金屬基板和led芯片的接合方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種金屬基板和LED芯片的接合方法，作為在先的組裝廠商等的鍍敷部門，提供適合的金屬基板形態(tài)，以減輕后續(xù)的組裝部門的負(fù)擔(dān)。其特征在于，所述金屬基板為在芯材的上下兩面施加了高亮度、高散熱性的硬度等的調(diào)整鍍層的LED用的金屬基板，在制造該LED用的金屬基板的鍍敷部門和在金屬基板上搭載LED芯片的LED的組裝部門之間的關(guān)系中，在鍍敷部門，在金屬基板的調(diào)整鍍層上施加通過熔融而成為粘接材料的金屬鍍敷，在被發(fā)送來帶有該粘接鍍層的金屬基板的組裝部門，通過濺射裝置對LED芯片的外延層施加粘接濺射膜，之后使粘接鍍層和粘接濺射膜融合，在上述調(diào)整鍍層和外延層之間形成利用熔融的粘接材料層。
【專利說明】金屬基板和LED芯片的接合方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及與硅晶圓等同樣地按搭載的LED芯片切出并使用、從而也被稱為金屬晶圓的LED用的金屬基板，并涉及該LED的金屬基板和LED芯片的接合方法。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，本申請的 申請人:等以特征為聞売度、聞散熱的LED用的基板為目的物，進行了鍍敷方法的研究、開發(fā)，而制造并提供了在用Cu、Cu夾著Mo的方式的芯材的兩面施加了其高度等的調(diào)整鍍層的金屬基板(專利文獻I)。在該說明書中將該芯材稱為“DMD”。
[0003]以DMD為芯材的金屬基板多被提供給廠商使用，在后續(xù)廠商處經(jīng)過通過粘接來組裝LED芯片的精細的工序，而最終組裝成LED芯片。
[0004]圖2表示使用AuSn作為粘接材料的現(xiàn)有的接合方法。對其依次進行說明。
[0005]階段(I)
[0006]本申請的 申請人:等鍍敷企業(yè)(鍍敷部門)制造LED用的金屬基板Pa，并將其發(fā)送到LED的組裝廠商(組裝部門)。LED用的金屬基板Pa在圖示的情況下，在芯材31的兩面隔著Ni或N1-P合金的基底鍍層32、32，而在其上形成有Au的調(diào)整鍍層33、33。即，不附加粘接材料而將其作為產(chǎn)品向組裝廠商出貨。
[0007]組裝廠商準(zhǔn)備在接合面具有外延層35的LED芯片Qa。但是，該廠商是不具有鍍敷設(shè)備或者雖然具有鍍敷設(shè)備但該技術(shù)不熟練的一般性企業(yè)。另外，常備有濺射裝置并能夠熟練使用。另外，無法對LED芯片實施鍍敷。
[0008]階段(2)
[0009]因此，在被運送來金屬基板Pa時，在組裝廠商處，作為粘接材料選定AuSn，對其使用濺射裝置而在金屬基板Pa的上表面的調(diào)整鍍層33上和LED芯片Qa的外延層35上形成AuSn的粘接濺射膜37、38。兩者加起來非常花時間。
[0010]階段(3)
[0011]在組裝廠商處，這樣濺射形成粘接濺射膜37、38后，將兩者的粘接濺射膜接合并一體熔融。由此，在兩者之間形成將兩者的粘接濺射膜一體化的AuSn的粘接材料層39。
[0012]專利文獻I JP特開2012-109288號公報
[0013]濺射是對物質(zhì)附膜的方法，與鍍敷等不同，不使用化學(xué)藥品而是利用真空中的濺射現(xiàn)象的作業(yè)，因而是耗費時間、不適于量產(chǎn)的成膜方法，但在外延層不得不使用該方法卻是實情。
[0014]以往，鍍敷廠商將LED芯片的粘接全部交由組裝廠商進行，從而在組裝廠商處，通過耗費時間的濺射工序而在金屬基板P和LED芯片雙方形成粘接濺射膜，因此這對組裝廠商帶來了過大的負(fù)擔(dān)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0015]本發(fā)明鑒于以上的情況，其課題在于，作為在先的組裝廠商等的鍍敷部門，以減輕后續(xù)廠商的組裝部門的負(fù)擔(dān)為目的，通過提供適合的金屬基板形態(tài)，而減輕后續(xù)的組裝部門的負(fù)擔(dān)。
[0016]為了解決上述課題，本發(fā)明提供一種金屬基板和LED芯片的接合方法，其特征在于，所述金屬基板為在芯材的上下兩面施加了高亮度、高散熱性的硬度等的調(diào)整鍍層的LED用的金屬基板，在制造該LED用的金屬基板的鍍敷部門和在金屬基板上搭載LED芯片的LED的組裝部門之間的關(guān)系中，在鍍敷部門，在金屬基板的調(diào)整鍍層上施加通過熔融而成為粘接材料的金屬鍍敷，在被發(fā)送來帶有該粘接鍍層的金屬基板的組裝部門，通過濺射裝置對LED芯片的外延層施加粘接濺射膜，之后使粘接鍍層和粘接濺射膜融合，在上述調(diào)整鍍層和外延層之間形成利用熔融的粘接材料層。
