半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法，所述方法包括如下工序：準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備形成有凹部的基板、在凹部?jī)?nèi)或其周?chē)渲玫亩俗雍驮诎疾績(jī)?nèi)配置的半導(dǎo)體元件；引線(xiàn)接合工序，用引線(xiàn)連接端子和半導(dǎo)體元件；壓接工序，在減壓氣氛下，以封裝片與凹部周?chē)纳媳砻婷芎?、且與凹部的上表面分離的方式使封裝片壓接在基板上；以及大氣壓釋放工序，使基板和封裝片釋放到大氣壓氣氛下。
【專(zhuān)利說(shuō)明】半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]迄今，已知用樹(shù)脂封裝發(fā)光二極管(LED)等半導(dǎo)體元件。
[0003]例如，提出了如下方案:在安裝LED芯片的LED芯片安裝基板上設(shè)置具有由有機(jī)硅樹(shù)脂形成的樹(shù)脂層的光半導(dǎo)體封裝用片，邊加熱光半導(dǎo)體封裝用片邊將其相對(duì)于LED芯片安裝基板加壓，用樹(shù)脂層封裝LED芯片(例如，參照日本特開(kāi)2010-123802號(hào)公報(bào))。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]然而，在日本特開(kāi)2010-123802號(hào)公報(bào)所記載的方法中，在封裝LED芯片和基板的LED芯片被引線(xiàn)連接的安裝基板(所謂的引線(xiàn)接合型)時(shí)，存在若將光半導(dǎo)體封裝用片相對(duì)于LED芯片安裝基板過(guò)度加壓，則引線(xiàn)會(huì)被樹(shù)脂層擠壓而變形(傾倒)的情況。
[0005]若引線(xiàn)變形，則引線(xiàn)與LED芯片或基板的連接有可能斷裂。
[0006]另一方面，若光半導(dǎo)體封裝用片的加壓不足，則有時(shí)會(huì)在光半導(dǎo)體封裝用片與LED芯片安裝基板之間產(chǎn)生空隙。
[0007]如果產(chǎn)生空隙，則存在不能確實(shí)地封裝LED芯片安裝基板的不良情況。
[0008]所以，本發(fā)明的目的在于，提供能夠在封裝半導(dǎo)體元件時(shí)減少引線(xiàn)的變形、并抑制空隙的產(chǎn)生的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0009]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于，其包括如下工序:準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備形成有凹部的基板、在前述凹部?jī)?nèi)或其周?chē)渲玫亩俗雍驮谇笆霭疾績(jī)?nèi)配置的半導(dǎo)體元件；引線(xiàn)接合工序，用引線(xiàn)連接前述端子和前述半導(dǎo)體元件；壓接工序，在減壓氣氛下，以封裝片與前述凹部周?chē)纳媳砻婷芎稀⑶遗c前述凹部的上表面分離的方式使封裝片壓接在基板上；以及大氣壓釋放工序，使基板和封裝片釋放到大氣壓氣氛下。
[0010]此外，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法而言，適宜的是，其還包括兩階段加熱工序，在前述大氣壓釋放工序之后，以第一溫度進(jìn)行加熱，然后，以比前述第一溫度更高溫的第二溫度進(jìn)行加熱。
[0011]此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，適宜的是，前述第一溫度具有溫度上升至前述第二溫度的升溫溫度范圍。
[0012]此外，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法中，適宜的是，在前述兩階段加熱工序中，在以前述第一溫度進(jìn)行加熱時(shí)對(duì)前述封裝片進(jìn)行機(jī)械加壓。
[0013]此外，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法而言，適宜的是，前述封裝片由包含兩階段熱固化型樹(shù)脂的封裝樹(shù)脂組合物形成，在前述兩階段加熱工序中，以前述第一溫度加熱時(shí)，前述封裝片為B階狀態(tài)，以前述第二溫度加熱時(shí)，前述封裝片成為C階狀態(tài)。
[0014]此外，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法而言，適宜的是，其還包括加熱流體加壓工序，在前述大氣壓釋放工序之后，對(duì)前述封裝片進(jìn)行加熱和流體加壓。[0015]此外，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法而言，適宜的是，在前述壓接工序中，前述封裝片的壓縮彈性模量為0.16MPa以下。
[0016]此外，對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法而言，適宜的是，從前述凹部的前述上表面至前述凹部周?chē)纳媳砻娴拈L(zhǎng)度為500 μ m以下。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，在壓接工序中，封裝片以與凹部的上表面分離的方式壓接。
[0018]因此，可以減少封裝片壓接時(shí)對(duì)弓I線(xiàn)的擠壓力。
[0019]另一方面，在壓接工序中，由于封裝片在減壓氣氛下閉塞凹部周?chē)纳媳砻妫虼嗽诎疾恐袝?huì)形成被基板和封裝片劃分出的密閉的減壓空間。
[0020]因此，在大氣壓釋放工序中，在釋放至大氣壓時(shí)，利用減壓空間與大氣壓的壓力差，封裝片被無(wú)隙間地填充在凹部上。
[0021 ] 因此，可以抑制基板與封裝片之間的空隙的產(chǎn)生。
[0022]其結(jié)果，可以減少引線(xiàn)的變形并抑制空隙的產(chǎn)生。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1是示出本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的工序圖；
[0024]圖1的(a)及圖1的(b)表示準(zhǔn)備形成有凹部的基板、在凹部的周?chē)渲玫亩俗雍驮诎疾績(jī)?nèi)配置的半導(dǎo)體元件的準(zhǔn)備工序；
[0025]圖1的(C)表示用引線(xiàn)連接端子和半導(dǎo)體元件的引線(xiàn)接合工序；
[0026]圖1的(d)表示使封裝片在基板的上方相對(duì)配置的相對(duì)配置工序。
[0027]圖2是接著圖1示出本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的工序圖；
[0028]圖2的(e)表示在減壓氣氛下，以封裝片與凹部周?chē)纳媳砻婷芎稀⑶遗c凹部的上表面分離的方式使封裝片壓接在基板上的壓接工序；
[0029]圖2的(f)表示使基板與封裝片釋放到大氣壓氣氛下的大氣壓釋放工序；
[0030]圖2的(g)表示在大氣壓釋放工序之后，使封裝片固化的固化工序。
