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層疊式封裝件及其制法

文檔序號:7259948閱讀:261來源:國知局
層疊式封裝件及其制法
【專利摘要】一種層疊式封裝件及其制法,該層疊式封裝件包括:第一封裝件,其包括:第一封裝膠體層;第一電性連接結(jié)構(gòu),其形成于該第一封裝膠體層一側(cè);多個第一導(dǎo)電柱,其形成于該第一封裝膠體層中;及第一半導(dǎo)體芯片,其設(shè)于該第一封裝膠體層中,且電性連接該第一電性連接結(jié)構(gòu);以及第二封裝件,其堆棧于該第一封裝件上,且包括:第二封裝膠體層;第二電性連接結(jié)構(gòu),其形成于該第二封裝膠體層上;第二半導(dǎo)體芯片,其設(shè)于該第二封裝膠體層中,且電性連接該第二電性連接結(jié)構(gòu);以及多個第二導(dǎo)電柱,其形成于該第二封裝膠體層中,該第一導(dǎo)電柱電性連接該第二導(dǎo)電柱。本發(fā)明可容許較多的輸入輸出。
【專利說明】層疊式封裝件及其制法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種封裝件及其制法,尤指一種層疊式封裝件及其制法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著時代的進(jìn)步,現(xiàn)今電子產(chǎn)品均朝向微型化、多功能、高電性及高速運(yùn)作的方向發(fā)展,為了配合此一發(fā)展趨勢,半導(dǎo)體業(yè)者莫不積極研發(fā)體積微小、高性能、高功能、與高速度化的半導(dǎo)體封裝件,以符合電子產(chǎn)品的要求。
[0003]圖1所示者,為現(xiàn)有層疊式封裝件的剖視圖。如圖所示,該層疊式封裝件的上封裝件I的半導(dǎo)體芯片11的所有電極墊(未圖標(biāo))需與上封裝基板12四周的電性連接墊121相連接,再以上封裝基板12底面上的第一焊球13電性接合下封裝件2的下封裝基板21上四周的第二焊球22,然后再藉由下封裝基板21底面上的第三焊球23使得該層疊式封裝件可與外界電性接合。
[0004]惟,由于該上封裝件I的半導(dǎo)體芯片11的所有電極墊需與上封裝基板12四周的電性連接墊121相連接,且無法以一般印刷技術(shù)制作出尺寸在80微米(μ m)以下的第一焊球13,因此,當(dāng)上封裝件I的半導(dǎo)體芯片11為具有較多的電極墊的細(xì)線寬線距形式(例如28奈米或22奈米制程)的半導(dǎo)體芯片11時,則勢必要增加上封裝基板12四周的面積,且該上封裝件I的焊線14具有弧高與弧長的限制,致使該等電性連接墊121的布設(shè)靈活性受限于該焊線14的打線范圍,且該層疊式封裝件的厚度也難以降低,即使上封裝件I的半導(dǎo)體芯片11使用覆晶(flip chip)方式電性接合,也必須透過該第一焊球13以電性連接下封裝件2,而同樣需要增加上封裝基板12四周的面積,簡而言之,上封裝件I與下封裝件2藉由第一焊球13與第二焊球22相互電性連接,導(dǎo)致該上封裝基板12與下封裝基板21的尺寸受限于焊球直徑大小,進(jìn)而無法滿足人們對于現(xiàn)今電子封裝產(chǎn)品的需求(即輕、薄、短、小)。
[0005]因此,如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題,實已成為目前業(yè)界所急需解決的課題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失,本發(fā)明的主要目的為提供一種層疊式封裝件及其制法,可容許較多的輸入輸出(I/o)。
[0007]本發(fā)明的層疊式封裝件的制法包括:提供一第一封裝件,其包括:第一封裝膠體層,其具有相對的第一表面與第二表面;第一電性連接結(jié)構(gòu),其形成于該第一表面;多個第一導(dǎo)電柱,其形成于該第一封裝膠體層中,且其兩端分別連接該第一電性連接結(jié)構(gòu)與外露于第二表面;及第一半導(dǎo)體芯片,其設(shè)于該第一封裝膠體層中,且電性連接該第一電性連接結(jié)構(gòu);以及于該第一封裝件上堆棧第二封裝件,該第二封裝件包括:第二封裝膠體層,其具有相對的第三表面與第四表面;第二電性連接結(jié)構(gòu),其形成于該第二封裝膠體層的第三表面或第四表面上;第二半導(dǎo)體芯片,其設(shè)于該第二封裝膠體層中,且電性連接該第二電性連接結(jié)構(gòu);及多個第二導(dǎo)電柱,其形成于該第二封裝膠體層中,且電性連接該第二電性連接結(jié)構(gòu);其中,該第一導(dǎo)電柱電性連接該第二導(dǎo)電柱。
