多波束半導(dǎo)體激光裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供多波束半導(dǎo)體激光裝置，其抑制多波束半導(dǎo)體激光裝置的波束間的焊料彼此的短路不良。激光芯片（11）的表面電極（15）與基座（10）的基座電極（27）通過(guò)熔融接合焊料（18）與第二Au鍍層（17）而電連接。第二Au鍍層（17）在形成在隆起部（20）的兩側(cè)的p式第二包覆層（25）上的一對(duì)凹槽（21）的一方的上部與焊料（18）接觸，并且，第二Au鍍層（17）的寬度比焊料（18）的寬度窄，因此隆起部（20）與焊料（18）為在平面上不重合，在隆起部（20）與基座（10）之間具有間隙的結(jié)構(gòu)。
【專利說(shuō)明】多波束半導(dǎo)體激光裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及多波束半導(dǎo)體激光裝置，尤其涉及利用結(jié)朝下將形成多個(gè)激光二極管的半導(dǎo)體芯片安裝在支撐基板上的半導(dǎo)體激光裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]作為光通信系統(tǒng)的光源、信息處理設(shè)備的光源使用的激光二極管(LaserDiode ；LD)在半導(dǎo)體芯片內(nèi)設(shè)置條紋狀的活性層，將夾住該活性層的上下的半導(dǎo)體層的一方作為第一導(dǎo)電式(η式)半導(dǎo)體層，將另一方作為第二導(dǎo)電式(P式)半導(dǎo)體層，從而形成ρη接合。另外，為了形成用于激光振蕩的共振器(光導(dǎo)波道)，采用了采用隆起結(jié)構(gòu)等多種結(jié)構(gòu)。
[0003]形成上述那樣激光二極管的半導(dǎo)體芯片通過(guò)焊料及Au鍍層連接在配置在包裝件內(nèi)的被稱為基座的由熱傳導(dǎo)性良好的材料(例如AIN、SiC, Cuff等)構(gòu)成的支撐基板上。另夕卜，為了將在激光二極管發(fā)光時(shí)產(chǎn)生的熱有效地散發(fā)到外部，普遍使用在使成為熱產(chǎn)生源的ρη接合接近基座的狀態(tài)下固定的結(jié)朝下方式(例如專利文獻(xiàn)I)。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2011-108932號(hào)公報(bào)
[0006]采用結(jié)朝下方式的半導(dǎo)體激光裝置通過(guò)熔融接合形成在位于發(fā)光部的上部的隆起部上的Au鍍層、形成在基座電極上的具有導(dǎo)電性的焊料，進(jìn)行散熱及通電。
[0007]在多波束半導(dǎo)體激光裝置的場(chǎng)合，在半導(dǎo)體芯片內(nèi)設(shè)有多個(gè)發(fā)光部，各個(gè)的隆起部形成分別被電絕緣的電極。并且，在基座側(cè)形成具有與該多個(gè)電極對(duì)應(yīng)的短邊狀的平面圖案的多個(gè)焊料，并接合在基座上的方式是普遍的。
[0008]但是，在采用上述方式的場(chǎng)合，通過(guò)波束間是狹窄間隙(例如30ym?50ym)dt為半導(dǎo)體芯片側(cè)的電極的一部分的Au鍍層的寬度比基座側(cè)的焊料圖案的寬度寬，在熔融接合時(shí)，焊錫局部地集中，產(chǎn)生焊錫球。由此，由于在半導(dǎo)體芯片的多個(gè)電極間產(chǎn)生焊料彼此的短路，無(wú)法進(jìn)行利用波束單獨(dú)的驅(qū)動(dòng)，有可能引起組裝成品率下降。
[0009]另外，多波束半導(dǎo)體激光裝置要求在波束間的特性差小。但是，多波束半導(dǎo)體激光裝置在組裝半導(dǎo)體芯片與基座時(shí)，由于由半導(dǎo)體芯片側(cè)的Au電極材料及半導(dǎo)體材料、基座側(cè)的焊料及基座材料的熱膨脹系數(shù)不同引起的反應(yīng)而產(chǎn)生的應(yīng)力遍及隆起部，因此存在產(chǎn)生偏振角特性不良的問(wèn)題。
