一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、摻雜阻擋層、電子傳輸層、陰極和封裝蓋板，所述封裝蓋板和基板形成封閉空間，所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、摻雜阻擋層、電子傳輸層、陰極容置在所述封閉空間內(nèi)，所述摻雜阻擋層材質(zhì)為磷酸鹽、硼酸鹽或錫酸鹽和有機材料形成的混合材料，所述摻雜阻擋層可以吸附從電子傳輸層擴散過來的堿金屬離子，使堿金屬離子不再向發(fā)光層擴散，因而可以提高器件的使用壽命，本發(fā)明還公開了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域，特別涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光（Organic Light Emission Diode,以下簡稱0LED)，具有亮度高、材 料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速 度快等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā) 展趨勢，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點。
[0003] 到目前為止，盡管全世界各國的科研人員通過選擇合適的有機材料和合理的器件 結(jié)構(gòu)設(shè)計，已使器件性能的各項指標(biāo)得到了很大的提升，例如采用pn摻雜傳輸層的工藝， 可以降低器件的啟動電壓以提高光效，并且有利于壽命的提高。對于電子傳輸層的η摻雜 而言，通常采用堿金屬化合物進行摻雜，這是由于堿金屬功函低，容易實現(xiàn)η摻雜效果，但 是往往堿金屬離子體積小，擴散能力強，在有機層中的擴散距離長，堿金屬離子除了摻雜在 傳輸層中，還有可能擴散至發(fā)光層中，直接導(dǎo)致激子的淬滅，影響器件的光效和壽命。為了 獲得長壽命，穩(wěn)定的有機電致發(fā)光裝置，有必要解決這一問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基 板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、摻雜阻擋層、電子傳輸層、陰極和封裝蓋板，所述封裝蓋板和 基板形成封閉空間，所述陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、摻雜阻擋層、電子傳輸層、陰極容置在 所述封閉空間內(nèi)，所述摻雜阻擋層的材質(zhì)為無機酸鹽和有機材料形成的混合材料，所述摻 雜阻擋層中的物質(zhì)對電子傳輸層擴散過來的堿金屬離子進行吸附，使堿金屬離子不再向發(fā) 光層擴散，避免激子的淬滅，因而可以提高器件的使用壽命，本發(fā)明還公開了該有機電致發(fā) 光器件的制備方法。
[0005] 第一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的基板、陽極、空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、摻雜阻擋層、電子傳輸層、陰極和封裝蓋板，所述封裝蓋板 和基板形成封閉空間，所述陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、摻雜阻擋層、電子傳輸 層、陰極容置在所述封閉空間內(nèi)，所述摻雜阻擋層的材質(zhì)為無機酸鹽和有機材料形成的混 合材料，所述無機酸鹽和所述有機材料的質(zhì)量比為〇. 01:1?〇. 5:1，所述無機酸鹽為磷酸 鹽、砸酸鹽或錫酸鹽，所述有機材料為2_ (4_聯(lián)苯基）_5_ (4_叔丁基）苯基_1，3, 4_ II惡 二唑（PBD)、（8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)、 3_ (聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)或雙（2-甲基-8-羥 基喹啉-Nl，08)-(1，1'-聯(lián)苯-4-羥基）鋁（BAlq)。
[0006] 優(yōu)選地，所述摻雜阻擋層厚度為5?25nm。
[0007] 優(yōu)選地，所述無機酸鹽為磷酸鈣、四硼酸鈉或錫酸鉀。
[0008] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質(zhì)為堿金屬化合物和電子傳輸材料形成的混合材 料，所述堿金屬化合物為碳酸鋰（Li 2C03)、疊氮化鋰（LiN3)、氟化鋰（LiF)、疊氮化銫（CsN3)、 碳酸銫（Cs 2C03)、氟化銫（CsF)、硼氫化鉀（KBH4)、碳酸銣（Rb2C0 3)、氮化鋰（Li3N)或氟化鈉 (NaF)，所述堿金屬化合物和電子傳輸材料的質(zhì)量比為0. 05:1?0. 5:1。
[0009] 優(yōu)選地，所述電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）(4-叔丁基）苯基-1，3, 4-惡 二唑（PBD)、（8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)、 3_ (聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)或雙（2-甲基-8-羥 基喹啉-Nl，08)-(1，1'-聯(lián)苯-4-羥基）鋁（BAlq)。
