一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板和依次層疊設(shè)置在基板上的反射電極、光散射層、第一透射電極、發(fā)光功能層和第二透射電極，光散射層的材質(zhì)包括納米微球和聚合物材料，納米微球?yàn)榱綖?0?1500nm的陶瓷或高分子材料顆粒，聚合物材料為熱固化的聚合物或者光固化的聚合物材料，光散射層的厚度為10?100ym,反射電極的材質(zhì)為金屬薄膜，金屬薄膜包括金屬金，銀，鋁，銅，鎳，鉑，鎂單質(zhì)或其任意組合形成的合金。該有機(jī)電致發(fā)光器件通過在反射電極表面設(shè)置光散射層，使得器件的反射率大大降低，從而提高了器件的對(duì)比度。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光（Organic Light Emission Diode)，以下簡(jiǎn)稱0LED，具有亮度高、材 料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速 度快等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā) 展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003] 在現(xiàn)有的頂發(fā)射的0LED發(fā)光器件中，一般通過底部的反射電極反射光線，然后從 頂部的透射電極出射光線。由于底部的反射電極一般采用金屬電極，具有較高的反射率，導(dǎo) 致外部的環(huán)境光線在底部電極也會(huì)強(qiáng)烈的反射，這樣使0LED器件具有較低的對(duì)比度和顯 示清晰度，并且頂發(fā)射器件采用半透明電極，出光亮度一般比較低。而現(xiàn)有的偏光膜雖然能 夠抵消這些環(huán)境光線，但是偏光膜容易受潮濕和環(huán)境溫度的影響，并且制造成本較高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方 法。通過在反射電極表面制備光散射層，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的對(duì)比度。
[0005] -方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板和依次層疊設(shè)置在基板 上的反射電極、光散射層、第一透射電極、發(fā)光功能層和第二透射電極，所述光散射層的材 質(zhì)包括納米微球和聚合物材料，所述納米微球?yàn)榱綖?0?1500nm的陶瓷或高分子材料 顆粒，所述聚合物材料為熱固化的聚合物或者光固化的聚合物材料，所述光散射層的厚度 為10?100 μ m，所述反射電極的材質(zhì)為金屬薄膜，所述金屬薄膜包括金屬金，銀，鋁，銅， 鎳，鉬，鎂單質(zhì)或其任意組合形成的合金，所述第一透射電極的材質(zhì)為導(dǎo)電氧化物薄膜或金 屬金、銀、鋁、鉬薄膜，所述第二透射電極的材質(zhì)為金、銀、鋁、鎂或其任意組合形成的合金薄 膜，所述發(fā)光功能層至少包括依次層疊的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。
[0006] 優(yōu)選地，所述第二透射電極表面進(jìn)一步包括第二光散射層，所述第二光散射層的 材質(zhì)包括納米微球和聚合物材料，所述納米微球?yàn)榱綖?0?1500nm的陶瓷或高分子材 料顆粒，所述聚合物材料為熱固化的聚合物或者光固化的聚合物材料，所述第二光散射層 的厚度為10?1〇〇 μ m。
[0007] 優(yōu)選地，所述熱固化的聚合物材料為熱固化環(huán)氧樹脂，所述光固化的聚合物材料 為光固化丙烯酸樹脂。
[0008] 優(yōu)選地，所述陶瓷材料顆粒為二氧化硅或二氧化鈦，所述高分子材料顆粒為聚苯 乙烯微球。
[0009] 優(yōu)選地，所述納米微球與聚合物材料的質(zhì)量比為10?50:100。
[0010] 優(yōu)選地，所述反射電極的金屬薄膜的厚度為70?500nm。
[0011] 第一透射電極的材質(zhì)為導(dǎo)電氧化物薄膜或金屬金、銀、鋁、鉬薄膜。
[0012] 優(yōu)選地，導(dǎo)電氧化物薄膜為銦錫氧化物ατο)、鋁鋅氧化物（ΑΖ0)、銦鋅氧化物 (ΙΖ0)或鎵鋅氧化物（GZ0)，厚度為100?500nm。
[0013] 優(yōu)選地，金屬金、銀、鋁、鉬薄膜的厚度為18?30nm。
[0014] 第二透射電極的材質(zhì)為金(Au)、銀（Ag)、鋁（A1)、鎂(Mg)或其任意組合形成的合 金薄膜，厚度優(yōu)選為18?30nm。
[0015] 所述基板可為透光材料，如透明玻璃或透明聚合物薄膜，也可為不透光材料，如金 屬片或硅片。
[0016] 所述發(fā)光功能層至少包括依次層疊設(shè)置的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。為 了提高器件的發(fā)光效率，可進(jìn)一步設(shè)置空穴注入層和電子注入層。
[0017] 空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用 于本發(fā)明。
