倒裝芯片電子器件及其生產(chǎn)方法
【專利摘要】本
【發(fā)明內(nèi)容】
涉及倒裝芯片電子器件及其生產(chǎn)方法，提出一種用于制作電子器件(100)的集合的方法。該方法包括步驟：提供包括導(dǎo)電材料基板(110，110C，110P)的支撐物(110，110C，110P，120P)，將半導(dǎo)體材料芯片(105)的集合固定到基板的相應(yīng)部分(110C)上，每個(gè)芯片具有第一主表面(110U)和與第一主表面相對(duì)的第二主表面(110L)，第一主表面具有至少一個(gè)第一傳導(dǎo)端子(TS，TG)，第二主表面具有與基板電連接的至少一個(gè)第二傳導(dǎo)端子(TD)，將包括多個(gè)通孔(125CSi，125CDj，125CG)的電絕緣材料絕緣帶(120C)固定到每個(gè)芯片的主表面，該絕緣帶在基板的未被芯片覆蓋的另一部分(110P)之上從芯片突出，以及經(jīng)過(guò)通孔中的至少部分暴露所述第一端子的第一集合形成與芯片的每個(gè)第一端子的至少一個(gè)第一電接觸(CSi，CG)并且經(jīng)過(guò)通孔中的至少部分暴露基板的另一部分的第二集合形成與基板的至少一個(gè)第二電接觸(CDj)。
【專利說(shuō)明】倒裝芯片電子器件及其生產(chǎn)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例的解決方案總體涉及電子領(lǐng)域。具體而言，這樣的解決方案涉及電子器件的連接。
【背景技術(shù)】
[0002]每個(gè)電子器件通常包括一個(gè)或者多個(gè)芯片(例如，半導(dǎo)體材料芯片)，每個(gè)芯片具有用于它與外部電路的連接的端子。
[0003]根據(jù)典型連接模式，將芯片封裝在絕緣體內(nèi)，該絕緣體具有用于與印刷電路板(PCB)連接的暴露引線；芯片的端子由鍵合接線連接到相應(yīng)引線。
[0004]然而，鍵合接線涉及到電子器件的尺寸增加并且引入削弱其性能的電阻、電容和/或電感寄生(具有先天不可預(yù)測(cè)的值)。另外，鍵合接線涉及到長(zhǎng)久的生產(chǎn)過(guò)程(因?yàn)閼?yīng)當(dāng)連續(xù)焊接它們)和繁瑣的設(shè)計(jì)(因?yàn)橛斜匾鞒霰苊怄I合接線之間短路的配置)。
[0005]根據(jù)另一連接模式(稱為“倒裝芯片”)，將芯片倒置裝配到PCB上(或者芯片載體上)，從而芯片的端子直接(或者通過(guò)芯片載體的傳導(dǎo)球，這些傳導(dǎo)球經(jīng)過(guò)芯片的通孔連接到芯片的端子)接觸PCB。以這一方式，不存在鍵合接線，其允許獲得具有小尺寸和高性能的電子器件。
[0006]然而，“倒裝芯片”連接模式具有如下缺陷，例如在芯片具有在它的不同表面上暴露的端子的情況下(比如在用于功率應(yīng)用的電子器件中)，妨礙其廣泛使用。在這樣的情況下，事實(shí)上，在將芯片轉(zhuǎn)配到PCB上(或者芯片載體上)之前，有必要執(zhí)行用于使所有它的端子從其相同側(cè)可訪問(wèn)的操作。
[0007]例如，在具有下端子(漏極端子)和兩個(gè)上端子(柵極和源極端子)的豎直結(jié)構(gòu)功率晶體管的情況下，這樣的操作包括:將芯片固定到電傳導(dǎo)基板上(漏極端子與基板接觸)、(例如通過(guò)電解生長(zhǎng))在芯片上和在基板的未被芯片覆蓋的部分上形成絕緣層、(例如通過(guò)蝕刻)經(jīng)過(guò)絕緣層制作通孔以暴露柵極端子、源極端子和基板的部分，并且金屬化通孔以接觸柵極端子、源極端子和基板(并且因此接觸漏極端子)。以這一方式，柵極和源極端子以及漏極端子經(jīng)過(guò)相應(yīng)接觸在相同表面上可訪問(wèn)，因此使得有可能經(jīng)過(guò)它們將倒裝芯片連接到PCB上(或者芯片載體上)。然而這樣的操作涉及到電子器件的生產(chǎn)過(guò)程的過(guò)多持續(xù)時(shí)間并且也涉及到實(shí)際和構(gòu)造低效率。
[0008]具體而言，通孔的制作應(yīng)當(dāng)在若干階段中執(zhí)行(因?yàn)橥拙哂胁煌疃?，并且其使芯片暴露于芽孔的風(fēng)險(xiǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]概括而言，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例的解決方案基于使用具有預(yù)成型的通孔的絕緣層這樣的思想。