[0010] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的厚度為40nm?200nm。
[0011] 在制備完陰極后，在陰極上覆蓋封裝蓋板進行封裝，便于測試和防止水、氧對器件 的侵蝕。
[0012] 優(yōu)選地，所述封裝蓋板和基板通過光固化粘合劑連接形成封閉空間。
[0013] 更優(yōu)選地，所述光固化粘合劑為光固化聚丙烯酸樹脂或光固化環(huán)氧樹脂。
[0014] 優(yōu)選地，所述封裝蓋板為玻璃蓋板。
[0015] 優(yōu)選地，所述基板為普通的透明玻璃。
[0016] 優(yōu)選地，所述陽極材質(zhì)為銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物（ΑΖ0) 或鎵鋅氧化物（GZ0)，厚度為70nm?200nm。
[0017] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸材料為N，N'_二苯基-N，N'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、Ν, Ν' -二苯基-N, Ν' -二 (3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（TPD)或Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對二氨基 聯(lián)苯（Me〇-Tro)。
[0018] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層厚度為20nm?60nm。
[0019] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質(zhì)為客體材料摻雜到主體材料形成的混合材料,所述客 體材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡 喃（DCJTB)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二氟苯基吡 啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮） 合銥（Ir(MDQ)2(acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq)3)或三（2-苯基吡啶）合 銥（11'(-- 7)3)，所述主體材料為4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)、8-羥基喹啉鋁（41%)、 1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯〇1^丨）或1^-二苯基4州'-二（1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4, 4'-二胺（NPB)，所述客體材料和主體材料的質(zhì)量比為0.01:1? 0·15:1。
[0020] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層也可以采用熒光材料，所述熒光材料為4, 4' -二（2, 2-二苯乙 烯基）-1，Γ-聯(lián)苯（DPVBi)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、4,4'_雙[4_(二對甲苯基氨基）苯乙烯 基]聯(lián)苯（DPAVBi)、5,6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖啶酮（DMQA)。
[0021] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為lnm?30nm。
[0022] 優(yōu)選地，所述陰極的材質(zhì)為銀（Ag)、錯（A1)、杉（Sm)、鐿（Yb)、Mg-Ag合金或Mg-Al 合金，厚度為7〇nm?200nm。
[0023] 更優(yōu)選地，所述陰極厚度為100nm。
[0024] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的材質(zhì)為酞菁鋅（ZnPc)、酞菁銅（CuPc)、 2-丁嫩了4(4,4'，4''-三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺）或（4,4'，4''-三（^3-甲基苯 基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)。
[0025] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的厚度為5?10nm。
[0026] 本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，在電子傳輸層與發(fā)光層之間設(shè)置一個摻雜阻擋 層，所述摻雜阻擋層的材質(zhì)為無機酸鹽和有機材料形成的混合材料，能夠?qū)U散移動至該 層的堿金屬離子如Li+，Cs+等進行阻擋。作用原理是Li+，Cs+擴散至摻雜阻擋層內(nèi)時，摻雜 阻擋層內(nèi)的陽離子吸收劑(無機酸鹽）將對Li+、Cs+進行吸收，阻止摻雜劑離子向發(fā)光層的 擴散，因此有利于使用壽命的提商。