[0017]如上構(gòu)成金屬基板和LED芯片的接合方法，因此在鍍敷部門能夠通過附隨金屬基板的制造的鍍敷工序而簡單地施加粘接鍍層，此外在組裝部門(例如組裝廠商)無需在金屬基板通過濺射方法形成作為粘接材料的粘接濺射膜，僅通過在LED芯片的外延層形成粘接濺射膜即可，可以使作業(yè)時間減半以備組裝。
[0018]如上所述，根據(jù)本發(fā)明，在金屬基板的制造部門，在其一系列的鍍敷過程中，只要追加鍍敷粘接鍍層即可，這在設(shè)備上、作業(yè)上、能力上基本沒有負(fù)擔(dān)，但對于組裝部門來說使得濺射作業(yè)的負(fù)擔(dān)減半，能夠提供作為可獲利的商品的金屬基板，尤其是若組裝部門為客戶，則實現(xiàn)了工序縮短和成本降低，能夠促進最終的LED的流通。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]圖1是用于說明本發(fā)明的說明圖，是用于說明以層截面表示的金屬基板和LED芯片的接合方法的流程圖。另外，是在層截面中舉例記載了金屬種類的截面圖。
[0020]圖2是用同樣的要點表示以往的該方法的流程圖的截面說明圖。
【具體實施方式】
[0021 ] 在本發(fā)明中，在金屬基板的制造部門，通過鍍敷設(shè)備形成粘接鍍層，在組裝部門通過濺射裝置形成粘接濺射膜，但存在通過雙方融合而產(chǎn)生同一金屬的粘接材料層19的情況、以及異種合金粘接材料19的情況。具體地說,在AuSn和AuSn、Au和AuSn等的情況下組合為同種金屬，在AuSn和In、Au和In等的情況下組合金屬為異種金屬。
[0022]金屬基板P的芯材I例如為DMD或CuW，是如下的任一種。
[0023]DMD =Mo的芯材的兩面為Cu、Cu鍍層或薄板的復(fù)合材料。
[0024]Cuff:ff的芯材的兩面為Cu、Cu鍍層或薄板的復(fù)合材料或CuW的合金。
[0025]實施例1
[0026]圖1與上述以往例的說明的圖2對應(yīng)，分成階段(a)、(b)、(c)來說明。
[0027]階段(a)
[0028]作為生產(chǎn)部門的鍍敷企業(yè)通過鍍敷設(shè)備生產(chǎn)金屬基板P。金屬基板P是通過在上述芯材I的兩面隔著基底鍍層2、2形成了硬度等的調(diào)整鍍層3、3而成的。在該芯材I的上表面形成AuSn的粘接鍍層12。在帶有該粘接鍍層12的狀態(tài)下發(fā)送到后續(xù)廠商。
[0029]而被發(fā)送來金屬基板P的作為組裝部門的后續(xù)廠商，準(zhǔn)備形成有外延層13的LED芯片Q。
[0030]階段(b)
[0031]組裝廠商按照預(yù)先從鍍敷廠商獲知了金屬基板P的內(nèi)容的信息，相對于AuSn而選擇AuSn，僅對LED芯片Q實施濺射，由此形成粘接濺射膜17。
[0032]階段(C)
[0033]在組裝廠商處的接合(粘接)中，為了將LED芯片Q安裝到金屬基板P，而使金屬基板P的粘接鍍層12和LED芯片Q的粘接濺射膜17融合，由此形成與兩者相同的AuSn的粘接材料層19。
[0034]實施例2
[0035]在金屬基板P中，作為粘接鍍層12形成In，在LED芯片Q中，作為粘接濺射膜17形成Au。由此,作為AuIn的合金形成粘接材料層19。
[0036]符號說明
[0037]P金屬基板
[0038]Q LED 芯片
[0039]I 芯材
[0040]3調(diào)整鍍層
[0041]12粘接鍍層
[0042]13外延層
[0043]17粘接濺射膜
[0044]19粘接材料層
【權(quán)利要求】
1.一種金屬基板和LED芯片的接合方法,其特征在于， 所述金屬基板為在芯材的上下兩面施加了高亮度、高散熱性的硬度等的調(diào)整鍍層的LED用的金屬基板，在制造該LED用的金屬基板的鍍敷部門和在金屬基板上搭載LED芯片的LED的組裝部門之間的關(guān)系中，在鍍敷部門，在金屬基板的調(diào)整鍍層上施加通過熔融而成為粘接材料的金屬鍍敷，在被發(fā)送來帶有該粘接鍍層的金屬基板的組裝部門，通過濺射裝置對LED芯片的外延層施加粘接濺射膜，之后使粘接鍍層和粘接濺射膜融合，在上述調(diào)整鍍層和外延層之間形成利用熔融的粘接材料層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬基板和LED芯片的接合方法，其特征在于，上述粘接鍍層和粘接濺射膜分別為Au或AuSn。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬基板和LED芯片的接合方法，其特征在于，上述粘接鍍層和粘接濺射膜中的一個為Au或AuSn的合金，另一個為In。
【文檔編號】H01L33/00GK104241456SQ201310241619
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月18日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月18日
【發(fā)明者】大下文夫, 山口雅弘 申請人:株式會社高松電鍍, 山口雅弘