導(dǎo)電性高分子用蝕刻液、及將導(dǎo)電性高分子圖案化的方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的目的是提供一種對(duì)于導(dǎo)電性高分子具有優(yōu)越的蝕刻處理能力的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液、及使用該導(dǎo)電性高分子用蝕刻液來(lái)將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法。本發(fā)明的圖案化的方法使用如下的蝕刻液，即作為有效氯濃度為0.06重量％以上，并且pH值超過(guò)3且低于8的次氯酸鹽水溶液的蝕刻液。
【專(zhuān)利說(shuō)明】導(dǎo)電性高分子用蝕刻液、及將導(dǎo)電性高分子圖案化的方法
[0001]本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?00780036318.3、發(fā)明名稱(chēng)為“導(dǎo)電性高分子用蝕刻液、及將導(dǎo)電性高分子圖案化的方法”的分案申請(qǐng)。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明是關(guān)于導(dǎo)電性高分子用蝕刻液、及將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]目前，透明導(dǎo)電膜雖然主要是使用含有銦(In)的ITO(氧化銦錫)，但是In(銦)是一種可采蘊(yùn)藏量為三千噸的稀少元素，因此也有如果提前，則可采蘊(yùn)藏量即將在2011年至2013年的時(shí)候被耗盡的預(yù)測(cè)，因此正在進(jìn)行不使用In (銦)的ITO替代材料的研究。導(dǎo)電性高分子的導(dǎo)電率是已有驚人的改善，因此導(dǎo)電性高分子是有希望用作為ITO的替代材料。
[0004]該導(dǎo)電性高分子是具有導(dǎo)電性、光的透射性、發(fā)光性、制膜后也呈可撓性的特征，因此已在進(jìn)行對(duì)于透明導(dǎo)電膜、電解電容器、抗靜電劑、電池、及有機(jī)EL組件等的應(yīng)用的研究，且有一部分已付諸實(shí)用化。
[0005]經(jīng)使用比電解電容器的電解液的導(dǎo)電性為高且穩(wěn)定性也高的導(dǎo)電性高分子時(shí)，即可制造頻率特性獲得改善，也具有優(yōu)越的耐熱性的電解電容器。
[0006]通過(guò)將導(dǎo)電性高分子制膜在高分子薄膜的表面，可在仍然保持著透明性的狀態(tài)下具有抗靜電性，因此該等導(dǎo)電性高分子一向是被使用于使用方便性?xún)?yōu)良的抗靜電膜或抗靜電容器。
[0007]導(dǎo)電性高分子可用作為二次電池的正極，因此被使用于鋰聚苯胺電池或鋰離子高分子電池等。
[0008]又有一種將導(dǎo)電性高分子使用于發(fā)光層的高分子有機(jī)EL顯示器，并且，基板并非為玻璃而使用塑料時(shí)，即可制得可撓性的顯示器。另外，在空穴傳輸層也可使用導(dǎo)電性高分子。包括高分子有機(jī)EL顯示器的有機(jī)EL顯示器，由于其是屬于自發(fā)光的顯示器，視野角廣闊、可容易薄型化、且具有優(yōu)越的色的再現(xiàn)性。此外，由于其是屬于通過(guò)空穴和電子的再結(jié)合的發(fā)光，因此響應(yīng)速度快。有機(jī)EL顯示器由于具有如上所述的優(yōu)越特征，因此是一種將來(lái)有希望的顯示器。
[0009]并且，使用導(dǎo)電性高分子即可制得二極管或晶體管等的電子組件，因此正在進(jìn)行提高性能的研究。又通過(guò)將導(dǎo)電性高分子替代白金而用作為色素增感型太陽(yáng)電池的二氧化鈦的對(duì)置電極，以開(kāi)發(fā)一種比目前的主流的利用硅的太陽(yáng)電池為更價(jià)廉的太陽(yáng)電池為目標(biāo)而正在進(jìn)行研究。
[0010]如上所述，導(dǎo)電性高分子對(duì)于將來(lái)的電子工業(yè)而言，是一種有益的材料，且其導(dǎo)電性高分子的圖案化(patterning)方法是在使用導(dǎo)電性高分子時(shí)的重要的技術(shù)。