[0018] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4,4'，4''_三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺 (2-TNATA)，N, Ν' -二苯基-N, Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)，4, 4'，4' ' -三 (Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)，Ν, Ν' -二苯基-Ν, Ν' -二（3-甲基苯 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（TPD)或4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，厚度為 20 ?60nm。
[0019] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材料為主體材料摻雜客體材料形成的混合材料,所述主體材料 為4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)，8-羥基喹啉鋁（八193)，1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并 咪唑-2-基）苯（TPBi)或N，N'_ 二苯基-N，N'_ 二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4,4'-二胺 (NPB);所述客體材料為4-(二腈甲基）-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-4H-吡喃（DCJTB)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二 氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)，二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合銥（Ir (MDQ)2 (acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir (piq) 3)和三（2-苯基吡啶） 合銥（Ir(ppy)3)中的一種或幾種，客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1?20:100。
[0020] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材料為熒光材料，所述熒光材料為4, 4' -二（2, 2-二苯乙 烯基）-1，1'-聯(lián)苯（0?￥8丨），4,4'-雙[4-(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（0?八￥81)、 5,6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖啶酮（DMQA)。
[0021] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為10?30nm。
[0022] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為2_ (4_聯(lián)苯基)_5_ (4_叔丁基)苯基_1，3, 4_ 惡二 唑（PBD)、4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、1，2, 4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪 唑（了?81)或2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲出0?)，厚度為30?10011111。
[0023] 優(yōu)選地，空穴注入層的材料為酞菁銅（CuPc)，酞菁鋅（ZnPc)，酞菁氧釩（VOPc)，酞 菁氧鈦（TiOPc)或酞菁鉬（PtPc)，厚度為10?30nm。
[0024] 優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)或氟 化鋰（LiF);厚度為0· 5?10nm。
[0025] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0026] 將潔凈的基板置于真空度為IX ΚΓ3?IX l(T5Pa的真空鍍膜室中，采用真空熱阻 蒸發(fā)的方式在所述基板上制備反射電極，蒸發(fā)速度為〇. 2?2nm/s，所述反射電極的材質(zhì)為 金屬薄膜，所述金屬薄膜包括金屬金，銀，鋁，銅，鎳，鉬，鎂單質(zhì)或其任意組合形成的合金；
[0027] 采用絲網(wǎng)印刷的方式在所述反射電極表面制備光散射層，所述光散射層的材質(zhì)包 括納米微球和聚合物材料，所述納米微球?yàn)樘沾苫蚋叻肿硬牧项w粒，粒徑為50?1500nm， 所述聚合物材料為熱固化的聚合物或者光固化的聚合物材料，所述光散射層的厚度為 10 ?100 μ m ;
