沉積設(shè)備、制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法及顯示設(shè)備的制作方法
【專利摘要】一種有機(jī)層沉積設(shè)備，所述有機(jī)層沉積設(shè)備包括：輸送器單元，包括用于附著基底的傳送單元、第一輸送器單元和第二輸送器單元；以及沉積單元，包括真空室以及用于將有機(jī)層沉積在基底上的有機(jī)層沉積組件。有機(jī)層沉積組件包括：沉積源，用于排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，包括多個沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，包括沿第一方向布置的多個圖案化縫隙；以及沉積源快門，沿第一方向移動并選擇性地阻擋在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料。傳送單元在第一輸送器單元和第二輸送器單元之間移動。傳送單元使附著的基底在被第一輸送器單元傳送的同時與有機(jī)層沉積組件分隔開。
【專利說明】沉積設(shè)備、制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法及顯示設(shè)備
[0001]本申請要求于2012年7月16日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2012-0077361號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請的公開通過引用被完全包含于此 。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種有機(jī)層沉積設(shè)備、利用該有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法以及由該方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0003]有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有比其它顯示裝置更寬的視角、更好的對比度特性和更快的響應(yīng)速度，因此已經(jīng)作為下一代顯示裝置而受到關(guān)注。
[0004]有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括設(shè)置在第一電極和第二電極之間的中間層(包括發(fā)射層)?？梢岳酶鞣N方法來形成所述電極和中間層，這些方法之一是獨立的沉積方法。當(dāng)通過利用沉積方法制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置時，將具有與將要形成的有機(jī)層的圖案相同的圖案的精細(xì)金屬掩模(FMM)通常設(shè)置為與其上將形成有機(jī)層等的基底緊密接觸，將有機(jī)層材料沉積在FMM上，以形成具有期望圖案的有機(jī)層。
[0005]然而，利用這種FMM的沉積方法在利用大的母玻璃制造較大的有機(jī)發(fā)光顯示裝置時存在困難。例如，當(dāng)使用這種大的掩模時，掩模會由于自身重力而彎曲，從而使圖案扭曲。考慮到朝著高分辨率圖案發(fā)展的近期趨勢，這種缺點可能使得FMM方法不合需要。
[0006]另外，將基底與FMM對準(zhǔn)以彼此緊密接觸的工藝、在基底上執(zhí)行沉積的工藝以及將FMM與基底分開的工藝耗費時間，導(dǎo)致制造時間長并且生產(chǎn)效率低。
[0007]在本【背景技術(shù)】部分公開的信息對于本發(fā)明的發(fā)明人來說在實現(xiàn)本發(fā)明之前是已知的，或者所述信息是在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中獲取的技術(shù)信息。因此，它可能包含在本發(fā)明人完成本發(fā)明的時間以前對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說在本國不構(gòu)成已知的現(xiàn)有技術(shù)或信息的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的實施例提供一種適用于在大基底上大規(guī)模生產(chǎn)有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備并能實現(xiàn)高分辨率的圖案化的有機(jī)層沉積設(shè)備。還提供了一種通過使用有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，以及通過該方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
[0009]一種有機(jī)層沉積設(shè)備，所述有機(jī)層沉積設(shè)備包括:輸送器單元，包括用于附著基底并且被構(gòu)造為與所述基底一起移動的傳送單元、用于將附著有基底的傳送單元沿著第一方向移動的第一輸送器單元和用于在已經(jīng)完成沉積之后將基底從其分開的傳送單元沿著與第一方向相反的方向移動的第二輸送器單元；以及沉積單元，包括被構(gòu)造為保持在真空狀態(tài)下的室以及用于將有機(jī)層沉積在附著到傳送單元的基底上的有機(jī)層沉積組件。有機(jī)層沉積組件包括:沉積源，用于排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，在沉積源的一側(cè)并包括多個沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，面對沉積源噴嘴單元并包括沿第一方向布置的多個圖案化縫隙；以及沉積源快門，能夠沿第一方向移動并被構(gòu)造為選擇性地阻擋在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料。傳送單元被構(gòu)造為在第一輸送器單元和第二輸送器單元之間移動，并被構(gòu)造為使附著的基底在被第一輸送器單兀傳送的同時與有機(jī)層沉積組件分隔開。
[0010]有機(jī)層沉積組件還可包括角度限定板，角度限定板在沉積源的一側(cè)以引導(dǎo)在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的流路徑。
[0011]角度限定板可以圍繞沉積源的一部分。
[0012]沉積源快門可包括具有平板形狀的第一沉積源快門和第二沉積源快門，沉積源可由于第一沉積源快門和第二沉積源快門的移動而打開或關(guān)閉。