[0031]圖3是示出圖1的(b)所示的基板的俯視圖。
[0032]圖4示出圖1的(b)所示的基板的變形例。
【具體實(shí)施方式】
[0033]圖1及圖2是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)實(shí)施方式的工序圖。圖3是表不圖1的(b)所不的基板的俯視圖。
[0034]需要說(shuō)明的是，在提及方向時(shí)，以基板2水平配置時(shí)的方向?yàn)榛鶞?zhǔn)，具體而言以各圖所示的箭頭方向?yàn)榛鶞?zhǔn)。
[0035]需要說(shuō)明的是，在圖1?圖4中，左右方向?yàn)榈谝环较?，在圖2中與左右方向垂直的前后方向?yàn)榈诙较?。左?cè)為第一方向一側(cè)，右側(cè)為第一方向另一側(cè)，前側(cè)為第二方向一偵牝后側(cè)為第二方向另一側(cè)。
[0036]本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括準(zhǔn)備工序、引線(xiàn)接合工序、壓接工序(包括相對(duì)配置工序)及大氣壓釋放工序。
[0037]準(zhǔn)各工序[0038]準(zhǔn)備工序是準(zhǔn)備配置有端子3及作為半導(dǎo)體元件的一個(gè)例子的發(fā)光二極管(以下稱(chēng)為L(zhǎng)ED4)的基板2的工序。
[0039]基板2如圖3所示那樣形成為在面方向(前后左右方向)的大致中央具有凹部7的俯視大致矩形的平板形狀。
[0040]基板2是由例如鋁等金屬材料、例如氧化鋁等陶瓷材料、例如聚酰亞胺等樹(shù)脂材料等通常作為半導(dǎo)體裝置的基板使用的材料形成的。
[0041]此外，基板2可以由上述材料一體地形成，或者，也可以以具備由上述材料形成的平板和以包圍平板的上表面中央的方式設(shè)置的布線(xiàn)電路基板、且包圍布線(xiàn)電路基板的部分形成為凹部7的形式由兩種以上的材料形成。
[0042]基板2的I邊的長(zhǎng)度例如為Imm以上，并且，例如也為IOOOmm以下。
[0043]此外，關(guān)于基板2的厚度,例如為0.7mm以上、優(yōu)選為0.9mm以上，并且,例如也為IOmm以下、優(yōu)選為5mm以下。
[0044]凹部7在基板2的上表面以朝向下方凹下的方式形成為俯視正方形形狀(參照?qǐng)D1的(a))，通過(guò)凹部7的周?chē)幕?的除凹部7以外的部分(周?chē)?無(wú)隙間地環(huán)繞四周(前后左右方向)。
[0045]關(guān)于凹部7的I邊的長(zhǎng)度，例如為0.8mm以上、優(yōu)選為Imm以上，并且，例如也為300mm以下、優(yōu)選為IOOmm以下。
[0046]關(guān)于凹部7的深度Hl (在上下方向上從凹部7的周?chē)纳媳砻?以下稱(chēng)為周?chē)媳砻?1)至凹部7的上表面(以下稱(chēng)為凹部上表面10)的長(zhǎng)度)，例如為ΙΟΟΟμπι以下、優(yōu)選為500 μ m以下、更優(yōu)選為200 μ m以下、特別優(yōu)選為170 μ m以下，并且，例如也為10 μ m以上，優(yōu)選為50 μ m以上。
[0047]另外，關(guān)于凹部7的深度H1，相對(duì)于基板2的厚度例如為90%以下、優(yōu)選為80%以下，并且，例如也為10%以上、優(yōu)選為20%以上。
[0048]在基板2上配置有多個(gè)端子3和多個(gè)LED4。
[0049]端子3在基板2的周?chē)媳砻?1中被分別設(shè)置在夾持凹部7而相對(duì)的兩條邊的附近。
[0050]具體而言，在左右方向的凹部7的左側(cè)的周?chē)媳砻?1上，在前后方向上隔著間隔配置有多個(gè)(三個(gè))端子3，與此對(duì)應(yīng)，在左右方向的凹部7的右側(cè)的周?chē)媳砻?1上，在前后方向上隔著間隔配置有多個(gè)(三個(gè))端子3。
[0051]來(lái)自外部電源的電力被供給至各端子3。
[0052]在基板2的凹部7內(nèi)，LED4在左右方向上相互隔著間隔并列配置有多個(gè)(三個(gè))，在前后方向上相互隔著間隔并列配置有多列(三列)。
[0053]LED4形成為俯視大致矩形的平板形狀，在上表面具備端子(未圖示)。
[0054]關(guān)于LED4的I邊的長(zhǎng)度，例如為0.05mm以上、優(yōu)選為0.1mm以上，并且，例如也為IOmm以下、優(yōu)選為5mm以下。
[0055]關(guān)于LED4的厚度，例如為5 μ m以上、優(yōu)選為10 μ m以上，并且，例如也為2000 μ m以下、優(yōu)選為ΙΟΟΟμπι以下。
[0056]另外，LED4的厚度相對(duì)于凹部7的深度Hl例如為90%以下、優(yōu)選為80%以下。
[0057]關(guān)于LED4在前后方向及左右方向上的間隔，例如為0.1mm以上、優(yōu)選為Imm以上，并且，例如為50mm以下、優(yōu)選為5mm以下。
[0058]在俯視中，多個(gè)LED4占據(jù)的面積的總和相對(duì)于凹部7的面積例如為0.01%以上、優(yōu)選為0.1%以上，并且，例如也為99.99%以下、優(yōu)選為99.9%以下。
[0059]引線(xiàn)接合工序
[0060]引線(xiàn)接合工序?yàn)橛靡€(xiàn)5連接端子3和LED4的工序。
[0061]弓丨線(xiàn)5與多個(gè)LED4分別對(duì)應(yīng)地設(shè)置有多個(gè)。
[0062]作為引線(xiàn)5的材料，例如可列舉出金、銀、銅等作為半導(dǎo)體的引線(xiàn)接合材料使用的材料，從耐腐蝕性的觀點(diǎn)出發(fā)，可優(yōu)選列舉出金。
[0063]引線(xiàn)5由上述材料形成為線(xiàn)狀，關(guān)于引線(xiàn)5的線(xiàn)徑(粗細(xì))，例如為10 μ m以上、優(yōu)選為30 μ m以上,并且,例如也為100 μ m以下、優(yōu)選為50 μ m以下。
[0064]引線(xiàn)5的線(xiàn)徑低于上述范圍時(shí)，存在引線(xiàn)5的強(qiáng)度降低而變得容易變形的情況。此夕卜，引線(xiàn)5的線(xiàn)徑超過(guò)前述范圍時(shí)，存在半導(dǎo)體裝置的成本變高的情況、遮擋從LED4發(fā)出的光的面積增加的情況。
[0065]通過(guò)引線(xiàn)5將左端的LED4的上表面的端子與在左右方向上對(duì)應(yīng)的左側(cè)的端子3電連接。
[0066]另外，通過(guò)引線(xiàn)5將右側(cè)的LED4的上表面的端子與在左右方向上對(duì)應(yīng)的右側(cè)的端子3電連接。
[0067]此外，通過(guò)引線(xiàn)5將在左右方向上相互鄰接的LED4的上表面的端子彼此電連接。
[0068]通過(guò)如此連接，將LED4與端子3電連接、或者將LED4彼此電連接的引線(xiàn)5以在前后方向上隔著間隔三列并列的方式配置。
[0069]引線(xiàn)5如圖1的(b)所示的那樣在連接LED4和端子3的狀態(tài)下彎曲或曲折，形成為大致弧形形狀(例如三角弧形形狀、四角弧形形狀、圓弧形狀等)，彎曲的引線(xiàn)5的頂點(diǎn)被配置在周?chē)媳砻?1的更上方。