[0027] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步 驟：
[0028] (1)在清洗干凈后的基板上采用磁控濺射的方法制備陽極；在陽極上采用熱阻蒸 發(fā)的方法依次制備空穴注入層、空穴傳輸層和發(fā)光層；
[0029] (2)在所述發(fā)光層上制備所述摻雜阻擋層，所述摻雜阻擋層的材質(zhì)為無機酸鹽和 有機材料形成的混合材料，所述無機酸鹽和所述有機材料的質(zhì)量比為〇. 01:1?〇. 5:1，所 述無機酸鹽為磷酸鹽、硼酸鹽或錫酸鹽，所述有機材料為2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯 基-1，3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯 并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔 丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑或雙（2-甲基-8-羥基喹啉-N1，08)-(1, 1'-聯(lián) 苯-4-羥基）鋁；制備時，所述無機酸鹽采用電子束蒸發(fā)的方法制備，所述有機材料采用 熱阻蒸發(fā)的方法制備，所述蒸發(fā)壓強為lXl〇_ 5Pa?lXl(T3Pa，所述電子束蒸發(fā)的速率為 0. 01?lnm/s，所述有機材料的蒸發(fā)速率為0. lnm/s?2nm/s ;所述電子束蒸發(fā)的速率和熱 阻蒸發(fā)速率的速率比為0.01:1?0.5:1 ;
[0030] (3)在所述摻雜阻擋層上采用熱阻蒸發(fā)的方法依次制備電子傳輸層和陰極，然后 在陰極上覆蓋封裝蓋板，所述封裝蓋板和基板通過粘合劑連接形成封閉空間，將所述陽極、 空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、摻雜阻擋層、電子傳輸層、陰極容置在所述封閉空間內(nèi)， 得到所述有機電致發(fā)光器件。
[0031] 優(yōu)選地，所述摻雜阻擋層厚度為5?25nm。
[0032] 優(yōu)選地，所述無機酸鹽為磷酸鈣、四硼酸鈉或錫酸鉀。
[0033] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質(zhì)為堿金屬化合物和電子傳輸材料形成的混合材 料，所述堿金屬化合物為碳酸鋰（Li 2C03)、疊氮化鋰（LiN3)、氟化鋰（LiF)、疊氮化銫（CsN3)、 碳酸銫（Cs 2C03)、氟化銫（CsF)、硼氫化鉀（KBH4)、碳酸銣（Rb2C0 3)、氮化鋰（Li3N)或氟化鈉 (NaF)，所述堿金屬化合物和電子傳輸材料的質(zhì)量比為0. 05:1?0. 5:1。
[0034] 優(yōu)選地，所述電子傳輸材料為2- (4-聯(lián)苯基）(4-叔丁基）苯基-1，3, 4-惡 二唑（PBD)、（8-羥基喹啉）-鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉（Bphen)、1，3, 5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)、 3_ (聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)或雙（2-甲基-8-羥 基喹啉-Nl，08)-(1，1'-聯(lián)苯-4-羥基）鋁（BAlq)。
[0035] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的厚度為40nm?200nm。
[0036] 在制備完陰極后，在陰極上覆蓋封裝蓋板進行封裝，便于測試和防止水、氧對器件 的侵蝕。
[0037] 優(yōu)選地，所述封裝蓋板為玻璃蓋板。
[0038] 優(yōu)選地，所述封裝蓋板和玻璃基板通過光固化粘合劑連接形成封閉空間。
[0039] 更優(yōu)選地，所述光固化粘合劑為光固化聚丙烯酸樹脂或光固化環(huán)氧樹脂。
[0040] 優(yōu)選地，所述基板為普通的透明玻璃。
[0041] 優(yōu)選地，所述陽極的溉射速率為0· 5nm/s?5nm/s。
[0042] 優(yōu)選地，所述空穴注入層和空穴傳輸層的熱阻蒸發(fā)的條件均為：蒸發(fā)壓強為 1 X 10 5Pa ?1 X 10 3Pa，蒸發(fā)速率為 0· lnm/s ?2nm/s。
[0043] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的蒸鍍速率為0. 01nm/s?lnm/s，所述客體材料和主體材料 的蒸鍍速率比為1:100?15:100。
[0044] 優(yōu)選地，所述陰極的熱阻蒸發(fā)條件均為：蒸發(fā)壓強為lXl(T5Pa?lXl(T 3Pa，蒸發(fā) 速率為 0· 2nm/s ?5nm/s。
[0045] 優(yōu)選地，制備所述電子傳輸層時，熱阻蒸發(fā)所述堿金屬化合物，同時熱阻蒸發(fā)所 述電子傳輸材料，采用共蒸的方法制備得到所述電子傳輸層，所述熱阻蒸發(fā)速度為〇. 1? 5nm/s，其中所述堿金屬化合物與電子傳輸材料的蒸發(fā)速率比為0. 05:1?0. 5:1。
[0046] 優(yōu)選地，所述清洗干燥是將基板放在含有洗滌劑的去離子水中進行超聲清洗，清 洗干凈后依次在使用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣吹干。
