一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的透光基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴傳輸層包括交替層疊的混合層和有機(jī)層，混合層的材質(zhì)為有機(jī)材料和無機(jī)氧化物形成的混4e合材料，所述混合層和有機(jī)層的層數(shù)均大于等于2，混合層和有機(jī)層材質(zhì)中含有相同的有機(jī)材料，能夠保持器件的空穴傳輸能力。在空穴傳輸層中加入無機(jī)氧化物材料，可以提高空穴傳輸材料的密度，并改變有機(jī)層的折射率，使混合層與有機(jī)材料層之間由原來的均相結(jié)構(gòu)形成異相結(jié)構(gòu)，不斷的改變光的行進(jìn)方向，使得原有發(fā)生微腔效應(yīng)的光路徑不存在，因而降低了微腔效應(yīng)。本發(fā)明還公開了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光（Organic Light Emission Diode,以下簡稱0LED)，具有亮度高、材 料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速 度快等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā) 展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003] 目前，0LED的發(fā)展十分迅速，為了獲得其更多的應(yīng)用領(lǐng)域，更簡單的制作工藝，研 究者們開發(fā)了多種結(jié)構(gòu)的0LED發(fā)光裝置，例如頂發(fā)射發(fā)光裝置，倒置型發(fā)光裝置。目前應(yīng) 用于顯示裝置的0LED器件中，通常采用頂發(fā)射的結(jié)構(gòu)，這是因?yàn)橥ǔｏ@示裝置需要不透明 的硅材料作為襯底，出光只能從頂部的陰極發(fā)射，同時(shí)可以采用金屬薄膜作為具有反射的 陽極。但是頂發(fā)射器件通常具有較強(qiáng)的微腔效應(yīng)，使得器件的發(fā)射光譜發(fā)射窄化，特別是對(duì) 于白光或者其他混合色光的發(fā)射不利。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的透 光基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴 傳輸層包括交替層疊的混合層和有機(jī)材料層，混合層材質(zhì)為有機(jī)材料和無機(jī)氧化物形成的 混合材料，能夠保持器件的空穴傳輸能力。在空穴傳輸層中加入無機(jī)氧化物材料，可以提高 空穴傳輸材料的密度，并改變有機(jī)層的折射率，使混合層與有機(jī)材料層之間由原來的均相 結(jié)構(gòu)形成異相結(jié)構(gòu)，不斷的改變光的行進(jìn)方向，使得原有發(fā)生微腔效應(yīng)的光路徑不存在，因 而降低了微腔效應(yīng)。本發(fā)明還公開了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
[0005] 第一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括交替層疊的透光基板、陽 極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述空穴傳輸層 包括交替層疊的混合層和有機(jī)層，所述混合層和有機(jī)層的層數(shù)均大于等于2,所述混合層 材質(zhì)為無機(jī)氧化物和有機(jī)材料形成的混合材料，所述無機(jī)氧化物與有機(jī)材料的質(zhì)量比為 0.3:1?1:1 ;所述有機(jī)材料為Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二 胺（ΝΡΒ)、4, 4'，4' ' -三（咔唑 _9_ 基）三苯胺（TCTA)、Ν, Ν' -二苯基-Ν, Ν' -二 C3-甲 基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（TPD)或Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對(duì)二氨基聯(lián)苯 (MeO-TPD);所述無機(jī)氧化物為三氧化鎢（W03)、二氧化硅（Si0 2)、五氧化二釹（Nd205)、三氧 化錸（Re03)或三氧化鑰（M〇0 3);所述有機(jī)層的材質(zhì)為所述有機(jī)材料。
[0006] 優(yōu)選地，所述混合層的厚度為10?15nm。
[0007] 優(yōu)選地，所述有機(jī)層的厚度為10?20nm。
[0008] 優(yōu)選地，所述混合層和有機(jī)層的層數(shù)均為2?3層。
[0009] 優(yōu)選地，所述混合層和有機(jī)層材質(zhì)中含有相同的有機(jī)材料。
[0010] 優(yōu)選地，所述陽極的材質(zhì)為Ag、Al、Au或Pt。
[0011] 優(yōu)選地，所述陽極的厚度為70?200nm。
[0012] 優(yōu)選地，所述陰極的材質(zhì)為Ag、A1、或Ag-Mg合金或Al-Mg合金。
[0013] 優(yōu)選地，所述陰極的厚度為20?40nm。