[0070]在這樣的引線(xiàn)接合工序之后，來(lái)自外部電源的電力被供給至多個(gè)端子3時(shí)，多個(gè)LED4發(fā)光。
[0071]壓梓工序
[0072]壓接工序是在減壓氣氛下以封裝片6與周?chē)媳砻?1密合、且與凹部上表面10分離的方式使封裝片6壓接在基板2上的工序。
[0073]封裝片6由含有封裝樹(shù)脂的封裝樹(shù)脂組合物形成。
[0074]作為封裝樹(shù)脂，可列舉出:例如通過(guò)加熱而增塑化的熱塑性樹(shù)脂，例如通過(guò)加熱而固化的熱固化性樹(shù)脂，例如通過(guò)活性能量射線(xiàn)(例如紫外線(xiàn)、電子束等)的照射而固化的活性能量射線(xiàn)固化性樹(shù)脂等。
[0075]作為熱塑性樹(shù)脂，可列舉出例如乙酸乙烯酯樹(shù)脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、氯乙烯樹(shù)脂、EVA-氯乙烯樹(shù)脂共聚物等。
[0076]作為熱固化性樹(shù)脂及活性能量射線(xiàn)固化性樹(shù)脂，可列舉出例如有機(jī)硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、脲醛樹(shù)脂、三聚氰胺樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂等。
[0077]作為這些封裝樹(shù)脂，可優(yōu)選列舉出熱固化性樹(shù)脂。
[0078]作為包含熱固化性樹(shù)脂的樹(shù)脂組合物，可列舉出例如兩階段熱固化型樹(shù)脂組合物、一階段熱固化型樹(shù)脂組合物等，可優(yōu)選列舉出兩階段熱固化型樹(shù)脂組合物。[0079]作為兩階段熱固化型樹(shù)脂組合物，例如可列舉出兩階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物、兩階段固化型環(huán)氧樹(shù)脂組合物等，優(yōu)選可列舉出兩階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物。
[0080]作為一階段熱固化型樹(shù)脂組合物，可列舉出例如一階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物、一階段固化型環(huán)氧樹(shù)脂組合物等，可優(yōu)選列舉出一階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物。
[0081]兩階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物是指:具有兩階段的反應(yīng)機(jī)理，在第一階段的反應(yīng)中B階化(半固化)，在第二階段的反應(yīng)中C階化(最終固化)的熱固化性有機(jī)硅樹(shù)脂組合物。
[0082]需要說(shuō)明的是，B階是封裝樹(shù)脂組合物處于可溶于溶劑的A階和最終固化的C階之間的狀態(tài)，是固化及凝膠化略微進(jìn)行，雖在溶劑中溶脹但未完全溶解、通過(guò)加熱而軟化但不熔融的狀態(tài)。
[0083]作為兩階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物的未固化物(固化前的第一階段)，可列舉出例如縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)娃樹(shù)脂組合物。
[0084]縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)娃樹(shù)脂組合物是能夠通過(guò)加熱而進(jìn)行縮合反應(yīng)及加成反應(yīng)的熱固化性有機(jī)硅樹(shù)脂組合物，更具體而言，是能夠通過(guò)加熱進(jìn)行縮合反應(yīng)而變?yōu)锽階(半固化)，接著，能夠通過(guò)進(jìn)一步加熱進(jìn)行加成反應(yīng)(具體而言例如為氫化硅烷化反應(yīng))變?yōu)镃階(最終固化)的熱固化性有機(jī)硅樹(shù)脂組合物。
[0085]作為這種縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物，可列舉出:例如，含有硅燒醇基兩末端聚硅氧烷、含烯基二烷氧基硅烷、有機(jī)氫!硅氧烷、縮合催化劑及氫!化硅烷化催化劑的第一縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)娃樹(shù)脂組合物；例如，含有硅烷醇基兩末端聚硅氧烷、含乙烯系不飽和烴基硅化合物(以下稱(chēng)為乙烯系硅化合物)、含環(huán)氧基硅化合物、有機(jī)氫硅氧烷、縮合催化劑及加 成催化劑(氫化硅烷化催化劑)的第二縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)娃樹(shù)脂組合物；例如，含有兩末端硅烷醇型硅油、含烯基二烷氧基烷基硅烷、有機(jī)氫硅氧烷、縮合催化劑及氫化硅烷化催化劑的第三縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物；例如，含有一分子中至少具有兩個(gè)烯基甲硅烷基的有機(jī)聚硅氧烷、一分子中至少具有兩個(gè)氫化甲硅烷基的有機(jī)聚硅氧烷、氫化硅烷化催化劑及固化延遲劑的第四縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物；例如，含有一分子中兼具至少兩個(gè)乙烯系不飽和烴基和至少兩個(gè)氫化甲硅烷基的第一有機(jī)聚硅氧烷、不含乙烯系不飽和烴基且一分子中具有至少兩個(gè)氫化甲硅烷基的第二有機(jī)聚硅氧烷、氫化硅烷化催化劑及氫化硅烷化抑制劑的第五縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物；例如，含有一分子中兼具至少兩個(gè)乙烯系不飽和烴基和至少兩個(gè)硅烷醇基的第一有機(jī)聚硅氧烷、不含乙烯系不飽和烴基且一分子中具有至少兩個(gè)氫化甲硅烷基的第二有機(jī)聚硅氧烷、氫化硅烷化抑制劑、及氫化硅烷化催化劑的第六縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物；例如，含有硅化合物、及硼化合物或鋁化合物的第七縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物；例如，含有聚鋁硅氧烷及硅烷偶聯(lián)劑的第八縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物等。
[0086]這些縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物可以單獨(dú)使用或組合使用兩種以上。
[0087]作為縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物，可優(yōu)選列舉出第四縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物。
