封裝基板，其制備方式及其應(yīng)用的制作方法
【專利摘要】一種封裝基板，包括聚合物薄膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面設(shè)置第一阻擋層，聚合物薄膜基板的另一面設(shè)置第二阻擋層，所述第一阻擋層為交替層疊設(shè)置的無機(jī)化合物薄膜層和有機(jī)化合物薄膜層，且于所述第一阻擋層第一層和最后一層都為無機(jī)化合物薄膜層，所述聚合物薄膜基板的材料選自聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亞胺中至少一種。上述封裝基板具有低水氧滲透率。本發(fā)明還提供上述封裝基板的制備方法及其應(yīng)用。
【專利說明】封裝基板，其制備方式及其應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種封裝基板、其制備方法，使用該基板的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制 作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件（0LED)通常使用超薄玻璃，聚合物薄膜、金屬薄片等作為柔性 襯底，比玻璃襯底的具有更輕薄、更耐沖擊的優(yōu)點(diǎn)，并且柔性器件的制備可以采用卷對卷方 式生產(chǎn)，從而大幅地降低制造成本。
[0003] 聚合物薄膜作為一種常用的封裝基板，其來源廣泛，價格低廉，撓曲性能好，被廣 泛應(yīng)用到各種器件的制備過程中。但是聚合物薄膜也存在一些缺點(diǎn)，如熱穩(wěn)定性能差，其對 水氧的滲透率較高。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 基于此，有必要提供具有低水氧滲透率的封裝基板、其制備方法，使用該基板的有 機(jī)電致發(fā)光器件及其制作方法。
[0005] -種封裝基板，包括聚合物薄膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面設(shè)置第一阻擋 層，聚合物薄膜基板的另一面設(shè)置第二阻擋層，所述第一阻擋層為交替層疊設(shè)置的無機(jī)化 合物薄膜層和有機(jī)化合物薄膜層，且于所述第一阻擋層第一層和最后一層都為無機(jī)化合 物薄膜層，所述聚合物薄膜基板的材料選自聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸 乙二醇酯及透明聚酰亞胺中至少一種，所述無機(jī)化合物薄膜的材料選自一氧化硅或者三 氧化鎢，所述有機(jī)化合物薄膜的材料選自Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）_1，Γ-聯(lián) 苯-4, 4'-二胺，8-羥基喹啉鋁，雙（2-甲基-8-羥基喹啉-Ν1，08) - (1，Γ -聯(lián)苯-4-羥基） 鋁或4, 4'，4''-三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺中至少一種，所述第二阻擋層的 材料選自Si3N 4, Si02或八1203中至少一種。
[0006] 在其中一個實(shí)施例中，所述聚合物薄膜基板的厚度為0. 1mm?1mm。
[0007] 在其中一個實(shí)施例中，所述第一阻擋層中無機(jī)化合物薄膜層厚度為100nm? 500nm，所述有機(jī)化合物薄膜層厚度為100nm?300nm。
[0008] 在其中一個實(shí)施例中，所述第第二阻擋層的厚度為500nm?lOOOnm。
[0009] 在其中一個實(shí)施例中，所述第一阻擋層為交替層疊設(shè)置的無機(jī)化合物薄膜層和有 機(jī)化合物薄膜層中，無機(jī)化合物薄膜層的層數(shù)大于等于2，所述有機(jī)化合物薄膜層的層數(shù)大 于等于1。
[0010] 一種封裝基板的制備方法，包括以下步驟：
[0011] 提供聚合物薄膜基板，將聚合物薄膜基板放入真空鍍膜系統(tǒng)中，在所述聚合物薄 膜基板的一面蒸發(fā)制備第一阻擋層，其中，所述第一阻擋層為交替層疊設(shè)置的無機(jī)化合物 薄膜層和有機(jī)化合物薄膜層，且于所述第一阻擋層第一層和最后一層都為無機(jī)化合物薄膜 層，所述聚合物薄膜基板的材料選自聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯 及透明聚酰亞胺中至少一種，所述無機(jī)化合物薄膜的材料選自一氧化硅或者三氧化鎢，所 述有機(jī)化合物薄膜的材料選自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺， 8-羥基喹啉鋁，雙（2-甲基-8-羥基喹啉-Ν1，08)-(1, Γ -聯(lián)苯-4-羥基）鋁或4, 4'，4'三 (N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺中至少一種，蒸鍍無機(jī)化合物薄膜層在真空度為 l(T5Pa?l(T3Pa的鍍膜系統(tǒng)中進(jìn)行，蒸發(fā)速度為0. 5-5nm/s，蒸鍍有機(jī)化合物薄膜層在真空 度為l(T5Pa?l(T3Pa的鍍膜系統(tǒng)中進(jìn)行，蒸發(fā)速度為0. 5-5nm/s ;及