[0010]具體而言，在獨(dú)立權(quán)利要求中闡述根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例的解決方案的一個(gè)或者多個(gè)方面，而在從屬權(quán)利要求中指示相同解決方案的有利特征，通過(guò)引用將所有權(quán)利要求的措詞逐字并入此處(參照根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的解決方案的具體方面提供的任何有利特征在加以必要的修改適用于其任何其它方面)。
[0011]更具體而言，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的解決方案的一個(gè)方面提出一種用于制作電子器件集合的方法，其中將半導(dǎo)體材料芯片的集合固定到導(dǎo)電基板上，將包括多個(gè)通孔的絕緣帶固定到每個(gè)芯片上，并且經(jīng)過(guò)通孔的第一集合形成與每個(gè)芯片的至少一個(gè)第一電接觸，并且經(jīng)過(guò)通孔的第二集合形成與基板的至少一個(gè)第二電接觸。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的解決方案的又一方面提出一種對(duì)應(yīng)電子器件。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的解決方案的又一方面提出一種包括至少一個(gè)這樣的電子器件的系統(tǒng)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]參照將結(jié)合附圖閱讀的完全通過(guò)非限制指示給出的下文詳細(xì)描述，將最佳地理解根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例的解決方案及其進(jìn)一步的特征和優(yōu)點(diǎn)(在附圖中，出于簡(jiǎn)化的目的，用等同或者相似標(biāo)號(hào)表示對(duì)應(yīng)單元并且未重復(fù)其說(shuō)明，并且每個(gè)實(shí)體的名稱一般用于表示其類型和屬性二者——比如值、內(nèi)容和表示)。就這一點(diǎn)而言，清楚地理解附圖未必按比例繪制(而可以夸大和/或簡(jiǎn)化一些細(xì)節(jié))，并且除非另有明示，則它們簡(jiǎn)單地用來(lái)在概念上圖示描述的結(jié)構(gòu)和過(guò)程。具體而言:
[0015]圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子器件的平面圖；
[0016]圖2示出這樣的電子器件的部分沿著圖1的截平面I1-1I的截面圖；并且
[0017]圖3A-3C示意地示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的圖1的電子器件的生產(chǎn)過(guò)程的一些重要步驟。
【具體實(shí)施方式】
[0018]具體考慮圖1，它示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子器件100的平面圖。出于描述簡(jiǎn)單的目的，將與圖2結(jié)合討論該圖，圖2示出這樣的電子器件100的部分沿著圖1的截平面I1-1I的截面圖。
[0019]電子器件100包括在其上例如集成豎直結(jié)構(gòu)MOS功率晶體管的半導(dǎo)體材料芯片105 (或者更多這樣的芯片)。芯片105具有在芯片105的整個(gè)(后)表面11(\上延伸的傳導(dǎo)端子TD(例如功率晶體管的漏極端子)；在芯片105的與表面11(\相對(duì)的另一(前)表面IlOu上提供另一傳導(dǎo)端子Ts (例如功率晶體管的源極端子)以及控制端子Te(例如功率晶體管的柵極端子)。如稍后將說(shuō)明的那樣，端子TD、Ts、Tg都是從電子器件100的相同側(cè)可訪問(wèn)的(以便允許以“倒裝模式”將它裝配在PCB或者芯片載體上(二者未示出)，而無(wú)鍵合接線。具體而言，電子器件100包括(在它的前表面上暴露的)分別電連接到端子TD、Ts、Te的一個(gè)或者多個(gè)源極接觸CSi(i = 1，2，...N，在討論的例子中N= 11)、一個(gè)或者多個(gè)漏極接觸Cw(j = 1,2,...M，在討論的例子中M = 6)和一個(gè)或者多個(gè)柵極接觸Ce(在討論的例子中為一個(gè))。
