一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法
【專利摘要】一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法，首先使用場(chǎng)致發(fā)射電流Je，利用其產(chǎn)生的電子轟擊脫附作用，使吸附量由σ1減少到σ0，然后再使用場(chǎng)致發(fā)射電流Je，利用其產(chǎn)生的離子捕集作用，使吸附量由σ0增加到σ1；吸附量的增加將導(dǎo)致觸頭材料功函數(shù)的增加，功函數(shù)的增加又引起場(chǎng)致發(fā)射電流Je的衰減，真空壓強(qiáng)不同，發(fā)射電流的衰減速度就不同，公式=ΔJe/Δt，其中，ΔJe為場(chǎng)致發(fā)射電流Je的衰減量，Δt為衰減時(shí)間，故在Δje一定時(shí)，通過(guò)檢測(cè)發(fā)射電流的衰減時(shí)間Δt就可以測(cè)量滅弧室內(nèi)的真空度。本發(fā)明無(wú)需施加額外磁場(chǎng)，使得檢測(cè)效率大大提高，其檢測(cè)靈敏度高、效率高，且本發(fā)明能重復(fù)測(cè)量，進(jìn)一步的提高了真空度檢測(cè)的真實(shí)有效性。
【專利說(shuō)明】一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種檢測(cè)方法，尤其涉及一種應(yīng)用于真空斷路器的滅弧室內(nèi)的檢測(cè)其真空度的檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在隨著電力系統(tǒng)的狀態(tài)檢修、無(wú)人值守等制度的推行，將原有的斷路器改造或更換為真空斷路器已經(jīng)成為趨勢(shì)，同時(shí)對(duì)真空斷路器的狀態(tài)檢修有了更高的要求。
[0003]而目前電力系統(tǒng)所使用的真空斷路器在我國(guó)供電系統(tǒng)中的應(yīng)用始于1978年，真空斷路器的優(yōu)越性不僅是無(wú)油化設(shè)備，而且還表現(xiàn)在它具有較長(zhǎng)的電壽命、機(jī)械壽命、開(kāi)斷絕緣能力大、連續(xù)開(kāi)斷能力強(qiáng)、體積小、重量輕、可頻繁操作、免除火災(zāi)、運(yùn)行維護(hù)少等優(yōu)點(diǎn)。真空斷路器其核心部分是滅弧室，由于滅弧室是以真空條件作為其工作基礎(chǔ)的(滅弧室真空度通常指的滅弧室內(nèi)真空泡的真空度，下同)。因此，其真空度將直接影響到電力系統(tǒng)的運(yùn)行安全性。滅弧室的真空開(kāi)關(guān)較之舊式油開(kāi)關(guān)而言，它具有開(kāi)斷容量大，滅弧性能好，機(jī)械壽命長(zhǎng)，運(yùn)行維護(hù)量小，檢修量小，檢修周期長(zhǎng)等特點(diǎn)。雖然滅弧室的真空開(kāi)關(guān)缺陷率和故障率較低，但較突出的問(wèn)題是滅弧室的真空泡的真空度檢測(cè)問(wèn)題，它不象油開(kāi)關(guān)、SF6開(kāi)關(guān)那樣容易檢查其介質(zhì)量。有些真空開(kāi)關(guān)在運(yùn)行過(guò)程中其真空滅弧室含有不同程度的泄露，有的在壽命范圍內(nèi)就可能泄露到無(wú)法正常開(kāi)斷的地步。而因真空泡真空度達(dá)不到要求，引起開(kāi)關(guān)爆炸，造成三相短路，釀成重大事故等在電力系統(tǒng)內(nèi)部也曾有發(fā)生，因此，對(duì)真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空泡的真空度的檢測(cè)必須弓I起高度重視。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)下對(duì)真空斷路器的檢測(cè)維修的手段如下:
[0005]1.做好調(diào)試、交接試驗(yàn)。