[0012] 在所述聚合物薄膜基板的另一面蒸鍍制備第二阻擋層，所述第二阻擋層的材料選 自Si3N 4, Si02或A1A中至少一種，蒸鍍第二阻擋層在真空度為l(T5Pa?l(T3Pa的鍍膜系統(tǒng) 中進(jìn)行，蒸發(fā)速度為〇. 5-5nm/s。
[0013] 在其中一個實(shí)施例中，所述第一阻擋層中無機(jī)化合物薄膜層厚度為100nm? 500nm，所述有機(jī)化合物薄膜層厚度為100nm?300nm。
[0014] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊的基板，陽極，空穴傳 輸層，電子傳輸層，電子注入層，陰極及封裝基板，所述封裝基板包括聚合物薄膜基板，在 所述聚合物薄膜基板一面設(shè)置第一阻擋層，聚合物薄膜的另一面設(shè)置第二阻擋層，所述第 一阻擋層為交替層疊設(shè)置的無機(jī)化合物薄膜層和有機(jī)化合物薄膜層，且于所述第一阻擋 層第一層和最后一層都為無機(jī)化合物薄膜層，所述聚合物薄膜基板的材料選自聚對苯二 甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亞胺中至少一種，所述無機(jī)化合 物薄膜的材料選自一氧化硅或者三氧化鎢，所述有機(jī)化合物薄膜的材料選自Ν，Ν' -二苯 基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺，8-羥基喹啉鋁，雙（2-甲基-8-羥基喹 啉-附，08)-(1，1'-聯(lián)苯-4-羥基）鋁或4,4'，4''-三（^3-甲基苯基4-苯基氨基）三 苯胺中至少一種，所述第二阻擋層的材料選自Si 3N4, Si02或Α1203中至少一種。
[0015] 在其中一個實(shí)施例中，所述聚合物薄膜基板的厚度為〇· 1mm?1mm，所述第一阻 擋層中無機(jī)化合物薄膜層厚度為l〇〇nm?500nm，所述有機(jī)化合物薄膜層厚度為100nm? 300nm，所述第第二阻擋層的厚度為500nm?lOOOnrn。
[0016] 在其中一個實(shí)施例中，所述第一阻擋層為交替層疊設(shè)置的無機(jī)化合物薄膜層和有 機(jī)化合物薄膜層中，無機(jī)化合物薄膜層的層數(shù)大于等于2，所述有機(jī)化合物薄膜層的層數(shù)大 于等于1。
[0017] 上述封裝基板，在聚合物薄膜基板一面設(shè)置第一阻擋層，聚合物薄膜基板的另一 面設(shè)置第二阻擋層，該封裝基板能夠起到阻擋氧和水滲透，使水滲透下降到1〇_ 2?l〇_3g/ m2/day量級，在聚合物薄膜基板中交替層疊無機(jī)化合物薄膜層和有機(jī)化合物薄膜層，采用 兩種不同性質(zhì)的薄膜重疊設(shè)置在一起使水氧分子在多個薄膜之間的滲透路徑延長，進(jìn)一步 降低水氧的滲透效果，從而提高有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命并且該制備方法工藝簡單， 材料來源廣泛。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0018] 圖1為一實(shí)施方式的封裝基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019] 圖2 -實(shí)施方式的第一阻擋層101的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖3為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對封裝基板及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0022] 請參閱圖1，一實(shí)施方式的封裝基板100包括聚合物薄膜基板102,在聚合物薄 膜基板102-面設(shè)置第一阻擋層101，在聚合物薄膜基板102相對第一阻擋層101的相 對另一面設(shè)置第二阻擋層103,所述聚合物薄膜基板的材料選自聚對苯二甲酸乙二醇酯， 聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亞胺中至少一種，所述無機(jī)化合物薄膜的材料 選自一氧化硅（SiO)或者三氧化鎢（W0 3)，所述有機(jī)化合物薄膜的材料選自Ν，Ν' -二苯 基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4'-二胺，8-羥基喹啉鋁，雙（2-甲基-8-羥基喹 啉-附，08)-(1，1'-聯(lián)苯-4-羥基）鋁或4,4'，4''-三（^3-甲基苯基4-苯基氨基）三 苯胺中至少一種，所述第二阻擋層的材料選自Si 3N4，Si02*Al203中至少一種。