[0010]偏振角特性為從發(fā)光部照射的光的偏波的角度的特性，優(yōu)選該偏波在沿半導(dǎo)體芯片的主面的面內(nèi)振動(dòng)。偏波面相對(duì)于半導(dǎo)體芯片的主面傾斜地旋轉(zhuǎn)的光照射導(dǎo)致偏振角特性惡化。并且，在使用了偏振角特性惡化了的半導(dǎo)體芯片的場(chǎng)合，在使透鏡等光學(xué)部件透過(guò)時(shí)，產(chǎn)生光量減少之類的問(wèn)題。在多波束半導(dǎo)體激光裝置的場(chǎng)合，在波束間，當(dāng)偏振角不同時(shí)成為波束間差，尤其成為問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的目的在于抑制多波束半導(dǎo)體激光裝置的波束間的焊料彼此的短路不良。[0012]本發(fā)明的另一目的在于減小多波束半導(dǎo)體激光裝置的波束間的偏振角旋轉(zhuǎn)、偏振角的波束間相對(duì)差。
[0013]本發(fā)明的上述及其他目的與新的特征從本說(shuō)明書(shū)的記述及附圖變得明確。
[0014]在本申請(qǐng)公開(kāi)的發(fā)明中，如果簡(jiǎn)單地說(shuō)明優(yōu)選的方式的概要，則如下。
[0015]一種多波束半導(dǎo)體激光裝置，其具備:具備三個(gè)以上波束的半導(dǎo)體芯片；以及安裝上述半導(dǎo)體芯片的支撐基板，
[0016]上述半導(dǎo)體芯片具有:
[0017]形成在半導(dǎo)體基板的主面上的第一導(dǎo)電式包覆層；
[0018]形成在上述第一導(dǎo)電式包覆層的上部的活性層；
[0019]形成在上述活性層的上部的第二導(dǎo)電式包覆層；
[0020]分別包括上述第二導(dǎo)電式包覆層與形成在上述第二導(dǎo)電式包覆層上部的第二導(dǎo)電式觸點(diǎn)層的三個(gè)以上的隆起部；
[0021]形成在上述隆起部的各個(gè)的兩側(cè)的上述第二導(dǎo)電式包覆層上的一對(duì)凹槽；
[0022]與上述隆起部的各個(gè)電連接，以覆蓋上述隆起部的各個(gè)的上部與形成在其兩側(cè)的上述一對(duì)凹槽的上部的方式連續(xù)地形成的表面電極；
[0023]形成在上述表面電極的上部的第一導(dǎo)電層；
[0024]形成在上述第一導(dǎo)電層的上部，面積比上述第一導(dǎo)電層小的第二導(dǎo)電層；
[0025]形成在上述半導(dǎo)體基板的背面的背面電極，
[0026]在上述支撐基板的芯片安裝面形成與上述隆起部的數(shù)量相同的第一電極，
[0027]在上述第一電極的各個(gè)的表面形成焊料，
[0028]上述半導(dǎo)體基板通過(guò)熔融接合上述第二導(dǎo)電層與上述焊料，安裝在上述支撐基板的上述芯片安裝面上，
[0029]上述第二導(dǎo)電層在形成在上述隆起部的兩側(cè)的上述一對(duì)凹槽的至少一方的上部與上述焊料接觸，
[0030]沿上述隆起部的排列方向的上述第二導(dǎo)電層疊的寬度比上述焊料的寬度窄。
[0031]本發(fā)明的效果如下。
[0032]在本申請(qǐng)公開(kāi)的發(fā)明中，如果簡(jiǎn)單地說(shuō)明由優(yōu)選的方式得到的效果，則如下。
[0033]能夠抑制多波束半導(dǎo)體激光裝置的波束間的焊料彼此的短路不良。
[0034]能夠減小多波束半導(dǎo)體激光裝置的波束間的偏振角旋轉(zhuǎn)、偏振角的波束間相對(duì)差。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的多波束半導(dǎo)體激光裝置的整體結(jié)構(gòu)的主要部分剖切立體圖。
