熱處理裝置以及熱處理方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠與基材的種類無關(guān)地在所需要的條件下加熱被處理體的熱處理裝置以及熱處理方法。通過卷對卷的方式從送出輥（11）向卷取輥（12）以恒定速度搬運(yùn)帶狀的被處理體（8）。被處理體（8）是在PEN等樹脂的基材的表面上層疊納米墨等功能層而成的。一邊以恒定速度搬運(yùn)被處理體（8），一邊從加熱光源（20）的氙燈（21）向被處理體（8）的表面照射光，由此向被處理體（8）的表面的各位置照射短時間的光。由此，不會過度地對耐熱性差的基材（81）進(jìn)行加熱，而能夠僅將功能層（82）加熱至所需要的溫度。
【專利說明】熱處理裝置以及熱處理方法 【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種一邊通過卷對卷(roll to roll)的方式搬運(yùn)將樹脂等作為基材 的柔軟的帶狀的被處理體一邊向該被處理體照射光來進(jìn)行加熱的熱處理裝置以及熱處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，作為短時間地對半導(dǎo)體晶片等進(jìn)行加熱的裝置，廣泛使用高速燈退火裝置。 高速燈退火裝置利用鹵素?zé)羲丈涞墓獾哪芰縼硪悦棵霂装俣茸笥业乃俣仁拱雽?dǎo)體晶片 的溫度上升，而其退火時間為幾秒左右。
[0003]另外，作為能夠進(jìn)行更短時間的退火的裝置，也使用閃光燈退火裝置。閃光燈退火 裝置從閃光燈向半導(dǎo)體晶片的表面照射閃爍的光來進(jìn)行加熱。閃光燈的發(fā)光時間為10毫 秒以下左右的極其短的時間。通過照射這樣極其短的時間的閃爍的光，能夠僅對半導(dǎo)體晶 片的表面急速地進(jìn)行加熱。
[0004]但是，作為退火時間，也存在處于高速燈退火裝置和閃光燈退火裝置之間的中間 區(qū)域(即，10毫秒?I秒)的需求。因此，在專利文獻(xiàn)I中公開了如下的技術(shù)，即，通過使鹵素 燈以規(guī)定速度對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行掃描，來使向晶片表面的各位置照射的照射時間為10毫 秒?I秒左右。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-4410號公報
[0008]另一方面，近幾年，電子紙等所代表的既薄且柔軟的電子設(shè)備引人注目。在這樣的 柔性的電子設(shè)備的制造工序中，對在樹脂等具有撓性的基材的表面上層疊了電極等功能層 的被處理體進(jìn)行退火處理也是必須的。
[0009]以往，將樹脂作為基材的被處理體的退火處理，一般通過溫度比較低的烤爐 (oven)來進(jìn)行幾個小時。樹脂的耐熱性比硅和玻璃的基板的耐熱性顯著低，因此烤爐的溫 度不得不比較低。
[0010]但是，根據(jù)近幾年急速發(fā)展的柔性的電子設(shè)備的種類，也存在必須將功能層加熱 至樹脂的耐熱溫度界限以上的情況。另外，隨著功能層的種類不同，也存在若退火時間不是 與上述半導(dǎo)體晶片的熱處理同樣的更短的時間則無法得到所期望的特性的問題。而且，若 退火時間需要幾個小時，則也存在生產(chǎn)性降低的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供一種能夠不管基材的種類如何 都在所需要的條件下加熱被處理體的熱處理裝置以及熱處理方法。
[0012]為了解決上述問題，技術(shù)方案I的發(fā)明的熱處理裝置，通過向帶狀的被處理體照 射光來加熱該被處理體，其特征在于，具有:搬運(yùn)部，其通過第二輥卷取第一輥所送出的被處理體，來向第一方向連續(xù)地搬運(yùn)被處理體；光源，其在與上述第一方向垂直的第二方向上 具有長軸，并且與在上述第一輥和上述第二輥之間被搬運(yùn)的被處理體的表面相向配設(shè)，由 此向該被處理體的表面照射光來進(jìn)行加熱。
[0013]另外，技術(shù)方案2的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案I所述的熱處理裝置，其特征在于，具有: 照射寬度規(guī)定部，其規(guī)定上述被處理體的表面上的沿著上述第一方向的光的照射寬度；控 制部，其基于由上述照射寬度規(guī)定部規(guī)定的照射寬度控制上述搬運(yùn)部，來通過使對上述被 處理體的表面的照射時間成為0.1毫秒以上且I秒以下的搬運(yùn)速度，搬運(yùn)上述被處理體。
[0014]另外，技術(shù)方案3的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案2所述的熱處理裝置，其特征在于，上述被 處理體包括樹脂的基材。
[0015]另外，技術(shù)方案4的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案3所述的熱處理裝置，其特征在于，上述 控制部控制上述搬運(yùn)部，來通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為0.6毫秒以上且
0.9毫秒以下的搬運(yùn)速度，搬運(yùn)上述被處理體。
[0016]另外，技術(shù)方案5的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案2所述的熱處理裝置，其特征在于，上述被 處理體包括玻璃的基材。
[0017]另外，技術(shù)方案6的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案5所述的熱處理裝置，其特征在于，上述控 制部控制上述搬運(yùn)部，來通過使上述被處理體的表面的照射時間成為1.0毫秒以上且I秒 以下的搬運(yùn)速度，搬運(yùn)上述被處理體。
[0018]另外，技術(shù)方案7的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案I至6中任一項(xiàng)所述的熱處理裝置，其特 征在于，在上述光源進(jìn)行照射的光照射位置的上述第一方向上的上游側(cè)還具有預(yù)備加熱 部，該預(yù)備加熱部對上述被處理體進(jìn)行預(yù)備加熱。