[0006]嚴(yán)格把好設(shè)備的調(diào)試及交接試驗(yàn)關(guān)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)并處理設(shè)備存在的先天缺陷，才能保證設(shè)備以良好的狀況投入運(yùn)行，減輕運(yùn)行中的壓力，降低設(shè)備運(yùn)行中的故障和事故率。做好真空開(kāi)關(guān)調(diào)試及交接試驗(yàn)工作，及時(shí)發(fā)現(xiàn)真空開(kāi)關(guān)本體漏氣及附屬絕緣件擊穿機(jī)構(gòu)(含連桿、分合閘緩沖器等)異常，機(jī)械特性(彈跳、速度、同期等)不合格等情況，作出整改處理后才投入運(yùn)行，對(duì)確保運(yùn)行的安全相當(dāng)重要。
[0007]2.定期檢測(cè)。
[0008]真空開(kāi)關(guān)本體常見(jiàn)的缺陷主要有:真空泡慢性漏氣、本體絕緣件絕緣擊穿等。在目前仍未有完善的在線監(jiān)測(cè)手段的情況下，定期檢查絕緣，試耐壓即預(yù)防試驗(yàn)是檢驗(yàn)上述缺陷的主要手段。真空開(kāi)關(guān)出現(xiàn)問(wèn)題的時(shí)間主要集中在投產(chǎn)6個(gè)月到2年這段時(shí)間，這時(shí)真空開(kāi)關(guān)的運(yùn)行狀態(tài)較不穩(wěn)定，需加強(qiáng)運(yùn)行檢測(cè)。在新投運(yùn)真空斷路器增加了投運(yùn)后3個(gè)月6個(gè)月、I年各進(jìn)行一次預(yù)防性試驗(yàn)的內(nèi)容，然后再按正常的預(yù)試周期進(jìn)行預(yù)試，從而達(dá)到在真空開(kāi)關(guān)不穩(wěn)定期間內(nèi)加強(qiáng)對(duì)其運(yùn)行檢測(cè)的目的。實(shí)踐證明效果很好。
[0009]但需要說(shuō)明的是開(kāi)關(guān)本體絕緣子，特別是拉桿絕緣子是非“全工況”產(chǎn)品，運(yùn)行中常因爬距不足和裂痕等原因造成電擊穿或閃絡(luò)放電。更要注意那些為滿足爬距而采用內(nèi)外兩層結(jié)構(gòu)的拉桿絕緣子，其內(nèi)外兩層之間的有機(jī)填充物在內(nèi)部有氣泡或受潮時(shí)亦會(huì)產(chǎn)生沿面閃絡(luò)和電擊穿。
[0010]3.加強(qiáng)運(yùn)行巡視。
[0011]在操作中注意觀察有無(wú)異常現(xiàn)象，如在分閘操作中，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)后，檢查電纜頭的帶電顯示裝置有無(wú)顯示帶電；拉開(kāi)母線側(cè)刀閘時(shí)，觀察刀口有無(wú)火花和真空泡有無(wú)閃光(玻璃泡)。
[0012]當(dāng)然僅做到上述3點(diǎn)還不夠，針對(duì)真空斷路器的滅弧室的真空度的檢測(cè)，現(xiàn)有技術(shù)還存在有以下3種測(cè)量方法，具體如下:
[0013]1.在滅弧室外圍加上磁場(chǎng)線圈的磁控放電法，對(duì)真空斷路器的滅弧室的真空度進(jìn)行檢測(cè)，然而，在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試人員發(fā)現(xiàn)，該種測(cè)試方法存在不少的缺點(diǎn)，具體如下:
[0014](I)該磁控放電法需要使用磁場(chǎng)線圈。由于真空開(kāi)關(guān)的型號(hào)多種多樣，有些真空開(kāi)關(guān)真空滅弧室的外圍無(wú)障礙空間很小，磁場(chǎng)線圈難以靠近，特別是對(duì)于新型的滅弧室絕緣全封閉型真空開(kāi)關(guān)，磁場(chǎng)線圈無(wú)法靠近，磁控放電法已無(wú)法應(yīng)用；