[0036]圖2是本發(fā)明的實(shí)施方式的多波束半導(dǎo)體激光裝置的主要部分剖視圖。
[0037]圖3 (a)是表示激光芯片的主面的俯視圖，(b)是表示激光芯片的背面的俯視圖。
[0038]圖4是表示本發(fā)明的多波束半導(dǎo)體激光裝置的另一例子的主要部分剖視圖。
[0039]圖5是表示本發(fā)明的多波束半導(dǎo)體激光裝置的又一例子的主要部分剖視圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0040]下面，根據(jù)附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，在用于說(shuō)明實(shí)施方式的全部圖中，對(duì)具有相同的功能的部件標(biāo)注相同的符號(hào)，并省略其重復(fù)的說(shuō)明。另外，在實(shí)施方式中，除了特別必要時(shí)，以同一或相同的部分的說(shuō)明為原則，不重復(fù)。另外，在說(shuō)明實(shí)施方式的圖中，為了使結(jié)構(gòu)容易明白，具有即使俯視圖也標(biāo)注陰影的場(chǎng)合、即使剖視圖也省略陰影的場(chǎng)合。
[0041](實(shí)施方式)
[0042]本實(shí)施方式適用于具有凸?fàn)畹穆∑鸩康乃牟ㄊ雽?dǎo)體激光裝置，圖1是表示該四波束半導(dǎo)體激光裝置的整體結(jié)構(gòu)的主要部分剖切立體圖。
[0043]本實(shí)施方式的四波束半導(dǎo)體激光裝置具有例如直徑5.6mm左右、厚度1.0mm左右的由Fe合金構(gòu)成的圓盤狀的桿30、具備覆蓋該桿30的上表面的蓋31的CAN包裝件(封閉容器)結(jié)構(gòu)。
[0044]設(shè)在上述蓋31的底部的外周的凸緣部32固定在桿30的上表面。另外，在蓋31的上表面的中央部分設(shè)有接合了使激光束透過(guò)的玻璃板33的圓孔34。
[0045]在由蓋31覆蓋的桿30的上表面的中央部附近安裝有例如由Cu那樣的熱傳導(dǎo)性良好的金屬構(gòu)成的散熱片35。該散熱片35通過(guò)焊料(未圖示)接合在桿30的上表面，在其一面通過(guò)焊錫(未圖示)固定基座(支撐基板)10。
[0046]基座10由AIN、SiC、CuW等陶瓷構(gòu)成，在其一面利用結(jié)朝下方式安裝形成了四個(gè)激光二極管的激光芯片(半導(dǎo)體芯片)11?；?0兼做用于將在激光二極管發(fā)光時(shí)產(chǎn)生的熱量散熱到激光芯片11的外部的散熱板、用于支撐激光芯片11的基板。激光芯片11的后述的背面電極13通過(guò)Au金屬絲37電連接在散熱片35上。
[0047]安裝在基座10上的激光芯片11從其兩端面(在圖1中上端面及下端面)射出激光束。因此，支撐激光芯片11的基座10以其芯片安裝面朝向與桿30的上表面垂直的方向的方式固定在散熱片35上。從激光芯片11的上端面出射的激光束(前方光)通過(guò)蓋31的圓孔34出射到外部。另外，從激光芯片11的下端面出射的激光束(后方光)由安裝在桿30的上表面的中央部附近的光電二極管芯片40受光，并轉(zhuǎn)換為電流。
[0048]在上述桿30的下表面安裝有六根導(dǎo)線39a、39b、39c、39d、39e、39f。這六根導(dǎo)線39a?39f中的、四根導(dǎo)線39a、39b、39e、39f分別通過(guò)Au金屬絲36電連接在基座10的基座電極27 (后述)上。另外，剩下的兩根導(dǎo)線39c、39d中的導(dǎo)線39c固定在桿30的下表面，與桿30電連接為等電位狀態(tài)。另外，導(dǎo)線39d通過(guò)Au金屬絲38電連接在光電二極管芯片40上。
[0049]圖2是本實(shí)施方式的四波束半導(dǎo)體激光裝置的主要部分剖視圖，圖3 Ca)是表示激光芯片11的主面的俯視圖，圖3 (b)是表示激光芯片11的背面的俯視圖。