[0019]另外，技術(shù)方案8的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案7所述的熱處理裝置，其特征在于，上述預(yù) 備加熱部具有與上述被處理體的背面相向配設(shè)的鹵素?zé)簟?br> [0020]另外，技術(shù)方案9的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案7所述的熱處理裝置，其特征在于，在上述 光源進(jìn)行照射的光照射位置的上述第一方向上的下游側(cè)還具有冷卻部，該冷卻部對上述被 處理體進(jìn)行冷卻。
[0021]另外，技術(shù)方案10的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案9所述的熱處理裝置，其特征在于，上述 冷卻部具有送風(fēng)單元，該送風(fēng)單元向上述被處理體吹送冷卻氣體。
[0022]另外，技術(shù)方案11的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案I所述的熱處理裝置，其特征在于，上述 光源具有能夠連續(xù)照射光的氙燈。
[0023]另外，技術(shù)方案12的發(fā)明的熱處理方法，通過向帶狀的被處理體照射光來加熱該 被處理體，其特征在于，一邊通過第二輥卷取第一輥所送出的被處理體來向第一方向連續(xù) 地搬運(yùn)被處理體，一邊從光源向該被處理體的表面照射光來進(jìn)行加熱。
[0024]另外，技術(shù)方案13的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案12所述的熱處理方法，其特征在于，規(guī)定 上述被處理體的表面上的沿著上述第一方向的光的照射寬度，并且基于該照射寬度，通過 使對上述被處理體的表面的照射時間成為0.1毫秒以上且I秒以下的搬運(yùn)速度，搬運(yùn)上述 被處理體。
[0025]另外，技術(shù)方案14的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案13所述的熱處理方法，其特征在于，上述 被處理體包括樹脂的基材。
[0026]另外，技術(shù)方案15的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案14所述的熱處理方法，其特征在于，通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為0.6毫秒以上且0.9毫秒以下的搬運(yùn)速度，搬運(yùn) 上述被處理體。
[0027]另外，技術(shù)方案16的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案13所述的熱處理方法，其特征在于，上述 被處理體包括玻璃的基材。
[0028]另外，技術(shù)方案17的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案16所述的熱處理方法，其特征在于，通過 使對上述被處理體的表面的照射時間成為1.0毫秒以上且I秒以下的搬運(yùn)速度，搬運(yùn)上述 被處理體。
[0029]另外，技術(shù)方案18的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案12至17中任一項(xiàng)所述的熱處理方法，其 特征在于，在上述光源進(jìn)行照射的光照射位置的上述第一方向上的上游側(cè)對上述被處理體 進(jìn)行預(yù)備加熱。
[0030]另外，技術(shù)方案19的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案18所述的熱處理方法，其特征在于，在上 述光源進(jìn)行照射的光照射位置的上述第一方向上的下游側(cè)對上述被處理體進(jìn)行冷卻。
[0031 ] 另外，技術(shù)方案20的發(fā)明，根據(jù)技術(shù)方案12所述的熱處理方法，其特征在于，上述 光源具有能夠連續(xù)照射光的氙燈。
[0032]根據(jù)技術(shù)方案I至技術(shù)方案11的發(fā)明，通過第二輥卷取第一輥所送出的被處理 體，來向第一方向連續(xù)地搬運(yùn)被處理體，并且從光源向該被處理體的表面照射光來進(jìn)行加 熱，因此向被處理體表面的各位置照射短時間的光，從而能夠在不會過度地對基材進(jìn)行加 熱的情況下僅將表面層加熱至所需要的溫度，并且能夠與基材的種類無關(guān)地在所需要的條 件下對被處理體進(jìn)行加熱。
[0033]尤其，根據(jù)技術(shù)方案2的發(fā)明，基于照射寬度規(guī)定部所規(guī)定的照射寬度，通過使被 處理體的表面的照射時間成為0.1毫秒以上且I秒以下的搬運(yùn)速度搬運(yùn)被處理體，因此能 夠準(zhǔn)確地規(guī)定照射時間。
[0034]尤其，根據(jù)技術(shù)方案4的發(fā)明，通過使被處理體的表面的照射時間成為0.6毫秒以 上且0.9毫秒以下的搬運(yùn)速度搬運(yùn)被處理體，因此適用于包括樹脂的基材的被處理體。
[0035]尤其，根據(jù)技術(shù)方案6的發(fā)明，通過使被處理體的表面的照射時間成為1.0毫秒以 上且I秒以下的搬運(yùn)速度搬運(yùn)被處理體，因此適用于包括玻璃的基材的被處理體。
[0036]尤其，根據(jù)技術(shù)方案7的發(fā)明，在光源進(jìn)行照射的光照射位置的第一方向上的上 游側(cè)還具有預(yù)備加熱部來對被處理體進(jìn)行預(yù)備加熱，因此能夠?qū)⒈惶幚眢w加熱至更高的溫 度。
[0037]根據(jù)技術(shù)方案12至技術(shù)方案20的發(fā)明，通過第二輥卷取第一輥所送出的被處理 體，來向第一方向連續(xù)地搬運(yùn)被處理體，并且從光源向該被處理體的表面照射光來進(jìn)行加 熱，因此向被處理體表面的各位置照射短時間的光，從而能夠在不會過度地對基材進(jìn)行加 熱的情況下僅將表面層加熱至所需要的溫度，并且能夠與基材的種類無關(guān)地在所需要的條 件下對被處理體進(jìn)行加熱。
[0038]尤其，根據(jù)技術(shù)方案13的發(fā)明，基于照射寬度，通過使被處理體的表面的照射時 間成為0.1毫秒以上且I秒以下的搬運(yùn)速度搬運(yùn)被處理體，因此能夠準(zhǔn)確地規(guī)定照射時間。
[0039]尤其，根據(jù)技術(shù)方案15的發(fā)明，通過使被處理體的表面的照射時間成為0.6毫秒 以上且0.9毫秒以下的搬運(yùn)速度搬運(yùn)被處理體，因此適用于包括樹脂的基材的被處理體。