[0008]本發(fā)明還提供一種層疊式封裝件,包括:第一封裝件,包括:第一封裝膠體層,其具有相對的第一表面與第二表面;第一電性連接結(jié)構(gòu),其形成于該第一表面;多個第一導(dǎo)電柱,其形成于該第一封裝膠體層中,且其兩端分別連接該第一電性連接結(jié)構(gòu)與外露于第二表面;及第一半導(dǎo)體芯片,其設(shè)于該第一封裝膠體層中,且電性連接該第一電性連接結(jié)構(gòu);以及第二封裝件,其堆棧于該第一封裝件上,且包括:第二封裝膠體層,其具有相對的第三表面與第四表面;第二電性連接結(jié)構(gòu),其形成于該第二封裝膠體層的第三表面或第四表面;第二半導(dǎo)體芯片,其設(shè)于該第二封裝膠體層中,且電性連接該第二電性連接結(jié)構(gòu);及多個第二導(dǎo)電柱,其形成于該第二封裝膠體層中,且電性連接該第二電性連接結(jié)構(gòu),其中,該第一導(dǎo)電柱電性連接該第二導(dǎo)電柱。
[0009]由上可知,由于本發(fā)明采用導(dǎo)電柱來做為封裝件間的電性連接,且該導(dǎo)電柱的直經(jīng)(約為50微米)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有焊球的直經(jīng)(約為250至300微米),所以本發(fā)明能將電性連接點的間距(pitch)從現(xiàn)有的300至400微米縮減成約100微米,即本發(fā)明的封裝件能容許較多的輸入輸出(I/O),并有利于整體層疊式封裝件的微小化。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1所示者為現(xiàn)有層疊式封裝件的剖視圖。
[0011]圖2A至圖2F所示者為本發(fā)明的層疊式封裝件的第一封裝件的制法的第一實施例的剖視圖。
[0012]圖3A至圖3E所示者為本發(fā)明的層疊式封裝件的第一封裝件的制法的第二實施例的剖視圖。
[0013]圖4A至圖4H所示者為本發(fā)明的層疊式封裝件的第一封裝件的第一導(dǎo)電柱的制法的剖視圖。
[0014]圖5A至圖5C所示者為本發(fā)明的層疊式封裝件的第二封裝件的不同實施例的剖視圖。
[0015]圖6A至圖6C所示者為本發(fā)明的層疊式封裝件的不同實施例的剖視圖。
[0016]圖7所示者為本發(fā)明的具有三個封裝件的層疊式封裝件的剖視圖。
[0017]符號說明
[0018]I上封裝件
[0019]11 半導(dǎo)體芯片
[0020]12 上封裝基板
[0021]121 電性連接墊
[0022]13 第一焊球
[0023]14焊線
[0024]2下封裝件
[0025]21 下封裝基板
[0026]22 第二焊球
[0027]23第三焊球
[0028]30 承載板
[0029]31金屬層
[0030]32第一線路增層
[0031]33第一線路層
[0032]34第一導(dǎo)電柱
[0033]34a第一金屬塊
[0034]34b第二金屬塊
[0035]35第一半導(dǎo)體芯片
[0036]36第一封裝膠體層
[0037]36a第一表面
[0038]36b第二表面
[0039]37第三電性連接結(jié)構(gòu)
[0040]38第一電性連接結(jié)構(gòu)
[0041]41第一干膜
[0042]410第一開口
[0043]42第二干膜
[0044]420第二開口
[0045]50第二封裝膠體層
[0046]50a第三表面
[0047]50b第四表面
[0048]51第二電性連接結(jié)構(gòu)
[0049]52第二半導(dǎo)體芯片
[0050]53第二導(dǎo)電柱
[0051]54第二線路增層
[0052]62導(dǎo)電組件。

【具體實施方式】
[0053]以下藉由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式,本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點及功效。
[0054]須知,本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容,以供本領(lǐng)域技術(shù)人員的了解與閱讀,并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件,故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義,任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整,在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下,均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時,本說明書中所引用的如「上」、「中」、「端」、「側(cè)」及「一」等的用語,也僅為便于敘述的明了,而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍,其相對關(guān)系的改變或調(diào)整,在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下,當(dāng)亦視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0055]圖2A至圖2F所示者,為本發(fā)明的層疊式封裝件的第一封裝件(下封裝件)的制法的第一實施例的剖視圖。