[0088]第四縮合反應(yīng)-加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物被記載在日本特開(kāi)2011-219597號(hào)公報(bào)等中，例如含有二甲基乙烯基甲硅烷基末端聚二甲基硅氧烷、三甲基甲硅烷基末端二甲基硅氧烷-甲基氫硅氧烷共聚物、二乙烯基四甲基二硅氧烷合鉬絡(luò)合物及四甲基氫氧化銨等。
[0089]另一方面，一階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物是指具有一階段的反應(yīng)機(jī)理、在第一階段的反應(yīng)中最終固化的熱固化性有機(jī)硅樹(shù)脂組合物。
[0090]作為一階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物，可列舉出例如加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物等。
[0091]加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物例如含有作為主劑的含乙烯系不飽和烴基聚硅氧烷、和成為交聯(lián)劑的有機(jī)氫硅氧烷。
[0092]作為含乙烯系不飽和烴基聚硅氧烷，可列舉出例如含烯基聚二甲基硅氧烷、含烯基聚甲基苯基硅氧烷、含烯基聚二苯基硅氧烷等。
[0093]在加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物中，通常，含乙烯系不飽和烴基聚硅氧烷和有機(jī)氫硅氧烷以不同的包裝來(lái)提供。具體而言，以含有主劑(含乙烯系不飽和烴基聚硅氧烷)的A液、和含有交聯(lián)劑(有機(jī)氫硅氧烷)的B液的2液的形式提供。需要說(shuō)明的是，兩者的加成反應(yīng)所需要的公知的催化劑被添加至含乙烯系不飽和烴基聚硅氧烷中。
[0094]關(guān)于這種加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物，在將主劑(A液)和交聯(lián)劑(B液)混合而制備混合液、由混合液成形前述封裝片6的形狀的工序中，含乙烯系不飽和烴基聚硅氧烷和有機(jī)氫硅氧烷進(jìn)行加成反應(yīng)，加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物固化，形成有機(jī)硅彈性體(固化物)。
[0095]關(guān)于這種封裝樹(shù)脂的配混比例，相對(duì)于100質(zhì)量份封裝樹(shù)脂組合物，例如為20質(zhì)量份以上、優(yōu)選為50質(zhì)量份以上，并且,例如也為99.9質(zhì)量份以下、優(yōu)選為99.5質(zhì)量份以下。
[0096]需要說(shuō)明的是，在封裝樹(shù)脂組合物中，可根據(jù)需要以適當(dāng)?shù)谋壤袩晒怏w、填充劑。
[0097]作為熒光體，可列舉出例如能夠?qū)⑺{(lán)色光轉(zhuǎn)換成黃色光的黃色熒光體等。作為這樣的熒光體，可列舉出例如在復(fù)合金屬氧化物、金屬硫化物等中摻雜有例如鈰(Ce)、銪(Eu)等金屬原子的熒光體。
[0098]具體而言，作為熒光體，可列舉出:例如Y3Al5O12 = Ce (YAG (乾-鋁-石榴石):Ce)、(Y, GcO3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce, Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2 (Si, Ge) 3012:Ce 等具有石榴石型晶體結(jié)構(gòu)的石槽石型突光體，例如(Sr, Ba) 2Si04:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu> Ca3Si2O7:Eu 等娃酸鹽突光體,例如 CaAl12019:Mn、SrAl2O4:Eu 等招酸鹽突光體,例如 ZnS:Cu, Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu 等硫化物突光體，例如 CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2: Eu、BaSi2O2N2: Eu、Ca- a -SiAlON 等氮氧化物熒光體，例如 CaAlSiN3: Eu、CaSi具:Eu等氮化物熒光體，例如K2SiF6:Mn、K2TiF6 = Mn等氟化物系熒光體等?？蓛?yōu)選列舉出石榴石型熒光體，可進(jìn)一步優(yōu)選列舉出Y3Al5O12:Ce。
[0099]作為熒光體的形狀，可列舉出例如球狀、板狀、針狀等。從流動(dòng)性的觀點(diǎn)出發(fā)，可優(yōu)選列舉出球狀。
[0100]熒光體的最大長(zhǎng)度的平均值(在球狀的情況下為平均粒子徑)例如為0.1 μ m以上、優(yōu)選為Iym以上,并且,例如也為200 μ m以下、優(yōu)選為100 μ m以下。[0101]關(guān)于熒光體的配混比例，相對(duì)于100質(zhì)量份封裝樹(shù)脂組合物，例如為0.1質(zhì)量份以上、優(yōu)選為0.5質(zhì)量份以上,例如也為80質(zhì)量份以下、優(yōu)選為50質(zhì)量份以下。
[0102]作為填充劑，可列舉出例如有機(jī)硅微粒、玻璃、氧化鋁、二氧化硅(熔融二氧化硅、結(jié)晶性二氧化硅、無(wú)定形二氧化硅超微粉、疏水性二氧化硅超微粉等)、氧化鈦、氧化鋯、滑石、粘土、硫酸鋇等，這些填充劑可以單獨(dú)使用或組合使用兩種以上?？蓛?yōu)選列舉出有機(jī)硅微粒、二氧化硅。
[0103]關(guān)于填充劑的配混比例，相對(duì)于100質(zhì)量份封裝樹(shù)脂組合物，例如為0.1質(zhì)量份以上、優(yōu)選為0.5質(zhì)量份以上,并且,例如也為80質(zhì)量份以下、優(yōu)選為50質(zhì)量份以下。
[0104]此外，在封裝樹(shù)脂組合物中，可以以適當(dāng)?shù)谋壤砑永绺男詣?、表面活性劑、染料、顏料、防變色劑、紫外線(xiàn)吸收劑等公知的添加物。
[0105]關(guān)于封裝片6，在熱固化性有機(jī)硅樹(shù)脂組合物為兩階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物時(shí)，由兩階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物的一階段固化物形成，此外，在熱固化性有機(jī)硅樹(shù)脂組合物為一階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物時(shí)，由一階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物的未固化物(固化前)形成。
[0106]特別優(yōu)選封裝片6為兩階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物的一階段固化物。
[0107]為了形成封裝片6，例如將前述的封裝樹(shù)脂組合物(根據(jù)需要含有蛍光體、填充劑等)在未圖示的剝離薄膜的上面通過(guò)流延、旋涂、輥涂等方法涂布成適當(dāng)?shù)暮穸?，根?jù)需要進(jìn)行加熱。由此，可以形成片狀的封裝片6。