[0014] 優(yōu)選地，所述空穴注入層材質(zhì)為酞菁鋅（ZnPc)、酞菁銅（CuPc)、4,4'，4''-三 (2-萘基苯基氨基）三苯基胺（2-TNATA)或（4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基） 三苯胺（m-MTDATA)。
[0015] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的厚度為5?10nm。
[0016] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質(zhì)為8-羥基喹啉鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯 啉（8口1^11)、1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯（了?8丨）或2,9-二甲基-4,7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)。
[0017] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層厚度為20?60nm。
[0018] 優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為氟化鋰、氟化銫或氟化鈣。
[0019] 優(yōu)選地，所述電子注入層的厚度為0. 5?2nm。
[0020] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質(zhì)為客體材料摻雜到主體材料形成的混合材料，所述客 體材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡 喃（DCJTB)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二氟苯基吡 啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮） 合銥（Ir(MDQ)2(acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq)3)或三（2-苯基吡啶）合 銥（11*(-- 7)3)，所述主體材料為4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)、8-羥基喹啉鋁（443)、 1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯〇1^丨）或1^-二苯基4州'-二（1-萘 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)，所述客體材料和所述主體材料的質(zhì)量比為0. 01:1? 0·15:1。
[0021] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層也可以采用熒光材料，所述熒光材料為4, 4' -二（2, 2-二苯乙 烯基）-1，1'-聯(lián)苯（0?￥8丨）、4,4'-雙[4-(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（0?八￥81)、 5,6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖啶酮（DMQA)。
[0022] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為lnm?30nm。
[0023] 優(yōu)選地，所述透光基板為玻璃基板或透明聚合物薄膜。
[0024] 更優(yōu)選地，所述透光基板為玻璃基板。
[0025] 本發(fā)明空穴傳輸層包括交替層疊的混合層和有機(jī)層，在制備所述空穴傳輸層時(shí)， 可以先在空穴注入層上制備混合層，然后在混合層上制備有機(jī)層，在所述有機(jī)層上制備混 合層，以此類推，得到交替層疊的混合層和有機(jī)層；也可以在空穴注入層上先制備有機(jī)層， 再在所述有機(jī)層上制備混合層，在所述混合層上制備有機(jī)層，以此類推，得到交替層疊的有 機(jī)層和混合層，同時(shí)，所述混合層和有機(jī)層的層數(shù)可以相同也可以不同。
[0026] 本發(fā)明空穴傳輸層包括交替層疊的混合層和有機(jī)層，所述混合層和有機(jī)層的層數(shù) 均大于等于2,所述混合層材質(zhì)為有機(jī)材料和無機(jī)氧化物形成的混合材料，混合層與有機(jī)層 材質(zhì)中含有相同的有機(jī)材料，能夠保持器件的空穴傳輸能力。在空穴傳輸層中加入無機(jī)氧 化物材料，可以提高空穴傳輸材料的密度，并改變有機(jī)層的折射率，使混合層與有機(jī)層之間 由原來的均相結(jié)構(gòu)形成異相結(jié)構(gòu)，光線在這種多成結(jié)構(gòu)中傳輸時(shí)會(huì)在多個(gè)界面發(fā)生折射， 不斷的改變光的行進(jìn)方向，使得原有發(fā)生微腔效應(yīng)的光路徑不存在，因而降低了微腔效應(yīng)。
[0027] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步 驟：
[0028] (1)在清洗干凈后的透光基板上采用磁控濺射的方法制備陽極；在所述陽極上采 用熱阻蒸發(fā)的方法制備空穴注入層；