[0047] 優(yōu)選地，所述陽極材質(zhì)為ΙΤΟ、IZO、AZO或GZO,厚度為70nm?200nm。
[0048] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸材料為N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）_1，Γ-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、Ν, Ν' -二苯基-N, Ν' -二 (3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（ΤΗ))、Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對二氨基聯(lián) 苯（MeO-TPD)。
[0049] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層厚度為20nm?60nm。
[0050] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質(zhì)為客體材料摻雜到主體材料形成的混合材料，所述客 體材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡 喃（DCJTB)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二氟苯基吡 啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮） 合銥（Ir(MDQ)2(acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq)3)或三（2-苯基吡啶）合 銥（11*(-- 7)3)，所述主體材料為4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)、8-羥基喹啉鋁（443)、 1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯〇1^丨）或1^-二苯基4州'-二（1-萘 基）_1，1'-聯(lián)苯-4, 4'-二胺（NPB)，所述客體材料和主體材料的質(zhì)量比為0.01:1? 0·15:1。
[0051] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層也可以采用熒光材料，所述熒光材料為4, 4' -二（2, 2-二苯乙 烯基）-1，Γ-聯(lián)苯（DPVBi)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、4,4'_雙[4_(二對甲苯基氨基）苯乙烯 基]聯(lián)苯（DPAVBi)、5,6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖啶酮（DMQA)。
[0052] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為lnm?30nm。
[0053] 優(yōu)選地，所述陰極的材質(zhì)為Ag，Al，Sm，Yb，Mg_Ag合金或Mg-Al合金，厚度為70? 200nm，更優(yōu)選地，厚度為100nm。
[0054] 本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，在摻雜的電子傳輸層與發(fā)光層之間設(shè)置一個摻 雜阻擋層，所述摻雜阻擋層的材質(zhì)為無機酸鹽和有機材料形成的混合材料，其能夠?qū)U散 移動至該層的堿金屬離子如Li+，Cs+等進行阻擋。作用原理是Li+，Cs+擴散至摻雜阻擋層 內(nèi)時，摻雜阻擋層內(nèi)的陽離子吸收劑(無機酸鹽）將對Li+、Cs+進行吸收，阻止摻雜劑離子向 發(fā)光層的擴散，因此有利于使用壽命的提高。
[0055] 本發(fā)明在陰極上設(shè)置了封裝蓋板，可以更好地阻擋外界水、氧對器件的侵蝕，進一 步提1?器件的使用壽命。
[0056] 實施本發(fā)明實施例，具有以下有益效果：
[0057] (1)本發(fā)明摻雜阻擋層材質(zhì)為無機酸鹽和有機材料形成的混合材料，阻止摻雜劑 離子向發(fā)光層的擴散，因此有利于使用壽命的提高；
[0058] (2)本發(fā)明在陰極上設(shè)置了封裝蓋板，可以更好地阻擋外界水、氧對器件的侵蝕， 進一步提1?器件的使用壽命。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0059] 為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作 簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0060] 圖1是實施例1有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0061] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術(shù)方案進行清 楚、完整地描述。
[0062] 實施例1