[0040]尤其，根據(jù)技術(shù)方案17的發(fā)明，通過使被處理體的表面的照射時間成為1.0毫秒以上且I秒以下的搬運(yùn)速度搬運(yùn)被處理體，因此適用于包括玻璃的基材的被處理體。
[0041]尤其，根據(jù)技術(shù)方案18的發(fā)明，在光源進(jìn)行照射的光照射位置的第一方向上的上 游側(cè)對被處理體進(jìn)行預(yù)備加熱，因此能夠?qū)⒈惶幚眢w加熱至更高的溫度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0042]圖1是示出本發(fā)明的熱處理裝置的整體結(jié)構(gòu)的圖。
[0043]圖2是示出主加熱光源以及預(yù)備加熱光源相對于被處理體的配置關(guān)系的圖。
[0044]圖3是示出被處理體的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0045]圖4是示出被處理體的關(guān)注位置的溫度變化的圖。
[0046]圖5是用于說明主加熱光源照射的照射時間的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0047]下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0048]圖1是示出本發(fā)明的熱處理裝置I的整體結(jié)構(gòu)的圖。此外，在圖1以及以后的各 圖中，為了明確上述結(jié)構(gòu)的方向關(guān)系，適當(dāng)?shù)貥?biāo)注將Z軸方向作為鉛垂方向且將XY平面作 為水平面的XYZ正交坐標(biāo)系。另外，在圖1以及以后的各圖中，為了便于理解，按照需要夸 大或者簡化各部的尺寸和數(shù)量。
[0049]該熱處理裝置I通過向在樹脂的基材上層疊有電極用材料等功能層的帶狀的被 處理體8照射光，來對被處理體8進(jìn)行加熱。熱處理裝置I具有用于搬運(yùn)被處理體8的搬 運(yùn)部10、主加熱光源20、預(yù)備加熱光源30、冷卻部40，作為主要的要素。另外，熱處理裝置 I具有控制部9，該控制部9控制在裝置上設(shè)置的各種動作機(jī)構(gòu)來進(jìn)行處理。
[0050]搬運(yùn)部10具有送出輥(第一輥)11、卷取輥(第二輥)12、多個輔助輥13。送出輥11 以及卷取輥12通過省略圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)以沿著Y軸方向的軸為中心在圖1的紙面上 向順時針方向旋轉(zhuǎn)。卷繞在送出輥11上的被處理體8通過送出輥11旋轉(zhuǎn)被送出，并被卷 取輥12卷取。通過卷取輥12卷取送出輥11所送出的被處理體8，將帶狀的被處理體8沿 著X軸方向朝向圖中箭頭ARl所示的方向(向(+X))搬運(yùn)。S卩，搬運(yùn)部10通過卷對卷的方 式搬運(yùn)帶狀的被處理體8。在處理中，以恒定速度連續(xù)地搬運(yùn)被處理體8，并且控制部9通 過控制上述的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機(jī)構(gòu)來規(guī)定搬運(yùn)速度。
[0051]多個輔助輥13于在送出輥11和卷取輥12之間被搬運(yùn)的被處理體8的搬運(yùn)路徑 的正下方沿著X方向排列設(shè)置。各輔助輥13以沿著Y軸方向的軸為中心自由地旋轉(zhuǎn)。多 個輔助輥13從下方支撐在送出輥11和卷取輥12之間被搬運(yùn)的被處理體8，來防止被處理 體8向下方下垂，從而發(fā)揮穩(wěn)定搬運(yùn)的輔助功能。此外，在多個輔助輥13上沒有附設(shè)旋轉(zhuǎn) 驅(qū)動機(jī)構(gòu)。另外，至于輔助輥13的設(shè)置數(shù)量以及設(shè)置位置，可以是能夠穩(wěn)定地搬運(yùn)被處理 體8的設(shè)置數(shù)量以及設(shè)置位置。
[0052]在熱處理裝置I上設(shè)置有兩個加熱源。即，在由搬運(yùn)部10搬運(yùn)的被處理體8的上 方設(shè)置有主加熱光源20，并且在下方設(shè)置有預(yù)備加熱光源30。圖2是示出主加熱光源20 以及預(yù)備加熱光源30與被處理體8之間的配置關(guān)系的圖。
[0053]主加熱光源20具有一個氙燈21。氙燈21是具有沿著Y軸方向的長軸的棒狀的 燈，該Y軸方向是與被處理體8的搬運(yùn)方向(X軸方向)垂直的水平方向。氙燈21的長度與被處理體8的寬度大致相同。氙燈21以與在送出輥11和卷取輥12之間被搬運(yùn)的被處理體 8的表面相向的方式配設(shè)。氣燈21通過在向玻璃管內(nèi)封入的氣氣(Xe)中的電弧放電來連 續(xù)地發(fā)光，并向被處理體8連續(xù)地照射光。氣燈21的發(fā)射光譜(emission spectroscopy) 分布處于從紫外線到近紅外線的區(qū)域，具有比后述的鹵素?zé)羝蚨滩ㄩL側(cè)的特征。此外，主 加熱光源20也可以具有兩個或者3個氙燈21。
[0054]在氣燈21的正下方配設(shè)有光學(xué)系統(tǒng)25。光學(xué)系統(tǒng)25具有省略圖不的透鏡和狹 縫等，將氙燈21所發(fā)射的光集中在被處理體8的表面上。被光學(xué)系統(tǒng)25集中的光的照射 區(qū)域在被處理體8的表面上沿著X軸方向具有規(guī)定的照射寬度。通過該照射寬度和被處理 體8的搬運(yùn)速度，來規(guī)定從氙燈21向被處理體8的表面的各位置照射的照射時間，對于該 內(nèi)容在后面進(jìn)一步詳細(xì)地敘述。
[0055]另一方面，預(yù)備加熱光源30具有3個鹵素?zé)?1。各鹵素?zé)?1也是具有沿著Y軸 方向的長軸的棒狀的燈，并且各鹵素?zé)?1的長度與被處理體8的長度相同。3個鹵素?zé)?1 以與在送出輥11和卷取輥12之間被搬運(yùn)的被處理體8的背面相向的方式配設(shè)，并且沿著 被處理體8的搬運(yùn)方向(X軸方向)以恒定間隔排列設(shè)置。鹵素?zé)?1是燈絲式的光源，對配 設(shè)于玻璃管內(nèi)部的燈絲通電來使燈絲白熱化并發(fā)光。在玻璃管的內(nèi)部封入有在氮和氬等非 活性氣體中微量地導(dǎo)入鹵素元素(碘、溴等)的氣體。通過導(dǎo)入鹵素元素，能夠抑制燈絲折損 并且將燈絲的溫度設(shè)定得高。鹵素?zé)?1也連續(xù)地向被處理體8照射光。此外，鹵素?zé)?1 的個數(shù)也并不限定于3個，可以是適當(dāng)?shù)臄?shù)量。