[0108]關(guān)于該封裝片6在23°C下的壓縮彈性模量，例如為2.0MPa以下、優(yōu)選為1.6MPa以下、更優(yōu)選為0.8MPa以下、特別優(yōu)選為0.5MPa以下，并且，例如也為0.0lMPa以上、優(yōu)選為0.04MPa 以上。
[0109]封裝片6的壓縮彈性模量若為上述上限以下，則可保證柔軟性。另一方面，封裝片6的壓縮彈性模量若為下限以上，則能夠埋設(shè)LED4。
[0110]此外，封裝片6的大小形成為能夠一次性封裝多個(gè)LED4及多個(gè)引線(xiàn)5并閉塞凹部7的尺寸。
[0111]具體而言，關(guān)于封裝片6的前后方向的長(zhǎng)度，例如為凹部7的前后方向的長(zhǎng)度以上，并且，例如為基板2的前后方向的長(zhǎng)度以下。
[0112]此外，關(guān)于封裝片6的左右方向的長(zhǎng)度，例如為凹部7的左右方向的長(zhǎng)度以上，并且，例如為基板2的左右方向的長(zhǎng)度以下。
[0113]具體而言，封裝片6如圖3的虛線(xiàn)所示那樣地形成為俯視矩形的片狀。
[0114]此外，關(guān)于封裝片6的厚度，例如為100 μ m以上、優(yōu)選為300 μ m以上、更優(yōu)選為400 μ m以上，并且，例如也為2000 μ m以下、優(yōu)選為IOOOym以下。
[0115]此外，關(guān)于封裝片6的厚度H3，如圖1的(d)所示那樣，相對(duì)于凹部7的深度H1，例如為50%以上、優(yōu)選為80%以上、更優(yōu)選為100%以上，并且，例如也為900%以下、優(yōu)選為700%以下、更優(yōu)選為400%以下。
[0116]在壓接工序中，首先，使封裝片6在基板2的上側(cè)隔著間隔相對(duì)配置，投入到真空壓制機(jī)等真空室內(nèi)。
[0117]接著，將真空室內(nèi)減壓。具體而言，利用真空泵(減壓泵)等對(duì)真空室內(nèi)進(jìn)行排氣。
[0118]接著，如圖2的(e)所示那樣，邊使真空室內(nèi)成為減壓氣氛，邊利用真空壓制機(jī)的壓制機(jī)等使封裝片6壓接在基板2上。
[0119]關(guān)于壓接工序中的減壓氣氛，例如為300Pa以下、優(yōu)選為IOOPa以下、特別優(yōu)選為50Pa以下。
[0120]此外，在壓接工序的壓接中，控制封裝片6向基板2側(cè)(下側(cè))壓入(壓接)的量(以下稱(chēng)為壓入量)。
[0121]通過(guò)控制壓入量，使封裝片6的下表面調(diào)整至與周?chē)媳砻?1密合、且與凹部上表面10分離。
[0122]具體而言，將封裝片6調(diào)整至如下述式所示的壓入量為負(fù)值、且壓入量的絕對(duì)值變得比凹部7的深度Hl小。
[0123]壓入量=(以基板2的底面為基準(zhǔn)的凹部上表面10的高度H2 +壓接工序前的封裝片6的厚度H3)-以壓接工序后的基板2的底面為基準(zhǔn)的封裝片6的上表面的高度H4
[0124]壓入量為正值時(shí)，封裝片6被過(guò)度地?cái)D壓至壓接工序后的封裝片6的厚度(H4-H2)變得比壓接工序前的封裝片6的厚度H3薄，封裝片6與凹部上表面10密合。與之相對(duì)，壓入量為負(fù)值時(shí)，封裝片6被調(diào)整至與凹部上表面10分離。
[0125]壓入量的絕對(duì)值比凹部7的深度Hl大時(shí)，封裝片6的下表面未與周?chē)媳砻?1密合，不能夠用封裝片6閉塞凹部7。與之相對(duì)，壓入量的絕對(duì)值比凹部7的深度Hl小時(shí)，封裝片6被調(diào)整至與周?chē)媳砻?1密合。
[0126]此外，關(guān)于壓入量(H2 + H3-H4)的絕對(duì)值，相對(duì)于凹部7的深度H1，例如低于100%、優(yōu)選為95%以下，并且，例如也超過(guò)0%、優(yōu)選為10%以上。
[0127]關(guān)于壓接工序的溫度，例如為0°C以上、優(yōu)選為15°C以上，并且，例如也為60°C以下、優(yōu)選為35°C以下。
[0128]此外，在壓接工序中，根據(jù)需要，保持將封裝片6押下(壓入)的狀態(tài)。
[0129]關(guān)于保持時(shí)間，例如為5秒以上、優(yōu)選為10秒以上，并且，為10分鐘以下、優(yōu)選為5分鐘以下。
[0130]通過(guò)壓接工序，如圖2的(e)所示那樣，在凹部7中會(huì)形成被基板2和封裝片6劃分出的密閉的減壓空間8。
[0131]大氣壓釋放工序
[0132]大氣壓釋放工序是使基板2與封裝片6釋放到大氣壓氣氛下的工序。
[0133]壓接工序之后，通過(guò)大氣壓釋放工序，使封裝片6以追隨凹部7的形狀的方式密
八
口 ο
[0134]具體而言，使真空泵的運(yùn)轉(zhuǎn)停止，將真空室內(nèi)釋放至大氣壓。
[0135]這樣操作時(shí)，利用減壓空間8與大氣壓的壓力差，封裝片6的上表面被擠壓向下方，封裝片6的下表面以追隨凹部7的形狀的方式變形，與凹部7的上表面密合。
[0136]通過(guò)大氣壓釋放工序，得到作為以封裝片6與凹部7密合的方式封裝LED4的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)例子的LED裝置I。
[0137]固化工序
[0138]在LED裝置I的制造中，根據(jù)需要(封裝片6為熱固化性樹(shù)脂、活性能量射線(xiàn)固化性樹(shù)脂時(shí))使封裝片6如圖2的(g)所示那樣固化。
[0139]封裝樹(shù)脂為熱固化性樹(shù)脂時(shí)，通過(guò)加熱使封裝片6固化。[0140]此外，封裝樹(shù)脂為活性能量射線(xiàn)固化性樹(shù)脂時(shí)，通過(guò)從上方照射活性能量射線(xiàn)使封裝片6固化。
[0141]兩階段加熱工序
[0142]封裝片6由包含兩階段熱固化型樹(shù)脂的封裝樹(shù)脂組合物形成時(shí)，優(yōu)選通過(guò)兩階段加熱工序使封裝片6固化。
[0143]兩階段加熱工序是在大氣壓釋放工序之后，以第一溫度加熱封裝片6，然后以比第一溫度更高溫的第二溫度進(jìn)行加熱的工序。
[0144]第一溫度為上述的封裝片6的兩階段熱固化型樹(shù)脂未完全固化的溫度，在封裝片6由含有縮合-加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂的封裝樹(shù)脂組合物形成時(shí)，第一溫度為加成反應(yīng)(氫化娃燒化反應(yīng))未進(jìn)行的溫度。
[0145]具體而言，例如為80°C以上、優(yōu)選為100°C以上，并且，例如也為150°C以下、優(yōu)選為135°C以下。
[0146]此外,第一溫度會(huì)從上述的范圍中以定溫(一定溫度)的方式選擇。
[0147]此外，關(guān)于用第一溫度加熱的時(shí)間，例如為5分鐘以上、優(yōu)選為10分鐘以上，并且，例如也為I小時(shí)以下、優(yōu)選為0.8小時(shí)以下。
[0148]第二溫度為上述封裝片6的兩階段熱固化型樹(shù)脂完全固化的溫度，在封裝片6由含有縮合-加成反應(yīng)固化型有機(jī)硅樹(shù)脂的封裝樹(shù)脂組合物形成時(shí)，第二溫度為加成反應(yīng)(氫化硅烷化反應(yīng))進(jìn)行的溫度。