[0015](2)磁控放電法測(cè)量真空度的原理是利用正交的電場(chǎng)與磁場(chǎng)，增加電子的行程及與殘留氣體分子的碰撞幾率，導(dǎo)致氣體電離放電，測(cè)量放電的離子電流獲得真空度。放電電流的分散性較大，且放電后有抽氣或放氣作用，使密閉容器的真空度發(fā)生變化，故短期內(nèi)不能重復(fù)測(cè)量。
[0016]2.采用工頻耐壓法:
[0017]即真空開(kāi)關(guān)處于開(kāi)斷狀態(tài)下，在動(dòng)靜觸頭之間施加一定的壓力，檢測(cè)泄露電流的大小或觀察滅弧室內(nèi)的放電現(xiàn)象，由此推斷真空度的好壞。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是方法簡(jiǎn)單，其缺點(diǎn)是:
[0018](I)只能定性檢測(cè)真空度的好壞，而且由于施加的電壓不高，真空度在10-5?3Pa之間，無(wú)法分辨，即耐壓法的實(shí)驗(yàn)結(jié)果基本是一樣的，所以無(wú)法合理地判斷發(fā)展性泄露(即同一個(gè)真空開(kāi)關(guān)和上次相比有多大程度的泄露);
[0019](2)這種方法只能粗略地判斷其真空度嚴(yán)重劣化的滅弧室，屬定質(zhì)檢測(cè)。
[0020]3.電離電荷采樣法:
[0021]電離電荷采樣的測(cè)試原理將滅弧室兩觸頭拉開(kāi)一定的開(kāi)距施加脈沖高壓，將勵(lì)磁線圈繞于滅弧室內(nèi)外兩側(cè)，向線圈通以大電流，從而在滅弧室內(nèi)產(chǎn)生與高壓同步的脈沖磁場(chǎng)。這樣，在脈沖磁場(chǎng)的作用下，滅弧室中的電子作螺旋運(yùn)動(dòng)，并與殘余氣體分子發(fā)生碰撞電離，所產(chǎn)生的離子電流與殘余氣體密度(即真空度)近似成比例關(guān)系。這種方法其優(yōu)點(diǎn)是對(duì)于直徑不同的真空管，在同真空度條件下，離子電流的大小也不相同。通過(guò)實(shí)驗(yàn)可以標(biāo)定出各種管型的真空度與離子電流的對(duì)應(yīng)關(guān)系曲線。當(dāng)測(cè)知離子電流后，就可以通過(guò)查詢?cè)摴苄偷碾x子電流一一真空度曲線獲得該管型的真空度。然而這種方法的缺點(diǎn)也顯而易見(jiàn):
[0022]( I)由于真空滅弧室其幾何尺寸、材料的不同，當(dāng)內(nèi)部真空度和外加激勵(lì)電源一定時(shí)，其放電電荷量是不同的，并且有相當(dāng)?shù)牟町悺闇?zhǔn)確測(cè)量，對(duì)每一種真空滅弧室必須有對(duì)應(yīng)的從電離電荷量到真空推算曲線。如采用電離電荷法采樣，有較大區(qū)別的是分別具有一條、三條、五條測(cè)量曲線，最多的是具有35條測(cè)量曲線，所以檢測(cè)的數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性容易產(chǎn)生爭(zhēng)議；
[0023](2)收集該曲線的測(cè)試裝置整體價(jià)格比較昂貴，且較難收集。[0024]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)下的這些測(cè)量方法或不適合真空斷路器的滅弧室的真空度的檢測(cè)，或檢測(cè)效率不高，或需加裝額外檢測(cè)設(shè)備成本較高，導(dǎo)致這些方法或多或少均存在不少缺陷，故現(xiàn)迫切需要一種新型的真空斷路器的滅弧室的真空度檢測(cè)方法，無(wú)需施加額外磁場(chǎng)，且檢測(cè)靈敏度高、效率高，并能重復(fù)測(cè)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0025]為了解決現(xiàn)有技術(shù)下的對(duì)真空斷路器的滅弧室的真空度檢測(cè)存在的技術(shù)落后、檢測(cè)速度慢效率低和短期內(nèi)不能重復(fù)測(cè)量的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法，利用500mA的發(fā)射電流轟擊觸頭表面，清除觸頭表面新增的吸附層，獲得吸附量為At的表面，與現(xiàn)有技術(shù)的利用殘余氣體分子與清潔觸頭表面的碰撞來(lái)沉積吸附量不同，本發(fā)明利用離子流與觸頭表面的碰撞來(lái)增加吸附量。