[0056]如圖1以及圖2所示，主加熱光源20的氙燈21設(shè)置于被處理體8的上方，預(yù)備加 熱光源30的鹵素?zé)?1設(shè)置于被處理體8的下方。并且，氙燈21和鹵素?zé)?1并不隔著被 處理體8正對，而鹵素?zé)?1設(shè)置在氙燈21的被處理體8的搬運(yùn)方向的上游側(cè)。S卩，從鹵素 燈31向氙燈21所照射的光照射位置的被處理體8的搬運(yùn)方向的上游側(cè)照射光。搬運(yùn)方向 的上游側(cè)指，更接近送出輥11的一側(cè)，是朝向(-X)的側(cè)。根據(jù)這樣的配置結(jié)構(gòu)，能夠防止 因來自氙燈21的光的照射引起鹵素?zé)?1損傷，也能夠防止因來自鹵素?zé)?1的光的照射引 起氙燈21損傷。
[0057]冷卻部40具有送風(fēng)單元41。送風(fēng)單元41設(shè)置于被處理體8的下方。送風(fēng)單元41 將圖外的從送風(fēng)源送來的溫度以及濕度被管理的潔凈的冷卻氣體(例如，氦等非活性氣體) 朝向上方的被處理體8吹送。送風(fēng)單元41設(shè)置于氙燈21的被處理體8的搬運(yùn)方向的下游 側(cè)。由此，冷卻部40向主加熱光源20的氙燈21所照射的光照射位置的被處理體8的搬運(yùn) 方向的下游側(cè)供給冷卻氣體來進(jìn)行冷卻。此外，搬運(yùn)方向的下游側(cè)指，更接近卷取輥12的 一側(cè)，是朝向(+X )的一側(cè)。
[0058]另外，熱處理裝置I具有上側(cè)框體50以及下側(cè)框體60，以便覆蓋在送出輥11和 卷取輥12之間被搬運(yùn)的被處理體8的上下兩面。上側(cè)框體50是下表面開放的箱狀構(gòu)件。 上側(cè)框體50的內(nèi)部由隔壁劃分為5個區(qū)域51a、51b、51c、51d、51e。其中，由于上側(cè)框體50 的下表面是開放的，因此5個區(qū)域51a、51b、51c、51d、51e的環(huán)境氣體并不相互完全地分離。 主加熱光源20的氙燈21以及光學(xué)系統(tǒng)25配置于上側(cè)框體50的中央的區(qū)域51c內(nèi)。
[0059]上側(cè)框體50的5個區(qū)域51a、51b、51c、51d、51e分別經(jīng)由氣體配管52與處理氣體 供給源53相連通連接。處理氣體供給源53根據(jù)被處理體8的種類和處理目的來供給適當(dāng) 的工藝氣體，在本實(shí)施方式中供給氮?dú)?N2)。氣體配管52的基端側(cè)與處理氣體供給源53相連接，并且前端側(cè)分支為5個管并分別與5個區(qū)域51a、51b、51c、51d、51e相連接。在氣 體配管52的前端側(cè)的分支為5個管的部分分別設(shè)置有流量調(diào)整閥54a、54b、54c、54d、54e。 流量調(diào)整閥54a、54b、54c、54d、54e在控制部9的控制下被調(diào)整通過的氣體的流量。
[0060]當(dāng)處理氣體供給源53向氣體配管52送來氮?dú)鈺r，分別向上側(cè)框體50的5個區(qū)域 51a、51b、51c、51d、51e供給氮?dú)?。分別向5個區(qū)域51a、51b、51c、51d、51e供給的氮?dú)獾牧?量由流量調(diào)整閥54a、54b、54c、54d、54e規(guī)定。在本實(shí)施方式中，向中央的區(qū)域51c供給流 量最大的氮?dú)?，向區(qū)域51c的兩個相鄰的區(qū)域51b、51d供給流量大的氮?dú)?，而向兩端的區(qū)域 51a、51e供給的氮?dú)獾牧髁孔钚?。因此，在被處理體8的上側(cè)，中央的區(qū)域51c內(nèi)的壓力最 高，而兩端的區(qū)域51a、51e內(nèi)的壓力最低。區(qū)域51b、51d內(nèi)的壓力處于它們的中間。結(jié)果， 在被處理體8的表面附近形成如從中央的區(qū)域51c朝向兩端的區(qū)域51a、51e流動那樣的氮 氣的氣流，從而能夠防止外部的環(huán)境氣體流入。尤其，外部的環(huán)境氣體幾乎不會向壓力最高 的中央的區(qū)域51c流入。
[0061]同樣地，下側(cè)框體60是上表面開放的箱狀構(gòu)件。下側(cè)框體60的內(nèi)部由隔壁劃分 為5個區(qū)域61a、61b、61c、61d、61e。但是，由于下側(cè)框體60的上表面是開放的，因此5個區(qū) 域61a、61b、61c、61d、61e的環(huán)境氣體并不相互完全地分離。下側(cè)框體60的5個區(qū)域61a、 61b、61c、61d、61e分別與上側(cè)框體50的5個區(qū)域5la、5lb、51c、5Id、5Ie相向。預(yù)備加熱光 源30的鹵素?zé)?1配置于下側(cè)框體60的區(qū)域61b內(nèi)，冷卻部40的送風(fēng)單元41配置于下側(cè) 框體60的區(qū)域61d內(nèi)。
[0062]下側(cè)框體60的5個區(qū)域61a、61b、61c、61d、61e分別經(jīng)由氣體配管62與處理氣體 供給源63相連通連接。處理氣體供給源63根據(jù)被處理體8的種類和處理目的來供給適當(dāng) 的工藝氣體，而在本實(shí)施方式中供給氮?dú)?。處理氣體供給源53和處理氣體供給源63也可 以是共用的結(jié)構(gòu)。氣體配管62的基端側(cè)與處理氣體供給源63相連接，并且前端側(cè)分支為 5個管并分別與5個區(qū)域61a、61b、61c、61d、61e相連接。在氣體配管62前端側(cè)的分支為5 個管的部分分別設(shè)置有流量調(diào)整閥64a、64b、64c、64d、64e。流量調(diào)整閥64a、64b、64c、64d、 64e在控制部9的控制下被調(diào)整通過的氣體的流量。
