本實(shí)施方式中，在真空度I X 1-5Pa?I X 10?,蒸發(fā)速度0.lA?2A/s的條件下，在發(fā)光層40上蒸鍍形成電子傳輸層50。
[0123]電子傳輸層50的材料可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4_聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)_4_苯基-4H-1，2，4_三唑(TAZ)或
I,3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
[0124]電子傳輸層50的可以厚度為1nm?60nm。
[0125]本實(shí)施方式中，在真空度lX10_5Pa?lX10_3Pa，蒸發(fā)速度0.1人?2A/S的條件下，在電子傳輸層50上蒸鍍形成電子注入層60。
[0126]電子注入層60的材料可以為摻雜有第一鹽和第二鹽的電子傳輸材料。
[0127]第一鹽可以為L(zhǎng)iF、LiN3、Li3N, CsF、CsN3 或 Cs3N。
[0128]第二鹽可以Li2SO4'Na2SO4'K2SO4' Rb2SO4 或 Cs2SO4。
[0129]電子傳輸材料可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅啉(BCP)、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁(BAlq)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)或I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。
[0130]第一鹽與電子傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100。
[0131]第二鹽與電子傳輸材料的質(zhì)量比為6?25:100。
[0132]電子注入層60的厚度可以為15nm?45nm。
[0133]本實(shí)施方式中，在真空度IX KT5Pa?IX 10_3Pa，蒸發(fā)速度().lA.、.5A/s的條件下，
在電子注入層60上蒸鍍形成陰極層70。
[0134]陰極層70的材料可以為銀(Ag)、鋁(Al)或金(Au)。
[0135]陰極層70的厚度可以為50nm?200nm。
[0136]這種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法制備得到的有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層40中客體材料與第一主體材料的質(zhì)量比自靠近空穴傳輸層30的一側(cè)至遠(yuǎn)離空穴傳輸層30的一側(cè)梯次提高，發(fā)光層40中客體材料與第二主體材料的質(zhì)量比自靠近空穴傳輸層30的一側(cè)至遠(yuǎn)離空穴傳輸層30的一側(cè)梯次降低，通過主體材料和客體材料的漸進(jìn)式混合，提高了主客體的能量轉(zhuǎn)換效率。相對(duì)于傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，這種有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。
[0137]以下為具體實(shí)施例和對(duì)比例部分，實(shí)施例中使用的測(cè)試與制備設(shè)備包括:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國(guó)海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國(guó)吉時(shí)利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試亮度和色度。
[0138]實(shí)施例1
[0139]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0140]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對(duì)ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時(shí)間為5min，間隔時(shí)間為5min。接著對(duì)清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0141]在真空度為1父10-^，蒸發(fā)速度0.51/8的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閾诫s了 MoO3的NPB，MoO3與NPB的質(zhì)量比為30:100，空穴注入層的厚度為12.5nm。
[0142]在真空度為lX10_5Pa，蒸發(fā)速度ΙΑ/S的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镹PB，空穴傳輸房的厚度為40nm。
[0143]在真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度lA/s的條件下，在空穴傳輸層上依次蒸鍍形成第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成發(fā)光層。第一發(fā)光層的材料為11'_7)3、1'0^和(《0-7混合形成的混合物，Ir(ppy)3 與 TCTA 的質(zhì)量比為 7.2:100，Ir (ppy) 3 與 0XD-7 的質(zhì)量比為 4.8:100o 第二發(fā)光層的材料為Ir (ppy) 3、TCTA和0XD-7混合形成的混合物，Ir (ppy) 3與TCTA的質(zhì)量比為8.4:100 ,Ir (ppy)3與0父0-7的質(zhì)量比為3.6:100o第三發(fā)光層的材料為Ir (ppy) 3、TCTA和0XD-7混合形成的混合物，Ir (ppy) 3與TCTA的質(zhì)量比為9.6:100，Ir (ppy) 3與0XD-7的質(zhì)量比為2.4:100o第四發(fā)光層的材料為Ir (ppy)3、TCTA和0XD-7混合形成的混合物，Ir (ppy) 3與TCTA的質(zhì)量比為10.8:100，Ir(ppy)3與0XD-7的質(zhì)量比為1.2:100。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層的厚度均相同，并且發(fā)光層的總厚度為30nm。
[0144]在真空度為IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度I人/s的條件下，在第四發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為Bphen,電子傳輸層的厚度為35nm。
[0145]在真空度為lX10_5Pa，蒸發(fā)速度ΙΑ/S的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有LiF和Li2SO4的Bphen，LiF和Bphen的質(zhì)量比為30:100，Li2SO4和Bphen的質(zhì)量比為15:100，電子注入層的厚度為35nm。
[0146]在真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度3A/S的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Ag,陰極層的厚度為125nm。
[0147]實(shí)施例2
[0148]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0149]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對(duì)ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時(shí)間為5min，間隔時(shí)間為5min。接著對(duì)清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0150]在真空度為5父10_中&，蒸發(fā)速度0.1人/5的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閾诫s了 WO3的TCTA，WO3與TCTA的質(zhì)量比為25:100，空穴注入層的厚度為10nm。