[0011]將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法則有若干種類(lèi)。首先，有一種使用噴墨等的印刷法的圖案化(參閱例如，發(fā)明專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。印刷法雖然因?yàn)槠涫桥c圖案化的同時(shí)也達(dá)成制膜，因此生產(chǎn)制程簡(jiǎn)便，但是卻必須將導(dǎo)電性高分子予以油墨化。然而，導(dǎo)電性高分子是容易凝集以致不易將其油墨化。并且，也存在著印刷后的防止擴(kuò)散、或油墨經(jīng)干燥后液滴周邊部會(huì)比中心部為厚的問(wèn)題。
[0012]與此相對(duì)，被廣泛使用于圖案化的照相蝕刻方法，由于其是先制膜成均勻的膜后才實(shí)施圖案化，因此具有可采用簡(jiǎn)單的制膜方法的優(yōu)點(diǎn)。
[0013]關(guān)于將導(dǎo)電性高分子以蝕刻予以圖案化的方法，則已揭示于例如發(fā)明專(zhuān)利文獻(xiàn)2及發(fā)明專(zhuān)利文獻(xiàn)3。
[0014]然而，在發(fā)明專(zhuān)利文獻(xiàn)2中，有關(guān)使用于導(dǎo)電性高分子的蝕刻的蝕刻液，卻并未敘述。
[0015]在發(fā)明專(zhuān)利文獻(xiàn)3中，則揭示針對(duì)作為導(dǎo)電性高分子的聚吡咯(PPy:polypyrrole),使用次氯酸鹽或(NH4)2Ce (SO4) 3等來(lái)予以蝕刻的方法。其所使用的次氯酸鹽是市售的漂白劑(Clorox(商品名)漂白劑(bleach))，其水溶液呈堿性，因此，卻有會(huì)對(duì)在蝕刻上是不可或缺的抗蝕劑造成損傷的問(wèn)題。另外，也有揭示使用(NH4)2Ce(SO4)3的實(shí)施例。
[0016]此外，在發(fā)明專(zhuān)利文獻(xiàn)3則揭示一種通過(guò)不加以蝕刻而在未為抗蝕劑所覆蓋的部分使用藥液(例如氫氧化四甲基銨(TMAH:tetramethylammonium hydroxide)、或NH4OH)接觸以增加電阻，或使用其它的藥液(例如HC1、HN03、HC104、及H2SO4)接觸以減少電阻來(lái)予以圖案化的方法。然而，此種增減電阻來(lái)予以圖案化的方法，是絕緣不足夠，且非為現(xiàn)實(shí)的方法。尤其是對(duì)于有機(jī)EL顯示器等的顯示器用途而言，組件的間的絕緣性是重要因素。
[0017]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)第2005-109435號(hào)公報(bào)
[0018]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)平第5-335718號(hào)公報(bào)
[0019]專(zhuān)利文獻(xiàn)3:世界發(fā)明專(zhuān)利第97/18944號(hào)小冊(cè)子

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]本發(fā)明所欲解決的技術(shù)問(wèn)題，是提供一種對(duì)于導(dǎo)電性高分子具有優(yōu)越的蝕刻處理能力的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液、及使用該導(dǎo)電性高分子用蝕刻液來(lái)將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法。
[0021]本發(fā)明的發(fā)明人等為克服如上所述的【背景技術(shù)】的問(wèn)題而經(jīng)專(zhuān)心研討結(jié)果發(fā)現(xiàn):通過(guò)如下所述的第〈1>及〈13>項(xiàng)即可達(dá)成如上所述的技術(shù)問(wèn)題而終于達(dá)成本發(fā)明。優(yōu)選實(shí)施方式的第〈2>至〈12>項(xiàng)也在此敘述:
[0022]<1> 一種導(dǎo)電性高分子用蝕刻液，其特征在于，
[0023]選自如下組成的下列蝕刻液組:
[0024](I)含有超過(guò)0.5重量％且70重量％以下的(NH4)2Ce (NO3)6或者0.5重量％以上且30重量％以下的Ce (SO4) 2的蝕刻液；
[0025](2)含有超過(guò)0.5重量％且30重量％以下的(NH4)4Ce(SO4)4的蝕刻液；
[0026](3)作為有效氯濃度為0.06重量％以上，并且pH值超過(guò)3且低于8的次氯酸鹽水溶液的蝕刻液；
[0027](4)含有5重量％以上的鹽酸、含有20重量％以上的硝酸，(鹽酸濃度+0.51 X硝酸濃度)的值為35重量％以下，并且(鹽酸濃度+0.5X硝酸濃度)的值為30重量％以上的、含有亞硝酰氯的蝕刻液；
[0028](5)含有3重量％以上且40重量％以下的溴酸化合物，且含有4重量％以上的無(wú)機(jī)酸的蝕刻液；
[0029](6)含有6重量％以上且40重量％以下的氯酸化合物，且含有7重量％以上的鹵化氫的蝕刻液；
[0030](7)含有0.001重量％以上且20重量％以下的高錳酸化合物的蝕刻液；以及
[0031](8)含有3重量％以上且30重量％以下的六價(jià)鉻化合物的蝕刻液。
[0032]〈2>如第〈1>項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液，其中，所述(I)的蝕刻液含有(NH4)2Ce (NO3)6，并且含有超過(guò)0.1重量％且70重量％以下的硝酸。
[0033]〈3>如第〈1>項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液，其中，所述(I)的蝕刻液含有(NH4)2Ce (NO3) 6，并且含有超過(guò)0.1重量％且60重量％以下的HC104。
[0034]〈4>如第〈1>項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液，其中，所述(I)的蝕刻液含有Ce (SO4)2，并且含有超過(guò)0.1重量％且70重量％以下的硝酸。
[0035]〈5>如第〈1>項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液，其中，所述(I)的蝕刻液含有Ce (SO4)2，并且含有超過(guò)0.1重量％且40重量％以下的硫酸。
[0036]<6>如第〈1>項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液，其中，所述(2)的蝕刻液含有超過(guò)I重量％且40重量％以下的硫酸。
[0037]〈7>如第〈1>項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液，其中，所述(3)的蝕刻液中，所述次氯酸鹽水溶液是次氯酸堿金屬鹽水溶液。
[0038]<8>如第〈1>項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液，其中，所述(7)的蝕刻液含有I至50重量％的酸。
[0039]<9>如第〈1>至〈8>項(xiàng)中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液，其中，導(dǎo)電性高分子是聚乙炔類(lèi)、聚對(duì)亞苯基類(lèi)、聚對(duì)亞苯基亞乙烯基類(lèi)、聚亞苯基類(lèi)、聚亞噻嗯基亞乙烯基類(lèi)、聚芴類(lèi)、多并苯類(lèi)、聚苯胺類(lèi)、聚吡咯類(lèi)或聚噻吩類(lèi)。
[0040]<10>如第〈1>至〈8>項(xiàng)中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液，其中，導(dǎo)電性高分子是聚苯胺類(lèi)、聚吡咯類(lèi)或聚噻吩類(lèi)。
[0041]<11>如第〈1>至〈8>項(xiàng)中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液，其中，導(dǎo)電性高分子是聚苯胺類(lèi)或聚噻吩類(lèi)。
[0042]<12>如第〈1>至〈8>項(xiàng)中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液，其中，導(dǎo)電性高分子是聚(3，4-亞乙基二氧基噻吩)。