[0063]當(dāng)處理氣體供給源63向氣體配管62送來氮?dú)鈺r，向下側(cè)框體60的5個區(qū)域61a、 61b、61c、61d、61e供給氮?dú)狻７謩e向5個區(qū)域61a、61b、61c、61d、61e供給的氮?dú)獾牧髁坑?流量調(diào)整閥64a、64b、64c、64d、64e規(guī)定。在本實(shí)施方式中，與上述的結(jié)構(gòu)同樣地，向中央的 區(qū)域61c供給流量最大的氮?dú)?，向中央的區(qū)域61c的兩個相鄰的區(qū)域61b、61d供給流量大 的氮?dú)?，而向兩端的區(qū)域61a、61e供給的氮?dú)獾牧髁孔钚?。因此，在被處理體8的下側(cè)，中 央的區(qū)域61c內(nèi)的壓力最高,兩端的區(qū)域61a、61e內(nèi)的壓力最低。區(qū)域61b、61d內(nèi)的壓力 處于它們的中間。結(jié)果，在被處理體8的背面附近形成如從中央的區(qū)域61c朝向兩端的區(qū) 域61a、61e流動那樣的氮?dú)獾臍饬?，從而能夠防止外部的環(huán)境氣體流入。尤其，外部的環(huán)境 氣體幾乎不會向壓力最高的中央的區(qū)域61c流入。
[0064]控制部9用于控制在熱處理裝置I中設(shè)置的各種動作機(jī)構(gòu)(搬運(yùn)部10的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動 機(jī)構(gòu)、主加熱光源20的電源單元、預(yù)備加熱光源30的電源單元、各流量調(diào)整閥等)。控制部 9的硬件結(jié)構(gòu)與通常的計算機(jī)相同。即，控制部9具有:CPU，其用于進(jìn)行各種運(yùn)算處理；只 讀存儲器即R0M，其用于存儲基本程序；讀寫存儲器即RAM (隨機(jī)存儲器)，其用于存儲各種 信息；磁盤，其用于存儲控制用軟件和數(shù)據(jù)等?？刂撇?的CPU執(zhí)行規(guī)定的處理程序，由此進(jìn)行熱處理裝置I的處理。
[0065]接著，對具有上述結(jié)構(gòu)的熱處理裝置I的處理動作進(jìn)行說明。通過由卷取輥12 卷取送出輥11所送出的被處理體8，帶狀的被處理體8沿著X軸方向以恒定速度連續(xù)地被 搬運(yùn)。圖3是示出被處理體8的結(jié)構(gòu)的剖視圖。本實(shí)施方式的被處理體8是在樹脂的基 材81的上表面上層疊功能層82來形成的。基材81的樹脂能夠采用PEN (polyethylene naphthalate,聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET (Polyethylene terephthalate,聚對苯二甲酸乙 二醇酯)等。另外，功能層82是電極形成用的銀(Ag)的納米墨(nano ink)的層。PEN、PET 等樹脂材料柔軟且具有撓性，因此若利用上述材料作為基材81，則能夠通過卷對卷的方式 從送出輥11向卷取輥12搬運(yùn)被處理體8。
[0066]另外，向上側(cè)框體50以及下側(cè)框體60供給氮?dú)?，來作為氮環(huán)境氣體。如上述那樣， 向中央的區(qū)域51c、61c供給最多流量的氮?dú)?，因此中央的區(qū)域51c、61c的壓力最高。因此， 在沿著X軸方向被搬運(yùn)的被處理體8的上下部分形成有如從中央的區(qū)域51c、61c向兩端流 動那樣的氮?dú)獾臍饬?，從而防止周邊的外部的環(huán)境氣體流入。尤其，外部的環(huán)境氣體幾乎不 向中央的區(qū)域51c、61c流入，因此將區(qū)域51c、61c中的氧濃度維持地極其低。
[0067]將被處理體8的形成有功能層82的表面朝向上面來搬運(yùn)。圖4是示出被處理體 8的關(guān)注部位的溫度變化的圖。圖4的橫軸表示關(guān)注部位在送出輥11和卷取輥12之間的 位置，縱軸表示該關(guān)注部位的功能層82的溫度。一邊通過卷對卷的方式搬運(yùn)被處理體8，一 邊連續(xù)地對被處理體8進(jìn)行處理，關(guān)注部位可以是被處理體8的長度方向上的任意的部位。
[0068]在被處理體8的關(guān)注部位被送出輥11送出并通過區(qū)域51a、61a為止，被處理體8 的溫度是與周邊的環(huán)境氣體相同的常溫。當(dāng)被處理體8的關(guān)注部位進(jìn)入?yún)^(qū)域51b、61b并到 達(dá)預(yù)備加熱光源30的3個鹵素?zé)?1的照射區(qū)域(預(yù)備加熱區(qū)域)時，對關(guān)注部位的功能層 82進(jìn)行預(yù)備加熱(輔助加熱)。即，預(yù)備加熱光源30的鹵素?zé)?1所發(fā)射的光從被處理體8 的背面照射，并透過關(guān)注部位的樹脂的基材81而到達(dá)至功能層82。關(guān)注部位的功能層82 吸收鹵素?zé)?1的光而升溫。繼續(xù)進(jìn)行這樣的預(yù)備加熱，直到關(guān)注部位通過預(yù)備加熱區(qū)域?yàn)?止，結(jié)果，關(guān)注部位的功能層82的溫度上升至預(yù)備加熱溫度Tl。就預(yù)備加熱溫度Tl而言， 在不損傷樹脂的基材81范圍(在PEN、PET的情況下為大約120°C以下)內(nèi)適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
[0069]接著，被處理體8的關(guān)注部位從區(qū)域51b、61b進(jìn)入中央的區(qū)域51c、61c并到達(dá)至 主加熱光源20的氙燈21的照射區(qū)域(主加熱區(qū)域)。圖5是用于說明主加熱光源20照射 的照射時間的圖。主加熱光源20的氙燈21所發(fā)射的光通過光學(xué)系統(tǒng)25集中在被處理體8 的表面上，由此規(guī)定氙燈21的照射區(qū)域。氙燈21的照射區(qū)域在被處理體8的表面上沿著 X軸方向具有規(guī)定的照射寬度d。被處理體8的關(guān)注部位僅在通過氙燈21照射的照射區(qū)域 的期間，受到來自氙燈21的光照射。
[0070]沿著X軸方向被搬運(yùn)的被處理體8的關(guān)注部位通過由光學(xué)系統(tǒng)25規(guī)定的照射寬 度d所需的時間，依賴于搬運(yùn)部10搬運(yùn)被處理體8的搬運(yùn)速度X。即，照射寬度d除以搬運(yùn) 速度X而得出的值為關(guān)注部位通過照射區(qū)域所需的時間。并且，被處理體8的關(guān)注部位通 過氙燈21的照射區(qū)域所需的時間，也是氙燈21照射關(guān)注部位的照射時間。例如，設(shè)由光學(xué) 系統(tǒng)25規(guī)定的照射寬度d為5mm且被處理體8的搬運(yùn)速度x為5m/s,則關(guān)注部位通過氣燈 21的照射區(qū)域的時間即氙燈21照射關(guān)注部位的照射時間為I毫秒。