[0029] (2)在所述空穴注入層上制備空穴傳輸層，所述空穴傳輸層包括交替層疊的混合 層和有機(jī)層，所述混合層和有機(jī)層的層數(shù)均大于等于2,所述混合層材質(zhì)為有機(jī)材料和無 機(jī)氧化物形成的混合材料，所述無機(jī)氧化物與有機(jī)材料的質(zhì)量比為〇. 3:1?1:1 ;所述有 機(jī)材料為 Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（咔 唑-9-基）三苯胺、Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν'-二（3-甲基苯基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺或 Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對(duì)二氨基聯(lián)苯；所述無機(jī)氧化物為三氧化鎢、二氧化硅、五氧 化二釹、三氧化錸或三氧化鑰；所述有機(jī)層的材質(zhì)為所述有機(jī)材料，所述有機(jī)層采用熱阻蒸 發(fā)的方法制備，制備所述混合層時(shí)，熱阻蒸發(fā)所述混合層中的有機(jī)材料，同時(shí)電子束蒸發(fā)所 述混合層中的無機(jī)氧化物，所述制備時(shí)的工作壓強(qiáng)為1X 1〇_5?1X l〇_3Pa，所述熱阻蒸發(fā)的 蒸發(fā)速度為〇. 1?lnm/s，所述電子束的蒸發(fā)速度為0. 1?0. 5nm/s，所述電子束蒸發(fā)的能 量密度為10?l〇〇W/cm2 ;所述電子束蒸發(fā)速率和熱阻蒸發(fā)速率的速率比為0. 3:1?1:1 ;
[0030] (3)在空穴傳輸層上采用熱阻蒸發(fā)的方法依次制備發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入 層和陰極，得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0031] 優(yōu)選地，所述混合層的厚度為10?15nm。
[0032] 優(yōu)選地，所述有機(jī)層的厚度為10?20nm。
[0033] 優(yōu)選地，所述混合層和有機(jī)層的層數(shù)均為2?3層。
[0034] 優(yōu)選地，所述混合層和有機(jī)層材質(zhì)中含有相同的有機(jī)材料。
[0035] 優(yōu)選地，所述空穴注入層和電子傳輸層的熱阻蒸發(fā)條件均為：熱阻蒸發(fā)壓強(qiáng)為 1 X 10 5Pa ?1 X 10 3Pa，熱阻蒸發(fā)速率為 0· lnm/s ?lnm/s。
[0036] 優(yōu)選地，所述電子注入層、陰極和陽極的熱阻蒸發(fā)條件均為：熱阻蒸發(fā)壓強(qiáng)為 1 X 10 5Pa ?1 X 10 3Pa，熱阻蒸發(fā)速率為 0· 2nm/s ?5nm/s。
[0037] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的蒸鍍速率為0. 01nm/s?lnm/s，所述客體材料和主體材料 的蒸鍍速率比為〇. 01:1?〇. 15:1。
[0038] 本發(fā)明空穴傳輸層包括交替層疊的混合層和有機(jī)層，在制備所述空穴傳輸層時(shí)， 可以先在空穴注入層上制備混合層，然后在混合層上制備有機(jī)層，在所述有機(jī)層上制備混 合層，以此類推，得到交替層疊的混合層和有機(jī)層；也可以在空穴注入層上先制備有機(jī)層， 再在所述有機(jī)層上制備混合層，在所述混合層上制備有機(jī)層，以此類推，得到交替層疊的有 機(jī)層和混合層，同時(shí)，所述混合層和有機(jī)層的層數(shù)可以相同也可以不相同。
[0039] 優(yōu)選地，所述透光基板為玻璃基板或透明聚合物薄膜。
[0040] 更優(yōu)選地，所述透光基板為玻璃基板。
[0041] 優(yōu)選地，所述清洗干凈是將透光基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清 洗，清洗干凈后依次在使用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0042] 優(yōu)選地，所述陽極的材質(zhì)為Ag、Al、Au或Pt。
[0043] 優(yōu)選地，所述陽極的厚度為70?200nm。
[0044] 優(yōu)選地，所述陰極的材質(zhì)為Ag、A1、或Ag-Mg合金或Al-Mg合金。
[0045] 優(yōu)選地，所述陰極的厚度為20?40nm。
[0046] 優(yōu)選地，所述空穴注入層材質(zhì)為酞菁鋅（ZnPc)、酞菁銅（CuPc)、 2-TNATA (4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺）或 m-MTDATA ((4, 4'，4' ' -三（N-3-甲 基苯基-N-苯基氨基）三苯胺）。
[0047] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的厚度為5?10nm。