聚合物薄膜 基板102的厚度為0· 1mm?1mm。
[0023] 請參閱圖2,一實(shí)施方式的第一阻擋層101的結(jié)構(gòu)示意圖，由圖可以看出，第一阻 擋層101包括無機(jī)化合物薄膜層1011及有機(jī)化合物薄膜層1012,無機(jī)化合物薄膜層1011 和有機(jī)化合物薄膜層1012交替層疊設(shè)置，并且第一阻擋層101的兩末端都為無機(jī)化合物薄 膜層1011，無機(jī)化合物薄膜層1011的層數(shù)大于等于2,所述有機(jī)化合物薄膜層1012的層數(shù) 大于等于1。在本實(shí)施例中，無機(jī)化合物薄膜層的層數(shù)為2層，有機(jī)化合物薄膜層1012的 層數(shù)為1層，以此類推，在其他實(shí)施例中無機(jī)化合物薄膜層1011的層數(shù)為3層時有機(jī)化合 物薄膜層1012的層數(shù)為2層，無機(jī)化合物薄膜層1011的層數(shù)為4層時有機(jī)化合物薄膜層 1012的層數(shù)為3層，無機(jī)化合物薄膜層1011的層數(shù)為5層時有機(jī)化合物薄膜層1012的層 數(shù)為4層，無機(jī)化合物薄膜層1011的層數(shù)為6層時有機(jī)化合物薄膜層1012的層數(shù)為5層， 等等。
[0024] 第一阻擋層101中無機(jī)化合物薄膜層1011厚度為100nm?500nm,
[0025] 有機(jī)化合物薄膜層1012厚度為100nm?300nm。
[0026] 第二阻擋層103的厚度為500nm?lOOOnrn。
[0027] 上述封裝基板100,在聚合物薄膜基板一面設(shè)置第一阻擋層，聚合物薄膜基板的另 一面設(shè)置第二阻擋層，該封裝基板能夠起到阻擋氧和水滲透，使水滲透下降到1〇_ 2?l〇_3g/ m2/day量級，在聚合物薄膜基板中交替層疊無機(jī)化合物薄膜層和有機(jī)化合物薄膜層，采用 兩種不同性質(zhì)的薄膜重疊設(shè)置在一起使水氧分子在多個薄膜之間的滲透路徑延長，進(jìn)一步 降低水氧的滲透效果，從而提高有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命并且該制備方法工藝簡單， 材料來源廣泛。
[0028] 封裝基板的制備方法，包括以下步驟：
[0029] S10,提供聚合物薄膜基板，將聚合物薄膜基板放入真空鍍膜系統(tǒng)中，在真空度為 l(T5Pa?l(T3Pa的條件下，在所述聚合物薄膜基板的一面蒸發(fā)制備第一阻擋層，所述第一阻 擋層為交替層疊設(shè)置的無機(jī)化合物薄膜層和有機(jī)化合物薄膜層，且于所述第一阻擋層第一 層和最后一層都為無機(jī)化合物薄膜層。
[0030] 所述聚合物薄膜基板的材料選自聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸 乙二醇酯及透明聚酰亞胺中至少一種，所述無機(jī)化合物薄膜的材料選自一氧化硅（SiO) 或者三氧化鎢（W0 3)，所述有機(jī)化合物薄膜的材料選自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘 基）-1，1'-聯(lián)苯-4, 4'-二胺，8-羥基喹啉鋁，雙（2-甲基-8-羥基喹啉-Ν1，08) - (1，Γ -聯(lián) 苯-4-羥基）鋁或4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺中至少一種。
[0031] 蒸鍍無機(jī)化合物薄膜層在真空度為l〇_5Pa?l(T3Pa的鍍膜系統(tǒng)中進(jìn)行，蒸發(fā)速度 為 0· 5_5nm/s〇
[0032] 蒸鍍有機(jī)化合物薄膜層在真空度為l(T5Pa?l(T3Pa的鍍膜系統(tǒng)中進(jìn)行，蒸發(fā)速度 為 0· 5_5nm/s〇
[0033] S20,在所述聚合物薄膜基板的另一面蒸鍍制備第二阻擋層，第二阻擋層的材料選 自Si3N4, Si02或六1203中至少一種。