[0071]在本實(shí)施方式中，控制部9基于由光學(xué)系統(tǒng)25規(guī)定的照射寬度d，控制搬運(yùn)部10以特定搬運(yùn)速度X搬運(yùn)被處理體8，其中，在特定搬運(yùn)速度X下，被處理體8的表面的照射 時間為0.1毫秒以上且I秒以下。此夕卜，由光學(xué)系統(tǒng)25規(guī)定的照射寬度d,在0.5mm?5mm 的范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)整。另外，搬運(yùn)部10搬運(yùn)的被處理體8的搬運(yùn)速度X為20m/s以下。
[0072]這樣，從主加熱光源20的氙燈21向被處理體8的關(guān)注部位執(zhí)行照射時間為0.1 毫秒以上且I秒以下的短時間的光照射。由于主加熱光源20設(shè)置于被處理體8的上方，因 此氙燈21所照射的光直接到達(dá)至關(guān)注部位的功能層82。關(guān)注部位的功能層82吸收氙燈 21的光而升溫。氙燈21所照射的光的強(qiáng)度顯著地比鹵素?zé)?1的光的強(qiáng)度強(qiáng)。因此，即使 照射時間為0.1毫秒以上且I秒以下的短時間，關(guān)注部位的功能層82的溫度也急速上升， 并且在通過主加熱區(qū)域的期間內(nèi)溫度上升至目標(biāo)處理溫度T2。若功能層82為銀的納米墨， 則目標(biāo)處理溫度T2為大約180°C。
[0073]在此，從氙燈21向關(guān)注部位照射的照射時間為0.1毫秒以上且I秒以下，是與氙 氣閃光燈相同的短時間，因此僅有位于被處理體8的表面?zhèn)鹊墓δ軐?2的溫度上升至目標(biāo) 處理溫度T2，而基材81的溫度幾乎不上升。本實(shí)施方式的目標(biāo)處理溫度T2 (180°C)是超 過PEN或者PET的基材81的耐熱溫度的溫度，但是僅有功能層82的溫度上升至目標(biāo)處理 溫度T2，而基材81的溫度幾乎不上升，因此防止給耐熱性差的基材81帶來熱損傷。另一方 面，功能層82的溫度上升至所需要的目標(biāo)處理溫度T2，因此能夠可靠地進(jìn)行所期望的熱處 理。即，根據(jù)本實(shí)施方式，即使是耐熱性差的基材81，也使功能層82的溫度上升至超過基材 81的耐熱溫度的目標(biāo)處理溫度T2，從而能夠進(jìn)行可靠的熱處理。
[0074]返回圖4，在被處理體8的關(guān)注部位通過了主加熱區(qū)域之后，關(guān)注部位的功能層82 的溫度急速地下降。然后，被處理體8的關(guān)注部位從中央的區(qū)域51c、61c進(jìn)入?yún)^(qū)域51d、61d， 并到達(dá)來自冷卻部40的送風(fēng)單元41的冷卻氣體吹送區(qū)域(冷卻區(qū)域)。當(dāng)關(guān)注部位進(jìn)入冷 卻區(qū)域時，送風(fēng)單元41所噴出的冷卻氣體從被處理體8的背面吹送，從而對包括功能層82 的整個關(guān)注部位進(jìn)行冷卻。繼續(xù)進(jìn)行這樣的加熱處理之后的冷卻處理，直到關(guān)注部位通過 冷卻區(qū)域?yàn)橹?。此外，不必一定將被處理體8的關(guān)注部位冷卻至常溫，只要冷卻至能夠由卷 取輥12卷取的溫度即可。
[0075]被處理體8的關(guān)注部位在通過了冷卻區(qū)域之后，從區(qū)域51d、61d穿過區(qū)域51e、61e 并被卷取輥12卷取。這樣，結(jié)束熱處理裝置I中的處理。此外，以上針對被處理體8的關(guān) 注部位的溫度的經(jīng)歷進(jìn)行說明，但是由于連續(xù)地搬運(yùn)被處理體8且預(yù)備加熱光源30、主加 熱光源20以及冷卻部40也連續(xù)地動作，因此沿著帶狀的被處理體8的長度方向，連續(xù)地執(zhí) 行與對上述的關(guān)注部位執(zhí)行的處理同樣的處理。
[0076]在本實(shí)施方式中，一邊通過搬運(yùn)部10以恒定速度搬運(yùn)帶狀的被處理體8 —邊從強(qiáng) 度強(qiáng)的主加熱光源20的氙燈21向被處理體8的表面照射光，由此向被處理體8表面的各 位置照射短時間的光。因此，能夠在不會過度地對耐熱性差的基材81進(jìn)行加熱的情況下僅 將功能層82加熱至所需要的溫度。
[0077]尤其，通過光學(xué)系統(tǒng)25規(guī)定氙燈21的照射寬度d，并且通過控制被處理體8的搬 運(yùn)速度，從而能夠準(zhǔn)確地調(diào)整向被處理體8表面的各位置照射的照射時間。結(jié)果，能夠更準(zhǔn) 確地僅將功能層82加熱至所需要的溫度。
[0078]另外，主加熱光源20所具有的氙燈21的個數(shù)為I個?3個而比較少，因此能夠抑 制熱處理裝置I的成本增加。而且，由于主加熱光源20的加熱時間短，因此能夠提高熱處理裝置I的生產(chǎn)性。
[0079]上面，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明在不脫離其宗旨的情況下，能 夠進(jìn)行除了上述結(jié)構(gòu)之外的各種變更。例如，在上述實(shí)施方式中，將在PEN或者PET的基材 81的上表面層疊有銀的納米墨的功能層82的結(jié)構(gòu)作為被處理體8，但是被處理體8并不限 定于此，而能夠進(jìn)行各種變更。并且，能夠按照被處理體8的種類以及處理內(nèi)容來對熱處理 裝置I的結(jié)構(gòu)適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行變更。
[0080]例如，作為被處理體8的基材81，也可以使用聚酰亞胺或聚碳酸酯等其它樹脂材 料。由于這些樹脂材料也是柔軟的，因此能夠通過卷對卷的方式從送出輥11向卷取輥12 搬運(yùn)被處理體8。是否能夠通過卷對卷的方式搬運(yùn)被處理體8，依賴于基材81的材料的彎 曲強(qiáng)度、送出輥11以及卷取輥12的半徑(彎曲半徑)、基材81的厚度等。若是柔軟且具有 撓性的樹脂材料，則即使送出輥11以及卷取輥12的半徑比較小且基材81的厚度比較厚， 也能夠通過卷對卷的方式來搬運(yùn)。此外，在上述實(shí)施方式中例示的PEN以及PET的彎曲強(qiáng) 度分別是280MPa以及230MPa。另外，聚酰亞胺以及聚碳酸酯的彎曲強(qiáng)度分別是280MPa以 及 98MPa。