[0048] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質(zhì)為8-羥基喹啉鋁（Alq3)、4, 7-二苯基-鄰菲咯 啉（8口1^11)、1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯（了?8丨）或2,9-二甲基-4,7-聯(lián) 苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)。
[0049] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層厚度為20?60nm。
[0050] 優(yōu)選地，所述電子注入層材質(zhì)為氟化鋰、氟化銫或氟化鈣。
[0051] 優(yōu)選地，所述電子注入層的厚度為〇· 5?2nm。
[0052] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質(zhì)為客體材料摻雜到主體材料形成的混合材料，所述客 體材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡 喃（DCJTB)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二氟苯基吡 啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮） 合銥（Ir(MDQ)2(acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq)3)或三（2-苯基吡啶）合 銥（11*(-- 7)3)，所述主體材料為4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)、8-羥基喹啉鋁（443)、 1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯〇1^丨）或1^-二苯基4州'-二（1-萘 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)，所述客體材料和所述主體材料的質(zhì)量比為0. 01:1? 0·15:1。
[0053] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層也可以采用熒光材料，所述熒光材料為4, 4' -二（2, 2-二苯乙 烯基）-1，1'-聯(lián)苯（0?￥8丨）、4,4'-雙[4-(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（0?八￥81)、 5,6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖啶酮（DMQA)。
[0054] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為lnm?30nm。
[0055] 本發(fā)明空穴傳輸層包括交替層疊的混合層和有機(jī)層，所述混合層和有機(jī)層的層數(shù) 均大于等于2,所述混合層材質(zhì)為有機(jī)材料和無機(jī)氧化物形成的混合材料，混合層與有機(jī)層 材質(zhì)中含有相同的有機(jī)材料，能夠保持器件的空穴傳輸能力。在空穴傳輸層中加入無機(jī)氧 化物材料，可以提高空穴傳輸材料的密度，并改變有機(jī)層的折射率，使混合層與有機(jī)層之間 由原來的均相結(jié)構(gòu)形成異相結(jié)構(gòu)，光線在這種多成結(jié)構(gòu)中傳輸時(shí)會(huì)在多個(gè)界面發(fā)生折射， 不斷的改變光的行進(jìn)方向，使得原有發(fā)生微腔效應(yīng)的光路徑不存在，因而降低了微腔效應(yīng)。
[0056] 實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，具有以下有益效果：
[0057] 本發(fā)明在本發(fā)明空穴傳輸層包括交替層疊的混合層和有機(jī)層，提高了器件的空穴 傳輸能力，同時(shí)降低了器件的微腔效應(yīng)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0058] 為了更清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式中所需要使用的附圖作 簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0059] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0060] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清 楚、完整地描述。
[0061] 實(shí)施例1
[0062] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0063] ( 1)提供玻璃基板，將基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈桑辉趬簭?qiáng)為1 X l(T3Pa的 真空鍍膜系統(tǒng)中，在玻璃基板上依次采用熱阻蒸發(fā)的方法制備陽極和空穴注入層，陽極材 質(zhì)為Ag，厚度為70nm ;熱阻蒸發(fā)速率為5nm/s ;空穴注入層的材質(zhì)為ZnPc，厚度為10nm ;熱 阻蒸發(fā)速度為〇. lnm/s ;