[0056]如圖2A所示,于承載板30上形成金屬層31,形成該承載板30的材質(zhì)為玻璃,形成該金屬層31的材質(zhì)為銅。
[0057]如圖2B所示,于該金屬層31上形成第一線路增層32,并于該第一線路增層32上形成第一線路層33。
[0058]如圖2C所不,于該第一線路層33上形成多個第一導(dǎo)電柱34。
[0059]如圖2D所示,于該第一線路層33上覆晶接置第一半導(dǎo)體芯片35,該第一半導(dǎo)體芯片35的數(shù)量可為多個,且該第一半導(dǎo)體芯片35也可為堆棧式半導(dǎo)體芯片組。
[0060]如圖2E所示,于該第一線路增層32上形成包覆該第一半導(dǎo)體芯片35與第一導(dǎo)電柱34的第一封裝膠體層36,且該第一導(dǎo)電柱34的一端外露于該第一封裝膠體層36的表面。
[0061]如圖2F所示,于該第一封裝膠體層36上電鍍形成電性連接該第一導(dǎo)電柱34的第三電性連接結(jié)構(gòu)37,該第三電性連接結(jié)構(gòu)37包括第三線路層,并移除該承載板30與金屬層31。
[0062]請參照圖2F,本發(fā)明所揭露的第一封裝件包括:第一封裝膠體層36,其具有相對的第一表面36a與第二表面36b ;第一電性連接結(jié)構(gòu)38,其形成于該第一表面36a,且該第一電性連接結(jié)構(gòu)38包括第一線路層33及形成于其上的第一線路增層32 ;多個第一導(dǎo)電柱34,其形成于該第一封裝膠體層36中,且其兩端分別連接該第一電性連接結(jié)構(gòu)38與外露于第二表面36b;第一半導(dǎo)體芯片35,其設(shè)于該第一封裝膠體層36中,且電性連接該第一電性連接結(jié)構(gòu)38 ;以及第三電性連接結(jié)構(gòu)37,其形成于該第二表面36b。
[0063]圖3A至圖3E所示者,為本發(fā)明的層疊式封裝件的第一封裝件(下封裝件)的制法的第二實施例的剖視圖。
[0064]如圖3A所示,提供一第一線路增層32,且于該第一線路增層32上形成有該第一線路層33,將該第一線路增層32形成有該第一線路層33之側(cè)的相對側(cè)接置于一承載板30上的金屬層31上。
[0065]至于圖3B至圖3E的步驟大致相同于圖2C至圖2F,故不在此贅述。
[0066]圖4A至圖4H所示者,為本發(fā)明的層疊式封裝件的第一封裝件的第一導(dǎo)電柱的制法的剖視圖。
[0067]若該第一導(dǎo)電柱34高度小于100微米,則僅需使用一般的電鍍等方式來形成,但是若該第一導(dǎo)電柱34的高度大于200微米,則建議用以下的雙重電鍍(double plating)方式來形成。
[0068]如圖4A所示,提供如圖2B的結(jié)構(gòu)。
[0069]如圖4B所示,于該第一線路增層32與第一線路層33上形成第一干膜41。
[0070]如圖4C所示,以例如曝光、顯影等方式于該第一干膜中形成多個外露部分該第一線路層33的第一開口 410。
[0071]如圖4D所不,于各該第一開口 410中形成第一金屬塊34a。
[0072]如圖4E所示,于該第一干膜41上形成第二干膜42。
[0073]如圖4F所不,于該第二干膜42中形成多個對應(yīng)外露該第一金屬塊34a的第二開Π 420。
[0074]如圖4G所示,于各該第二開口 420中形成連接該第一金屬塊34a的第二金屬塊34b,且該第一金屬塊34a與第二金屬塊34b構(gòu)成該第一導(dǎo)電柱34。
[0075]如圖4H所示,移除該第二干膜42與第一干膜41。
[0076]圖5A至圖5C所示者,為本發(fā)明的層疊式封裝件的第二封裝件(上封裝件)的不同實施例的剖視圖,其制法與第一封裝件類似,故不在此贅述。
[0077]如圖所示,第二封裝件包括:第二封裝膠體層50,其具有相對的第三表面50a與第四表面50b ;第二電性連接結(jié)構(gòu)51,其形成于該第二封裝膠體層50的第三表面50a或第四表面50b,該第二電性連接結(jié)構(gòu)51包括第二線路層;第二半導(dǎo)體芯片52,其設(shè)于該第二封裝膠體層50中,且以例如覆晶或打線方式電性連接該第二電性連接結(jié)構(gòu)51,該第二半導(dǎo)體芯片52的數(shù)量可為多個,且該第二半導(dǎo)體芯片52亦可為堆棧式半導(dǎo)體芯片組;以及多個第二導(dǎo)電柱53,其形成于該第二封裝膠體層50中,且電性連接該第二電性連接結(jié)構(gòu)51。
[0078]于前述的第二封裝件中,該第二電性連接結(jié)構(gòu)51形成于該第二封裝膠體層50的第三表面50a上,還可包括形成于該第二封裝膠體層50的第四表面50b上的第二線路增層54。