[0034] 蒸鍍第二阻擋層的條件在真空度為10_5Pa?l(T3Pa的鍍膜系統(tǒng)中進(jìn)行，蒸發(fā)速度 為 0· 5_5nm/s〇
[0035] 請參閱圖3, 一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件200,在封裝基板100的第二金屬鋁 層103表面依次層疊陽極201，空穴傳輸層202,電子傳輸層203,電子注入層204,陰極205 及封裝層206,封裝基板100包括聚合物薄膜基板102,在聚合物薄膜基板102 -面設(shè)置第 一阻擋層101，在聚合物薄膜基板102相對第一阻擋層101的相對另一面設(shè)置第二阻擋層 103,所述聚合物薄膜基板的材料選自聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇 酯及透明聚酰亞胺中至少一種，所述無機(jī)化合物薄膜的材料選自一氧化硅（SiO)或者三氧 化鎢（W0 3)，所述有機(jī)化合物薄膜的材料選自N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián) 苯-4, 4'-二胺，8-羥基喹啉鋁，雙（2-甲基-8-羥基喹啉-N1，08) - (1，Γ -聯(lián)苯-4-羥基） 鋁或4,4'，4''_三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺中至少一種，所述第二阻擋層的 材料選自Si 3N4, Si02或八1203中至少一種。
[0036] 聚合物薄膜基板102的厚度為0. 1mm?1mm，第一阻擋層101中無機(jī)化合物薄膜層 1011厚度為l〇〇nm?500nm，有機(jī)化合物薄膜層1012厚度為100nm?300nm。
[0037] 第二阻擋層103的厚度為500nm?lOOOnrn。
[0038] 陽極201的材料為ΙΤ0,厚度為70?200nm，空穴傳輸層的材料為Ν，Ν' -二苯 基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（ΝΡΒ)，厚度為20?60nm，電子傳輸層材 料為8-羥基喹啉鋁（Alq3)，厚度為20?60nm，并且該電子傳輸層同時作為發(fā)光層，電子注 入層材料為氟化鋰（LiF)，厚度為0· 2?2nm，陰極材料為銀（Ag)，厚度為70?200nm，封裝 層材料為Si3N4，厚度為300nm。其中，封裝基板100結(jié)構(gòu)如上所述如圖1所示。
[0039] 以下結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明提供的封裝基板、其制備方法，使用該基板的有機(jī) 電致發(fā)光器件及其制作方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0040] 本發(fā)明實(shí)施例及對比例所用到的制備與測試儀器為：制備設(shè)備為高真空鍍膜 系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司），測試設(shè)備為美國海洋光學(xué)Ocean Optics的 USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時利公司的Keithley2400測試電學(xué) 性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計測試亮度和色度，美國M0C0N(膜康） PERMATRAN- W? M〇del700透濕儀測試水滲透率。
[0041] 實(shí)施例1
[0042] 封裝基板的制作步驟包括以下：
[0043] 步驟1 :提供聚合物薄膜基板PET薄膜，厚度為0. 1_，并清洗干凈；
[0044] 步驟2 :在真空度為1 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在聚合物薄膜基板PET薄膜一 表面上，蒸發(fā)制備第一阻擋層，第一阻擋層為交替層疊設(shè)置的無機(jī)化合物薄膜層和有機(jī)化 合物薄膜層，其中，無機(jī)化合物薄膜層的材料為SiO,層數(shù)為5層，每層的厚度為200nm，有機(jī) 化合物薄膜層的材料為NPB，層數(shù)為4層，每層的厚度為lOOnm，蒸發(fā)速度為0. 5nm/s ;
[0045] 步驟3 :在真空度為IX 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在步驟2的基礎(chǔ)上在聚合物薄 膜基板PET薄膜另一表面上，蒸發(fā)制備第二阻擋層，第二阻擋層的材料為Si0 2，第二阻擋層 厚度為500nm，蒸發(fā)速度為0. 5nm/s ;得到該封裝基板。