[0151]在真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度.0.1 A/s的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門CTA，空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0152]在真空度為1父10_午&，蒸發(fā)速度0.8人/5的條件下，在空穴傳輸層上依次蒸鍍形成第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成發(fā)光層。第一發(fā)光層的材料為Ir (ppy) 2 (acac)、mCP和BCP混合形成的混合物，Ir (ppy)2 (acac)與mCP的質(zhì)量比為6:100, Ir (ppy) 2 (acac)與BCP的質(zhì)量比為4:100。第二發(fā)光層的材料為Ir (ppy)2 (acac)、mCP和BCP混合形成的混合物，Ir (ppy) 2 (acac)與mCP的質(zhì)量比為7:100，Ir (ppy)2 (acac)與BCP的質(zhì)量比為3:100。第三發(fā)光層的材料為Ir (ppy)2 (acac)、mCP和BCP混合形成的混合物，Ir (ppy)2 (acac)與mCP的質(zhì)量比為8:100,Ir (ppy)2 (acac)與BCP的質(zhì)量比為2:100。第四發(fā)光層的材料為Ir (ppy)2 (acac)、mCP和BCP混合形成的混合物，Ir (ppy)2 (acac)與mCP的質(zhì)量比為9:100, Ir (ppy) 2 (acac)與BCP的質(zhì)量比為1:100。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層的厚度均相同，并且發(fā)光層的總厚度為27nm。
[0153]在真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度0.1 Α/s的條件下，在第四發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為BCP,電子傳輸層的厚度為10nm。
[0154]在真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度0.lA/s的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有LiNjP Na2SOJ^BCP, LiNjP BCP的質(zhì)量比為25:100，Na2SO4和BCP的質(zhì)量比為25:100，電子注入層的厚度為45nm。
[0155]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1 A/S的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Al,陰極層的厚度為50nm。
[0156]實(shí)施例3
[0157]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0158]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對(duì)ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時(shí)間為5min，間隔時(shí)間為5min。接著對(duì)清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0159]在真空度為5 X10_5Pa，蒸發(fā)速度I Α/S的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層。空穴注入層的材料為摻雜了 V2O5的CBP，V205和CBP的質(zhì)量比為35:100，空穴注入層的厚度為15nm。
[0160]在真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/S的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镃BP，空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0161]在真空度為1\10_中8，蒸發(fā)速度0.5^8的條件下，在空穴傳輸層上依次蒸鍍形成第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成發(fā)光層。第一發(fā)光層的材料為Ir (mppy) 3、CBP和P015混合形成的混合物，Ir (mppy) JPCBP 的質(zhì)量比為 4.8:100，Ir (mppy) 3 和 P015 的質(zhì)量比為 3.2:100。第二發(fā)光層的材料為Ir (mppy) 3、CBP和P015混合形成的混合物，Ir (Hippy)3和CBP的質(zhì)量比為5.6:100，Ir(Hippy)3和P015的質(zhì)量比為2.4:100o第三發(fā)光層的材料為Ir (mppy) 3、CBP和P015混合形成的混合物，Ir (Hippy)3和CBP的質(zhì)量比為6.4:100，Ir (Hippy)3和P015的質(zhì)量比為1.6:100o第四發(fā)光層的材料為Ir (mppy)3、CBP和Ρ015混合形成的混合物，Ir (mppy)3和CBP的質(zhì)量比為7.2:100，Ir(Hippy)3和P015的質(zhì)量比為0.8:100。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層的厚度均相同，并且發(fā)光層的總厚度為24nm。
[0162]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/S的條件下，在第四發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為BAlq,電子傳輸層的厚度為60nm。
[0163]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度Ikh的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有Li3N和K2SO4的BAlq，Li3N和BAlq的質(zhì)量比為35:100，K2SO4和BAlq的質(zhì)量比為6:100，電子注入層的厚度為15nm。
[0164]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度5A/S的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Au，陰極層的厚度為200nm。
[0165]實(shí)施例4
[0166]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0167]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對(duì)ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時(shí)間為5min，間隔時(shí)間為5min。接著對(duì)清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0168]在真空度為5父10-^，蒸發(fā)速度0.5人/8的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閾诫s了 ReO3的TPD，ReO3與TPD的質(zhì)量比為30:100，空穴注入層的厚度為13nm。