故在同等真空度下，使用本發(fā)明測(cè)出的發(fā)射電流衰減時(shí)間比現(xiàn)有技術(shù)下的各種測(cè)量方法要大2個(gè)數(shù)量級(jí)。且本發(fā)明的一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法的測(cè)量精度、范圍、數(shù)據(jù)重復(fù)性都較好，本發(fā)明的具體步驟如下所述:
[0026]一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法，其步驟如下所述:
[0027]I)在滅弧室內(nèi)的真空間隙上施加一定的工頻電壓后，間隙之間產(chǎn)生場(chǎng)致發(fā)射電流Je ；
[0028]2)場(chǎng)致發(fā)射電流Je對(duì)分子吸附量產(chǎn)生離子捕集作用，即場(chǎng)致發(fā)射電流中的電子與殘余氣體分子發(fā)生碰撞，產(chǎn)生離子，離子在電場(chǎng)作用下移動(dòng)形成離子流，離子流撞擊觸頭表面，被表面捕獲，導(dǎo)致吸附量由Oci增加到O1 ;
[0029]3)場(chǎng)致發(fā)射電流Je產(chǎn)生電子轟擊脫附作用，即場(chǎng)致發(fā)射電流中的電子轟擊觸頭表面，吸附分子被電子激發(fā)或分解而脫附，導(dǎo)致吸附量由O1減少到0(|;
[0030]4)首先使用場(chǎng)致發(fā)射電流Je，利用其產(chǎn)生的電子轟擊脫附作用，使吸附量由σ I減少到σΟ，然后再使用場(chǎng)致發(fā)射電流Je，利用其產(chǎn)生的離子捕集作用，使吸附量由σΟ增加到σ I ;
[0031]5)步驟5中的吸附量的增加將導(dǎo)致觸頭材料功函數(shù)的增加，功函數(shù)的增加又引起場(chǎng)致發(fā)射電流Je的衰減，真空壓強(qiáng)不同，發(fā)射電流的衰減速度就不同，公式=Ajy At，其中，AJe為場(chǎng)致發(fā)射電流Je的衰減量，At為衰減時(shí)間，故在Aje—定時(shí)，通過(guò)檢測(cè)發(fā)射電流的衰減時(shí)間At就可以測(cè)量滅弧室內(nèi)的真空度。
[0032]根據(jù)本發(fā)明所述的一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法，其特征在于，所述的步驟2、步驟3和步驟4中的場(chǎng)致發(fā)射電流Je對(duì)分子吸附量產(chǎn)生離子捕集作用與場(chǎng)致發(fā)射電流Je產(chǎn)生電子轟擊脫附作用，其區(qū)別在于場(chǎng)致發(fā)射電流Je的大小，當(dāng)場(chǎng)致發(fā)射電流Je大于等于500 μ A時(shí)，其產(chǎn)生電子轟擊脫附作用，而當(dāng)場(chǎng)致發(fā)射電流Je小于等于35 μ A時(shí)，則產(chǎn)生離子捕集作用。
[0033]本發(fā)明的一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法，它是利用發(fā)射電流法轟擊觸頭表面，清除觸頭表面新增的吸附層，獲得吸附量為At的表面。該方法的測(cè)量機(jī)理與弧后發(fā)射電流法的測(cè)量機(jī)理不一樣?；『蟀l(fā)射電流法是利用殘余氣體分子與清潔觸頭表面的碰撞來(lái)沉積吸附量，發(fā)射電流法則是利用離子流與觸頭表面的碰撞來(lái)增加吸附量。故在同等真空度下，使用本發(fā)明的一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法的發(fā)射電流衰減時(shí)間比使用弧后發(fā)射電流法要大2個(gè)數(shù)量級(jí)，使得其測(cè)量精度、范圍、數(shù)據(jù)重復(fù)性都比較好。