[0046] 步驟4 :在真空度為1 X l(T4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在聚合物薄膜基板PET薄膜表 面上濺射制備厚度為lOOnm的ΙΤ0薄膜作為陽極，濺射速度為0. 5nm/s，然后在陽極上蒸發(fā) 厚度50nm的Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)作為空穴 傳輸層，蒸發(fā)速度為〇. 5nm/s，在空穴傳輸層上蒸發(fā)厚度30nm的8-羥基喹啉鋁（Alq3)作為 發(fā)光層兼電子傳輸層，蒸發(fā)速度為〇. 5nm/s，在電子傳輸層上蒸發(fā)lnm的氟化鋰（LiF)作為 電子注入層，蒸發(fā)速度為0. lnm/s，在電子傳輸層上蒸發(fā)厚度為70nm的金屬銀膜（Ag)作為 透明陰極，蒸發(fā)速度為〇. 5nm/s。在上述器件的陰極表面，將步驟3中制備的封裝基板作為 封裝層，并且襯底的薄膜基板與封裝層的模板基板通過光固化聚丙烯酸粘合劑進(jìn)行粘結(jié)。
[0047] 對比例1與實(shí)施例1不同之處僅在于該有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝層中不具有第一 阻擋層其他各層陽極，空穴傳輸層，電子傳輸層，電子注入層，陰極及封裝層的材料及其厚 度都與實(shí)施例1中相同。
[0048] 經(jīng)測試結(jié)果，在起始亮度為1000cd/m2時，亮度衰減到起始的70%時，實(shí)施例的使 用壽命達(dá)到4100小時左右，而對比例則只有2500小時。
[0049] 將實(shí)施例1制備的封裝基板做水滲透率的測試，其滲透率為1. 5X l(T3g/m2/day， 而對比例1中的封裝基板，其水滲透率為5. 8g/m2/day，在經(jīng)過本發(fā)明實(shí)施方式的改進(jìn)后的 封裝層結(jié)構(gòu)其水滲透率大幅降低。
[0050] 實(shí)施例2
[0051] 封裝基板的制作步驟包括以下：
[0052] 步驟1 :提供聚合物薄膜基板PES薄膜，厚度為1mm，并清洗干凈；
[0053] 步驟2 :在真空度為1 X l(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在聚合物薄膜基板PES薄膜一 表面上，蒸發(fā)制備第一阻擋層，第一阻擋層為交替層疊設(shè)置的無機(jī)化合物薄膜層和有機(jī)化 合物薄膜層，其中，無機(jī)化合物薄膜層的材料為W0 3，層數(shù)為2層，每層的厚度為500nm，有機(jī) 化合物薄膜層的材料為Alq3，層數(shù)為1層，每層的厚度為300nm，蒸發(fā)速度為5nm/s ;
[0054] 步驟3 :在真空度為IX 10_3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在步驟2的基礎(chǔ)上在聚合物薄 膜基板PES薄膜另一表面上，蒸發(fā)制備第二阻擋層，第二阻擋層的材料為A1 203，第二阻擋層 厚度為l〇〇〇nm，蒸發(fā)速度為5nm/s ;得到該封裝基板。
[0055] 步驟4 :在真空度為1 X l(T3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在聚合物薄膜基板PES薄膜表 面上濺射制備厚度為lOOnm的ΙΤ0薄膜作為陽極，濺射速度為lnm/s，然后在陽極上蒸發(fā)厚 度20nm的Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)作為空穴傳 輸層，蒸發(fā)速度為〇. 5nm/s，在空穴傳輸層上蒸發(fā)厚度20nm的8-輕基喹啉錯（Alq3)作為發(fā) 光層兼電子傳輸層，蒸發(fā)速度為〇. 5nm/s，在電子傳輸層上蒸發(fā)2nm的氟化鋰（LiF)作為電 子注入層，蒸發(fā)速度為0. lnm/s，在電子傳輸層上蒸發(fā)厚度為200nm的金屬銀膜（Ag)作為透 明陰極，蒸發(fā)速度為〇. 5nm/s。在上述器件的陰極表面，將步驟3中制備的封裝基板作為封 裝層，并且襯底的薄膜基板與封裝層的模板基板通過光固化聚丙烯酸粘合劑進(jìn)行粘結(jié)。
[0056] 對比例2與實(shí)施例2不同之處僅在于該有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝層中不具有第一 阻擋層其他各層陽極，空穴傳輸層，電子傳輸層，電子注入層，陰極及封裝層的材料及其厚 度都與實(shí)施例2中相同。
[0057] 經(jīng)測試結(jié)果，在起始亮度為1000cd/m2時，亮度衰減到起始的70%時，實(shí)施例的使 用壽命達(dá)到3500小時左右，而對比例為2200小時。