[0169]在真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度1力8的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層。空穴傳輸層的材料為TPD,空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0170]在真空度為I X 10_5Pa，蒸發(fā)速度.0.5A/S的條件下，在空穴傳輸層上依次蒸鍍形成第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成發(fā)光層。第一發(fā)光層的材料為Ir(ppy)3、TPD和Bphen混合形成的混合物，Ir(ppy)3與TPD的質(zhì)量比為4.8:100，Ir (ppy) 3與Bphen的質(zhì)量比為3.2:100o第二發(fā)光層的材料為Ir (ppy) 3、TPD和Bphen混合形成的混合物，Ir (ppy) 3與TPD的質(zhì)量比為5.6:100，Ir(ppy)3與Bphen的質(zhì)量比為2.4:100。第三發(fā)光層的材料為Ir (ppy) 3、TPD和Bphen混合形成的混合物，Ir (ppy) 3與TPD的質(zhì)量比為6.4:100, Ir (ppy) 3與Bphen的質(zhì)量比為1.6:100o第四發(fā)光層的材料為Ir (ppy) 3、TH)和Bphen混合形成的混合物，Ir (ppy) 3與TPD的質(zhì)量比為7.2:100, Ir(ppy)3與Bphen的質(zhì)量比為0.8:100o第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層的厚度均相同，并且發(fā)光層的總厚度為24nm。
[0171]在真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度Ws的條件下，在第四發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為Alq3,電子傳輸層的厚度為30nm。
[0172]在真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度I Α/s的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有CsF和Rb2SO4的Alq3, CsF和Alq3的質(zhì)量比為30:100，Rb2SO4和Alq3的質(zhì)量比為10:100,電子注入層的厚度為30nm。
[0173]在真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度2人/8的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Ag,陰極層的厚度為lOOnm。
[0174]實(shí)施例5
[0175]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0176]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對(duì)ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時(shí)間為5min，間隔時(shí)間為5min。接著對(duì)清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0177]在真空度為I X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2 A/s的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閾诫s了 MoO3的TAPC，Mo03與TAPC的質(zhì)量比為25:100，空穴注入層的厚度為10nm。
[0178]在真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度|人/3的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門APC，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0179]在真空度為1父10、&，蒸發(fā)速度0.4人/5的條件下，在空穴傳輸層上依次蒸鍍形成第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成發(fā)光層。第一發(fā)光層的材料為Ir (PPy)2 (acac)、TAPC和TPBI混合形成的混合物，Ir (ppy)2 (acac)和TAPC的質(zhì)量比為3.6:100, Ir (ppy)2 (acac)和TPBI的質(zhì)量比為2.4:100o第二發(fā)光層的材料為Ir (ppy)2 (acac)、TAPC和TPBI混合形成的混合物，Ir (ppy)2 (acac)和 TAPC 的質(zhì)量比為 4.2:100, Ir (ppy)2 (acac)和 TPBI 的質(zhì)量比為1.8:100。第三發(fā)光層的材料為Ir (ppy)2 (acac)、TAPC和TPBI混合形成的混合物，Ir (ppy)2 (acac)和 TAPC 的質(zhì)量比為 4.8:100, Ir (ppy) 2 (acac)和 TPBI 的質(zhì)量比為1.2:100。第四發(fā)光層的材料為Ir (ppy)2 (acac)、TAPC和TPBI混合形成的混合物，Ir (ppy) 2 (acac)和 TAPC 的質(zhì)量比為 5.4:100, Ir (ppy) 2 (acac)和 TPBI 的質(zhì)量比為 0.6:100。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層的厚度均相同，并且發(fā)光層的總厚度為20nm。
[0180]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度lA/s的條件下，在第四發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為TAZ,電子傳輸層的厚度為50nm。
[0181 ] 在真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度lA/s的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有CsN3和Cs2SO4的TAZ，CsN3和TAZ的質(zhì)量比為30:100，Cs2SO4和TAZ的質(zhì)量比為10:100,電子注入層的厚度為30nm。
[0182]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/S的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Al，陰極層的厚度為lOOnm。
[0183]實(shí)施例6
[0184]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0185]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對(duì)ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時(shí)間為5min，間隔時(shí)間為5min。接著對(duì)清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0186]在真空度為I X10_3Pa，蒸發(fā)速度0.3 A/s的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層。空穴注入層的材料為摻雜了 WO3的NPB，WO3和NPB的質(zhì)量比為30:100，空穴注入層的厚度為12nm。