[0034]使用本發(fā)明的一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法獲得了如下有益效果:
[0035]1.本發(fā)明的一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法與現(xiàn)有技術(shù)下的磁控放電法相比無(wú)需施加額外磁場(chǎng)，使得檢測(cè)效率大大提高；
[0036]2.本發(fā)明的一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法檢測(cè)出的發(fā)射電流衰減時(shí)間比現(xiàn)有技術(shù)下的各種測(cè)量方法要大2個(gè)數(shù)量級(jí)，使得其檢測(cè)靈敏度高、效率高；
[0037]3.本發(fā)明的一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法能重復(fù)測(cè)量，進(jìn)一步的提高了真空度檢測(cè)的真實(shí)有效性。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0038]圖1為本發(fā)明的一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法的發(fā)射電流Je、極間電場(chǎng)El與時(shí)間t之間的關(guān)系示意圖；
[0039]圖2為本發(fā)明的一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法的發(fā)射電流測(cè)量電路不意圖。
[0040]圖3為本發(fā)明的一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法的發(fā)射電流的衰減時(shí)間At與真空滅弧室真空度P的關(guān)系示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0041]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法做進(jìn)一步的描述。
[0042]一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法，其步驟如下所述:
[0043]I)在滅弧室內(nèi)的真空間隙上施加一定的工頻電壓后，間隙之間產(chǎn)生場(chǎng)致發(fā)射電流Je ；
[0044]2)場(chǎng)致發(fā)射電流Je對(duì)分子吸附量產(chǎn)生離子捕集作用，即場(chǎng)致發(fā)射電流中的電子與殘余氣體分子發(fā)生碰撞，產(chǎn)生離子，離子在電場(chǎng)作用下移動(dòng)形成離子流，離子流撞擊觸頭表面，被表面捕獲，導(dǎo)致吸附量由Oci增加到O1 ;
[0045]3)場(chǎng)致發(fā)射電流Je產(chǎn)生電子轟擊脫附作用，即場(chǎng)致發(fā)射電流中的電子轟擊觸頭表面，吸附分子被電子激發(fā)或分解而脫附，導(dǎo)致吸附量由O1減少到0(|;
[0046]4)首先使用場(chǎng)致發(fā)射電流Je，利用其產(chǎn)生的電子轟擊脫附作用，使吸附量由σ I減少到σΟ，然后再使用場(chǎng)致發(fā)射電流Je，利用其產(chǎn)生的離子捕集作用，使吸附量由σΟ增加到σ I ;