[0020]芯片105固定到導(dǎo)電材料(例如銅)基板110的部分IlOc上——該基板僅在圖2中部分可見(jiàn)，用來(lái)并行形成若干相同的電子器件。具體而言，芯片105的表面11(\朝向部分110。，而端子Td電連接到它(例如通過(guò)插入焊接傳導(dǎo)層115)。[0021]在(如下文詳細(xì)描述的)根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的解決方案中，電子器件100包括具有多個(gè)預(yù)成型的通孔的電絕緣材料(例如聚酰胺)帶120。。帶120。固定到芯片105的表面IlOu上并且在基板110的未被芯片105覆蓋的另一(例如周界)部分IlOp上方從該表面突出。帶120。的通孔包括各自暴露端子Ts的相應(yīng)區(qū)域(以制作對(duì)應(yīng)接觸Csi)的一個(gè)或者多個(gè)通孔125Ki (例如在圖2中可見(jiàn)的通孔125ra)、各自暴露端子Te的相應(yīng)區(qū)域的一個(gè)或者多個(gè)通孔(例如在圖2中可見(jiàn)的通孔125ra)以及各自暴露部分IlOp的相應(yīng)區(qū)域的一個(gè)或者多個(gè)通孔125mj(例如在圖2中可見(jiàn)的通孔125m3)。
[0022]每個(gè)接觸CS1、CDJ, Ce包括電子器件100的前表面上的用于接觸PCB (或者芯片載體)的焊盤(pán)130S1、130Dj、130e和用于經(jīng)過(guò)帶120C的對(duì)應(yīng)通孔125es1、125mj、125?將焊盤(pán)130S1、130Dj、130e分別電連接到端子Ts、TD、Tg的豎直連接元件135S1、135Dj、135e(僅元件135S9、135D3、135e在圖2中可見(jiàn))或者更多這樣的連接端子。
[0023]因此，關(guān)于其中在絕緣層中(在它沉積之后)制作通孔的已知解決方案，本發(fā)明利用預(yù)穿孔的帶(例如已經(jīng)用于制作其它已知產(chǎn)品)。[0024]這涉及到更短的生產(chǎn)過(guò)程，因?yàn)橛糜谥谱魍椎奈g刻操作是不必要的。另外，生產(chǎn)過(guò)程更高效，因?yàn)樾酒?05未受到穿孔和/或損害風(fēng)險(xiǎn)。
[0025]優(yōu)選地，電子器件100包括具有一個(gè)或者多個(gè)另外的通孔125PDj(僅通孔125PD3在圖2中可見(jiàn))的另一電絕緣材料(例如同樣為聚酰胺)帶120P。帶120P固定于部分IlOp與帶120。之間，從而帶120P的通孔125PDj(或者它們的部分)中的每個(gè)通孔暴露部分IlOp的相應(yīng)區(qū)域，并且與相應(yīng)通孔125mj同軸。以這一方式，每個(gè)豎直連接13^經(jīng)過(guò)通孔125cw和被它截取的通孔125PDj來(lái)形成。
[0026]這允許獲得優(yōu)良機(jī)械穩(wěn)定性，而在制作用于到達(dá)部分IlOp的(更長(zhǎng))通孔時(shí)無(wú)任何問(wèn)題，該通孔通過(guò)重疊帶120。和120P并且適當(dāng)對(duì)準(zhǔn)它們來(lái)簡(jiǎn)單地獲得。
[0027]有利地，如圖2中所示，通孔125^,1250^1250;具有比通孔125PDj更大的寬度(例如，通孔125^,125,1250;的半徑大于通孔125PDj的半徑0.1倍，優(yōu)選地大于0.3倍，并且甚至更優(yōu)選地大于0.5倍)。這一特征允許簡(jiǎn)化對(duì)準(zhǔn)帶120P、120。和/或使它更高效。事實(shí)上，通孔125_的更大寬度即使在存在略微構(gòu)造未對(duì)準(zhǔn)時(shí)仍然可以允許完全截取通孔125PDj.0
[0028]在圖3A-3C中圖示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的電子器件100的生產(chǎn)過(guò)程的一些重
要步驟。
[0029]如上文提到的那樣，在大量并行制作并且在結(jié)束時(shí)通過(guò)切割操作分離的完全相同電子器件100的批量級(jí)執(zhí)行生產(chǎn)過(guò)程(然而為了描述簡(jiǎn)單，在下文中將參照這樣的電子器件中的僅一個(gè)電子器件)。