[0064] (2)在空穴注入層上制備混合層，在混合層上制備有機(jī)層，再在有機(jī)層上制備混合 層，以此類推，得到依次層疊的混合層/有機(jī)層/混合層/有機(jī)層/混合層/有機(jī)層的空穴 傳輸層結(jié)構(gòu)，斜杠"/"表示層狀結(jié)構(gòu)；混合層的材質(zhì)為A1 203和NPB以質(zhì)量比為0. 3:1的比 例形成的混合材料，混合層的厚度為l〇nm，有機(jī)層的材質(zhì)為NPB，厚度為10nm，制備混合層 時(shí)，電子束蒸發(fā)A1 203，同時(shí)熱阻蒸發(fā)NPB，采用共蒸的方法制備混合層，電子束的蒸發(fā)速度 為0. 15nm/s，電子束蒸發(fā)的能量密度為lOW/cm2,熱阻蒸發(fā)速率為0. 5nm/s ;有機(jī)層采用熱 阻蒸發(fā)的方法制備，熱阻蒸發(fā)速率為〇. 5nm/s ;
[0065] (3)在空穴傳輸層上米用熱阻蒸發(fā)的方法依次制備發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入 層和陰極，發(fā)光層的材質(zhì)為FIrpic摻雜到CBP形成的混合材料，F(xiàn)irpic和CBP的質(zhì)量比為 0. 08:1，厚度為lnm ;Firpic的蒸發(fā)速率為0. Olnm/s ;CBP的蒸發(fā)速率為0. 125nm/s ;電子傳 輸層的材質(zhì)為Bphen，厚度為60nm ;電子注入層材質(zhì)為LiF，厚度為0. 5nm ;陰極材質(zhì)為Ag， 厚度為20nm ;電子傳輸層的蒸發(fā)速度為0. lnm/s ;電子注入層和陰極的蒸發(fā)速度為0. 2nm/ So
[0066] 圖1為本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例制備的有機(jī)電 致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板10、陽極20、空穴注入層30、空穴傳輸層40、發(fā)光層 50、電子傳輸層60、電子注入層70和陰極80,空穴傳輸層40包括依次層疊的混合層41、有 機(jī)層42、混合層43、有機(jī)層44、混合層45和有機(jī)層46 ;具體結(jié)構(gòu)表不為：
[0067] 玻璃基板 /Ag/ZnPc/Al203:NPB/NPB/Al203:NPB/NPB/Al 203:NPB/NPB/FIrpic:CBP/ Bphen/LiF/Ag，其中，斜杠"/"表示層狀結(jié)構(gòu)，A1 203:NPB和FIrpic:CBP中的冒號(hào)"："表示 混合，下同。
[0068] 實(shí)施例2
[0069] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0070] ( 1)提供玻璃基板，將基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈桑辉趬簭?qiáng)為1 X l(T5Pa的 真空鍍膜系統(tǒng)中，在玻璃基板上依次采用熱阻蒸發(fā)的方法制備陽極和空穴注入層，陽極材 質(zhì)為A1，厚度為200nm ;蒸發(fā)速率為lnm/s ;空穴注入層的材質(zhì)為CuPc，厚度為5nm ;蒸發(fā)速 度為lnm/s ;
[0071] (2)在空穴注入層上制備有機(jī)層，再在有機(jī)層上制備混合層，以此類推，得到依次 層疊的有機(jī)層/混合層/有機(jī)層/混合層/有機(jī)層的空穴傳輸層結(jié)構(gòu)，混合層的材質(zhì)為 ReOjPTro以質(zhì)量比為1:1的比例形成的混合材料，混合層的厚度為15nm，有機(jī)層的材質(zhì)為 TPD，厚度為15nm，制備混合層時(shí)，電子束蒸發(fā)Re03，同時(shí)熱阻蒸發(fā)TPD，采用共蒸的方法制備 混合層，熱阻蒸發(fā)速率為〇. lnm/s，電子束的蒸發(fā)速度為0. lnm/s，電子束蒸發(fā)的能量密度 為100W/cm2 ;有機(jī)層采用熱阻蒸發(fā)的方法制備，蒸發(fā)速率為0. lnm/s ;
[0072] (3)在空穴傳輸層上采用熱阻蒸發(fā)的方法依次制備發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入 層和陰極，發(fā)光層的材質(zhì)為Ir(MDQ) 2(acac)摻雜到NPB形成的混合材料，Ir(MDQ)2(acac)和 NPB的質(zhì)量比為0. 08:1，厚度為30nm ;Ir(MDQ)2(acac)的蒸發(fā)速率為0. 01nm/s ;NPB的蒸發(fā) 速率為0. 125nm/s ;電子傳輸層的材質(zhì)為TPBi，厚度為20nm ;電子注入層材質(zhì)為CsF，厚度 為0. 5nm ;陰極材質(zhì)為A1，厚度為20nm ;電子傳輸層的蒸發(fā)速度為lnm/s ;電子注入層和陰 極的蒸發(fā)速度為lnm/s。
[0073] 本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴注入 層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，空穴傳輸層包括依次層疊的有機(jī) 層、混合層、有機(jī)層、混合層和有機(jī)層；具體結(jié)構(gòu)表示為：
