感應(yīng)器及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種感應(yīng)器及所述感應(yīng)器的制備方法。更具體地，在根據(jù)本發(fā)明的感應(yīng)器中，可以形成精細(xì)圖案的線圈，絕緣樹脂復(fù)合材料包括用于減少線圈變形的發(fā)生的液晶低聚物，該絕緣樹脂復(fù)合材料可以用于絕緣基板。
【專利說明】CN 103515526 A
書
明
說
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感應(yīng)器及其制備方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求申請日為2012年6月29日、申請?zhí)枮?0-2012-0070824、名稱為“感 應(yīng)器及其制備方法”的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請通過引用全文合并于本申 請中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及一種感應(yīng)器及所述感應(yīng)器的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0004]隨著移動設(shè)備朝著小型化和功能復(fù)雜化的方向發(fā)展，對于電子元件的微小型化的 要求不斷提高，電子材料的電、熱和機(jī)械特性可以作為重要因素來發(fā)揮作用。感應(yīng)器是重要 的無源器件之一，它由電子電路連同電阻和電容組成，用作減少噪聲或者包括LC諧振電路 的元件。
[0005]在現(xiàn)有技術(shù)中，由于陶瓷材料具有高介電常數(shù)、電感等電特性，以及熱膨脹系數(shù) 低、強(qiáng)度高等特點，常被應(yīng)用于制備如感應(yīng)器一類的元件，但是，這樣會產(chǎn)生一些問題:在印 刷過程中涂抹電極、或者在層壓和按壓時的對中偏差或壓電極會使得線圈容易變形，以及 由于燒結(jié)過程中的壓縮變形使得線圈形狀發(fā)生太大變形。因此，高頻區(qū)中電感的精度可能 會降低，并且由于低Q特性可能使得縮小感應(yīng)器的尺寸和實現(xiàn)高頻率變得困難。
[0006]同時，如專利文獻(xiàn)I中所公開，為了進(jìn)一步增強(qiáng)整個線圈的電感，導(dǎo)體圖案和絕緣 層是更多層的以由此獲得高的電感值。然而，這種多層的方式增加了層壓體的總厚度，并且 由于在燒結(jié)過程中的壓縮變形等而不能實現(xiàn)優(yōu)異的Q特性。
[0007]因此，本發(fā)明中形成了線圈圖案，在形成電極時不會引起任何問題并能擁有與現(xiàn) 有的陶瓷材料相似的熱、電和機(jī)械特性，而且，應(yīng)用能夠在高頻區(qū)提高Q因子的液晶低聚物 (LOC)作為感應(yīng)器的絕緣層，從而實現(xiàn)各種移動設(shè)備、RF模塊等的小型化和高頻率。
[0008][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0009][專利文獻(xiàn)]
[0010](專利文獻(xiàn)I)韓國專利公開出版號2006-0009302
【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明致力于提供具有低介電損耗和改進(jìn)的Q因子的感應(yīng)器。
[0012]進(jìn)一步地，本發(fā)明致力于提供制備感應(yīng)器的方法，所述感應(yīng)器通過絕緣基板制備， 因此可以形成精細(xì)圖案，并且不需要燒結(jié)過程可以制備線圈較少變形的感應(yīng)器。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式，提供了一種感應(yīng)器，包括:芯片主體,所述芯片主體 包括絕緣基板和層壓體，在所述層壓體中多個導(dǎo)體圖案和絕緣層被交替地層壓在絕緣基板 上，所述層壓體具有單線圈，在所述單線圈中，所述多個導(dǎo)體圖案沿其層壓方向彼此串聯(lián)連 接；和一對外部連接電極，所述一對外部連接電極分別設(shè)置在芯片主體的兩側(cè)橫截面上，并且其中，所述單線圈的一個末端與所述一對外部連接電極中的一個連接，所述單線圈的另一個末端與所述一對外部連接電極中的另一個連接。此處，所述絕緣基板由絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料組成，該絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料含有液晶低聚物、環(huán)氧樹脂、固化劑和無機(jī)填充劑，所述液晶低聚物由下列化學(xué)式I表示。
[0014][化學(xué)式I]
[0015]
【權(quán)利要求】
1.一種感應(yīng)器，所述感應(yīng)器包括:芯片主體，所述芯片主體包括絕緣基板和層壓體，在所述層壓體中，多個導(dǎo)體圖案和絕緣層交替地層壓在所述絕緣基板上，所述層壓體具有單線圈，所述多個導(dǎo)體圖案以其層壓方向在所述單線圈中彼此串聯(lián)連接；和一對外部連接電極，所述一對外部連接電極分別設(shè)置在芯片主體兩側(cè)橫截面上，并且其中，單線圈的一個末端與所述一對外部連接電極中的一個連接，所述單線圈的另一個末端與所述一對外部連接電極中的另一個連接，其中，所述絕緣基板由絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料組成，所述絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料包括液晶低聚物(A)、環(huán)氧樹脂(B)、固化劑(C)和無機(jī)填充劑(D)，所述液晶低聚物(A)由下列化學(xué)式I表不，[化學(xué)式I]
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感應(yīng)器，其中，所述絕緣層由絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料組成，所述絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料包括液晶低聚物、環(huán)氧樹脂、固化劑和無機(jī)填充劑，所述液晶低聚物由下列化學(xué)式I表示，[化學(xué)式I]
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感應(yīng)器，其中，所述液晶低聚物的數(shù)均分子量為2500-6500， 并且所述液晶低聚物中酰胺的摩爾比為12-30摩爾％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感應(yīng)器，其中，絕緣樹脂復(fù)合材料包括10-30重量％的液晶低聚物、5-20重量％的環(huán)氧樹脂、0.05-0.2重量％的固化劑和50-80重量％的無機(jī)填充劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感應(yīng)器，其中，所述環(huán)氧樹脂是由下列化學(xué)式2表示的雙酚F 型環(huán)氧樹脂，[化學(xué)式2]