[0079]圖6A至圖6C所示者,為本發(fā)明的層疊式封裝件的不同實施例的剖視圖。
[0080]如圖所示,該第二封裝件堆棧于該第一封裝件上,且該第一封裝件的第一導(dǎo)電柱34電性連接該第二封裝件的第二導(dǎo)電柱53。
[0081]于前述的層疊式封裝件中,還可包括形成于該第一封裝件與第二封裝件之間的例如為錫膏的焊料膏(未圖標(biāo)),且該第一導(dǎo)電柱34藉由該焊料膏電性連接該第二導(dǎo)電柱53。
[0082]所述的層疊式封裝件中,該第一線路增層32上還可設(shè)置多個例如焊球的導(dǎo)電組件62。
[0083]圖7所示者,為本發(fā)明的具有三個封裝件的層疊式封裝件的剖視圖,也就是于該第二封裝件上可再堆棧另一封裝件(第三封裝件),且堆棧封裝件的數(shù)量并不以此為限。
[0084]綜上所述,由于本發(fā)明采用導(dǎo)電柱來做為封裝件間的電性連接,且該導(dǎo)電柱的直經(jīng)(約為50微米)遠(yuǎn)小于現(xiàn)有焊球的直經(jīng)(約為250至300微米),所以本發(fā)明能將電性連接點的間距(pitch)從現(xiàn)有的300至400微米縮減成約100微米,即本發(fā)明的封裝件能容許較多的輸入輸出(I/O),并有利于整體層疊式封裝件的微小化。
[0085]上述實施例用以例示性說明本發(fā)明的原理及其功效,而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下,對上述實施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍,應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
【權(quán)利要求】
1.一種層疊式封裝件的制法,其包括: 提供一第一封裝件,其包括: 第一封裝膠體層,其具有相對的第一表面與第二表面; 第一電性連接結(jié)構(gòu),其形成于該第一表面; 多個第一導(dǎo)電柱,其形成于該第一封裝膠體層中,且其兩端分別連接該第一電性連接結(jié)構(gòu)與外露于第二表面;及 第一半導(dǎo)體芯片,其設(shè)于該第一封裝膠體層中,且電性連接該第一電性連接結(jié)構(gòu); 以及 于該第一封裝件上堆棧第二封裝件,該第二封裝件包括: 第二封裝膠體層,其具有相對之第三表面與第四表面; 第二電性連接結(jié)構(gòu),其形成于該第二封裝膠體層之第三表面或第四表面上; 第二半導(dǎo)體芯片,其設(shè)于該第二封裝膠體層中,且電性連接該第二電性連接結(jié)構(gòu);及 多個第二導(dǎo)電柱,其形成于該第二封裝膠體層中,且電性連接該第二電性連接結(jié)構(gòu); 其中,該第一導(dǎo)電柱電性連接該第二導(dǎo)電柱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊式封裝件的制法,其特征在于,該第一電性連接結(jié)構(gòu)包括第一線路層及形成于其上的第一線路增層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊式封裝件的制法,其特征在于,該第二電性連接結(jié)構(gòu)包括第二線路層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊式封裝件的制法,其特征在于,該制法還包括于該第二封裝件上堆棧第三封裝件。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的層疊式封裝件的制法,其特征在于,該第一封裝件還包括第三電性連接結(jié)構(gòu),其形成于該第二表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊式封裝件的制法,其特征在于,該第三電性連接結(jié)構(gòu)包括第三線路層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊式封裝件的制法,其特征在于,形成該第一封裝件的步驟包括: 提供一具有金屬層的承載板; 于該金屬層上形成該第一線路增層; 于該第一線路增層上形成該第一線路層; 于該第一線路層上形成該等第一導(dǎo)電柱; 于該第一線路層上接置該第一半導(dǎo)體芯片; 于該第一線路增層上形成包覆該第一半導(dǎo)體芯片與第一導(dǎo)電柱的該第一封裝膠體層,且該第一導(dǎo)電柱的一端外露于該第一封裝膠體層的表面; 于該第一封裝膠體層上形成電性連接該第一導(dǎo)電柱的該第三電性連接結(jié)構(gòu);以及 移除該承載板與金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的層疊式封裝件的制法,其特征在于,形成該第一封裝件的步驟包括: 提供一該第一線路增層,且于該第一線路增層上形成有該第一線路層; 將該第一線路增層形成有該第一線路層之側(cè)的相對側(cè)接置于一承載板上的金屬層上; 