[0043]<13> 一種將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法，其中使用上述<1>?〈8>中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液。
[0044]若根據(jù)本發(fā)明，則可提供一種對(duì)于導(dǎo)電性高分子具有優(yōu)越的蝕刻處理能力的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液，及將使用該導(dǎo)電性高分子用蝕刻液的導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0045]圖1是經(jīng)使用本發(fā)明的蝕刻液來(lái)蝕刻導(dǎo)電性高分子以制得導(dǎo)電性高分子的電路圖案的示意制程圖的一例。[0046]符號(hào)說(shuō)明
[0047]A僅為透明基板的示意圖
[0048]B在透明基板形成有導(dǎo)電性高分子膜的示意圖
[0049]C在導(dǎo)電性高分子膜上涂布抗蝕劑的示意圖
[0050]D根據(jù)電路圖案將抗蝕劑予以曝光的示意圖
[0051]E移除已曝光的抗蝕劑后的示意圖
[0052]F使用本發(fā)明的蝕刻液來(lái)蝕刻導(dǎo)電性高分子膜后的示意圖
[0053]G移除抗蝕劑后所得到的使用導(dǎo)電性高分子的電路圖的示意圖
[0054]I透明基板
[0055]2導(dǎo)電性高分子膜
[0056]3抗蝕劑
[0057]4經(jīng)曝光的抗蝕劑
【具體實(shí)施方式】
[0058]本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液(在下文中也簡(jiǎn)單地稱(chēng)`為「蝕刻液」)，其特征為，選自下列蝕刻液組:
[0059](I)含有超過(guò)0.5重量％且70重量％以下的(NH4)2Ce (NO3)6或者0.5重量％以上且30重量％以下的Ce (SO4) 2的蝕刻液；
[0060](2)含有超過(guò)0.5重量％且30重量％以下的(NH4)4Ce(SO4)4的蝕刻液；
[0061](3)作為有效氯濃度為0.06重量％以上，并且pH值超過(guò)3且低于8的次氯酸鹽水溶液的蝕刻液；
[0062](4)含有5重量％以上的鹽酸、含有20重量％以上的硝酸，(鹽酸濃度+0.51 X硝酸濃度)的值為35重量％以下，并且(鹽酸濃度+0.5X硝酸濃度)的值為30重量％以上的、含有亞硝酰氯的蝕刻液；
[0063](5)含有3重量％以上且40重量％以下的溴酸化合物，且含有4重量％以上的無(wú)機(jī)酸的蝕刻液；
[0064](6)含有6重量％以上且40重量％以下的氯酸化合物，且含有7重量％以上的鹵化氫的蝕刻液；
[0065](7)含有0.001重量％以上且20重量％以下的高錳酸化合物的蝕刻液；以及
[0066](8)含有3重量％以上且30重量％以下的六價(jià)鉻化合物的蝕刻液。
[0067]另外，本發(fā)明的將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法(在下文中也簡(jiǎn)單稱(chēng)為「圖案化方法」)是使用本發(fā)明的導(dǎo)電性高分子用蝕刻液來(lái)實(shí)施的方法。
[0068]本發(fā)明詳加說(shuō)明如下。另外，「％」是除非有待別加注以外皆表示「重量％」。
[0069]就如上所述的第⑴至⑶項(xiàng)所示的各蝕刻液說(shuō)明如下。
[0070](I)含有超過(guò)0.5重量％且70重量％以下的(NH4)2Ce (NO3)6或者0.5重量％以上且30重量％以下的Ce (SO4) 2的蝕刻液
[0071]本發(fā)明的第一蝕刻液，是以含有超過(guò)0.5重量％且70重量％以下的(NH4)2Ce (NO3)6、0.5重量％以上且30重量％以下的Ce(SO4)2或0.5重量％以上且30重量％以下的Ce (NO3)4為其特征的蝕刻液，且較佳為含有超過(guò)0.5重量％且70重量％以下的(NH4)2Ce (NO3) 6、或0.5重量％以上且30重量％以下的Ce (SO4) 2。