[0058] 將實(shí)施例2制備的封裝基板做水滲透率的測試，其滲透率為5. OX l(T2g/m2/day， 而對比例1中的封裝基板，其水滲透率為1. 5g/m2/day，在經(jīng)過本發(fā)明實(shí)施方式的改進(jìn)后的 封裝層結(jié)構(gòu)其水滲透率大幅降低。
[0059] 實(shí)施例3
[0060] 封裝基板的制作步驟包括以下：
[0061] 步驟1 :提供聚合物薄膜基板PEN薄膜，厚度為0. 2_，并清洗干凈；
[0062] 步驟2 :在真空度為1 X 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在聚合物薄膜基板PEN薄膜一 表面上，蒸發(fā)制備第一阻擋層，第一阻擋層為交替層疊設(shè)置的無機(jī)化合物薄膜層和有機(jī)化 合物薄膜層，其中，無機(jī)化合物薄膜層的材料為SiO,層數(shù)為3層，每層的厚度為300nm，有機(jī) 化合物薄膜層的材料為BAlq，層數(shù)為2層，每層的厚度為200nm，蒸發(fā)速度為2nm/s ;
[0063] 步驟3 :在真空度為IX 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在步驟2的基礎(chǔ)上在聚合物薄 膜基板PEN薄膜另一表面上，蒸發(fā)制備第二阻擋層，第二阻擋層的材料為Si 3N4，第二阻擋層 厚度為800nm，蒸發(fā)速度為5nm/s ;得到該封裝基板。
[0064] 步驟4 :在真空度為1 X 10_4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在聚合物薄膜基板PEN薄膜表 面上濺射制備厚度為200nm的ΙΤ0薄膜作為陽極，濺射速度為2nm/s，然后在陽極上蒸發(fā)厚 度60nm的Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)作為空穴傳 輸層，蒸發(fā)速度為〇. 5nm/s，在空穴傳輸層上蒸發(fā)厚度60nm的8-輕基喹啉錯（Alq3)作為發(fā) 光層兼電子傳輸層，蒸發(fā)速度為〇. 5nm/s，在電子傳輸層上蒸發(fā)lnm的氟化鋰（LiF)作為電 子注入層，蒸發(fā)速度為0. lnm/s，在電子傳輸層上蒸發(fā)厚度為200nm的金屬銀膜（Ag)作為透 明陰極，蒸發(fā)速度為〇. 5nm/s。在上述器件的陰極表面，將步驟3中制備的封裝基板作為封 裝層，并且襯底的薄膜基板與封裝層的模板基板通過光固化聚丙烯酸粘合劑進(jìn)行粘結(jié)。 [0065] 對比例3與實(shí)施例3不同之處僅在于該有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝層中不具有第一 阻擋層其他各層陽極，空穴傳輸層，電子傳輸層，電子注入層，陰極及封裝層的材料及其厚 度都與實(shí)施例3中相同。
[0066] 經(jīng)測試結(jié)果，在起始亮度為1000cd/m2時，亮度衰減到起始的70%時，實(shí)施例的使 用壽命達(dá)到3700小時左右，而對比例為1900小時。
[0067] 將實(shí)施例3制備的封裝基板做水滲透率的測試，其滲透率為3. 5X l(T3g/m2/day， 而對比例3中的封裝基板，其水滲透率為15. 3g/m2/day，在經(jīng)過本發(fā)明實(shí)施方式的改進(jìn)后的 封裝層結(jié)構(gòu)其水滲透率大幅降低。
[0068] 實(shí)施例4
[0069] 封裝基板的制作步驟包括以下：
[0070] 步驟1 :提供聚合物薄膜基板PI薄膜，厚度為1mm，并清洗干凈；
[0071] 步驟2 :在真空度為IX l(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在聚合物薄膜基板PI薄膜一表 面上，蒸發(fā)制備第一阻擋層，第一阻擋層為交替層疊設(shè)置的無機(jī)化合物薄膜層和有機(jī)化合 物薄膜層，其中，無機(jī)化合物薄膜層的材料為SiO,層數(shù)為4層，每層的厚度為300nm，有機(jī)化 合物薄膜層的材料為m-MTDATA，層數(shù)為3層，每層的厚度為lOOnm，蒸發(fā)速度為lnm/s ;
[0072] 步驟3 :在真空度為IX 10_5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在步驟2的基礎(chǔ)上在聚合物薄 膜基板PI薄膜另一表面上，蒸發(fā)制備第二阻擋層，第二阻擋層的材料為Si0 2，第二阻擋層厚 度為500nm，蒸發(fā)速度為0. 5nm/s ;得到該封裝基板。