[0063] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0064] (1)提供玻璃基板1，將基板1放在含有洗滌劑的去離子水中進行超聲清洗，清洗 干凈后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣吹干；在真空鍍膜系統(tǒng) 中，采用磁控濺射的方法，在玻璃基板1上制備陽極2,陽極材質(zhì)2為ΙΤ0,厚度為100nm ;濺 射速率為0. 5nm/s。然后在真空度為IX l(T4Pa的真空鍍膜室中，在陽極2上采用熱阻蒸發(fā) 的方法依次制備空穴注入層3、空穴傳輸層4和發(fā)光層5,空穴注入層3的材質(zhì)為ZnPc，厚度 為10nm ;空穴傳輸層4的材質(zhì)為NPB ;空穴傳輸層4厚度為30nm ;發(fā)光層5的材質(zhì)為FIrpic 摻雜到CBP形成的混合材料，F(xiàn)Irpic和CBP的質(zhì)量比為0. 08:1，厚度為10nm，空穴注入層 3、空穴傳輸層4的蒸發(fā)速率為0. lnm/s ;發(fā)光層5中FIrpic的蒸發(fā)速率為0. 01，CBP的蒸 發(fā)速率為0. 125nm/s ;
[0065] (2)在發(fā)光層5上制備摻雜阻擋層6,摻雜阻擋層6的材質(zhì)為磷酸鈣與Bphen按質(zhì) 量比為0. 01:1形成的混合物，摻雜阻擋層6的厚度為5nm ;磷酸鈣鹽采用電子束蒸發(fā)的方 法制備，Bphen采用熱阻蒸發(fā)的方法制備，蒸發(fā)壓強為1 X l(T4Pa，磷酸鈣的電子束蒸發(fā)的速 率為0· 01nm/s，Bphen的蒸發(fā)速率為lnm/s ;
[0066] (3)在摻雜阻擋層6上制備電子傳輸層7和陰極8,電子傳輸層7的材質(zhì)為Bphen和 Cs2C03形成的混合物，Cs2C〇dP Bphen質(zhì)量比為0. 05: l，Cs2C03的熱阻蒸發(fā)的速率為0. lnm/ s，Bphen的熱阻蒸發(fā)速率為lnm/s，電子傳輸層7的厚度為20nm ;陰極8的材質(zhì)為Ag，厚度 為lOOnm ;陰極8的蒸發(fā)速率為0· 2nm/s。
[0067] (4)在陰極8上覆蓋玻璃蓋板9,玻璃蓋板9通過光固化聚丙烯酸樹脂和玻璃基板 1連接，玻璃基板1和玻璃蓋板9形成封閉空間，陽極2、空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光 層5、摻雜阻擋層6、電子傳輸層7和陰極8容置在該封閉空間內(nèi)。
[0068] 圖1為本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本實施例制備的有機電 致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板1、陽極2、空穴注入層3、空穴傳輸層4、發(fā)光層5、摻 雜阻擋層6、電子傳輸層7和陰極8和玻璃蓋板9。具體結(jié)構(gòu)表示為：
[0069] 玻璃基板 /ITO/ZnPc/NPB/FIrpic:CBP/Ca3(P04)2 :Bphen/Cs2C03 :Bphen/Ag/ 玻璃 蓋板，其中，斜杠"/"表不層狀結(jié)構(gòu)，Ca3(P04)2 :Bphen和Cs2C03 :Bphen中的冒號"："表不 混合，下同。
[0070] 將制備得到的有機電致發(fā)光器件進行測試，測試獲得的發(fā)光效率是在6V的驅(qū)動 電壓下，T70壽命是在發(fā)光亮度為2000cd/cm 2下，亮度衰減到初始亮度70%時的使用時間。
[0071] 實施例2
[0072] 實施例2的區(qū)別和實施例1的區(qū)別在于摻雜阻擋層的材質(zhì)為四硼酸鈉和PBD按 質(zhì)量比為0. 1:1形成的混合材料，四硼酸鈉的電子束蒸發(fā)速率為0. lnm/s，PBD的熱阻蒸發(fā) 速率為lnm/s，摻雜阻擋層的厚度為5nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為Cs2C03和Bphen按質(zhì)量比為 0. 1:1形成的混合材料，Cs2C03的熱阻蒸發(fā)的速率為0. lnm/s，Bphen的熱阻蒸發(fā)速率為lnm/ So
[0073] 實施例3
[0074] 實施例3的區(qū)別和實施例1的區(qū)別在于摻雜阻擋層的材質(zhì)為錫酸鉀和TPBi按質(zhì) 量比為0. 2:1形成的混合材料，錫酸鉀的電子束蒸發(fā)速率為0. 2nm/s，TPBi的熱阻蒸發(fā)速 率為lnm/s，摻雜阻擋層的厚度為10nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為&20)3和Bphen按質(zhì)量比為 0. 1:1形成的混合材料，Cs2C03的熱阻蒸發(fā)的速率為0. lnm/s，Bphen的熱阻蒸發(fā)速率為lnm/ So
[0075] 實施例4
[0076] 實施例4的區(qū)別和實施例1的區(qū)別在于摻雜阻擋層的材質(zhì)為磷酸鈣與Bphenan按 質(zhì)量比為〇. 2:1形成的混合材料，磷酸|丐的電子束蒸發(fā)速率為0. lnm/s, Bphenan的熱阻蒸 發(fā)速率為〇. 5nm/s,摻雜阻擋層的厚度為15nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為Cs2C03和Bphen按質(zhì) 量比為0. 2:1形成的混合材料，Cs2C03的熱阻蒸發(fā)的速率為0. 2nm/s, Bphen的熱阻蒸發(fā)速 率為lnm/s。
[0077] 實施例5