[0030]具體考慮圖3A，生產(chǎn)過(guò)程通過(guò)將芯片105固定到基板110的部分110。上并且將帶120P固定到部分IlOP上而開(kāi)始；備選地，可以和僅用于固定芯片105的基板110 —起提供帶120P作為預(yù)組裝的支撐物的部分。
[0031]照例，例如通過(guò)焊接材料層115將芯片105固定到部分110。上。取而代之，帶120P在其面向基板110的其固定表面345Pfix上具有可熱激活膠層340P。通過(guò)將帶120P定位到部分IlOp上并且使它受到用于減少其厚度(例如通過(guò)使它適應(yīng)芯片105的厚度)的熱層壓過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)將帶120P固定到部分IlOp上。以這一方式，在層壓過(guò)程期間達(dá)到的相對(duì)高溫足以激活膠層340P并且因此獲得帶120P到部分IlOp的粘附。[0032]現(xiàn)在參照?qǐng)D3B，在芯片105的表面IlOu上并且在帶120P的與表面345Pfix相對(duì)的自由表面320Pftee上固定帶120c。帶120c也具有另一自由表面345Cftee和與表面345Cftee相對(duì)的另一固定表面345^^,該固定表面具有另一可熱激活膠層340。。與先前情況相似,通過(guò)將帶120。定位到帶120P的表面345Pf_上以及在芯片105的表面IlOu上并且使它受到在相同時(shí)間激活膠層340c的熱層壓過(guò)程來(lái)實(shí)現(xiàn)固定。
[0033]在這一階段中，如此定位帶120c以致允許通孔125mj截取帶120P的通孔125PDj (以便暴露部分IlOp的相應(yīng)區(qū)域)、允許通孔125esi暴露端子Ts的相應(yīng)區(qū)域并且允許通孔125Ce暴露端子Te的相應(yīng)區(qū)域。因此，在描述的實(shí)施例中，帶120。的通孔總數(shù)等于N+M+1 (但是它也可以大于這樣的值，在該情況下，將提供如下通孔，如果這些通孔未暴露芯片或者基板110的有用區(qū)域則它們是未使用的)。類似地，帶120P中的通孔總數(shù)甚至可以大于M (在該情況下可以提供如下通孔，如果帶120c的通孔未截取這些通孔，則可以關(guān)閉它們、因此保持未使用)。
[0034]在這一點(diǎn)，至此獲得的工件例如通過(guò)將它放置于具有受控氛圍的裝置中持續(xù)預(yù)定時(shí)間段而受到膠層340C、340P的固化過(guò)程。
[0035]轉(zhuǎn)向圖3C，執(zhí)行電鍍過(guò)程以通過(guò)電解使形成基板110的材料(在討論的例子中為銅)分別生長(zhǎng)到通孔125PDj中、到截取這些通孔的通孔125mj中、到帶120c的表面345Cftee上、到暴露端子Ts、Te的區(qū)域的通孔125q、125Ce中，并且可能到未使用的通孔(如果設(shè)有)中。在這樣的過(guò)程結(jié)束時(shí)，獲得元件135^135^135^，并且由銅層350覆蓋帶120。的表面
345cfree。
[0036]隨后，經(jīng)由光刻技術(shù)在層350上制作圖中未不出的光刻膠材料掩模；例如通過(guò)干蝕刻操作蝕刻層350的未被掩模保護(hù)的部分。這樣的操作的結(jié)果在圖2中示出，定義焊盤(pán)130S1、130Dj、130e (并且因此定義接觸CS1、CDk、Ce)——在帶120c中的可能未使用的通孔(在圖中未示出)在其自由表面的相同水平面被填充。
[0037]在這一點(diǎn)，在已經(jīng)根據(jù)具體要求適當(dāng)完成這樣獲得的電子器件100 (例如，通過(guò)用抗氧化劑材料的一個(gè)或者多個(gè)涂層涂覆接觸CS1、CDk、Ce——步驟未示出)之后，以已知方式將它們機(jī)械地相互分離(例如，通過(guò)經(jīng)過(guò)基板110和帶120。、120P的機(jī)械鋸切一步驟未示出)。