[0073] 步驟4 :在真空度為1 X l(T5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在聚合物薄膜基板PI薄膜表面 上濺射制備厚度為lOOnm的ΙΤ0薄膜作為陽極，濺射條件是什么，然后在陽極上蒸發(fā)厚度 50nm的Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)作為空穴傳輸 層，蒸發(fā)速度為〇. 5nm/s，在空穴傳輸層上蒸發(fā)厚度30nm的8-羥基喹啉鋁（Alq3)作為發(fā)光 層兼電子傳輸層，蒸發(fā)速度為〇. 5nm/s，在電子傳輸層上蒸發(fā)lnm的氟化鋰（LiF)作為電子 注入層，蒸發(fā)速度為0. lnm/s，在電子傳輸層上蒸發(fā)厚度為120nm的金屬銀膜（Ag)作為透明 陰極，蒸發(fā)速度為〇. 5nm/s。在上述器件的陰極表面，將步驟3中制備的封裝基板作為封裝 層，并且襯底的薄膜基板與封裝層的模板基板通過光固化聚烯酸粘合劑進(jìn)行粘結(jié)。
[0074] 對比例4與實(shí)施例4不同之處僅在于該有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝層中不具有第一 阻擋層其他各層陽極，空穴傳輸層，電子傳輸層，電子注入層，陰極及封裝層的材料及其厚 度都與實(shí)施例4中相同。
[0075] 經(jīng)測試結(jié)果，在起始亮度為1000cd/m2時，亮度衰減到起始的70%時，實(shí)施例的使 用壽命達(dá)到4000小時左右，而對比例則只有2300小時。
[0076] 將實(shí)施例4制備的封裝基板做水滲透率的測試，其滲透率為2. 1 X l(T3g/m2/day， 而對比例4中的封裝基板，其水滲透率為6. 5g/m2/day，在經(jīng)過本發(fā)明實(shí)施方式的改進(jìn)后的 封裝層結(jié)構(gòu)其水滲透率大幅降低。
[0077] 以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并 不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保 護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種封裝基板，其特征在于，包括聚合物薄膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面設(shè)置 第一阻擋層，聚合物薄膜基板的另一面設(shè)置第二阻擋層，所述第一阻擋層為交替層疊設(shè)置 的無機(jī)化合物薄膜層和有機(jī)化合物薄膜層，且于所述第一阻擋層第一層和最后一層都為無 機(jī)化合物薄膜層，所述聚合物薄膜基板的材料選自聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二 甲酸乙二醇酯及透明聚酰亞胺中至少一種，所述無機(jī)化合物薄膜的材料選自一氧化硅或者 三氧化鎢，所述有機(jī)化合物薄膜的材料選自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián) 苯-4, 4'-二胺，8-羥基喹啉鋁，雙（2-甲基-8-羥基喹啉-Ν1，08) - (1，Γ -聯(lián)苯-4-羥基） 鋁或4, 4'，4'三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺中至少一種，所述第二阻擋層的 材料選自Si3N 4, Si02或八1203中至少一種。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，所述聚合物薄膜基板的厚度為 0. 1mm ?1mm η
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，所述第一阻擋層中無機(jī)化合物薄膜 層厚度為l〇〇nm?500nm，所述有機(jī)化合物薄膜層厚度為100nm?300nm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，所述第第二阻擋層的厚度為500nm? lOOOnm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征在于，所述第一阻擋層為交替層疊設(shè)置的 無機(jī)化合物薄膜層和有機(jī)化合物薄膜層中，無機(jī)化合物薄膜層的層數(shù)大于等于2，所述有機(jī) 化合物薄膜層的層數(shù)大于等于1。