[0072]本發(fā)明的蝕刻液是可使用(NH4) 2Ce (NO3) 6、Ce (SO4) 2或Ce (NO3) 4，且較佳為使用(NH4)2Ce (NO3) 6、或Ce(S04)2。另外，該等的鋪(IV)鹽是也可為水合物。在本發(fā)明中，由于(NH4)2Ce (NO3)6可在短時(shí)間內(nèi)將導(dǎo)電性高分子予以蝕刻處理，因此為較佳。
[0073]本發(fā)明的蝕刻液的溶劑，只要其為能溶解如上所述的鈰鹽，且對(duì)于蝕刻處理并無(wú)影響的介質(zhì)時(shí)，則并無(wú)特殊限制，但是較佳為水。另外，將水與無(wú)機(jī)酸混合來(lái)用作為溶劑也是較佳。
[0074]在本發(fā)明中使用(NH4)2Ce(NO3)6的情形時(shí)，其添加量從蝕刻液的處理能力的角度出發(fā)，超過(guò)0.5%，較佳為超過(guò)1.0%以上，另外，處理速度雖然會(huì)與濃度同時(shí)上升，但是從溶解度的觀點(diǎn)來(lái)考慮，則應(yīng)為70%以下，較佳為40%以下，更佳為2.0至30% (在本發(fā)明中，也將「2.0%以上且30%以下」稱(chēng)為「2.0至30%」，下同)，進(jìn)一步更佳為5.0至15%。在本發(fā)明的使用(NH4)2Ce(NO3)6的蝕刻液，若濃度為在如上所述的范圍時(shí)，則將具有優(yōu)越的蝕刻的處理能力，因此為較佳。
[0075]在使用(NH4)2Ce(NO3)6的本發(fā)明的蝕刻液,雖然可為防止該蝕刻液的分解而使用穩(wěn)定劑，但是關(guān)于該蝕刻液則較佳為混合穩(wěn)定劑。較佳以圓03或此104作為穩(wěn)定劑。當(dāng)使用HN0“t為該穩(wěn)定劑時(shí)，則其濃度較佳為多于0.1%且為70%以下，更佳為1.0至60%，進(jìn)一步更佳為5至50%，最佳為10至20%。另外，當(dāng)使用HClO4作為該穩(wěn)定劑時(shí)，則其濃度為多于0.1%且為60%以下，更佳為1.0至50%，進(jìn)一步更佳為5至40%。再者，硫酸由于會(huì)導(dǎo)致(NH4)2Ce (NO3)6蝕刻液發(fā)生白池，因此不宜用作為穩(wěn)定劑。在本發(fā)明的使用(NH4)2Ce(NO3)6的蝕刻液中，若穩(wěn)定劑為在如上所述的范圍的濃度時(shí)，則將可提高蝕刻液的穩(wěn)定性，因此為較佳。
[0076]在本發(fā)明中，在使用Ce(SO4)2的情形時(shí)，從蝕刻液的處理能力角度出發(fā)，添加量為0.5%以上，較佳為1.0%以上，另外，處理速度雖然會(huì)與濃度同時(shí)上升，但是從溶解度的觀點(diǎn)來(lái)考慮，則應(yīng)為30 %以下，較佳為25 %以下，更佳為2.0至25 %，進(jìn)一步更佳為5至15 %。在本發(fā)明的使用Ce(SO4)2的蝕刻液中，若濃度為在如上所述的范圍時(shí)，則將具有優(yōu)越的蝕刻處理能力，因此為較佳。
[0077]在使用Ce(SO4)2的本發(fā)明的蝕刻液中，雖然可為防止Ce (SO4)2的蝕刻能力降低而使用穩(wěn)定劑，但是關(guān)于該蝕刻液則較佳為混合穩(wěn)定劑。該穩(wěn)定劑較佳為HNO3或H2SO4,更佳為HN03。當(dāng)使用HN0“t為該穩(wěn)定劑時(shí)，則其濃度較佳為多于0.1%且為70%以下，更佳為1.0至60%，進(jìn)一步更佳為5.0至50%。另外，當(dāng)使用H2SOJt為該穩(wěn)定劑時(shí)，則其濃度較佳為多于0.1 %且為40%以下，更佳為1.0至30%，進(jìn)一步更佳為5.0至20 %。在本發(fā)明的使用Ce (SO4) 2的蝕刻液中，若穩(wěn)定劑為在如上所述的范圍的濃度時(shí)，則可防止蝕刻液的蝕刻能力降低，因此為較佳。
[0078]本發(fā)明的蝕刻液，也可使用Ce(N03)4。Ce (NO3) 4的使用量為0.5 %以上且30 %以下，較佳為5.0至20%。
[0079]在使用Ce (NO3)4時(shí)，則較佳為在即將使用之前才合成以供使用于蝕刻液。Ce (NO3)4的合成方法雖然可以用公知的方法來(lái)合成，但是可例示在離子交換水中加入氫氧化鈰及硝酸并予以加熱來(lái)合成的方法。另外，在使用Ce(NO3)4時(shí)，該穩(wěn)定劑較佳為使用HN03。