[0013]沉積源快門可包括第一沉積源快門和第二沉積源快門，第一沉積源快門和第二沉積源快門中的每個可包括平板部分和從平板部分彎曲的傾斜部分。
[0014]槽可以在傾斜部分的一端并對應(yīng)于所述多個沉積源噴嘴中的一個。
[0015]傾斜部分可被構(gòu)造為引導(dǎo)在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的流路徑。
[0016]沉積源可由于第一沉積源快門和第二沉積源快門的移動而打開或關(guān)閉。
[0017]所述有機(jī)層沉積設(shè)備還可包括控制傳感器，控制傳感器在沉積源的一側(cè)，以測量在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的沉積速率。
[0018]控制傳感器可被構(gòu)造為在傳送單元與基底一起移動的同時測量沉積材料的沉積速率，可利用沉積速率來控制在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的蒸發(fā)量。
[0019]可控制由控制傳感器測量的沉積源的沉積速率，從而以目標(biāo)厚度在基底上沉積沉積材料。
[0020]第一輸送器單元和第二輸送器單元可穿過沉積單元。
[0021 ] 第一輸送器單元和第二輸送器單元可以平行地布置在彼此上方。
[0022]有機(jī)層沉積設(shè)備還可包括:加載單元，用于將基底附著到傳送單元；以及卸載單元，用于將在穿過沉積單元的同時已經(jīng)對其完成了沉積的基底與傳送單元分開。
[0023]第一輸送器單元可被構(gòu)造為將傳送單元順序地傳遞至加載單元、沉積單元和卸載單元。
[0024]第二輸送器單元可被構(gòu)造為將傳送單元順序地傳遞至卸載單元、沉積單元和加載單元。
[0025]有機(jī)層沉積組件可被構(gòu)造為使得從沉積源排放的沉積材料穿過圖案化縫隙片，并隨后被沉積在基底上，同時沉積材料在基底上形成圖案。
[0026]有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片可以在第一方向或與第一方向垂直的第二方向中的至少一個中比基底小。
[0027]沉積源噴嘴單元的所述多個沉積源噴嘴可以沿第一方向布置，圖案化縫隙片的所述多個圖案化縫隙可以沿第一方向布置，有機(jī)層沉積設(shè)備還可包括屏蔽板組件，屏蔽板組件包括多個屏蔽板，所述多個屏蔽板在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間沿第一方向布置，并且所述多個屏蔽板將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間分隔為多個沉積空間。
[0028]多個屏 蔽板中的每個可以沿與第一方向基本垂直的第二方向延伸。
[0029]屏蔽板組件可包括具有多個第一屏蔽板的第一屏蔽板組件和具有多個第二屏蔽板的第二屏蔽板組件。[0030]所述多個第一屏蔽板中的每個以及所述多個第二屏蔽板中的每個可以沿與第一方向基本垂直的第二方向布置，并可將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間分隔為所述多個沉積空間。
[0031]沉積源噴嘴單元的所述多個沉積源噴嘴可以沿第一方向布置，并且圖案化縫隙片的所述多個圖案化縫隙可以沿與第一方向垂直的第二方向布置。
[0032]沉積源和沉積源噴嘴單元以及圖案化縫隙片可以通過使用連接構(gòu)件一體地結(jié)合。
[0033]連接構(gòu)件可以被構(gòu)造為引導(dǎo)沉積材料的流路徑。
[0034]連接構(gòu)件可以使沉積源、沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間與外部密封。[0035]在根據(jù)本發(fā)明的另一實施例中，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。該方法包括下述步驟:通過利用穿過室的第一輸送器單元將附著有基底的傳送單元移動到所述室中；在所述室中的多個有機(jī)層沉積組件與基底彼此分隔開的情況下，在基底關(guān)于有機(jī)層沉積組件相對移動的同時，通過在基底上沉積從有機(jī)層沉積組件排放的沉積材料形成有機(jī)層；通過使用穿過所述室的第二輸送器單元使與基底分開的傳送單元移動。有機(jī)層沉積組件中的每個包括:沉積源，用于排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，在沉積源的一側(cè)并包括多個沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，面對沉積源噴嘴單元并包括多個圖案化縫隙；以及沉積源快門，能夠沿第一方向移動并被構(gòu)造為選擇性地阻擋在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料。沉積沉積材料的步驟包括利用沉積源快門通過順序地打開或關(guān)閉多個沉積源來測量所述多個沉積源中的每個沉積源的沉積速率。
[0036]每個有機(jī)層沉積組件還可包括位于沉積源的一側(cè)的角度限定板，以引導(dǎo)在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的流路徑。
[0037]沉積源快門可包括具有平板形狀的第一沉積源快門和第二沉積源快門，所述多個沉積源可以由于第一沉積源快門和第二沉積源快門的移動而打開或關(guān)閉。
[0038]沉積源快門可包括第一沉積源快門和第二沉積源快門，并且第一沉積源快門和第二沉積源快門中的每個可包括平板部分和從平板部分彎曲的傾斜部分。
[0039]槽可以位于傾斜部分的一端并對應(yīng)于所述多個沉積源噴嘴中的一個。
[0040]傾斜部分可被構(gòu)造為引導(dǎo)在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的流路徑。
[0041]所述多個沉積源可由于第一沉積源快門和第二沉積源快門的移動而打開或關(guān)閉。
[0042]所述有機(jī)層沉積設(shè)備還可包括控制傳感器，控制傳感器在沉積源的一側(cè)，以測量在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的沉積速率。
[0043]在傳送單元與基底一起移動的同時可以通過控制傳感器來測量沉積材料的沉積速率，并且可以通過利用沉積速率來控制在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的蒸發(fā)量。