[0149]具體而言，例如為135°C以上、優(yōu)選為150°C以上，并且，例如也為200°C以下、優(yōu)選為180°C以下。
[0150]此外，關(guān)于用第二溫度加熱的時(shí)間，例如為0.1小時(shí)以上、優(yōu)選為0.5小時(shí)以上，并且，例如也為20小時(shí)以下，優(yōu)選為10小時(shí)以下。
[0151]在埋設(shè)LED4的封裝片6由包含兩階段熱固化型樹(shù)脂的封裝樹(shù)脂組合物形成時(shí)，通過(guò)利用上述第一溫度的加熱，封裝片6保持B階且壓接工序的殘留應(yīng)力得到緩和，通過(guò)利用上述第二溫度的加熱，封裝片6完全固化(最終固化)而成為C階。
[0152]此外，在熱固化性樹(shù)脂由含有一階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂的封裝樹(shù)脂組合物形成時(shí)，封裝片6也通過(guò)上述加熱完全固化(最終固化)而成為C階。
[0153]固化(完全固化)了的封裝片6具有撓性，具體而言，在23°C下的壓縮彈性模量例如為IMPa以上、優(yōu)選為1.2MPa以上，并且，例如也為15MPa以下，優(yōu)選為IOMPa以下。
[0154]封裝片6的壓縮彈性模量為上述上限以下時(shí)，可確實(shí)地保證撓性。封裝片6的壓縮彈性模量為上述下限以上時(shí)，可確實(shí)地保證引線(xiàn)保護(hù)性能。
[0155]如此操作，完成LED裝置I的制造。
[0156]作用効果
[0157]根據(jù)該LED裝置I的制造方法，在壓接工序中，封裝片6以與凹部上表面10分離的方式壓接。
[0158]因此，可減少封裝片6被壓接時(shí)對(duì)引線(xiàn)5的擠壓力。
[0159]另一方面，在壓接工序中，封裝片6在減壓氣氛下閉塞周?chē)媳砻?1，因此在凹部7中會(huì)形成被基板2和封裝片6劃分出的密閉的減壓空間8。
[0160]在大氣壓釋放工序中，釋放至大氣壓時(shí)，利用減壓空間8與大氣壓的壓力差，封裝片6被無(wú)隙間地填充在凹部7上。
[0161]因此，可以抑制基板2與封裝片6之間的空隙的產(chǎn)生。
[0162]其結(jié)果，可減少引線(xiàn)5的變形并抑制空隙的產(chǎn)生。
[0163]此外，在封裝片6由包含兩階段熱固化型樹(shù)脂的封裝樹(shù)脂組合物形成時(shí)，該LED裝置I的制造方法具備在大氣壓釋放工序之后，以第一溫度加熱，然后，以比第一溫度更高溫的第二溫度加熱的兩階段加熱工序。
[0164]在兩階段加熱工序中，以第一溫度加熱時(shí)，封裝片6為B階狀態(tài)，以第二溫度加熱時(shí)，封裝片6為C階狀態(tài)。
[0165]因此，對(duì)封裝片6而言，在以第一溫度加熱時(shí)，壓接工序的殘留應(yīng)力得到緩和，會(huì)持續(xù)抑制封裝片6的下表面與凹部上表面10之間的空隙的產(chǎn)生，在以第二溫度加熱時(shí)，可以確實(shí)地固化。
[0166]此外，在該LED裝置I的制造方法中，在壓接工序中，封裝片6的壓縮彈性模量為
0.16MPa以下時(shí)，可進(jìn)行封裝而不對(duì)引線(xiàn)5施加過(guò)度的擠壓力。
[0167]此外，在該LED裝置I的制造方法中，凹部7的深度Hl (在上下方向上從凹部上表面10至周?chē)媳砻?1的長(zhǎng)度)為500 μ m以下時(shí)，在壓接工序及大氣壓釋放工序中，可使封裝片6追隨凹部7的形狀、確實(shí)地密合。
[0168]第一溫度
[0169]在上述實(shí)施方式中，將第一溫度設(shè)定為定溫，但不限定于此，例如，第一溫度也可以具有溫度范圍，具體而言，第一溫度也可以具有上升至第二溫度的升溫溫度范圍。
[0170]將封裝片6投入到溫度為室溫(20?25°C左右)的干燥器中，接著，將干燥器升溫至干燥器內(nèi)的溫度達(dá)到第二溫度。此時(shí)，第一溫度為20°C以上，進(jìn)而為25°C以上，并且，為低于第二溫度的溫度范圍。第一溫度下的升溫速度例如為1°C /分鐘、優(yōu)選為2V /分鐘以上，并且，例如為30°C /分鐘以下、優(yōu)選為20°C /分鐘以下。此外，第一溫度下的升溫時(shí)間例如為4分鐘以上、優(yōu)選為5分鐘以上，并且，例如為120分鐘以下、優(yōu)選為60分鐘以下。
[0171]或者，也可將封裝片6投入到設(shè)定為上述實(shí)施方式的定溫的干燥器中，維持規(guī)定時(shí)間、定溫之后，將干燥器升溫至干燥器內(nèi)的溫度達(dá)到第二溫度，其中，定溫具體而言選自例如80°C以上、優(yōu)選100°C以上、并且、選自例如150°C以下、優(yōu)選135°C以下。關(guān)于維持定溫的時(shí)間，例如為3分鐘以上、優(yōu)選為5分鐘以上，并且，例如為300分鐘以下、優(yōu)選為180分鐘以下。此外，關(guān)于升溫速度，例如為1°C /分鐘以上、優(yōu)選為2°C /分鐘以上，并且，例如為30°C /分鐘以下、優(yōu)選為20°C /分鐘以下。關(guān)于升溫時(shí)間，例如為I分鐘以上、優(yōu)選為2分鐘以上，并且，例如為120分鐘以下、優(yōu)選為60分鐘以下。
[0172]第一溫度具有上升至第二溫度的升溫溫度范圍，由此可以使生產(chǎn)效率提高。
[0173]機(jī)械加壓
[0174]在上述各實(shí)施方式的固化工序中，在封裝片6由包含熱固化性樹(shù)脂的封裝樹(shù)脂組合物形成時(shí)，也可以一邊對(duì)封裝片6進(jìn)行加熱一邊進(jìn)一步對(duì)封裝片6進(jìn)行機(jī)械加壓。具體而言，在上述溫度下，對(duì)封裝片進(jìn)行加熱及機(jī)械加壓(加熱-機(jī)械加壓)。
[0175]在對(duì)封裝片6加熱及機(jī)械加壓時(shí)，如圖2的(g)的虛線(xiàn)所示那樣，可以使用例如具備裝備有加熱器12的平板9的熱壓制裝置10 (即機(jī)械加熱-機(jī)械加壓裝置10)或裝備有具備平板9的壓制裝置10的帶壓制裝置的干燥器13 (流體加熱-機(jī)械加壓裝置13)等的加熱-機(jī)械加壓裝置。需要說(shuō)明的是，加熱-機(jī)械加壓裝置與通過(guò)靜壓對(duì)封裝片6進(jìn)行加壓的高壓釜(后述)不同，是通過(guò)物理接觸對(duì)封裝片6進(jìn)行加壓的加壓裝置。
[0176]更具體而言，在封裝片6由包含兩階段熱固化型樹(shù)脂的封裝樹(shù)脂組合物形成并且采用兩階段加熱工序的情況下，使用機(jī)械加熱-機(jī)械加壓裝置10時(shí)，通過(guò)利用加熱器12預(yù)先設(shè)定至第一溫度的平板9夾持封裝片6，進(jìn)行機(jī)械加壓，接著，利用加熱器12將平板9設(shè)定至第二溫度?；蛘撸檬覝氐钠桨?夾持封裝片6，進(jìn)行機(jī)械加壓，接著，在第一溫度(升溫溫度范圍)下，如上述那樣地利用加熱器12將平板9升溫，使平板9達(dá)到第二溫度。