[0028] 在所述光散射層表面依次制備第一透射電極、發(fā)光功能層和第二透射電極，得到 有機(jī)電致發(fā)光器件；所述第一透射電極的材質(zhì)為導(dǎo)電氧化物薄膜或金屬金、銀、鋁、鉬薄膜， 所述第二透射電極的材質(zhì)為金、銀、鋁、鎂或其任意組合形成的合金薄膜，所述發(fā)光功能層 至少包括依次層疊的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層，所述第一透射電極采用真空蒸發(fā) 或磁控濺射的方式制備，所述發(fā)光功能層和第二透射電極采用真空蒸發(fā)的方式制備。
[0029] 優(yōu)選地，制備方法進(jìn)一步包括，采用絲網(wǎng)印刷的方式在所述第二透射電極表面制 備第二光散射層，所述第二光散射層的材質(zhì)包括納米微球和聚合物材料，所述納米微球?yàn)?陶瓷或高分子材料顆粒，粒徑為50?1500nm，所述聚合物材料為熱固化的聚合物或者光固 化的聚合物材料，所述第二光散射層的厚度為10?100 μ m。
[0030] 優(yōu)選地，所述熱固化的聚合物材料為熱固化環(huán)氧樹脂，所述光固化的聚合物材料 為光固化丙烯酸樹脂。
[0031] 優(yōu)選地，所述陶瓷材料顆粒為二氧化硅或二氧化鈦，所述高分子材料顆粒為聚苯 乙烯微球。
[0032] 優(yōu)選地，所述納米微球與聚合物材料的質(zhì)量比為10?50:100。
[0033] 優(yōu)選地，所述絲網(wǎng)印刷的絲網(wǎng)目數(shù)為200?1000目。
[0034] 優(yōu)選地，所述反射電極的金屬薄膜的厚度為70?500nm。
[0035] 第一透射電極的材質(zhì)為導(dǎo)電氧化物薄膜或金屬金、銀、鋁、鉬薄膜。
[0036] 優(yōu)選地，導(dǎo)電氧化物薄膜為銦錫氧化物（ΙΤ0)、鋁鋅氧化物（ΑΖ0)、銦鋅氧化物 (ΙΖ0)或鎵鋅氧化物（GZ0)，厚度為100?500nm。
[0037] 所述導(dǎo)電氧化物薄膜采用磁控濺射的方式制備。優(yōu)選地，濺射速度為0. 2?2nm/ So
[0038] 優(yōu)選地，金屬金、銀、鋁、鉬薄膜的厚度為18?30nm。
[0039] 所述金屬薄膜采用真空蒸發(fā)的方式制備。優(yōu)選地，蒸發(fā)速度為0. 2?2nm/s。
[0040] 第二透射電極的材質(zhì)為金（Au)、銀（Ag)、鋁（A1)、鎂（Mg)或其任意組合形成的合 金薄膜，厚度優(yōu)選為18?30nm。
[0041] 所述第二透射電極的蒸發(fā)速度為〇· 1?lnm/s。
[0042] 所述基板可為透光材料，如透明玻璃或透明聚合物薄膜，也可為不透光材料，如金 屬片或硅片。
[0043] 所述發(fā)光功能層至少包括依次層疊設(shè)置的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。為 了提高器件的發(fā)光效率，可進(jìn)一步設(shè)置空穴注入層和電子注入層。
[0044] 空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用 于本發(fā)明。
[0045] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4,4'，4''_三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺 (2-TNATA)，N, Ν' -二苯基-N, Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)，4, 4'，4' ' -三 (Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)，Ν, Ν' -二苯基-Ν, Ν' -二（3-甲基苯 基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（TPD)或4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，厚度為 20 ?60nm。
[0046] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材料為主體材料摻雜客體材料形成的混合材料，所述主體材料 為4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)，8-羥基喹啉鋁（八193)，1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并 咪唑-2-基）苯（TPBi)或N，N'_ 二苯基-N，N'_ 二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4,4'-二胺 (NPB);所述客體材料為4-(二腈甲基）-2- 丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-4H-吡喃（DCJTB)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二 氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)，二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合銥（Ir(MDQ) 2(acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq)3)和三（2-苯基吡啶） 合銥（Ir(ppy) 3)中的一種或幾種，客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1?20:100。