[0038]自然地，為了滿足局部和具體要求，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將許多邏輯和/或物理修改和變更應(yīng)用于上文描述的解決方案。更具體而言，雖然已經(jīng)參照這一解決方案的一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例用某一細(xì)節(jié)程度描述該解決方案，但是應(yīng)當(dāng)理解在形式和細(xì)節(jié)上的各種省略、替換和改變以及其它實(shí)施例是可能的。具體而言，即使無(wú)在先前描述中闡述的用于提供本發(fā)明的不同實(shí)施例的更透徹理解的具體細(xì)節(jié)(比如數(shù)值例子)，也可以實(shí)踐它們；反言之，可以已經(jīng)省略或者簡(jiǎn)化的公知特征以免不必要細(xì)節(jié)模糊描述。另外，明確旨在于結(jié)合公開(kāi)的解決方案的任何實(shí)施例描述的具體單元和/或方法步驟可以作為一般設(shè)計(jì)選項(xiàng)并入于任何其它實(shí)施例中。在任何情況下，序數(shù)限定詞等僅用作用于區(qū)分具有相同名稱的元件的標(biāo)簽而未表示任何優(yōu)先、居先或者順序。另外，措辭包括、具有和包含(及其形式中的任何形式)應(yīng)當(dāng)用開(kāi)放和非排他含義(即不限于記載的要素)來(lái)理解，措辭基于、依賴于、根據(jù)、按照(及其形式中的任何形式)應(yīng)當(dāng)被理解為非排他關(guān)系(即涉及到可能另外的變量)，并且措辭一個(gè)應(yīng)當(dāng)被理解為一個(gè)或者更多要素(除非另有明示)。
[0039]例如，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提出一種用于制作(一個(gè)或者多個(gè))電子器件的集合的方法。該方法包括步驟:提供包括導(dǎo)電材料基板的支撐物。將半導(dǎo)體材料芯片的集合固定到基板的相應(yīng)部分上；每個(gè)芯片具有第一主表面和與第一主表面相對(duì)的第二主表面，第一主表面具有至少一個(gè)傳導(dǎo)端子，第二主表面具有與基板電連接的至少一個(gè)第二傳導(dǎo)端子。將包括多個(gè)通孔的電絕緣材料絕緣帶固定到每個(gè)芯片的主表面；絕緣帶在基板的未被芯片覆蓋的另一部分之上從芯片突出。經(jīng)過(guò)通孔中的至少部分暴露所述第一端子的第一集合形成與芯片的每個(gè)第一端子的至少一個(gè)第一電接觸，以及經(jīng)過(guò)通孔中的至少部分暴露基板的另一部分的第二集合形成與基板的至少一個(gè)第二電接觸。
[0040]然而，雖然在本描述中已經(jīng)明確參照具有單個(gè)芯片的電子器件，該芯片集成有豎直結(jié)構(gòu)MOS功率晶體管，但是不應(yīng)限制性地理解這一點(diǎn)；就這一點(diǎn)而言，芯片數(shù)目和類型可以是任何方式以及在它們中的每個(gè)上集成的電子部件的數(shù)目和類型也可以是任何方式。具體而言，可以將相同原理擴(kuò)展至任何如下應(yīng)用，該應(yīng)用需要使芯片的從電子器件的相同側(cè)可訪問(wèn)的端子(而無(wú)鍵合接線)。
[0041]通孔數(shù)目無(wú)限制，并且它未必與電接觸數(shù)目一致。就這一點(diǎn)而言，有可能設(shè)想絕緣帶覆蓋大量通孔，其中一些通孔由于未暴露有用區(qū)域而可以多余(并且因此未被使用或者用來(lái)實(shí)施具體技術(shù)方案)。
[0042]另外，接觸數(shù)目無(wú)限制。每個(gè)接觸可以具有一個(gè)或者多個(gè)焊盤(pán)，并且每個(gè)焊盤(pán)可以與多個(gè)豎直連接元件(即通孔)關(guān)聯(lián)。此外，可以基于電氣和機(jī)械考慮來(lái)選擇接觸的尺寸和分布。例如，柵極接觸除了焊盤(pán)之外還可以在電子器件的上表面上分布的傳導(dǎo)指狀物以避免電信號(hào)的非均勻分布。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供支撐物的步驟包括向支撐物提供另一電絕緣材料絕緣帶，該另一絕緣帶包括在基板的另一部分上固定的另外的通孔的集合；從芯片突出的絕緣帶固定于另一絕緣帶上，并且經(jīng)過(guò)另外的通孔中的暴露基板的另一部分的另一集合形成所述至少一個(gè)第二電接觸。
[0044]然而，如果非必需則也可以未提供該另一絕緣帶。例如有可能設(shè)想如下實(shí)現(xiàn)方式，在該實(shí)現(xiàn)方式中，在基板的凹陷內(nèi)完全插入的芯片在凹陷的相同水平面；在這樣的情況下，因此絕緣帶可以直接位于在芯片的主表面上和基板的另一部分上。