[0074] 玻璃基板 /Al/CuPc/TPD/Re03:TPD/TPD/Re03:TPD/TPD/Ir(MDQ) 2(acac) :NPB/ TPBi/CsF/Al〇
[0075] 實(shí)施例3
[0076] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0077] ( 1)提供玻璃基板，將基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈?；在壓?qiáng)為1 X l(T4Pa的 真空鍍膜系統(tǒng)中，在玻璃基板上依次采用熱阻蒸發(fā)的方法制備陽極和空穴注入層，陽極材 質(zhì)為Au，厚度為100nm ;蒸發(fā)速率為2nm/s ;空穴注入層的材質(zhì)為m-MTDATA，厚度為10nm ;蒸 發(fā)速度為〇. 5nm/s ;
[0078] (2)在空穴注入層上制備混合層，在混合層上制備有機(jī)層，再在有機(jī)層上制備混合 層，以此類推，得到依次層疊的混合層/有機(jī)層/混合層/有機(jī)層/混合層的空穴傳輸層結(jié) 構(gòu)；混合層的材質(zhì)為M〇0 3和TCTA以質(zhì)量比為0. 5:1的比例形成的混合材料，混合層的厚度 為10nm，有機(jī)層的材質(zhì)為TCTA，厚度為20nm，制備混合層時(shí)，電子束蒸發(fā)M〇0 3，同時(shí)熱阻蒸 發(fā)TCTA，采用共蒸的方法制備混合層，電子束的蒸發(fā)速度為0. 5nm/s，電子束蒸發(fā)的能量密 度為50W/cm2 ;熱阻蒸發(fā)速率為lnm/s ;有機(jī)層采用熱阻蒸發(fā)的方法制備，蒸發(fā)速率為lnm/ s ；
[0079] (3)在空穴傳輸層上采用熱阻蒸發(fā)的方法依次制備發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入 層和陰極，發(fā)光層的材質(zhì)為Ir (ppy)3摻雜到TPBi形成的混合材料，Ir(ppy)3和TPBi的質(zhì) 量比為0. 15:1，厚度為20nm ;Ir(ppy)3的蒸發(fā)速率為0. 15nm/s ;TPBi的蒸發(fā)速率為lnm/s ; 電子傳輸層的材質(zhì)為Alq3，厚度為40nm ;電子注入層材質(zhì)為NaF，厚度為lnm ;陰極材質(zhì)為 Mg-Ag合金，厚度為40nm ;電子傳輸層的蒸發(fā)速度為0. 5nm/s ;電子注入層和陰極的蒸發(fā)速 度為2nm/s。
[0080] 本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴注入 層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，空穴傳輸層包括依次層疊的混合 層、有機(jī)層、混合層、有機(jī)層、混合層；具體結(jié)構(gòu)表示為：
[0081] 玻璃基板 /Au/m-MTDATA/Mo03:TCTA/TCTA/Mo03:TCTA/TCTA/Mo0 3:TCTA/ Ir (ppy) 3： TPBi/Alq3/NaF/Mg-Ag〇
[0082] 實(shí)施例4
[0083] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0084] ( 1)提供玻璃基板，將基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清洗，清洗干凈 后依次用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈桑辉趬簭?qiáng)為1 X l(T4Pa的 真空鍍膜系統(tǒng)中，在玻璃基板上依次采用熱阻蒸發(fā)的方法制備陽極和空穴注入層，陽極材 質(zhì)為Pt，厚度為80nm ;蒸發(fā)速率為5nm/s ;空穴注入層的材質(zhì)為2-TNATA，厚度為5nm ;蒸發(fā) 速度為〇. lnm/s ;
[0085] (2)在空穴注入層上制備有機(jī)層，再在有機(jī)層上制備混合層，以此類推，得到依 次層疊的有機(jī)層/混合層/有機(jī)層/混合層的空穴傳輸層結(jié)構(gòu)，混合層的材質(zhì)為Nd 205和 MeO-TH)以質(zhì)量比為0. 4:1的比例形成的混合材料，混合層的厚度為10nm，有機(jī)層的材質(zhì)為 MeO-TPD，厚度為10nm，制備混合層時(shí)，電子束蒸發(fā)Nd205，同時(shí)熱阻蒸發(fā)MeO-TPD，用共蒸的 方法制備混合層，電子束的蒸發(fā)速度為0. 2nm/s，電子束蒸發(fā)的能量密度為lOW/cm2 ;有機(jī)層 采用熱阻蒸發(fā)的方法制備，蒸發(fā)速率為〇. 5nm/s ;
[0086] (3)在空穴傳輸層上米用熱阻蒸發(fā)的方法依次制備發(fā)光層、電子傳輸層、電子注 入層和陰極，發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB摻雜到Alq 3形成的混合材料，DCJTB和Alq3質(zhì)量比為 0. 01:1，厚度為5nm ;DCJTB的蒸發(fā)速率為0. Olnm/s ;Alq3的蒸發(fā)速率為lnm/s ;電子傳輸層 的材質(zhì)為BCP，厚度為40nm ;電子注入層材質(zhì)為LiF，厚度為2nm ;陰極材質(zhì)為Mg-Al，厚度為 35nm ;電子傳輸層的蒸發(fā)速度為0. lnm/s ;電子注入層和陰極的蒸發(fā)速度為5nm/s。