[0047] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材料為熒光材料，所述熒光材料為4, 4' -二（2, 2-二苯乙 烯基）-1，1'-聯(lián)苯（0?￥8丨），4,4'-雙[4-(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（0?八￥81)、 5,6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖啶酮（DMQA)。
[0048] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為10?30nm。
[0049] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為2_ (4_聯(lián)苯基)_5_ (4_叔丁基)苯基_1，3, 4_ 惡二 唑（PBD)、4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、1，2, 4-三唑衍生物(如TAZ)、N-芳基苯并咪 唑（了?81)或2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲出0?)，厚度為30?10011111。
[0050] 優(yōu)選地，空穴注入層的材料為酞菁銅（CuPc)，酞菁鋅（ZnPc)，酞菁氧釩（VOPc)，酞 菁氧鈦（TiOPc)或酞菁鉬（PtPc)，厚度為10?30nm。
[0051] 優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫（Cs2C03)、氟化銫（CsF)、疊氮銫（CsN 3)或氟 化鋰（LiF);厚度為0· 5?10nm。
[0052] 本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果：
[0053] (1)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，在反射電極表面設(shè)置了光散射層，所述光 散射層為加入了陶瓷或高分子材料的納米微球的聚合物薄膜，由于納米微球具有光散射作 用，光散射層可使外部的環(huán)境光線在底部反射電極上形成散射，而不會(huì)直接反射回頂部的 透射電極，從而降低環(huán)境光線在0LED器件內(nèi)部的反射，提高器件對(duì)比度；
[0054] (3)位于頂部第二透射電極表面的第二光散射層，也能使外部的環(huán)境光線直接在 頂部的透射電極表面直接進(jìn)行散射，避免進(jìn)入0LED器件內(nèi)部發(fā)生反射，從而進(jìn)一步提高器 件的出光效率和對(duì)比度，此外，第二光散射層還能起到提高發(fā)光亮度的作用；
[0055] (3)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝簡(jiǎn)單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模 使用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0056] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例6制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0058] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0059] 實(shí)施例1
[0060] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0061] (1)將玻璃基板置于IX l(T4Pa的真空鍍膜室中，采用真空蒸發(fā)的方式在基板表面 制備一層厚度為500nm的金屬Ag薄膜作為反射電極；
[0062] (2)采用絲網(wǎng)印刷工藝在反射電極的表面上形成厚度為100 μ m的光散射層，光散 射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為50:100的二氧化鈦納米微球和光固化丙烯酸樹脂，二氧化鈦納 米微球的粒徑為50nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目數(shù)為200目的絲網(wǎng)印刷成膜；
[0063] (3)米用磁控溉射的方式在光散射層表面溉射制備一層厚度為200nm的ΙΤ0薄膜 作為第一透射電極，濺射速度為〇. 2nm/s ;再采用真空蒸發(fā)的方式在ΙΤ0薄膜表面制備發(fā)光 功能層，依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0064] 其中，空穴注入層層采用ZnPc，厚度為20nm;空穴傳輸層采用TPD，厚度為20nm; 發(fā)光層采用Ir (ppy)3摻雜在CBP中形成的混合材料，Ir (ppy)3與CBP的質(zhì)量比為10:100， 厚度為15nm ;電子傳輸層采用Bphen，厚度為30nm ;電子注入層采用LiF，厚度為lnm ;