[0045]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，向支撐物提供另一絕緣帶的步驟包括將另一絕緣帶固定到基板的另一部分上。
[0046]無(wú)論任何，也可以在基本實(shí)現(xiàn)方式中省略這樣的步驟。另外，在另一絕緣帶與芯片之間的高度差異的情況下(例如在另一絕緣帶具有比芯片更低的厚度的情況下)，絕緣帶也可以未與另一絕緣帶接觸(或者可以提供中間層以補(bǔ)償高度差異)。
[0047]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，通孔具有比附加通孔更大的寬度；通孔的第二集合的每個(gè)通孔與另外的通孔的另一集合的對(duì)應(yīng)另一通孔基本上同軸。
[0048]然而，不阻止另外的通孔具有比通孔的寬度更大或者相等的寬度。另外，為了補(bǔ)償在絕緣帶與另一絕緣帶之間的結(jié)構(gòu)差異(例如相應(yīng)通孔的分布差異)，通孔的對(duì)準(zhǔn)也可以不同軸。
[0049]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，絕緣帶包括用于與每個(gè)芯片的第一表面和與另一絕緣帶的固定的固定表面、以及與固定表面相對(duì)的自由表面。形成至少一個(gè)第一電接觸和至少一個(gè)第二電接觸的步驟包括在另外的通孔的另一集合中、在通孔的第二集合中、在絕緣帶的自由表面上以及在通孔的第一集合中生長(zhǎng)導(dǎo)電材料并且對(duì)生長(zhǎng)的導(dǎo)電材料進(jìn)行成形以獲得所述至少一個(gè)第一電接觸和所述至少一個(gè)第二電接觸。
[0050]無(wú)論如何，不阻止由與基板的材料不同的材料制作電接觸。在這樣的情況下，因此有可能執(zhí)行沉積操作(例如化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積)而不是生長(zhǎng)操作。
[0051]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，生長(zhǎng)導(dǎo)電材料的步驟包括在所有第一通孔中生長(zhǎng)導(dǎo)電材料。
[0052]無(wú)論如何，在存在多余通孔時(shí)，可以在生長(zhǎng)(或者沉積)過(guò)程期間排除它們一例如通過(guò)使用適當(dāng)掩模。
[0053]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，另一絕緣帶包括用于在基板的另一部分上固定的另一固定表面、以及與該另一固定表面相對(duì)的用于與絕緣帶的固定表面固定的另一自由表面。絕緣帶的固定表面和另一絕緣帶的另一固定表面分別包括導(dǎo)電和可熱激活膠層和另一膠層；固定絕緣帶的步驟和固定另一絕緣帶的步驟包括加熱膠層和另一膠層。
[0054]可以在對(duì)另一絕緣帶定位之后和/或在對(duì)絕緣帶定位之后執(zhí)行這樣的步驟。另夕卜，也可以利用對(duì)膠層和另一膠層的加熱來(lái)加熱焊接層；以這一方式，對(duì)芯片的固定可以與對(duì)絕緣帶和/或另一絕緣帶的固定一起執(zhí)行。
[0055]另外，可以在基本實(shí)現(xiàn)方式中省略這樣的步驟。就這一點(diǎn)而言，可以不提供膠層，或者它們可以被適合于該目的任何其它類型的粘合劑取代。無(wú)論如何，膠層和另一膠層也可以分別不與絕緣帶和另一絕緣帶一起提供。
[0056]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，固定絕緣帶的步驟和固定另一絕緣帶的步驟包括執(zhí)行熱層壓過(guò)程。
[0057]無(wú)論如何，也可以在基本實(shí)現(xiàn)方式中省略層壓過(guò)程。此外，如果執(zhí)行則可以在一個(gè)或者多個(gè)階段中執(zhí)行層壓過(guò)程。例如有可能在固定另一絕緣帶(如果提供)之后或者期間執(zhí)行第一層壓過(guò)程以及在固定絕緣帶之后或者期間執(zhí)行第二層壓過(guò)程。
[0058]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該方法還包括以下步驟:切割基板和絕緣帶以獲得多個(gè)所述電子器件，每個(gè)電子器件包括具有相應(yīng)第一接觸和第二接觸的所述芯片中的至少一個(gè)芯片。