6. -種封裝基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 提供聚合物薄膜基板，將聚合物薄膜基板放入真空鍍膜系統(tǒng)中，在所述聚合物薄膜基 板的一面蒸發(fā)制備第一阻擋層，其中，所述第一阻擋層為交替層疊設(shè)置的無機(jī)化合物薄膜 層和有機(jī)化合物薄膜層，且于所述第一阻擋層第一層和最后一層都為無機(jī)化合物薄膜層， 所述聚合物薄膜基板的材料選自聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及 透明聚酰亞胺中至少一種，所述無機(jī)化合物薄膜的材料選自一氧化硅或者三氧化鎢，所述 有機(jī)化合物薄膜的材料選自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺， 8-羥基喹啉鋁，雙（2-甲基-8-羥基喹啉-Ν1，08)-(1, Γ -聯(lián)苯-4-羥基）鋁或4, 4'，4' 三 (N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺中至少一種，蒸鍍無機(jī)化合物薄膜層在真空度為 l(T5Pa?l(T3Pa的鍍膜系統(tǒng)中進(jìn)行，蒸發(fā)速度為0. 5-5nm/s，蒸鍍有機(jī)化合物薄膜層在真空 度為l(T5Pa?l(T3Pa的鍍膜系統(tǒng)中進(jìn)行，蒸發(fā)速度為0. 5-5nm/s ;及 在所述聚合物薄膜基板的另一面蒸鍍制備第二阻擋層，所述第二阻擋層的材料選自 Si3N4, Si02或A1203中至少一種，蒸鍍第二阻擋層在真空度為l(T 5Pa?l(T3Pa的鍍膜系統(tǒng)中 進(jìn)行，蒸發(fā)速度為〇. 5-5nm/s。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝基板的制備方法，其特征在于，所述第一阻擋層中無機(jī) 化合物薄膜層厚度為l〇〇nm?500nm，所述有機(jī)化合物薄膜層厚度為100nm?300nm。
8. -種有機(jī)電致發(fā)光器件，該有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊的基板，陽極，空穴傳 輸層，電子傳輸層，電子注入層，陰極及封裝基板，其特征在于，所述封裝基板包括聚合物薄 膜基板，在所述聚合物薄膜基板一面設(shè)置第一阻擋層，聚合物薄膜基板的另一面設(shè)置第二 阻擋層，所述第一阻擋層為交替層疊設(shè)置的無機(jī)化合物薄膜層和有機(jī)化合物薄膜層，且于 所述第一阻擋層第一層和最后一層都為無機(jī)化合物薄膜層，所述聚合物薄膜基板的材料 選自聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚醚砜，聚萘二甲酸乙二醇酯及透明聚酰亞胺中至少一種， 所述無機(jī)化合物薄膜的材料選自一氧化硅或者三氧化鎢，所述有機(jī)化合物薄膜的材料選 自Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺，8-羥基喹啉鋁，雙（2-甲 基-8-羥基喹啉-Ν1，08) - (1，Γ -聯(lián)苯-4-羥基）鋁或4, 4'，4'' -三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯 基氨基）三苯胺中至少一種，所述第二阻擋層的材料選自Si3N4，Si0 2*Al203中至少一種。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述聚合物薄膜基板的厚 度為0. 1mm?1mm，所述第一阻擋層中無機(jī)化合物薄膜層厚度為100nm?500nm，所述有機(jī) 化合物薄膜層厚度為l〇〇nm?300nm，所述第第二阻擋層的厚度為500nm?lOOOnm。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：所述第一阻擋層為交替層 疊設(shè)置的無機(jī)化合物薄膜層和有機(jī)化合物薄膜層中，無機(jī)化合物薄膜層的層數(shù)大于等于2， 所述有機(jī)化合物薄膜層的層數(shù)大于等于1。
【文檔編號】H01L51/56GK104218181SQ201310211218
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年5月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月30日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 張振華, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司