[0087] 本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴注入 層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，空穴傳輸層包括依次層疊的有機(jī) 層、混合層、有機(jī)層和混合層；具體結(jié)構(gòu)表示為：
[0088] 玻璃基板 /Pt/2-TNATA/Me0-TPD/Nd205:Me0-TPD/Me0-TPD/Nd 205:Me0-TPD/ DCJTB: Alq3/BCP/LiF/Mg_Al。
[0089] 對(duì)比實(shí)施例1
[0090] 為體現(xiàn)為本發(fā)明的創(chuàng)造性，本發(fā)明還設(shè)置了對(duì)比實(shí)施例1，對(duì)比實(shí)施例1與實(shí)施例 1的區(qū)別在于對(duì)比實(shí)施例1中空穴傳輸層的材質(zhì)僅為NPB，對(duì)比實(shí)施例1有機(jī)電致發(fā)光器件 的具體結(jié)構(gòu)為：玻璃基板/Ag/ZnPc/NPB/FIrpi C:CBP/Bphen/LiF/Ag分別對(duì)應(yīng)玻璃基板、陽 極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0091] 對(duì)比實(shí)施例2
[0092] 對(duì)比實(shí)施例2與實(shí)施例2的區(qū)別在于對(duì)比實(shí)施例中空穴傳輸層的材質(zhì)僅 為TPD，對(duì)比實(shí)施例2有機(jī)電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)為：玻璃基板/Al/CuPc/TH)/ Ir (MDQ) 2 (acac) : NPB/TPBi/CsF/Al。分別對(duì)應(yīng)玻璃基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0093] 對(duì)比實(shí)施例3
[0094] 對(duì)比實(shí)施例3與實(shí)施例3的區(qū)別在于對(duì)比實(shí)施例中空穴傳輸層的材質(zhì)僅為 TCTA，對(duì)比實(shí)施例3有機(jī)電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)為：玻璃基板/Au/m-MTDATA/TCTA/ Ir(ppy)3:TPBi/Alq3/NaF/Mg-Ag ;分別對(duì)應(yīng)玻璃基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光 層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0095] 對(duì)比實(shí)施例4
[0096] 對(duì)比實(shí)施例4與實(shí)施例4的區(qū)別在于對(duì)比實(shí)施例中空穴傳輸層的材質(zhì)僅為 MeO-TPD，對(duì)比實(shí)施例4有機(jī)電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)為：玻璃基板/Pt/2-TNATA/Me〇-Tro/ DCJTB:Alq3/BCP/LiF/Mg_Al。分別對(duì)應(yīng)玻璃基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、 電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0097] 效果實(shí)施例
[0098] 表1是實(shí)施例和對(duì)比實(shí)施例測(cè)試的光譜半峰寬數(shù)據(jù)。
[0099] 表1實(shí)施例1?4和對(duì)比實(shí)施例1?4測(cè)試的光譜半峰寬數(shù)據(jù)
[0100]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的透光基板、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，其特征在于，所述空穴傳輸層包括交替層疊的混 合層和有機(jī)層，所述混合層和有機(jī)層的層數(shù)均大于等于2,所述混合層的材質(zhì)為無機(jī)氧化 物和有機(jī)材料形成的混合材料，所述無機(jī)氧化物與有機(jī)材料的質(zhì)量比為〇. 3:1?1:1 ;所 述有機(jī)材料為Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三 (咔唑-9-基）三苯胺、Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺或 Ν，Ν，Ν'，Ν' -四甲氧基苯基）-對(duì)二氨基聯(lián)苯；所述無機(jī)氧化物為三氧化鎢、二氧化硅、五氧 化二釹、三氧化錸或三氧化鑰；所述有機(jī)層的材質(zhì)為所述有機(jī)材料。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述混合層的厚度為10? 15nm，所述有機(jī)層的厚度為10?20nm。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述混合層和有機(jī)層材質(zhì)中 含有相同的有機(jī)材料。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述混合層和有機(jī)層的層數(shù) 均為2?3層。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材質(zhì)為酞 菁鋅、酞菁銅、4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺或（4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯 基-N-苯基氨基）三苯胺）。
6. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材質(zhì)為突光材 料，或客體材料摻雜到主體材料形成的混合材料，所述客體材料為4-(二腈甲基）-2- 丁 基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡 啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h] 喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉)合銥或三（2-苯基吡啶）合銥，所述主體材 料為4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯或Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺，所述客體材料和主體材 料的質(zhì)量比為〇. 01:1?〇. 15:1 ;所述熒光材料為4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ -聯(lián) 苯、4, 4'-雙[4-(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘或二甲基 喹吖啶酮。
7. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟： (1) 在清洗干凈后的透光基板上采用磁控濺射的方法制備陽極；在陽極上采用熱阻蒸 發(fā)的方法制備空穴注入層； (2) 在所述空穴注入層上制備空穴傳輸層，所述空穴傳輸層包括交替層疊的混合層和 有機(jī)層，所述混合層和有機(jī)層的層數(shù)均大于等于2,所述混合層材質(zhì)為無機(jī)氧化物和有機(jī)材 料形成的混合材料，所述無機(jī)氧化物與有機(jī)材料的質(zhì)量比為〇. 3:1?1:1 ;所述有機(jī)材料為 Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基） 三苯胺4州'-二苯基，州'-二（3-甲基苯基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺或^^州'-四 甲氧基苯基）-對(duì)二氨基聯(lián)苯；所述無機(jī)氧化物為三氧化鎢、二氧化硅、五氧化二釹、三氧化 錸或三氧化鑰；所述有機(jī)層的材質(zhì)為所述有機(jī)材料，所述有機(jī)層采用熱阻蒸發(fā)的方法制備， 制備所述混合層時(shí)，所述混合層中的有機(jī)材料采用熱阻蒸發(fā)的方法制備，所述混合層中的 無機(jī)氧化物采用電子束蒸發(fā)的方法制備，所述制備時(shí)的工作壓強(qiáng)為1X 1〇_5?1X l〇_3Pa，所 述熱阻蒸發(fā)的蒸發(fā)速度為0. 1?lnm/s，所述電子束的蒸發(fā)速度為0. 1?0. 5nm/s，所述電 子束蒸發(fā)的能量密度為10?l〇〇W/cm2 ;所述電子束蒸發(fā)速率和熱阻蒸發(fā)速率的速率比為 0· 3:1 ?1:1 ; (3)在空穴傳輸層上依次熱阻蒸發(fā)制備發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，得到 所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
8. 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述混合層的厚 度為10?15nm，所述有機(jī)層的厚度為10?20nm。
9. 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述混合層和有 機(jī)層材質(zhì)中含有相同的有機(jī)材料。
10. 如權(quán)利要求7所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述所述混合層 和有機(jī)層的層數(shù)均為2?3層。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK104218162SQ201310210327
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2013年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 張振華, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司