[0065] (4)采用真空蒸發(fā)的方式在電子注入層表面制備第二透射電極，材質(zhì)為金屬Ag，蒸 發(fā)速度為〇. 5nm/s，厚度為18nm，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0066] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本 實(shí)施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括玻璃基板10、反射電極11、光散射層12、第一透射電極 13、發(fā)光功能層14和第二透射電極15。光散射層12中包含二氧化鈦納米微球120。
[0067] 實(shí)施例2
[0068] 本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于，光散射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為20:100的二氧化 鈦納米微球和光固化丙烯酸樹脂，二氧化鈦納米微球的粒徑為l〇〇nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為1000目的絲網(wǎng)印刷成膜，光散射層的厚度為80 μ m。
[0069] 實(shí)施例3
[0070] 本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于，光散射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為20:100的二氧化 鈦納米微球和光固化丙烯酸樹脂，二氧化鈦納米微球的粒徑為250nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為400目的絲網(wǎng)印刷成膜，光散射層的厚度為20 μ m。
[0071] 實(shí)施例4
[0072] 本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于，光散射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為10:100的二氧化 鈦納米微球和光固化丙烯酸樹脂，二氧化鈦納米微球的粒徑為500nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為500目的絲網(wǎng)印刷成膜，光散射層的厚度為ΙΟμπι。
[0073] 實(shí)施例5
[0074] 本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于，光散射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為10:100的二氧化 鈦納米微球和光固化丙烯酸樹脂，二氧化鈦納米微球的粒徑為l〇〇〇nm，絲網(wǎng)印刷過程采用 目數(shù)為600目的絲網(wǎng)印刷成膜，光散射層的厚度為50 μ m。
[0075] 實(shí)施例6
[0076] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0077] (1)將玻璃基板置于IX l(T4Pa的真空鍍膜室中，采用真空蒸發(fā)的方式在基板表面 制備一層厚度為70nm的金屬Pt薄膜作為反射電極；
[0078] (2)采用絲網(wǎng)印刷工藝在反射電極的表面上形成厚度為10 μ m的光散射層，光散 射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為50:100的聚苯乙烯納米微球和光固化丙烯酸樹脂，聚苯乙烯納 米微球的粒徑為200nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目數(shù)為400目的絲網(wǎng)印刷成膜；
[0079] (3)米用磁控溉射的方式在光散射層表面溉射制備一層厚度為100nm的ΑΖ0薄膜 作為第一透射電極，濺射速度為2nm/s ;再采用真空蒸發(fā)的方式在ΑΖ0薄膜表面制備發(fā)光功 能層，依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0080] 其中，空穴注入層層采用ZnPc，厚度為20nm;空穴傳輸層采用TPD，厚度為20nm; 發(fā)光層采用Ir (ppy)3摻雜在CBP中形成的混合材料，Ir (ppy)3與CBP的質(zhì)量比為10:100， 厚度為15nm ;電子傳輸層采用Bphen，厚度為30nm ;電子注入層采用LiF，厚度為lnm ;
[0081] (4)采用真空蒸發(fā)的方式在電子注入層表面制備第二透射電極，材質(zhì)為金屬Ag-Mg 合金，蒸發(fā)速度為〇· lnm/s，厚度為30nm ;
[0082] (5)最后采用絲網(wǎng)印刷工藝在第二透射電極的表面上形成厚度為10 μ m的第二光 散射層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；第二光散射層的材質(zhì)與制備工藝與反射電極表面的光散 射層相同。