[0081]在使用樹脂材料作為被處理體8的基材81的情況下，優(yōu)選從氙燈21向被處理體 8的上表面照射的照射時間為0.6毫秒以上且0.9毫秒以下。這是因?yàn)?，在基?1為樹脂 材料的情況下，若氙燈21的照射時間小于0.6毫秒，則由于功能層82的溫度沒有充分地上 升，因此改性不充分，若照射時間超過0.9毫秒，則對樹脂的基材81帶來熱損傷。具體地， 若由光學(xué)系統(tǒng)25規(guī)定的照射寬度d是與上述實(shí)施方式相同的5mm,則將被處理體8的搬運(yùn) 速度X設(shè)為5.56m/s以上且8.33m/s以下即可。
[0082]在基材81為樹脂材料的情況下，最優(yōu)選從氙燈21向被處理體8照射的照射時間 為0.8毫秒，能夠在完全不損傷基材81的情況下對功能層82進(jìn)行充分的改性。具體地，若 由光學(xué)系統(tǒng)25規(guī)定的照射寬度d為5mm,則將被處理體8的搬運(yùn)速度x設(shè)為6.25m/s即可。
[0083]另外，被處理體8的基材81并不限定于樹脂材料，也可以是金屬箔。作為金屬箔， 例如可以使用銅箔、鋁箔、不銹鋼箔等。通常，金屬材料的柔軟性比樹脂材料的柔軟性差，但 是只要是厚度足夠薄的箔，就能夠被送出輥11以及卷取輥12卷取，從而能夠通過卷對卷的 方式搬運(yùn)。但是，金屬箔的基材81不透過來自預(yù)備加熱光源30的鹵素?zé)?1的光。因此， 吸收了鹵素?zé)?1所照射的光的金屬箔的基材81被加熱而溫度上升，并且通過基材81的熱 傳導(dǎo)對功能層82進(jìn)行預(yù)備加熱。
[0084]另外，被處理體8的基材81也可以是具有柔軟性的玻璃基板(所謂的柔性玻璃)。 根據(jù)輥徑等條件的不同，能夠通過卷對卷的方式搬運(yùn)這樣的柔性玻璃。只要基材81是耐熱 性好的金屬或者玻璃，就能夠通過從預(yù)備加熱光源30以及主加熱光源20照射光來將基材 81加熱至高的溫度。
[0085]在使用玻璃基板作為被處理體8的基材81的情況下，優(yōu)選從氙燈21向被處理體8 的上表面照射的照射時間為1.0毫秒以上且I秒以下。玻璃的耐熱性比樹脂材料的耐熱性 好，從而能夠向被處理體8照射長至I秒的長時間的光。另一方面，在基材81為玻璃基板 的情況下，若氙燈21的照射時間小于1.0毫秒，則可能不能充分地對功能層82進(jìn)行改性。 具體地，若由光學(xué)系統(tǒng)25規(guī)定的照射寬度d是與上述實(shí)施方式相同的5mm，則將被處理體8 的搬運(yùn)速度X設(shè)為5.0mm/s以上且5.0m/s以下即可。[0086]另外，在基材81上層疊的功能層82也并不限定于銀的納米墨，也可以是銅等其它 金屬的納米墨(或者納米線(nano wire))。若功能層82為銅,則上述實(shí)施方式中的目標(biāo)處 理溫度T2為大約400°C。
[0087]功能層82也可以是非晶硅、IGZO (氧化物半導(dǎo)體)、ITO (氧化銦錫)等。在功能 層82為ITO的情況下，目標(biāo)處理溫度T2為大約220°C。另外，在功能層82為IGZO的情況 下，目標(biāo)處理溫度T2為350°C?400°C。而且，若功能層82為非晶硅，則目標(biāo)處理溫度T2 為 900 °C~ IOOO0Co
[0088]這樣，能夠根據(jù)本發(fā)明的熱處理技術(shù)，對作為處理對象的被處理體8進(jìn)行各種各 樣的變更，而且隨著基材81和功能層82的組合不同，被處理體8的特性以及目標(biāo)處理溫度 T2的差異也很大。無論是怎樣的組合，都一邊通過卷對卷的方式以恒定速度搬運(yùn)被處理體 8，一邊從強(qiáng)度強(qiáng)的氙燈21向被處理體8的表面照射光，從而能夠在不過度地加熱基材81 的情況下僅將功能層82加熱至所需要的溫度。即，根據(jù)本發(fā)明的熱處理技術(shù)，能夠與基材 81的種類無關(guān)地在所需要的條件下對被處理體8進(jìn)行加熱。另外，通過控制氙燈21的照射 寬度d以及被處理體8的搬運(yùn)速度X，來通過與閃光燈相同的短時間的照射來加熱功能層 82。
[0089]另外，隨著基材81和功能層82的組合不同而被處理體8的特性以及目標(biāo)處理溫 度T2的差異也很大，與此對應(yīng)地，熱處理裝置I的結(jié)構(gòu)也只要適當(dāng)即可。例如，在處理目標(biāo) 處理溫度T2比較低的功能層82的情況下，能夠僅通過主加熱光源20進(jìn)行熱處理來使功能 層82的溫度上升至目標(biāo)處理溫度T2，因此預(yù)備加熱光源30并不是必須的結(jié)構(gòu)。
[0090]另外，在基材81為金屬箔那樣的不透明的材質(zhì)的情況下，由于不透過來自氙燈21 以及鹵素?zé)?1的光，因此也可以將主加熱光源20和預(yù)備加熱光源30相向配置。這樣，通 過被處理體8遮擋氙燈21以及鹵素?zé)?1所發(fā)射的光，從而能夠防止相互損傷。
[0091]另外，在上述實(shí)施方式中，主加熱光源20具有氙燈21，但是也可以使用氪等其它 稀有氣體的燈來代替。無論在使用哪種稀有氣體的情況下，與上述實(shí)施方式同樣地，通過電 弧放電來將燈連續(xù)點(diǎn)亮，從而連續(xù)地照射光?；蛘?，主加熱光源20也可以具有鹵素?zé)簟５?是，氙燈和鹵素?zé)舻陌l(fā)射光譜分布不同，氙燈更偏向短波長側(cè)。因此，在作為處理對象的功 能層82比較難以吸收短波長的光的情況下，優(yōu)選在主加熱光源20上設(shè)置鹵素?zé)簟?br> [0092]方式中，冷卻部40具有送風(fēng)單元41，但是也可以通過如下結(jié)構(gòu)來代替，即，在設(shè)置 于主加熱光源20照射的光照射位置的下游側(cè)的輔助輥13上具有溫度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，使溫度被 調(diào)節(jié)的輔助輥13與被處理體8的背面相接觸，由此對被處理體8進(jìn)行冷卻。作為這樣的溫 度調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，例如只要使恒溫水在輔助輥13的內(nèi)部循環(huán)即可。
[0093]同樣地，也可以通過如下結(jié)構(gòu)來代替預(yù)備加熱光源30，S卩，在設(shè)置于主加熱光源 20照射的光照射位置的上游側(cè)的輔助輥13上具有加熱機(jī)構(gòu)，使被加熱的輔助輥13與被處 理體8的背面相接觸，由此對被處理體8進(jìn)行預(yù)備加熱。作為這樣的加熱機(jī)構(gòu)，例如只要在 輔助輥13的內(nèi)部設(shè)置加熱器即可。