[0047]5)步驟5中的吸附量的增加將導(dǎo)致觸頭材料功函數(shù)的增加，功函數(shù)的增加又引起場(chǎng)致發(fā)射電流Je的衰減，真空壓強(qiáng)不同，發(fā)射電流的衰減速度就不同，公式=Ajy At，其中，AJe為場(chǎng)致發(fā)射電流Je的衰減量，At為衰減時(shí)間，故在Aje—定時(shí)，通過(guò)檢測(cè)發(fā)射電流的衰減時(shí)間At就可以測(cè)量滅弧室內(nèi)的真空度。
[0048]根據(jù)本發(fā)明所述的一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法，其特征在于，所述的步驟2、步驟3和步驟4中的場(chǎng)致發(fā)射電流Je對(duì)分子吸附量產(chǎn)生離子捕集作用與場(chǎng)致發(fā)射電流Je產(chǎn)生電子轟擊脫附作用，其區(qū)別在于場(chǎng)致發(fā)射電流Je的大小，當(dāng)場(chǎng)致發(fā)射電流Je大于等于500 μ A時(shí)，其產(chǎn)生電子轟擊脫附作用，而當(dāng)場(chǎng)致發(fā)射電流Je小于等于35 μ A時(shí)，則產(chǎn)生離子捕集作用。
[0049]真空開(kāi)關(guān)的操作機(jī)構(gòu)是多種多樣的，但是絕大多數(shù)的真空開(kāi)關(guān)在閉合狀態(tài)下，兩觸頭的壓力和超程是由一個(gè)壓力彈簧提供的。在閉合狀態(tài)下，若真空開(kāi)關(guān)的超程為δ，在不拆卸滅弧室、不改變機(jī)械參數(shù)的條件下拉伸該壓力彈簧δ +0.8mm就可以獲得0.8mm的真空間隙。對(duì)于本實(shí)施例中使用的ZN22B-12/T1250-31.5型戶內(nèi)高壓真空斷路器，只要使用一把扳手旋動(dòng)拉伸器(該拉伸器由一個(gè)螺釘、兩個(gè)螺母、一個(gè)中間可穿過(guò)螺釘?shù)纳w板和兩個(gè)墊塊組合而成)上的螺母就可以將壓力彈簧拉伸(4.1+0.8)mm,從而獲取0.8mm的真空間隙?？紤]到小真空間隙的量測(cè)比較困難，在實(shí)驗(yàn)中可利用吸附量為Otl時(shí)發(fā)射電流的起始電壓Ui與起始電場(chǎng)Eja 10kV/mm)的比值進(jìn)行估算。
[0050]實(shí)施例1
[0051]如圖1所示,在P=10°Pa, d=0.8mm時(shí),首先使用較大場(chǎng)致發(fā)射電流Je (以下簡(jiǎn)稱Je)轟擊脫附使吸附量減少到σ C1，然后在真空間隙上施加電場(chǎng)E ^ 90kV/cm并保持不變，真空間隙之間就會(huì)有13μ A的Je，隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，該13 μ A會(huì)逐漸衰減，相應(yīng)地吸附量由
O。逐漸增長(zhǎng)。類(lèi)似地，分別升高并保持E1 ~ 110及140kV/cm, Je從35 μ A開(kāi)始逐漸衰減。在E1 ~ 170kV/cm后，Je也是從35 μ A開(kāi)始逐漸衰減,相應(yīng)地吸附量逐漸逼近σ m。由圖1可見(jiàn)，在逼近過(guò)程中有一小雪崩發(fā)生，此后，再升高E1 ^ 180kV/cm時(shí)，就有大雪崩發(fā)生，使Je瞬時(shí)增加到90 μ Α,隨后逐漸衰減，這一過(guò)程會(huì)循環(huán)發(fā)生。最后，使用較大Je轟擊脫附，除去覆蓋于觸頭表面的新增分子層，使吸附量減少到Qci，然后再施加電場(chǎng)E1 ^ 110kV/cm,觸頭間仍然會(huì)有35 μ A的場(chǎng)致發(fā)射電流，并隨著時(shí)間的延長(zhǎng)，該35 μ A又會(huì)衰減。故利用發(fā)射電流的指數(shù)衰減現(xiàn)象可重復(fù)性地測(cè)量真空度。
[0052]實(shí)施例2