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感應(yīng)器，其中，所述固化劑是二氰胺。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感應(yīng)器，其中，所述無機(jī)填充劑選自二氧化硅、氧化鋁、硫酸鋇、滑石粉、粘土、云母粉、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、硼酸鋁、鈦酸鋇、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鈦酸鉍、鈦氧化物、鋯酸鋇和鋯酸鈣的組中的一種或多種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感應(yīng)器，其中，所述絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料還包括選自由固化促進(jìn)劑、流平劑和阻燃劑組成的組中的一種或多種組分。
9.一種制備感應(yīng)器的方法，所述方法包括:提供絕緣基板，所述絕緣基板由絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料形成，所述絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料包括液晶低聚物、環(huán)氧樹脂、固化劑和無機(jī)填充劑，所述液晶低聚物由下列化學(xué)式I表示；通過在所述絕緣基板的兩側(cè)表面上形成銅箔來固化所述絕緣基板；去除所述絕緣基板的一側(cè)表面上的銅箔；在所述絕緣基板的另一側(cè)表面的銅箔上形成光致抗蝕劑層，以第一導(dǎo)體圖案的樣式對形成的光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光和顯影，電鍍曝光和顯影的光致抗蝕劑層，并去除剩余的光致抗蝕劑層和銅箔，由此形成第一導(dǎo)體圖案；在第一導(dǎo)體圖案上形成第一絕緣層，并形成通孔；形成通過形成在第一絕緣層上的通孔電連接的晶種層；在所述晶種層上形成光致抗蝕劑層，以第二導(dǎo)體圖案的樣式對形成的光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光和顯影，電鍍曝光和顯影的光致抗蝕劑層，并去除剩余的光致抗蝕劑層和銅箔，由此形成第二導(dǎo)體圖案；通過在第二導(dǎo)體圖案上形成第二絕緣層，制備芯片主體；以及提供一對外部連接電極，所述一對外部連接電極分別設(shè)置在所述芯片主體的兩側(cè)橫截面上，并且其中，單線圈的一個末端與所述一對外部連接電極中的一個連接，所述單線圈的另一個末端與所述一對外部連接電極中的另一個連接，[化學(xué)式I]
10.一種制備感應(yīng)器的方法，所述方法包括:提供絕緣基板，所述絕緣基板由絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料形成，所述絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料包括液晶低聚物、環(huán)氧樹脂、固化劑和無機(jī)填充劑，所述液晶低聚物由下列化學(xué)式I表示；通過在所述絕緣基板的兩側(cè)表面上形成銅箔來固化所述絕緣基板；去除所述絕緣基板的兩側(cè)表面上的銅箔；在所述絕緣基板的一側(cè)表面上形成第一晶種層；在所述第一晶種層上形成光致抗蝕劑層，以第一導(dǎo)體圖案的樣式對形成的光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光和顯影，電鍍曝光和顯影的光致抗蝕劑層，并去除剩余的光致抗蝕劑層和銅箔，由此形成第一導(dǎo)體圖案；在第一導(dǎo)體圖案上形成第一絕緣層，并形成通孔；形成通過形成在第一絕緣層上的通孔電連接的第二晶種層；在所述第二晶種層上形成光致抗蝕劑層，以第二導(dǎo)體圖案的樣式對形成的光致抗蝕劑層進(jìn)行曝光和顯影，電鍍曝光和顯影的光致抗蝕劑層，并去除剩余的光致抗蝕劑層和銅箔， 由此形成第二導(dǎo)體圖案；通過在所述第二導(dǎo)體圖案上形成第二絕緣層，制備芯片主體；以及提供一對外部連接電極，所述一對外部連接電極分別設(shè)置在所述芯片主體的兩側(cè)橫截面上，并且其中，單線圈的一個末端與所述一對外部連接電極中的一個連接，所述單線圈的另一個末端與所述一對外部連接電極中的另一個連接，[化學(xué)式I]
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備感應(yīng)器的方法，其中，所述絕緣層由絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料組成，所述絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料包括液晶低聚物、環(huán)氧樹脂、固化劑和無機(jī)填充劑， 所述液晶低聚物由下列化學(xué)式I表示，[化學(xué)式I]
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備感應(yīng)器的方法，其中，所述液晶低聚物的數(shù)均分子量為 2500-6500，并且所述液晶低聚物中酰胺的摩爾比為12-30摩爾％。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備感應(yīng)器的方法，其中 ，絕緣樹脂復(fù)合材料包括10-30重量％的液晶低聚物、5-20重量％的環(huán)氧樹脂、0.05-0.2重量％ 的固化劑和50-80重量％的無機(jī)填充劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備感應(yīng)器的方法，其中，所述環(huán)氧樹脂是由下列化學(xué)式2 表示的雙酚F型環(huán)氧樹脂，[化學(xué)式2]
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備感應(yīng)器的方法，其中，絕緣樹脂復(fù)合材料包括10-30重量%的液晶低聚物、5-20重量％的環(huán)氧樹脂、0.05-0.2重量％的固化劑和50-80重量％的無機(jī)填充劑。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備感應(yīng)器的方法，其中，所述絕緣基板的形成方式是用玻璃纖維浸潰所述絕緣環(huán)氧樹脂復(fù)合材料。
【文檔編號】H01L41/293GK103515526SQ201310193882
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年5月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月29日
【發(fā)明者】文珍奭, 魏圣權(quán), 李正揆, 李根墉, 李炫俊, 劉圣賢 申請人:三星電機(jī)株式會社