[0177]此外，在封裝片6由包含兩階段熱固化型樹(shù)脂的封裝樹(shù)脂組合物形成并且采用兩階段加熱工序的情況下，使用流體加熱-機(jī)械加壓裝置13時(shí)，在預(yù)先設(shè)定為第一溫度的流體加熱-機(jī)械加壓裝置13內(nèi)，利用流體加熱-機(jī)械加壓裝置13內(nèi)的壓制裝置10夾持封裝片6，進(jìn)行機(jī)械加壓，然后，將流體加熱-機(jī)械加壓裝置13設(shè)定至第二溫度(進(jìn)行流體加熱)?；蛘撸谑覝氐牧黧w加熱-機(jī)械加壓裝置13內(nèi)，利用壓制裝置10夾持封裝片6，進(jìn)行機(jī)械加壓，然后，將干燥器升溫，將流體加熱-機(jī)械加壓裝置13設(shè)定至第二溫度(進(jìn)行流體加熱)。
[0178]需要說(shuō)明的是，在流體加熱-機(jī)械加壓裝置13中，干燥器內(nèi)的氣體和/或液體成為熱介質(zhì)，對(duì)封裝片6進(jìn)行加熱。
[0179]此外，在上述說(shuō)明中，在兩階段加熱工序中的第一溫度及第二溫度這兩個(gè)條件下對(duì)封裝片6進(jìn)行機(jī)械加壓，但是，例如也可以?xún)H在兩階段加熱工序中的第一溫度下進(jìn)行機(jī)械加壓，在第二溫度下不進(jìn)行機(jī)械加壓，即，在常壓氣氛下對(duì)封裝片6進(jìn)行加熱。
[0180]具體而言，將在第一溫度下機(jī)械加壓的封裝片6從機(jī)械加熱加壓裝置中取出，投入到預(yù)先設(shè)定為第二溫度的干燥器中。尤其是在使用帶壓制裝置的干燥器13時(shí)，對(duì)在第一溫度下機(jī)械加壓的封裝片6解除基于平板9的夾持，直接將帶壓制裝置的干燥器13設(shè)定為第二溫度。
[0181 ] 優(yōu)選僅在第一溫度下實(shí)施機(jī)械加壓。
[0182]由此,可以使生產(chǎn)效率提高。
[0183]加熱流體加壓工序
[0184]在上述實(shí)施方式中，在圖2的(g)所示的固化工序中，實(shí)施使用加熱-機(jī)械加壓裝置的兩階段加熱工序，而在封裝片6由含有熱固化性樹(shù)脂的封裝樹(shù)脂組合物形成時(shí)，也可以通過(guò)加熱流體加壓工序使封裝片6固化。
[0185]加熱流體加壓工序?yàn)樵诖髿鈮横尫殴ば蛑螅瑢?duì)封裝片6進(jìn)行加熱及流體加壓的加熱流體加壓工序。在加熱流體加壓工序中，例如，可以使用高壓釜等在高壓高溫氣氛下進(jìn)行處理的高壓高溫氣氛下處理裝置23 (流體加熱-流體加壓裝置)等。高壓高溫氣氛下處理裝置23為利用作為熱介質(zhì)和加壓介質(zhì)的流體(氣體和/或液體)的靜壓的加熱加壓裝置。更具體而言，加熱流體加壓工序在大氣壓恢復(fù)工序之后利用高壓釜對(duì)封裝片6進(jìn)行流體加熱和流體加壓。
[0186]此時(shí)，封裝片6自同一方向被均勻地加壓并加熱，因此與兩階段加熱工序相比，可以進(jìn)一步確實(shí)地抑制空隙的產(chǎn)生。
[0187]因此，在凹部深度Hl為500 μ m以下時(shí)，可以抑制封裝片6的下表面與凹部上表面10之間的空隙產(chǎn)生。
[0188]其他的變形例[0189]此外，在上述實(shí)施方式中，將基板2成形為俯視大致矩形形狀，但作為基板2的形狀，并不限定于上述的俯視大致矩形形狀，也可為例如俯視大致圓形形狀、俯視大致多邊形
形狀等。
[0190]此外，在上述實(shí)施方式中，將凹部7成形為俯視正方形形狀，但作為凹部7的形狀，并不限定于前述的俯視正方形形狀，也可為例如大致矩形、大致圓形、大致長(zhǎng)孔、其他形狀
坐寸O
[0191]此外，在上述實(shí)施方式中，在基板2中形成有一個(gè)凹部7，但對(duì)凹部7的個(gè)數(shù)沒(méi)有特別地限定，也可以比上述實(shí)施方式多。
[0192]此外，在上述實(shí)施方式中，將端子3配置在周?chē)媳砻?1上，但如圖4所示那樣，也可以在左右方向最外側(cè)的LED4的更外側(cè)的凹部上表面10 (凹部7內(nèi))上配置端子3。
[0193]此外，在上述實(shí)施方式中，將LED4配置成每三個(gè)一列的三列，但對(duì)LED4的個(gè)數(shù)沒(méi)有特別地限定，一個(gè)也可，另外，也可以比前述實(shí)施方式多。
[0194]此外，在前述的實(shí)施方式中，彎曲的引線(xiàn)5的頂點(diǎn)的高度比周?chē)媳砻?1高，但也可以低。
[0195]此外，在上述實(shí)施方式中，將封裝片6形成為如圖3所示那樣的俯視大致矩形的片狀，但作為封裝片6的形狀 ，并不限定于上述俯視大致矩形形狀，根據(jù)基板2的形狀、LED4的配置而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，例如為俯視大致圓形形狀、俯視大致多邊形形狀等也可。
[0196]此外，在上述實(shí)施方式中，作為本發(fā)明的半導(dǎo)體元件以LED4為一個(gè)例子進(jìn)行了說(shuō)明，但例如雖未圖示，本發(fā)明的半導(dǎo)體元件也可以為電子元件。
[0197]電子元件是將電能轉(zhuǎn)換為光以外的能量、具體而言為信號(hào)能量等的半導(dǎo)體元件，具體而言，可列舉出晶體管、二極管等。電子元件的尺寸會(huì)根據(jù)用途及目的而適當(dāng)?shù)剡x擇。
[0198]此時(shí)，封裝片6含有封裝樹(shù)脂作為必須成分，含有填充劑作為任選成分。作為填充劑，可進(jìn)一步列舉出碳黑等黑色顏料等。關(guān)于填充劑的配混比例，相對(duì)于100質(zhì)量份封裝樹(shù)月旨，例如為5質(zhì)量份以上、優(yōu)選為10質(zhì)量份以上,并且,例如也為99質(zhì)量份以下、優(yōu)選為95質(zhì)量份以下。
[0199]此外，封裝片6的物性(具體而言為壓縮彈性模量等)與上述實(shí)施方式的封裝片6的物性相同。
[0200]實(shí)施例
[0201]以下，基于各實(shí)施例和各比較例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明不受這些實(shí)施例等限制。
[0202]實(shí)施例1
[0203]準(zhǔn)備工序及引線(xiàn)接合工序
[0204]準(zhǔn)備形成凹部(深度H1163 μ m、I邊IOmm的俯視正方形形狀)、在凹部的周?chē)渲糜辛鶄€(gè)端子的基板(參照?qǐng)D1的(a))，在凹部的上表面配置了九個(gè)LED (參照?qǐng)D1的(b))。各LED間的間隔為1.5mm。
[0205]接著，用引線(xiàn)將LED的端子和與之對(duì)應(yīng)的基板側(cè)的端子連接。此外，用引線(xiàn)將鄰接的LED的端子(參照?qǐng)D1的(C))連接，得到安裝有LED的基板。
[0206]封裝片的形成
[0207]混合20g 二甲基乙烯基甲娃烷基末端聚二甲基硅氧烷(乙烯基甲娃烷基當(dāng)量0.071mmol/g) (1.4mmol乙烯基甲娃燒基)、0.40g (三甲基甲娃燒基末端二甲基娃氧烷-甲基氫硅氧烷共聚物(氫化甲硅烷基當(dāng)量4.lmmol/g) (1.6mmol氫化硅烷基)、0.036mL(1.9 μ mol)二乙烯基四甲基二硅氧烷合鉬絡(luò)合物(氫化硅烷化催化劑)的二甲苯溶液(鉬濃度2質(zhì)量％)、以及0.063mL (57 μ mol)四甲基氫氧化銨(ΤΜΑΗ、固化延遲劑)的甲醇溶液(10質(zhì)量％),在20°C下攪拌10分鐘，相對(duì)于100質(zhì)量份該混合物,配混30質(zhì)量份有機(jī)硅微粒(tospearl2000B>Momentive Performance Materials Japan LLC 制造)，均勻地?cái)埌杌旌?，從而得到兩階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物。