于該第一線路層上形成該等第一導(dǎo)電柱; 于該第一線路層上接置該第一半導(dǎo)體芯片; 于該第一線路增層上形成包覆該第一半導(dǎo)體芯片與第一導(dǎo)電柱的該第一封裝膠體層,且該第一導(dǎo)電柱的一端外露于該第一封裝膠體層的表面; 于該第一封裝膠體層上形成電性連接該第一導(dǎo)電柱的該第三電性連接結(jié)構(gòu);以及 移除該承載板與金屬層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的層疊式封裝件的制法,其特征在于,形成該第一導(dǎo)電柱的步驟包括: 于該第一線路增層與第一線路層上形成第一干膜; 于該第一干膜中形成多個外露部分該第一線路層的第一開口; 于各該第一開口中形成第一金屬塊; 于該第一干膜上形成第二干膜; 于該第二干膜中形成多個對應(yīng)外露該第一金屬塊的第二開口; 于各該第二開口中形成連接該第一金屬塊的第二金屬塊,且該第一金屬塊與第二金屬塊構(gòu)成該第一導(dǎo)電柱;以及 移除該第二干膜與第一干膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊式封裝件的制法,其特征在于,該第一導(dǎo)電柱藉由形成于該第一封裝件與第二封裝件之間的焊料膏電性連接該第二導(dǎo)電柱。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊式封裝件的制法,其特征在于,該第二電性連接結(jié)構(gòu)形成于該第二封裝膠體層的第三表面上,該第二封裝件還包括形成于該第二封裝膠體層的第四表面上的第二線路增層,且該第二封裝件藉由該第二線路增層電性連接該第一封裝件。
12.一種層疊式封裝件,包括: 第一封裝件,包括: 第一封裝膠體層,其具有相對的第一表面與第二表面; 第一電性連接結(jié)構(gòu),其形成于該第一表面; 多個第一導(dǎo)電柱,其形成于該第一封裝膠體層中,且其兩端分別連接該第一電性連接結(jié)構(gòu)與外露于第二表面;及 第一半導(dǎo)體芯片,其設(shè)于該第一封裝膠體層中,且電性連接該第一電性連接結(jié)構(gòu); 以及 第二封裝件,其堆棧于該第一封裝件上,且包括: 第二封裝膠體層,其具有相對的第三表面與第四表面; 第二電性連接結(jié)構(gòu),其形成于該第二封裝膠體層的第三表面或第四表面; 第二半導(dǎo)體芯片,其設(shè)于該第二封裝膠體層中,且電性連接該第二電性連接結(jié)構(gòu);及多個第二導(dǎo)電柱,其形成于該第二封裝膠體層中,且電性連接該第二電性連接結(jié)構(gòu),其中,該第一導(dǎo)電柱電性連接該第二導(dǎo)電柱。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的層疊式封裝件,其特征在于,該第一電性連接結(jié)構(gòu)包括第一線路層及形成于其上的第一線路增層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的層疊式封裝件,其特征在于,該第二電性連接結(jié)構(gòu)包括第二線路層。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的層疊式封裝件,其特征在于,該封裝件還包括第三封裝件,其堆棧于該第二封裝件上。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的層疊式封裝件,其特征在于,該第一封裝件還包括第三電性連接結(jié)構(gòu),其形成于該第二表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的層疊式封裝件,其特征在于,該封裝件還包括焊料膏,其形成于該第一封裝件與第二封裝件之間,且該第一導(dǎo)電柱藉由該焊料膏電性連接該第二導(dǎo)電柱。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的層疊式封裝件,其特征在于,該第二線路層形成于該第二封裝膠體層的第三表面上,該第二封裝件還包括形成于該第二封裝膠體層的第四表面上的第二線路增層,且該第二封裝件藉由該第二線路增層電性連接該第一封裝件。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的層疊式封裝件,其特征在于,該第一導(dǎo)電柱是由堆棧的第一金屬塊與第二金屬塊所構(gòu)成。
【文檔編號】H01L23/538GK104241196SQ201310262813
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月18日
【發(fā)明者】王隆源 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司
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