[0078] 實施例5的區(qū)別和實施例1的區(qū)別在于摻雜阻擋層的材質(zhì)為磷酸鈣與Bphenan按 質(zhì)量比為〇. 4:1形成的混合材料，磷酸|丐的電子束蒸發(fā)速率為0. lnm/s, Bphenan的熱阻蒸 發(fā)速率為〇. 25nm/s,摻雜阻擋層的厚度為20nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為Cs2C03和Bphen按質(zhì) 量比為0. 2:1形成的混合材料，Cs2C03的熱阻蒸發(fā)的速率為lnm/s, Bphen的熱阻蒸發(fā)速率 為 5nm/s 〇
[0079] 實施例6
[0080] 實施例6的區(qū)別和實施例1的區(qū)別在于摻雜阻擋層的材質(zhì)為磷酸鈣與Bphenan按 質(zhì)量比為0. 4:1形成的混合材料，磷酸I丐的電子束蒸發(fā)速率為0. lnm/s, Bphenan的熱阻蒸 發(fā)速率為〇. 25nm/s,摻雜阻擋層的厚度為20nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為Cs2C03和Bphen按質(zhì) 量比為0. 4:1形成的混合材料，Cs2C03的熱阻蒸發(fā)的速率為0. 4nm/s, Bphen的熱阻蒸發(fā)速 率為lnm/s。
[0081] 實施例7
[0082] 實施例7的區(qū)別和實施例1的區(qū)別在于摻雜阻擋層的材質(zhì)為磷酸鈣與Bphenan按 質(zhì)量比為〇. 5:1形成的混合材料，磷酸|丐的電子束蒸發(fā)速率為lnm/s，Bphenan的熱阻蒸發(fā) 速率為2nm/s，摻雜阻擋層的厚度為25nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為&20)3和Bphen按質(zhì)量比 為0. 4:1形成的混合材料，Cs2C03的熱阻蒸發(fā)的速率為0. 4nm/s，Bphen的熱阻蒸發(fā)速率為 lnm/s〇
[0083] 實施例8
[0084] 實施例8的區(qū)別和實施例1的區(qū)別在于摻雜阻擋層的材質(zhì)為磷酸鈣與Bphenan按 質(zhì)量比為〇. 5:1形成的混合材料，磷酸|丐的電子束蒸發(fā)速率為0. lnm/s，Bphenan的熱阻蒸 發(fā)速率為〇. 2nm/s,摻雜阻擋層的厚度為25nm ;電子傳輸層的材質(zhì)為Cs2C03和Bphen按質(zhì) 量比為0. 5:1形成的混合材料，Cs2C03的熱阻蒸發(fā)的速率為lnm/s, Bphen的熱阻蒸發(fā)速率 為 2nm/s 〇
[0085] 對比實施例
[0086] 為體現(xiàn)為本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了對比實施例，對比實施例用單一材質(zhì) 的阻擋層替換實施例1的摻雜阻擋層，對比實施例的阻擋層的材質(zhì)僅為Bphen，對比實施例 其他層和實施例1相同，對比實施例具體結(jié)構(gòu)為：玻璃基板/ITO/ZnPc/NPB/FIrpic :CBP/ Bphen/Cs2C03 :Bphen/Ag/玻璃蓋板，分別對應(yīng)依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴注入層、空 穴傳輸層、發(fā)光層、阻擋層、電子傳輸層、陰極和玻璃蓋板。
[0087] 效果實施例
[0088] 采用光纖光譜儀(美國海洋光學(xué)Ocean Optics公司，型號：USB4000)，電流-電壓 測試儀(美國Keithly公司，型號：2400)、色度計（日本柯尼卡美能達公司，型號：CS-100A) 測試有機電致發(fā)光器件的發(fā)光性能數(shù)據(jù)。
[0089] 表1為實施例1?8和對比實施例所制備的器件的壽命和發(fā)光效率數(shù)據(jù)。
[0090] 表1實施例1?8和對比實施例制備的器件的壽命和發(fā)光效率
[0091]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的基板、陽極、空穴注入層、空 穴傳輸層、發(fā)光層、摻雜阻擋層、電子傳輸層、陰極和封裝蓋板，所述封裝蓋板和基板形成 封閉空間，所述陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、摻雜阻擋層、電子傳輸層、陰極容 置在所述封閉空間內(nèi)，所述摻雜阻擋層的材質(zhì)為無機酸鹽和有機材料形成的混合材料，所 述無機酸鹽和所述有機材料的質(zhì)量比為0. 01:1?0. 5:1，所述無機酸鹽為磷酸鹽、硼酸鹽 或錫酸鹽，所述有機材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基_1，3, 4-噁二唑、（8-羥 基喹啉）_鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、 2, 9_二甲基_4, 7_聯(lián)苯_1，10-鄰二氣雜菲、3_(聯(lián)苯_4_基）_5_(4_叔丁基苯基）_4_苯 基-4H-1，2, 4-三唑或雙（2-甲基-8-羥基喹啉-N1，08)-(1, Γ-聯(lián)苯-4-羥基）鋁。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述摻雜阻擋層厚度為5? 25nm〇
3. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無機酸鹽為磷酸鈣、四硼 酸鈉或錫酸鉀。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材質(zhì)為堿 金屬化合物和電子傳輸材料形成的混合材料，所述堿金屬化合物為碳酸鋰、疊氮化鋰、氟化 鋰、疊氮化銫、碳酸銫、氟化銫、硼氫化鉀、碳酸銣、氮化鋰或氟化鈉，所述堿金屬化合物和電 子傳輸材料的質(zhì)量比為〇. 05:1?0. 5:1。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸材料為Ν，Ν' -二 苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺、 乂^-二苯基州州'-二（3-甲基苯基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺或^^，^-四甲氧基 苯基） -對二氨基聯(lián)苯。
6. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為酞 菁鋅、酞菁銅、4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺或（4, 4'，4' ' -三（Ν-3-甲基苯 基-Ν-苯基氨基）三苯胺。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材質(zhì)為熒光材 料，或客體材料摻雜到主體材料形成的混合材料，所述客體材料為4-(二腈甲基）-2- 丁 基-6-(1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4Η-吡喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-Ν，C2)吡 啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h] 喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉)合銥或三（2-苯基吡啶）合銥，所述主體材 料為4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯或Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺，所述客體材料和主體材 料的質(zhì)量比為〇. 01:1?〇. 15:1 ;所述熒光材料為4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ -聯(lián) 苯、4, 4'-雙[4-(二對甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘或二甲基 喹吖啶酮。
8. -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟： (1) 在清洗干凈后的基板上采用磁控濺射的方法制備陽極；在陽極上采用熱阻蒸發(fā)的 方法依次制備空穴注入層、空穴傳輸層和發(fā)光層； (2) 在所述發(fā)光層上制備所述摻雜阻擋層，所述摻雜阻擋層的材質(zhì)為無機酸鹽和有機 材料形成的混合材料，所述無機酸鹽和所述有機材料的質(zhì)量比為〇. 01:1?〇. 5:1，所述無 機酸鹽為磷酸鹽、硼酸鹽或錫酸鹽，所述有機材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯 基-1，3, 4-噁二唑、（8-羥基喹啉）-鋁、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯 并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲、3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔 丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑或雙（2-甲基-8-羥基喹啉-N1，08)-(1, 1'-聯(lián) 苯-4-羥基）鋁；制備時，所述無機酸鹽采用電子束蒸發(fā)的方法制備，所述有機材料采用 熱阻蒸發(fā)的方法制備，所述蒸發(fā)壓強為1 X l〇_5Pa?1 X l(T3Pa，所述電子束蒸發(fā)的速率為 0. 01?lnm/s，所述有機材料的熱阻蒸發(fā)速率為0. lnm/s?2nm/s ;所述電子束蒸發(fā)的速率 和熱阻蒸發(fā)速率的速率比為0.01:1?0.5:1 ; (3)在摻雜阻擋層上采用熱阻蒸發(fā)的方法依次制備電子傳輸層和陰極，然后在陰極上 覆蓋封裝蓋板，所述封裝蓋板和基板通過粘合劑連接形成封閉空間，將所述陽極、空穴注入 層、空穴傳輸層、發(fā)光層、摻雜阻擋層、電子傳輸層、陰極容置在所述封閉空間內(nèi)，得到所述 有機電致發(fā)光器件。
9. 如權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述摻雜阻擋層 厚度為5nm?25nm。
10. 如權(quán)利要求8所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述無機酸鹽為 磷酸鈣、四硼酸鈉或錫酸鉀。
【文檔編號】H01L51/52GK104218178SQ201310210312
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 黃輝, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司