[0208]將它們涂布在脫模紙上，在135°C下使其固化15分鐘，得到厚度1000 μ m的由半固化(B階狀態(tài))的兩階段固化型有機(jī)硅樹(shù)脂組合物形成的封裝片(參照?qǐng)D1的(d))。
[0209]所得到的封裝片的壓縮彈性模量(片的硬度)為0.12MPa。
[0210]壓梓工序
[0211]以安裝有LED的基板和封裝片在厚度方向上相對(duì)的方式進(jìn)行配置，投入到真空壓制機(jī)(型號(hào)CV200、Nichigo-Morton C0., Ltd.制造)的真空室內(nèi)中。
[0212]用真空泵(減壓泵)(型號(hào)E2M80、Edwards Company制造)對(duì)真空室內(nèi)排氣,將真空室內(nèi)減壓至50Pa。
[0213]在減壓氣氛下，利用真空壓制機(jī)，將壓入量(H2 + H3-H4)設(shè)定至_100 μ m，將基板和封裝片壓接，以原樣在20°C下保持3分鐘，在凹部形成減壓空間(參照?qǐng)D2的(e))。
[0214]大氣壓釋放工序
[0215]接著，停止真空泵，將真空室內(nèi)釋放至大氣壓，利用減壓空間和大氣壓的壓力差使封裝片與凹部密合，得到LED裝置(參照?qǐng)D2的(f))。
[0216]兩階段加熱工序
[0217]將所得到的LED裝置投入到暖風(fēng)式干燥器(型號(hào)DF610、Yamato Scientific C0.,Ltd.制造)中，首先以120°C (第一溫度)加熱10分鐘之后，接著以150°C (第二溫度)加熱30分鐘(參照?qǐng)D2的(g))。
[0218]由此，可以制造被封裝片封裝的LED裝置。
[0219]評(píng)價(jià)
[0220]觀察所得到的LED裝置的外觀，對(duì)引線(xiàn)變形、空隙的產(chǎn)生進(jìn)行評(píng)價(jià)。
[0221]引線(xiàn)奪形
[0222]O:通過(guò)目視不能確認(rèn)到引線(xiàn)的變形。
[0223]X:通過(guò)目視確認(rèn)到了引線(xiàn)的變形。
[0224]產(chǎn)牛的宇隙
[0225]O:未發(fā)現(xiàn)空隙的產(chǎn)生。
[0226]Λ:產(chǎn)生了少量的小空隙。
[0227]X:空隙大量產(chǎn)生。
[0228]在表I中示出評(píng)價(jià)的結(jié)果。
[0229]實(shí)施例2?4和比較例I?6
[0230]使用表I所示的硬度的封裝片，設(shè)定為表I所示的壓入量，除此以外，與實(shí)施例1同樣操作，得到LED裝置。在表I中示出評(píng)價(jià)引線(xiàn)變形及空隙的產(chǎn)生的結(jié)果。
[0231]需要說(shuō)明的是，封裝片的壓縮彈性模量(片的硬度)是通過(guò)適當(dāng)改變封裝樹(shù)脂組合物的固化條件來(lái)調(diào)整的。
[0232]實(shí)施例5
[0233]使用形成有表2所示的深度的凹部的基板，使用表2所示的硬度的封裝片，除此以外，與實(shí)施例1同樣操作，得到LED裝置。在表2中示出評(píng)價(jià)固化工序前后的空隙的產(chǎn)生的結(jié)果。
[0234]實(shí)施例6和7
[0235]使用形成有表1所示深度的凹部的基板，使用表2所示的硬度的封裝片，投入到高壓釜(型號(hào)TAS-5-J3R，高壓高溫氣氛下處理裝置(流體加熱-流體加壓裝置)、參照?qǐng)D2的(g)的附圖標(biāo)記23、Taiatsu Techno Corporation制造)中，以加熱溫度150°C、壓力0.6MPa處理30分鐘來(lái)代替兩階段加熱工序，除此以外，與實(shí)施例1同樣操作，得到LED裝置。在表2中示出評(píng)價(jià)固化工序前后的空隙的產(chǎn)生的結(jié)果。
[0236]復(fù)1
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，其包括如下工序: 準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備形成有凹部的基板、在所述凹部?jī)?nèi)或其周?chē)渲玫亩俗雍驮谒霭疾績(jī)?nèi)配置的半導(dǎo)體元件； 引線(xiàn)接合工序，用引線(xiàn)連接所述端子和所述半導(dǎo)體元件； 壓接工序，在減壓氣氛下，以封裝片與所述凹部周?chē)纳媳砻婷芎稀⑶遗c所述凹部的上表面分離的方式使封裝片壓接在基板上；以及 大氣壓釋放工序，使基板和封裝片釋放到大氣壓氣氛下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，其還包括兩階段加熱工序，在所述大氣壓釋放工序之后，以第一溫度進(jìn)行加熱，然后，以比所述第一溫度更高溫的第二溫度進(jìn)行加熱。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述第一溫度具有溫度上升至所述第二溫度的升溫溫度范圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述兩階段加熱工序中，在以所述第一溫度進(jìn)行加熱時(shí)對(duì)所述封裝片進(jìn)行機(jī)械加壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 所述封裝片由包含兩階段熱固化型樹(shù)脂的封裝樹(shù)脂組合物形成， 在所述兩階段加熱工序中，以所述第一溫度加熱時(shí)，所述封裝片為B階狀態(tài)，以所述第二溫度加熱時(shí)，所述封裝片成為C階狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，其還包括加熱流體加壓工序，在所述大氣壓釋放工序之后，對(duì)所述封裝片進(jìn)行加熱和流體加壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述壓接工序中，所述封裝片的壓縮彈性模量為0.16MPa以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，從所述凹部的所述上表面至所述凹部周?chē)纳媳砻娴拈L(zhǎng)度為500 μ m以下。
【文檔編號(hào)】H01L33/48GK103579454SQ201310300974
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年7月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月17日
【發(fā)明者】三谷宗久, 江部悠紀(jì), 大藪恭也 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社