[0059]無(wú)論如何，基于具體設(shè)計(jì)要求，可以在生產(chǎn)過(guò)程的任何進(jìn)展中執(zhí)行這樣的步驟。在這樣的情況下，因此可以對(duì)每個(gè)切割的工件單獨(dú)地執(zhí)行先前參照多個(gè)電子器件描述的方法的步驟以獲得對(duì)應(yīng)電子器件。無(wú)論如何，相同方法也可以用于在整個(gè)基板上制作單個(gè)電子器件。
[0060]一般而言，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的解決方案本身通過(guò)等效方法來(lái)實(shí)施(通過(guò)使用相似步驟、去除一些非必需步驟或者添加附加可選步驟)；另外，可以按不同順序、并行或者重疊(至少部分)執(zhí)行步驟。
[0061]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提出一種電子器件，該電子器件包括:支撐物，包括導(dǎo)電材料基板；以及在基板的相應(yīng)部分上的(一個(gè)或者多個(gè))半導(dǎo)體材料芯片的集合；每個(gè)芯片具有第一主表面和與第一主表面相對(duì)的第二主表面，第一主表面具有至少一個(gè)第一傳導(dǎo)端子，第二主表面具有電連接到基板的至少一個(gè)第二傳導(dǎo)端子。該電子器件還包括:包括多個(gè)通孔的固定到每個(gè)芯片的主表面的電絕緣材料絕緣帶，該絕緣帶在基板的未被芯片覆蓋的另一部分之上從芯片突出。該電子器件還包括:經(jīng)過(guò)通孔中的至少部分暴露第一端子的第一集合的與芯片的每個(gè)第一端子的至少一個(gè)第一電接觸；以及經(jīng)過(guò)通孔中的至少部分暴露基板的另一部分的第二集合的與芯片的基板的至少一個(gè)第二電接觸。
[0062]無(wú)論如何，如果電子器件具有不同結(jié)構(gòu)或者包括等效部件，則類似考慮適用。在任何情況下，可以將其每個(gè)部件分離成若干元件，或者可以將兩個(gè)或者更多部件組合成單個(gè)元件；此外，可以重復(fù)每個(gè)部件以支持并行執(zhí)行對(duì)應(yīng)操作。也應(yīng)當(dāng)注意，(除非另有明示)在不同部件之間的任何交互一般無(wú)需連續(xù)，并且它可以是直接的或者經(jīng)由一個(gè)或者多個(gè)中介間接的
[0063]本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提出一種包括一個(gè)或者多個(gè)這樣的電子器件的系統(tǒng)(例如，移動(dòng)電話、計(jì)算機(jī)等)。
[0064]然而，可以在任何其它應(yīng)用中使用該電子器件，并且它顯然可以作為獨(dú)立產(chǎn)品被制作并且投放于市場(chǎng)。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制作電子器件(100)的集合的方法，所述方法包括步驟: 提供包括導(dǎo)電材料基板(110, IlOc, IlOp)的支撐物(110, IlOc, IlOp, 120p), 將半導(dǎo)體材料芯片(105)的集合固定到所述基板的相應(yīng)部分(110。)上，每個(gè)芯片具有第一主表面(Iiou)和與所述第一主表面相對(duì)的第二主表面(IlOJ，所述第一主表面具有至少一個(gè)第一傳導(dǎo)端子(Ts，Te)，所述第二主表面具有與所述基板電連接的至少一個(gè)第二傳導(dǎo)端子(Td)， 將包括多個(gè)通孔(125^,125^,1250;)的電絕緣材料絕緣帶(120。)固定到每個(gè)芯片的所述主表面，所述絕緣帶在所述基板的未被所述芯片覆蓋的另一部分(IlOp)之上從所述芯片突出，以及 經(jīng)過(guò)所述通孔中的至少部分暴露所述第一端子的第一集合形成與所述芯片的每個(gè)第一端子的至少一個(gè)第一電接觸(CSi，Ce)，并且經(jīng)過(guò)所述通孔中的至少部分暴露所述基板的所述另一部分的第二集合形成與所述基板的至少一個(gè)第二電接觸(Cw)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述提供支撐物(110，11(^，110P，120P)的步驟包括: 