[0053]如圖2所示,應(yīng)用所示的電路測(cè)量發(fā)射電流，d=0.8mm。實(shí)驗(yàn)過(guò)程為:首先,在動(dòng)態(tài)真空壓強(qiáng)Ptl下，通過(guò)瞬時(shí)增高電場(chǎng)強(qiáng)度除去分子吸附層，再降低施加電壓使發(fā)射電流為35 μ A有效值，然后測(cè)量發(fā)射電流從35 μ A衰減到13 μ A的衰減時(shí)間Λ t0,從而獲得P~At。曲線上的一標(biāo)定點(diǎn)(Ptl, At0);通過(guò)調(diào)節(jié)進(jìn)氣量得另一穩(wěn)定氣壓值P1，再除去吸附層，然后測(cè)量發(fā)射電流從35 μ A有效值到13 μ A的衰減時(shí)間Λ h得另一標(biāo)定點(diǎn)(P1, Δ 。依此類(lèi)推，就可獲得真空滅弧室P~Atci曲線上的實(shí)驗(yàn)點(diǎn)，結(jié)合圖3中的“▲”所示。將d=0.8mm和 2 個(gè)實(shí)驗(yàn)點(diǎn)(10_3Pa，103s)、(KT1Pa, IO2s)代入
[0054]Δ tPa=k2/d
[0055]式中:？為真空壓強(qiáng)，？8;八七41一、為發(fā)射電流衰減時(shí)間，8;&，1^2為常數(shù)，0〈&〈1，
【權(quán)利要求】
1.一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法，其步驟如下所述: 1)在滅弧室內(nèi)的真空間隙上施加一定的工頻電壓后，間隙之間產(chǎn)生場(chǎng)致發(fā)射電流Je; 2)場(chǎng)致發(fā)射電流Je對(duì)分子吸附量產(chǎn)生離子捕集作用，即場(chǎng)致發(fā)射電流中的電子與殘余氣體分子發(fā)生碰撞，產(chǎn)生離子，離子在電場(chǎng)作用下移動(dòng)形成離子流，離子流撞擊觸頭表面，被表面捕獲，導(dǎo)致吸附量由Oci增加到σ1; 3)場(chǎng)致發(fā)射電流Je產(chǎn)生電子轟擊脫附作用，即場(chǎng)致發(fā)射電流中的電子轟擊觸頭表面，吸附分子被電子激發(fā)或分解而脫附，導(dǎo)致吸附量由O1減少到0(|; 4)首先使用場(chǎng)致發(fā)射電流Je，利用其產(chǎn)生的電子轟擊脫附作用，使吸附量由σI減少到σΟ，然后再使用場(chǎng)致發(fā)射電流Je，利用其產(chǎn)生的離子捕集作用，使吸附量由σΟ增加到σ I ； 5)步驟4中的吸附量的增加將導(dǎo)致觸頭材料功函數(shù)的增加，功函數(shù)的增加又引起場(chǎng)致發(fā)射電流Je的衰減，真空壓強(qiáng)不同，發(fā)射電流的衰減速度就不同，公式=Λ上/ Λ t，其中，Λ上為場(chǎng)致發(fā)射電流Je的衰減量，At為衰減時(shí)間，故在Aje—定時(shí)，通過(guò)檢測(cè)發(fā)射電流的衰減時(shí)間At就可以測(cè)量滅弧室內(nèi)的真空度。
2.如權(quán)利要求1所述一種真空斷路器的滅弧室內(nèi)真空度的檢測(cè)方法，其特征在于，所述的步驟2、步驟3和步驟4中的場(chǎng)致發(fā)射電流Je對(duì)分子吸附量產(chǎn)生離子捕集作用與場(chǎng)致發(fā)射電流Je產(chǎn)生電子轟擊脫附作用，其區(qū)別在于場(chǎng)致發(fā)射電流Je的大小，當(dāng)場(chǎng)致發(fā)射電流Je大于等于500 μ A時(shí)，其產(chǎn)生電子轟擊脫附作用，而當(dāng)場(chǎng)致發(fā)射電流Je小于等于35 μ A時(shí)，則產(chǎn)生離子捕集作用。
【文檔編號(hào)】H01H33/668GK103474288SQ201310247565
【公開(kāi)日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2013年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月20日
【發(fā)明者】胡欣俊, 楊穎玲 申請(qǐng)人:國(guó)家電網(wǎng)公司, 上海市電力公司