[0094]本發(fā)明的熱處理裝置以及熱處理方法能夠適用于能夠通過卷對卷的方式搬運(yùn)的 各種被處理體，尤其能夠優(yōu)選利用于在電子紙等上利用的柔性裝置。
【權(quán)利要求】
1.一種熱處理裝置，通過向帶狀的被處理體照射光來加熱該被處理體，其特征在于， 具有:搬運(yùn)部，其通過第二輥卷取第一輥所送出的被處理體，來向第一方向連續(xù)地搬運(yùn)被處理體；光源，其在與上述第一方向垂直的第二方向上具有長軸，并且與在上述第一輥和上述第二輥之間被搬運(yùn)的被處理體的表面相向配設(shè)，由此向該被處理體的表面照射光來進(jìn)行加熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱處理裝置，其特征在于，具有:照射寬度規(guī)定部，其規(guī)定上述被處理體的表面上的沿著上述第一方向的光的照射寬度；控制部，其基于由上述照射寬度規(guī)定部規(guī)定的照射寬度控制上述搬運(yùn)部，來通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為0.1毫秒以上且I秒以下的搬運(yùn)速度，搬運(yùn)上述被處理體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱處理裝置，其特征在于，上述被處理體包括樹脂的基材。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱處理裝置，其特征在于，上述控制部控制上述搬運(yùn)部，來通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為0.6毫秒以上且0.9毫秒以下的搬運(yùn)速度，搬運(yùn)上述被處理體。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱處理裝置，其特征在于，上述被處理體包括玻璃的基材。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熱處理裝置，其特征在于，上述控制部控制上述搬運(yùn)部，來通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為1.0毫秒以上且I秒以下的搬運(yùn)速度，搬運(yùn)上述被處理體。`
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的熱處理裝置，其特征在于，在上述光源進(jìn)行照射的光照射位置的上述第一方向上的上游側(cè)還具有預(yù)備加熱部，該預(yù)備加熱部對上述被處理體進(jìn)行預(yù)備加熱。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱處理裝置，其特征在于，上述預(yù)備加熱部具有與上述被處理體的背面相向配設(shè)的鹵素?zé)簟?br> 9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱處理裝置，其特征在于，在上述光源進(jìn)行照射的光照射位置的上述第一方向上的下游側(cè)還具有冷卻部，該冷卻部對上述被處理體進(jìn)行冷卻。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的熱處理裝置，其特征在于，上述冷卻部具有送風(fēng)單元，該送風(fēng)單元向上述被處理體吹送冷卻氣體。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱處理裝置，其特征在于，上述光源具有能夠連續(xù)照射光的氙燈。
12.一種熱處理方法，通過向帶狀的被處理體照射光來加熱該被處理體，其特征在于， 一邊通過第二輥卷取第一輥所送出的被處理體來向第一方向連續(xù)地搬運(yùn)被處理體，一邊從光源向該被處理體的表面照射光來進(jìn)行加熱。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的熱處理方法，其特征在于，規(guī)定上述被處理體的表面上的沿著上述第一方向的光的照射寬度，并且基于該照射寬度，通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為0.1毫秒以上且I秒以下的搬運(yùn)速度，搬運(yùn)上述被處理體。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的熱處理方法，其特征在于，上述被處理體包括樹脂的基材。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的熱處理方法，其特征在于，通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為0.6毫秒以上且0.9毫秒以下的搬運(yùn)速度，搬運(yùn)上述被處理體。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的熱處理方法，其特征在于，上述被處理體包括玻璃的基材。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的熱處理方法，其特征在于，通過使對上述被處理體的表面的照射時間成為1.0毫秒以上且I秒以下的搬運(yùn)速度，搬運(yùn)上述被處理體。
18.根據(jù)權(quán)利要求12至17中任一項(xiàng)所述的熱處理方法，其特征在于，在上述光源進(jìn)行照射的光照射位置的上述第一方向上的上游側(cè)對上述被處理體進(jìn)行預(yù)備加熱。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的熱處理方法，其特征在于，在上述光源進(jìn)行照射的光照射位置的上述第一方向上的下游側(cè)對上述被處理體進(jìn)行冷卻。
20.根據(jù)權(quán)利要求 12所述的熱處理方法，其特征在于，上述光源具有能夠連續(xù)照射光的氙燈。
【文檔編號】H01L21/26GK103515204SQ201310211205
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年5月31日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月19日
【發(fā)明者】木村貴弘, 澀田浩二, 鍬田豊 申請人:大日本網(wǎng)屏制造株式會社