[0080]此外，若在本發(fā)明的第一蝕刻液使用穩(wěn)定劑時(shí)，則不用說(shuō)即將因受到穩(wěn)定劑的種類(lèi)、或溶液的溫度、溶液的pH、溶液的極性、共同離子效應(yīng)等的影響，結(jié)果導(dǎo)致含有(NH4)2Ce(N03)6、Ce(SO4)2或Ce(NO3)4的蝕刻液中的溶解度發(fā)生變化。例如，在使用(NH4)2Ce(NO3)6時(shí)，則因?yàn)槿缜八龅母鳁l件而有可能導(dǎo)致溶解度變成為70%以下的情形。在此種情形下，在本發(fā)明的蝕刻液中的(NH4)2Ce(NO3)6的使用量，則應(yīng)為超過(guò)0.1重量％、且為成為飽和濃度的量以下，關(guān)于Ce (SO4)2或Ce (NO3)4方面也是相同。
[0081]另外，在使用HNO3水溶液的情形下，經(jīng)測(cè)定在各溫度的(NH4)2Ce(NO3)6的飽和濃度以作為該溶解度的一實(shí)例，其結(jié)果如下表I及2所示。
[0082]表I
[0083]
【權(quán)利要求】
1.一種將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法，其中使用以下的蝕刻液，即有效氯濃度為0.06重量％以上并且pH值超過(guò)3且低于8的次氯酸鹽水溶液。
2.如權(quán)利要求1所述的將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法，其中，所述次氯酸鹽水溶液是次氯酸堿金屬鹽水溶液。
3.如權(quán)利要求1所述的將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法，其中，所述蝕刻液的pH值為4以上7.5以下。
4.如權(quán)利要求1所述的將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法，其中，所述蝕刻液的pH值為4.5以上7以下。
5.如權(quán)利要求1所述的將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法，其中，所述蝕刻液的有效氯濃度為0.1重量％以上3重量％以下。
6.如權(quán)利要求1所述的將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法，其中，所述蝕刻液的有效氯濃度為0.2重量％以上2重量％以下。
7.如權(quán)利要求1所述的將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法，其中，所述導(dǎo)電性高分子是聚乙炔類(lèi)、聚對(duì)亞苯基類(lèi)、聚對(duì)亞苯基亞乙烯基類(lèi)、聚亞苯基類(lèi)、聚亞噻嗯基亞乙烯基類(lèi)、聚芴類(lèi)、多并苯類(lèi)、聚苯胺類(lèi)、聚吡咯類(lèi)或聚噻吩類(lèi)。
8.如權(quán)利要求1所述的將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法，其中，所述導(dǎo)電性高分子是聚苯胺類(lèi)、聚吡咯類(lèi)或聚噻吩類(lèi)。
9.如權(quán)利要求1所述的將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法，其中，所述導(dǎo)電性高分子是聚苯胺類(lèi)或聚噻吩類(lèi)。
10.如權(quán)利要求1所述的將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法，其中，所述導(dǎo)電性高分子是聚噻吩類(lèi)。
11.如權(quán)利要求1所述的將導(dǎo)電性高分子予以圖案化的方法，其中，所述導(dǎo)電性高分子是聚(3，4-亞乙基二氧基噻吩)。
【文檔編號(hào)】H01L21/3213GK103456626SQ201310232197
【公開(kāi)日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2007年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2006年9月29日
【發(fā)明者】井原孝, 藤本孝弘 申請(qǐng)人:東亞合成株式會(huì)社