[0187]在真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層。空穴傳輸層的材料為NPB，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0188]在真空度為IX 10_3Pa，蒸發(fā)速度0.1 A/S的條件下，在空穴傳輸層上依次蒸鍍形成第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層。第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成發(fā)光層。第一發(fā)光層的材料為Ir (mppy)3、MADN和0XD-7混合形成的混合物，Ir(Hippy)3 和 MADN 的質(zhì)量比為 1.2:100，Ir (mppy) 3 和 0XD-7 的質(zhì)量比為 0.8:100。第二發(fā)光層的材料為Ir (mppy) 3、MADN和0XD-7混合形成的混合物，Ir (mppy) 3和MADN的質(zhì)量比為1.4:100，Ir(Hippy)3和0XD-7的質(zhì)量比為0.6:100。第三發(fā)光層的材料為Ir (mppy) 3>MADN和0XD-7混合形成的混合物，Ir (mppy)3和MADN的質(zhì)量比為1.6:100，Ir (mppy)3和0XD-7的質(zhì)量比為0.4:100。第四發(fā)光層的材料為Ir(mppy)3、MADN和0XD-7混合形成的混合物，Ir (mppy) 3 和 MADN 的質(zhì)量比為 1.8:100，Ir(Hippy)3 和 0XD-7 的質(zhì)量比為 0.2:100o第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層的厚度均相同，并且發(fā)光層的總厚度為1nm0
[0189]在真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度I Α/s的條件下，在第四發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為TPBI,電子傳輸層的厚度為30nm。
[0190]在真空度為lX10_3Pa，蒸發(fā)速度ΙΑ/S的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有Cs3N和Cs2SOJ^ TPBI,Cs3N和TPBI的質(zhì)量比為30:100，Cs2SO4和TPBI的質(zhì)量比為10:100,電子注入層的厚度為30nm。
[0191]在真空度為I X 10?,蒸發(fā)速度2A/s的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Al，陰極層的厚度為lOOnm。
[0192]對(duì)比例
[0193]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。制備步驟為:
[0194]提供導(dǎo)電層厚度為10nm的ITO玻璃，并依次對(duì)ITO玻璃進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗和乙醇清洗，上述清洗均重復(fù)三次，每次清洗時(shí)間為5min，間隔時(shí)間為5min。接著對(duì)清洗過的ITO玻璃的ITO層進(jìn)行表面活化處理，增加ITO層的含氧量和功函數(shù)。
[0195]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5人/S的條件下，在ITO玻璃的ITO層上蒸鍍形成空穴注入層?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閾诫s了 V2O5的CBP，V205和CBP的質(zhì)量比為30:100，空穴注入層的厚度為12nm。
[0196]在真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度Ws的條件下，在空穴注入層上蒸鍍形成空穴傳輸層?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門CTA,空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0197]在真空度為5\10_午&，蒸發(fā)速度0.5人/5的條件下，在空穴傳輸層上蒸鍍形成發(fā)光層。發(fā)光層的材料為摻雜了 Ir (ppy) 3的MADN，Ir (ppy)3和MADN的質(zhì)量比為7:100，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0198]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度lA/s的條件下，在發(fā)光層上蒸鍍形成電子傳輸層。電子傳輸層的材料為Bphen,電子傳輸層的厚度為40nm。
[0199]在真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度I A/s的條件下，在電子傳輸層上蒸鍍形成電子注入層。電子注入層的材料為摻雜有Cs3N的Bphen，Cs3N和Bphen的質(zhì)量比為28:100，電子注入層的厚度為32.5nm。
[0200]在真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度2A/s的條件下，在電子注入層上蒸鍍形成陰極層。陰極層的材料為Al，陰極層的厚度為138nm。
[0201]采用亮度計(jì)CS-100A和數(shù)字源表Keithley2400同步測(cè)量，對(duì)實(shí)施例1~6和對(duì)比例制得的有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行流明效率測(cè)試試驗(yàn)，通過編程控制和計(jì)算可得出如下表所示的測(cè)試結(jié)果:
[0202]

【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層； 所述發(fā)光層的材料為客體材料、第一主體材料和第二主體材料混合形成的混合物；所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比自靠近所述空穴傳輸層的一側(cè)至遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層的一側(cè)梯次提高； 所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比自靠近所述空穴傳輸層的一側(cè)至遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層的一側(cè)梯次降低； 所述客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二( 2-苯基吡啶)銥或三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥； 所述第一主體材料為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’-(I, 3-苯基)二 -9H-咔唑、4，4’ -二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ -二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、1，1_二[4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒或3-叔丁基-9，10- 二(2-萘)蒽；所述第二主體材料為2，2’ -(I, 3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3, 4-惡二唑]、2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、2，8_ 二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩、4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉或N-芳基苯并咪唑； 所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比為1.2?10.8:100 ; 所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比為0.2?4.8:100。