[0050]如圖2所示，在GaAs基板12的主面上層疊有多個(gè)半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體層由例如利用有機(jī)金屬氣相成長(zhǎng)(MOCVD)法堆積的η式包覆層22、活性層23、ρ式第一包覆層24、ρ式第二包覆層25及P式觸點(diǎn)層26構(gòu)成。這些半導(dǎo)體層中的η式包覆層22由AlGaInP構(gòu)成?；钚詫?3由交替地層疊了由AlGaInP構(gòu)成的隔壁層與由GaInP層構(gòu)成的井層的多重量子井(Multi Quantum Well:MQW)結(jié)構(gòu)構(gòu)成。p式第一包覆層24及p式第二包覆層25分別由AlGaInP構(gòu)成，p式觸點(diǎn)層26由GaAs構(gòu)成。[0051]上述p式第二包覆層25具有凸?fàn)畹慕孛嫘螤?，形成互相平行地延伸的四個(gè)隆起部(突起類型)20。該四個(gè)隆起部20分別與一個(gè)激光二極管對(duì)應(yīng)。圖2表示四個(gè)隆起部20中的兩個(gè)隆起部20。
[0052]另外，在構(gòu)成上述隆起部20的P式第二包覆層25的各個(gè)的上部形成P式觸點(diǎn)層26。S卩，隆起部20為P式第二包覆層25與P式觸點(diǎn)層26的雙層結(jié)構(gòu)。
[0053]上述四個(gè)隆起部20的各個(gè)的兩側(cè)的P式第二包覆層25為凹槽21，在凹槽21的兩側(cè)部及底部形成由氧化硅構(gòu)成的鈍化膜14。
[0054]在上述P式觸點(diǎn)層26的上表面及鈍化膜14的上表面形成歐姆連接在觸點(diǎn)層26上的P式表面電極15。另外,在表面電極15的上表面形成散熱用的第一 Au鍍層(第一導(dǎo)電層)16，在第一 Au鍍層16的上表面的一部分形成面積比第一 Au鍍層16小的第二 Au鍍層(第二導(dǎo)電層)17。另一方面，在GaAs基板12的背面形成η式背面電極13。表面電極15及背面電極13的各個(gè)例如由在Ti膜上依次層疊了 Pt膜及Au膜的多層金屬膜構(gòu)成。
[0055]如上那樣構(gòu)成的激光芯片11當(dāng)向表面電極15與背面電極13注入規(guī)定的電流時(shí)，在四個(gè)隆起部20的各個(gè)的下部的活性層23 (發(fā)光部)中，例如具有650nm的振蕩波長(zhǎng)的紅色激光束振蕩。這些紅色激光束從與隆起部20的延伸方向正交的激光芯片11的兩端面出射，前方光通過(guò)上述圖1所示的蓋31的圓孔34出射到CAN包裝件的外部。
[0056]另一方面，在基座10的芯片安裝面上形成由例如在Ti膜上依次層疊了 Pt膜及Au膜的多層金屬膜構(gòu)成的四個(gè)基座電極(第一電極)27。這些基座電極27配置為在將激光芯片11安裝在基座10上時(shí)與激光芯片11的隆起部20相對(duì)。
[0057]另外，在四個(gè)基座電極27的各個(gè)的表面形成例如由Au-Sn合金構(gòu)成的焊料18。另夕卜，為了防止基座電極27彼此的短路，在這些基座電極27與基座10之間形成由氧化硅等構(gòu)成的絕緣層28。
[0058]在如上那樣構(gòu)成的本實(shí)施方式的四波束半導(dǎo)體激光裝置的場(chǎng)合，激光芯片11的表面電極15與基座10的基座電極27通過(guò)熔融接合焊料18與第二 Au鍍層17而電連接。另外，在利用結(jié)朝下方式將激光芯片11安裝在基座10上時(shí)，利用圖3 (b)所示的激光芯片11的背面的識(shí)別標(biāo)記29與未圖示的設(shè)在激光芯片11的表面的相同的識(shí)別標(biāo)記進(jìn)行兩者的對(duì)準(zhǔn)。