[0083] 圖2是本實(shí)施例制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本實(shí)施例 有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括玻璃基板20、反射電極21、光散射層22、第一透射電極23、發(fā) 光功能層24、第二透射電極25和第二光散射層26。
[0084] 實(shí)施例7
[0085] 本實(shí)施例與實(shí)施例6的區(qū)別在于，光散射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為20:100的聚苯乙 烯納米微球和光固化丙烯酸樹脂，聚苯乙烯納米微球的粒徑為400nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為1000目的絲網(wǎng)印刷成膜，光散射層的厚度為60 μ m。
[0086] 實(shí)施例8
[0087] 本實(shí)施例與實(shí)施例6的區(qū)別在于，光散射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為20:100的聚苯乙 烯納米微球和光固化丙烯酸樹脂，聚苯乙烯納米微球的粒徑為800nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為600目的絲網(wǎng)印刷成膜，光散射層的厚度為15μπι。
[0088] 實(shí)施例9
[0089] 本實(shí)施例與實(shí)施例6的區(qū)別在于，光散射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為10:100的聚苯乙 烯納米微球和光固化丙烯酸樹脂，聚苯乙烯納米微球的粒徑為lOOOnm，絲網(wǎng)印刷過程采用 目數(shù)為800目的絲網(wǎng)印刷成膜，光散射層的厚度為20 μ m。
[0090] 實(shí)施例10
[0091] 本實(shí)施例與實(shí)施例6的區(qū)別在于，光散射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為10:100的聚苯乙 烯納米微球和光固化丙烯酸樹脂，聚苯乙烯納米微球的粒徑為1500nm，絲網(wǎng)印刷過程采用 目數(shù)為1000目的絲網(wǎng)印刷成膜，光散射層的厚度為ΙΟΟμπι。
[0092] 實(shí)施例11
[0093] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0094] (1)將玻璃基板置于IX l(T4Pa的真空鍍膜室中，采用真空蒸發(fā)的方式在基板表面 制備一層厚度為500nm的金屬Ni薄膜作為反射電極；
[0095] (2)采用絲網(wǎng)印刷工藝在反射電極的表面上形成厚度為100 μ m的光散射層，光散 射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為20:100的二氧化硅納米微球和熱固化環(huán)氧樹脂，二氧化硅納米 微球的粒徑為50nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目數(shù)為600目的絲網(wǎng)印刷成膜；
[0096] (3)采用真空蒸發(fā)的方式在光散射層表面制備一層厚度為20nm的金屬Au薄膜作 為第一透射電極，蒸發(fā)速度為lnm/s ;再采用真空蒸發(fā)的方式在金屬Au薄膜表面制備發(fā)光 功能層，依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0097] 其中，空穴注入層層采用ZnPc，厚度為20nm;空穴傳輸層采用TPD，厚度為20nm; 發(fā)光層采用Ir (ppy)3摻雜在CBP中形成的混合材料，Ir (ppy)3與CBP的質(zhì)量比為10:100， 厚度為15nm ;電子傳輸層采用Bphen，厚度為30nm ;電子注入層采用LiF，厚度為lnm ;
[0098] (4)采用真空蒸發(fā)的方式在電子注入層表面制備第二透射電極，材質(zhì)為金屬M(fèi)g-Al 合金，蒸發(fā)速度為lnm/s，厚度為20nm，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0099] 實(shí)施例12
[0100] 本實(shí)施例與實(shí)施例11的區(qū)別在于，光散射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為50:100的二氧 化硅納米微球和熱固化環(huán)氧樹脂，二氧化硅納米微球的粒徑為100nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為400目的絲網(wǎng)印刷成膜，光散射層的厚度為ΙΟμπι。
[0101] 實(shí)施例13
[0102] 本實(shí)施例與實(shí)施例11的區(qū)別在于，光散射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為15:100的二氧 化硅納米微球和熱固化環(huán)氧樹脂，二氧化硅納米微球的粒徑為250nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為200目的絲網(wǎng)印刷成膜，光散射層的厚度為20 μ m。