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層由依次層疊并且厚度相同的第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層組成，并且所述第一發(fā)光層層疊于所述空穴傳輸層上； 所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比梯次遞增； 所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比梯次遞減。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第四發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比是所述第一發(fā)光層中的所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比的1.5倍； 所述第三發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比是所述第四發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比的2倍； 并且所述第四發(fā)光層中的所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比是所述第四發(fā)光層中的所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比的9倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的厚度為1nm ?30nmo
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為摻雜有金屬氧化物的空穴傳輸材料； 所述金屬氧化物為Mo03、WO3> V2O5或ReO3 ； 所述空穴傳輸材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺或1，1- 二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷； 所述金屬氧化物與所述空穴傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100 ； 所述空穴注入層的厚度為1nm?15nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺或I, 1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒； 所述空穴傳輸層的厚度為30nm?50nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料為4,7- 二苯基-1，10-菲羅琳、4，7_ 二苯基-1，10-鄰菲羅琳、4_聯(lián)苯酌.基-二(2-甲基-8-輕基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯； 所述電子傳輸層的厚度為1nm?60nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料為摻雜有第一鹽和第二鹽的電子傳輸材料； 所述第一鹽為 LiF、LiN3、Li3N, CsF、CsN3 或 Cs3N ；
所述第二鹽為 Li2S04、Na2SO4, K2SO4, Rb2SO4 或 Cs2SO4 ； 所述電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、4，7- 二苯基-1，10-鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基-二(2-甲基-8-羥基喹啉)合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑或1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯； 所述第一鹽與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為25?35:100 ； 所述第二鹽與所述電子傳輸材料的質(zhì)量比為6?25:100 ； 所述電子注入層的厚度為15nm?45nm。
9.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟: 對(duì)導(dǎo)電陽極基底進(jìn)行表面預(yù)處理； 在所述導(dǎo)電陽極基底上依次蒸鍍形成空穴注入層和空穴傳輸層； 在所述空穴傳輸層上蒸鍍形成發(fā)光層，所述發(fā)光層的材料為客體材料、第一主體材料和第二主體材料混合形成的混合物，所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比自靠近所述空穴傳輸層的一側(cè)至遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層的一側(cè)梯次提高，所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比自靠近所述空穴傳輸層的一側(cè)至遠(yuǎn)離所述空穴傳輸層的一側(cè)梯次降低，所述客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥或三[2-(對(duì)甲苯基)吡啶]合銥，所述第一主體材料為4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺、9，9’-(1,3-苯基)二-9!1-咔唑、4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯、N，N’- 二(3-甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺、1，1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒或3-叔丁基-9，10-二(2-萘)蒽，所述第二主體材料為2，2’ -(I, 3-苯基)二 [5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-惡二唑]、2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、2，8- 二 (二苯膦氧基)二苯并[b，d]噻吩、4，7-二苯基-1，10-菲羅啉或N-芳基苯并咪唑，所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比為1.2?10.8:100，所述發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比為0.2?4.8:100 ;以及 在所述發(fā)光層上依次蒸鍍形成電子傳輸層、電子注入層和陰極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述在所述空穴傳輸層上蒸鍍形成發(fā)光層的步驟為: 在所述空穴傳輸層上依次蒸鍍形成厚度相同的第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、第三發(fā)光層和第四發(fā)光層，所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層組成所述發(fā)光層，所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層中所述客體材料與所述第一主體材料的質(zhì)量比梯次遞增，所述第一發(fā)光層、所述第二發(fā)光層、所述第三發(fā)光層和所述第四發(fā)光層中所述客體材料與所述第二主體材料的質(zhì)量比梯次遞減。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104183789SQ201310193624
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2013年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月22日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張娟娟 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司