[0059]在現(xiàn)有的普通的多波束半導(dǎo)體激光裝置中，為形成在表面電極15的上表面的Au鍍層的寬度比形成在基座電極27的表面的焊料的寬度寬的結(jié)構(gòu)。因此，在焊料與Au鍍層的熔融接合時(shí)，由于焊料局部地集中而產(chǎn)生焊錫球，因此在激光二極管間產(chǎn)生焊錫短路。
[0060]相對(duì)于此，在本實(shí)施方式的四波束半導(dǎo)體激光裝置中，如圖2所示，形成在表面電極15的上表面的第二 Au鍍層17的寬度比形成在基座電極27的表面的焊料18的寬度窄的結(jié)構(gòu)。
[0061]由此，在熔融接合時(shí)產(chǎn)生的多余的焊錫被推出到激光芯片11的外側(cè)，通過(guò)焊料18的寬度寬，被整體地吸收，因此難以產(chǎn)生焊錫球。因此，能夠有效地抑制在激光二極管間的焊錫短路。另外，為了可靠地抑制在激光二極管間的焊錫短路，優(yōu)選使第二 Au鍍層17的寬度相對(duì)于焊料18的寬度的比(第二 Au鍍層17的寬度/焊料18的寬度)為0.7以下。
[0062]另外，在第二 Au鍍層17的寬度相對(duì)于焊料18的寬度的比過(guò)小的場(chǎng)合，即第二 Au鍍層17的寬度的比過(guò)小的場(chǎng)合，有可能導(dǎo)致激光芯片11與基座10間的連接強(qiáng)度(剪切強(qiáng)度)下降、散熱性下降。因此，第二 Au鍍層17的寬度相對(duì)于焊料18的寬度的比優(yōu)選為0.5以上。
[0063]另外，本實(shí)施方式的四波束半導(dǎo)體激光裝置如圖2所示，形成在表面電極15的上表面的第二 Au鍍層17在形成在隆起部20的兩側(cè)的P式第二包覆層25上的一對(duì)凹槽21的一方的上部與焊料18接觸。換言之，隆起部20與焊料18在平面上不重合，為在隆起部20與基座10之間具有間隙的結(jié)構(gòu)。
[0064]由此，由于在激光芯片11與基座10的組裝時(shí)產(chǎn)生的應(yīng)力難以波及到隆起部20，因此能減小成為現(xiàn)有問(wèn)題的由組裝時(shí)的應(yīng)力產(chǎn)生的偏振角旋轉(zhuǎn)、偏振角的波束間相對(duì)差。
[0065]另外，在如本實(shí)施方式的四波束半導(dǎo)體激光裝置那樣形成在激光芯片11的激光二極管的數(shù)量是偶數(shù)個(gè)的場(chǎng)合，通過(guò)以相對(duì)于多個(gè)激光二極管的中心為線對(duì)稱的方式配置第二 Au鍍層17與焊料18的接合位置，能進(jìn)一步減小偏振角旋轉(zhuǎn)、偏振角的波束間相對(duì)差。即，在本實(shí)施方式的四波束半導(dǎo)體激光裝置的場(chǎng)合，在四個(gè)激光二極管的中心的右側(cè)，例如如圖2所示，在位于各隆起部20的右側(cè)的凹槽21的上部，使第二 Au鍍層17與焊料18接觸，在四個(gè)激光二極管的中心的左側(cè)，例如如圖4所示，在位于各隆起部20的左側(cè)的凹槽21的上部，使第二 Au鍍層17與焊料18接觸。
[0066]以上，根據(jù)實(shí)施方式具體地說(shuō)明了由本
【發(fā)明者】進(jìn)行的發(fā)明，但本發(fā)明未限定于上述實(shí)施方式，當(dāng)然能在不脫離其主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行多種改變。
[0067]例如，當(dāng)在相鄰的激光二極管(隆起部20)的空間中具有空余的場(chǎng)合，如圖5所示，在形成在隆起部20的兩側(cè)的凹槽21的各個(gè)的上部，可以使第二 Au鍍層17與焊料18接觸。
[0068]另外，在上述實(shí)施方式中，應(yīng)用于四波束半導(dǎo)體激光裝置，但當(dāng)然能夠應(yīng)用于兩波束半導(dǎo)體激光裝置或八波束半導(dǎo)體激光裝置等多波束半導(dǎo)體激光裝置。