向所述支撐物提供另一電絕緣材料絕緣帶(120Ρ)，所述另一絕緣帶包括在所述基板的所述另一部分上固定的另外的通孔(125PDj)的集合，從所述芯片突出的所述絕緣帶(120c)固定于所述另一絕緣帶上，并且經(jīng)過(guò)所述另外的通孔中的暴露所述基板的所述另一部分的另一集合形成所述至少一個(gè)第二電接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述向所述支撐物提供另一絕緣帶的步驟包括: 將所述另一絕緣帶固定到所述基板的所`述另一部分上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的方法，其中所述通孔具有比所述附加通孔更大的寬度，所述通孔的所述第二集合的每個(gè)通孔與所述另外的通孔的所述另一集合的對(duì)應(yīng)的另一通孔基本上同軸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述絕緣帶包括用于與每個(gè)芯片的所述第一表面和與所述另一絕緣帶的固定的固定表面(345mx)，以及與所述固定表面相對(duì)的自由表面(345Cfree)，并且所述形成至少一個(gè)第一電接觸和至少一個(gè)第二電接觸的步驟包括: 在所述另外的通孔的所述另一集合中、在所述通孔的所述第二集合中、在所述絕緣帶的所述自由表面上以及在所述通孔的所述第一集合中生長(zhǎng)所述基板的所述導(dǎo)電材料，以及 對(duì)所述生長(zhǎng)的導(dǎo)電材料進(jìn)行成形以獲得所述至少一個(gè)第一電接觸和所述至少一個(gè)第二電接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述生長(zhǎng)所述導(dǎo)電材料的步驟包括: 在所有所述第一通孔中生長(zhǎng)所述導(dǎo)電材料。
7.根據(jù)在直接或者間接引用權(quán)利要求3時(shí)的權(quán)利要求5或者6所述的方法，其中所述另一絕緣帶包括用于在所述基板的所述另一部分上固定的另一固定表面(345Pfix)，以及與所述另一固定表面相對(duì)的用于與所述絕緣帶的所述固定表面固定的另一自由表面(345Cfree)，并且其中所述絕緣帶的所述固定表面和所述另一絕緣帶的所述另一固定表面分別包括導(dǎo)電和可熱激活膠層(340。)和另一膠層(340P)，所述固定所述絕緣帶的步驟和所述固定所述另一絕緣帶的步驟包括: 加熱所述膠層和所述另一膠層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述固定所述絕緣帶的步驟和所述固定所述另一絕緣帶的步驟包括: 執(zhí)行熱層壓過(guò)程。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，還包括步驟: 切割所述基板和所述絕緣帶以獲得多個(gè)所述電子器件，每個(gè)電子器件包括具有相應(yīng)第一接觸和第二接觸的所述芯片中的至少一個(gè)芯片。
10.一種電子器件(100)，包括: 支撐物(110，110C，110P，120P)，包括導(dǎo)電材料基板(110，110C，110P)， 在所述基板的相應(yīng)部分(110。)上固定的半導(dǎo)體材料芯片(105)的集合，每個(gè)芯片具有第一主表面(Iiou)和與所述第一主表面相對(duì)的第二主表面(IlOJ，所述第一主表面具有至少一個(gè)第一傳導(dǎo)端子(Ts，Te)，所述第二主表面具有與所述基板電連接的至少一個(gè)第二傳導(dǎo)端子(Td)， 包括多個(gè)通孔(125CSi，125cdj, 125Cg)的電絕緣材料絕緣帶(120。)，固定到每個(gè)芯片的所述主表面，所述絕緣帶在所述基板的未被所述芯片覆蓋的另一部分(IlOp)之上從所述芯片突出，以及 經(jīng)過(guò)所述通孔中的至少部分暴露所述第一端子的第一集合的與所述芯片的每個(gè)第一端子的至少一個(gè)第一電接觸(CSi，Ce)和經(jīng)過(guò)所述通孔中的至少部分暴露所述基板的所述另一部分的第二集合的與所述基`板的至少一個(gè)第二電接觸(Cw)。
【文檔編號(hào)】H01L23/538GK103515309SQ201310204463
【公開(kāi)日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年5月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月27日
【發(fā)明者】A·米諾蒂, M·M·費(fèi)拉拉 申請(qǐng)人:意法半導(dǎo)體股份有限公司