[0103] 實(shí)施例14
[0104] 本實(shí)施例與實(shí)施例11的區(qū)別在于，光散射層的材質(zhì)包括質(zhì)量比為10:100的二氧 化硅納米微球和熱固化環(huán)氧樹脂，二氧化硅納米微球的粒徑為400nm，絲網(wǎng)印刷過程采用目 數(shù)為200目的絲網(wǎng)印刷成膜，光散射層的厚度為50 μ m。
[0105] 對(duì)比例1
[0106] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0107] (1)將玻璃基板置于IX l(T4Pa的真空鍍膜室中，采用真空蒸發(fā)的方式在基板表面 制備一層厚度為500nm的金屬Ag薄膜作為反射電極；
[0108] (2)采用磁控濺射的方式在反射電極表面濺射制備一層厚度為200nm的ΙΤ0薄膜 作為第一透射電極，再采用真空蒸發(fā)的方式在ΙΤ0薄膜表面制備發(fā)光功能層，依次包括空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0109] 其中，空穴注入層采用ZnPc，厚度為20nm;空穴傳輸層采用TPD，厚度為20nm;發(fā) 光層采用11^? 7)3摻雜在08?中形成的混合材料，11^?7)3與08?的質(zhì)量比為10 :100，厚 度為15nm ;電子傳輸層采用Bphen，厚度為30nm ;電子注入層采用LiF，厚度為lnm ;
[0110] (3)采用真空蒸發(fā)的方式在電子注入層表面制備第二透射電極，材質(zhì)為金屬Ag，厚 度為18nm，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0111] 對(duì)比例2
[0112] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0113] (1)將玻璃基板置于IX l(T4Pa的真空鍍膜室中，采用真空蒸發(fā)的方式在基板表面 制備一層厚度為70nm的金屬Pt薄膜作為反射電極；
[0114] (2)采用磁控濺射的方式在反射電極表面濺射制備一層厚度為100nm的ΑΖ0薄膜 作為第一透射電極，再采用真空蒸發(fā)的方式在AZO薄膜表面制備發(fā)光功能層，依次包括空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0115] 其中，空穴注入層采用ZnPc，厚度為20nm;空穴傳輸層采用TPD，厚度為20nm;發(fā) 光層采用11^? 7)3摻雜在08?中形成的混合材料，11^?7)3與08?的質(zhì)量比為10 :100，厚 度為15nm ;電子傳輸層采用Bphen，厚度為30nm ;電子注入層采用LiF，厚度為lnm ;
[0116] (3)采用真空蒸發(fā)的方式在電子注入層表面制備第二透射電極，材質(zhì)為金屬Ag-Mg 合金，厚度為30nm，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0117] 對(duì)比例3
[0118] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0119] (1)將玻璃基板置于IX l(T4Pa的真空鍍膜室中，采用真空蒸發(fā)的方式在基板表面 制備一層厚度為500nm的金屬Ni薄膜作為反射電極；
[0120] (2)采用真空蒸發(fā)的方式在反射電極表面制備一層厚度為20nm的金屬Au薄膜作 為第一透射電極，再采用真空蒸發(fā)的方式在金屬Au薄膜表面制備發(fā)光功能層，依次包括空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0121] 其中，空穴注入層層采用ZnPc，厚度為20nm;空穴傳輸層采用TPD，厚度為20nm; 發(fā)光層采用Ir (ppy)3摻雜在CBP中形成的混合材料，Ir (ppy)3與CBP的質(zhì)量比為10:100， 厚度為15nm ;電子傳輸層采用Bphen，厚度為30nm ;電子注入層采用LiF，厚度為lnm ;
[0122] (3)采用真空蒸發(fā)的方式在電子注入層表面制備第二透射電極，材質(zhì)為金屬M(fèi)g-Al 合金，厚度為20nm，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0123] 效果實(shí)施例
[0124] 本發(fā)明測(cè)試與制備設(shè)備為高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司），美 國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國吉時(shí)利公司的 Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試亮度和色度， 美國Filmetrics (美商菲樂）公司的F10-RT型反射率測(cè)試儀測(cè)試反射率。
[0125] 將本發(fā)明實(shí)施例1?5和對(duì)比例1所制得的有機(jī)電致發(fā)光器件在6V驅(qū)動(dòng)電壓下 進(jìn)行發(fā)光亮度的測(cè)試，以及測(cè)試器件在波長380?780nm之間的反射率，測(cè)試結(jié)果如表1所 示：