[0069]本發(fā)明能夠應(yīng)用于采用結(jié)朝下方式的多波束半導(dǎo)體激光裝置。
【權(quán)利要求】
1.一種多波束半導(dǎo)體激光裝置，其具備:具備三個(gè)以上波束的半導(dǎo)體芯片；以及安裝上述半導(dǎo)體芯片的支撐基板， 該多波束半導(dǎo)體激光裝置的特征在于， 上述半導(dǎo)體芯片具有: 形成在半導(dǎo)體基板的主面上的第一導(dǎo)電式包覆層； 形成在上述第一導(dǎo)電式包覆層的上部的活性層； 形成在上述活性層的上部的第二導(dǎo)電式包覆層； 分別包括上述第二導(dǎo)電式包覆層與形成在上述第二導(dǎo)電式包覆層上部的第二導(dǎo)電式觸點(diǎn)層的三個(gè)以上的隆起部； 形成在上述隆起部的各個(gè)的兩側(cè)的上述第二導(dǎo)電式包覆層上的一對(duì)凹槽； 與上述隆起部的各個(gè)電連接，以覆蓋上述隆起部的各個(gè)的上部與形成在其兩側(cè)的上述一對(duì)凹槽的上部的方式連續(xù)地形成的表面電極； 形成在上述表面電極的上部的第一導(dǎo)電層； 形成在上述第一導(dǎo)電層的上部，面積比上述第一導(dǎo)電層小的第二導(dǎo)電層；以及 形成在上述半導(dǎo)體基板的背面的背面電極， 在上述支撐基板的芯片安裝面形成與上述隆起部的數(shù)量相同的第一電極， 在上述第一電極的各個(gè)的表面形成焊料， 上述半導(dǎo)體基板通過(guò)熔融接合上述第二導(dǎo)電層與上述焊料，安裝在上述支撐基板的上述芯片安裝面上， 上述第二導(dǎo)電層在形成在上述隆起部的兩側(cè)的上述一對(duì)凹槽的至少一方的上部與上述焊料接觸， 沿上述隆起部的排列方向的上述第二導(dǎo)電層疊的寬度比上述焊料的寬度窄。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于， 上述第二導(dǎo)電層的寬度相對(duì)于上述焊料的寬度的比是0.7以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于， 上述第二導(dǎo)電層的寬度相對(duì)于上述焊料的寬度的比是0.5以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于， 上述波束的個(gè)數(shù)是偶數(shù)個(gè)，上述第二導(dǎo)電層在形成在上述隆起部的兩側(cè)的上述一對(duì)凹槽的一方的上部與上述焊料接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于， 上述波束的個(gè)數(shù)是偶數(shù)個(gè)，上述隆起部及上述第二導(dǎo)電層相對(duì)于偶數(shù)個(gè)上述波束的中心配置為線對(duì)稱。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于， 上述第一及第二導(dǎo)電層由Au構(gòu)成,上述焊料由Au-Sn合金構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多波束半導(dǎo)體激光裝置，其特征在于， 在上述半導(dǎo)體芯片的表面與背面形成在將上述半導(dǎo)體芯片安裝在上述支撐基板上時(shí)用于對(duì)準(zhǔn)的識(shí)別標(biāo)記。
【文檔編號(hào)】H01S5/042GK103545708SQ201310211067
【公開(kāi)日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2013年5月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月17日
【發(fā)明者】仙庭靖久, 神津孝一, 臼田周一, 反町進(jìn), 原英樹(shù) 申請(qǐng)人:日本奧蘭若株式會(huì)社