[0126] 表 1
[0127]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括基板和依次層疊設(shè)置在基板上的反射 電極、光散射層、第一透射電極、發(fā)光功能層和第二透射電極，所述光散射層的材質(zhì)包括納 米微球和聚合物材料，所述納米微球?yàn)榱綖?0?1500nm的陶瓷或高分子材料顆粒，所 述聚合物材料為熱固化的聚合物或者光固化的聚合物材料，所述光散射層的厚度為10? 100 μ m，所述反射電極的材質(zhì)為金屬薄膜，所述金屬薄膜包括金屬金，銀，鋁，銅，鎳，鉬，鎂 單質(zhì)或其任意組合形成的合金，所述第一透射電極的材質(zhì)為導(dǎo)電氧化物薄膜或金屬金、銀、 鋁、鉬薄膜，所述第二透射電極的材質(zhì)為金、銀、鋁、鎂或其任意組合形成的合金薄膜，所述 發(fā)光功能層至少包括依次層疊的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二透射電極表面進(jìn)一 步包括第二光散射層，所述第二光散射層的材質(zhì)包括納米微球和聚合物材料，所述納米微 球?yàn)榱綖?0?1500nm的陶瓷或高分子材料顆粒，所述聚合物材料為熱固化的聚合物或 者光固化的聚合物材料，所述第二光散射層的厚度為10?100 μ m。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述熱固化的聚合物材料 為熱固化環(huán)氧樹脂，所述光固化的聚合物材料為光固化丙烯酸樹脂。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陶瓷材料顆粒為二氧 化硅或二氧化鈦，所述高分子材料顆粒為聚苯乙烯微球。
5. 如權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述納米微球與聚合物材 料的質(zhì)量比為10?50:100。
6. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 將潔凈的基板置于真空度為IX ΚΓ3?IX l(T5Pa的真空鍍膜室中，采用真空熱阻蒸發(fā) 的方式在所述基板上制備反射電極，蒸發(fā)速度為0. 2?2nm/s，所述反射電極的材質(zhì)為金屬 薄膜，所述金屬薄膜包括金屬金，銀，鋁，銅，鎳，鉬，鎂單質(zhì)或其任意組合形成的合金； 采用絲網(wǎng)印刷的方式在所述反射電極表面制備光散射層，所述光散射層的材質(zhì)包括 納米微球和聚合物材料，所述納米微球?yàn)樘沾苫蚋叻肿硬牧项w粒，粒徑為50?1500nm，所 述聚合物材料為熱固化的聚合物或者光固化的聚合物材料，所述光散射層的厚度為10? 100 μ m ； 在所述光散射層表面依次制備第一透射電極、發(fā)光功能層和第二透射電極，得到有機(jī) 電致發(fā)光器件；所述第一透射電極的材質(zhì)為導(dǎo)電氧化物薄膜或金屬金、銀、鋁、鉬薄膜，所述 第二透射電極的材質(zhì)為金、銀、鋁、鎂或其任意組合形成的合金薄膜，所述發(fā)光功能層至少 包括依次層疊的空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層，所述第一透射電極采用真空蒸發(fā)或磁 控濺射的方式制備，所述發(fā)光功能層和第二透射電極采用真空蒸發(fā)的方式制備。
7. 如權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，進(jìn)一步包括，采用 絲網(wǎng)印刷的方式在所述第二透射電極表面制備第二光散射層，所述第二光散射層的材質(zhì)包 括納米微球和聚合物材料，所述納米微球?yàn)樘沾苫蚋叻肿硬牧项w粒，粒徑為50?1500nm， 所述聚合物材料為熱固化的聚合物或者光固化的聚合物材料，所述第二光散射層的厚度為 10 ?100 μ m。
8. 如權(quán)利要求6或7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述熱固化的 聚合物材料為熱固化環(huán)氧樹脂，所述光固化的聚合物材料為光固化丙烯酸樹脂；所述陶瓷 材料顆粒為二氧化硅或二氧化鈦，所述高分子材料顆粒為聚苯乙烯微球。
9. 如權(quán)利要求6或7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述納米微球 與聚合物材料的質(zhì)量比為10?50:100。
10. 如權(quán)利要求6或7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述絲網(wǎng)印 刷的絲網(wǎng)目數(shù)為200?1000目。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK104218180SQ201310210324
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2013年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 黃輝, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司