[0044]該方法還可包括下述步驟:在利用第一輸送器單元移動傳送單元之前，利用加載單元將基底附著到傳送單元；以及在利用第二輸送器單元移動傳送單元之前，在基底上已經(jīng)完成沉積之后利用卸載單元將基底與傳送單元分開。
[0045]傳送單元可被構(gòu)造為在第一輸送器單元和第二輸送器單元之間移動。
[0046]第一輸送器單元和第二輸送器單元可以平行地布置在彼此上方。
[0047]有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片在第一方向或第二方向中的至少一個中可以比基底小。[0048]在根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施例中，一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括:基底；多個薄膜晶體管，在基底上，每個薄膜晶體管包括半導(dǎo)體有源層、與半導(dǎo)體有源層絕緣的柵電極以及均接觸半導(dǎo)體有源層的源電極和漏電極；多個像素電極，分別在薄膜晶體管上；多個有機(jī)層，分別在所述多個像素電極上；以及對電極，在所述多個有機(jī)層上?；咨系乃龆鄠€有機(jī)層的離沉積區(qū)域的中心更遠(yuǎn)的至少一個有機(jī)層的頂側(cè)和底側(cè)之間的傾斜側(cè)壁的長度大于分別在離沉積區(qū)域的中心更近的其它有機(jī)層的頂側(cè)和底側(cè)之間的傾斜側(cè)壁的長度，并且在基底上的所述多個有機(jī)層的至少一個是利用上述任何合適的有機(jī)層沉積設(shè)備形成的線性圖案化的有機(jī)層。[0049]所述多個有機(jī)層可包括至少一個發(fā)射層。
[0050]所述多個有機(jī)層可具有不均勻的厚度。
[0051]在有機(jī)層中的離沉積區(qū)域的中心更遠(yuǎn)的每個有機(jī)層中，離沉積區(qū)域的中心更遠(yuǎn)的傾斜側(cè)壁可以比其它的傾斜側(cè)壁大。
[0052]沉積區(qū)域中的所述多個有機(jī)層之中的有機(jī)層離沉積區(qū)域的中心越遠(yuǎn)，所述多個有機(jī)層中的該有機(jī)層的兩側(cè)的疊置區(qū)域可以形成地越窄。
[0053]位于沉積區(qū)域的中心的有機(jī)層的傾斜側(cè)壁可以具有彼此基本相同的長度。
[0054]沉積區(qū)域中的所述多個有機(jī)層可以關(guān)于沉積區(qū)域的中心對稱地布置。
[0055]基底的尺寸可為40英寸或更大。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0056]通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施例，本發(fā)明的以上和其它特征及方面將變得更加清楚，在附圖中:
[0057]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機(jī)層沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；
[0058]圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1中的有機(jī)層沉積設(shè)備的沉積單元的示意性側(cè)視圖；
[0059]圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1中的有機(jī)層沉積設(shè)備的沉積單元的示意性透視圖；
[0060]圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖3中的沉積單元的示意性剖視圖；
[0061]圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖3的沉積單元的第一輸送器單元和傳送單元的剖視圖。
[0062]圖6A、圖6B和圖6C示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的圖3中的沉積源、角度限定板和沉積源快門。
[0063]圖7A、圖7B、圖7C和圖7D示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖3中的沉積源、角度限定板和沉積源快門。
[0064]圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機(jī)層沉積組件的示意性透視圖；
[0065]圖9是圖8的有機(jī)層沉積組件的示意性側(cè)面剖視圖；
[0066]圖10是圖8的有機(jī)層沉積組件的示意性平面剖視圖；
[0067]圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機(jī)層沉積組件的示意性透視圖；
[0068]圖12是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機(jī)層沉積組件的示意性透視圖；
[0069]圖13是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實施例的在有機(jī)層沉積設(shè)備的圖案化縫隙片中圖案化縫隙以等間距布置的結(jié)構(gòu)的圖；
[0070]圖14是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實施例的通過利用圖13中的圖案化縫隙片形成在基底上的有機(jī)層的圖；以及
[0071]圖15是根據(jù)本發(fā)明實施例的通過利用有機(jī)層沉積設(shè)備制造的有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。 【具體實施方式】
[0072]在下文中，將通過參照附圖解釋本發(fā)明的示例性實施例來詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例。在附圖中相同的標(biāo)號表不相同的兀件。
[0073]現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的當(dāng)前實施例，在附圖中示出了本發(fā)明當(dāng)前實施例的示例，其中，相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。下面描述實施例以通過參照附圖解釋本發(fā)明的方面。當(dāng)諸如“至少一個(種)”的表述與一系列元件(要素)一起使用時，修飾整個系列的元件(要素)，而不是修飾所述系列中的單個元件(要素)。
[0074]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機(jī)層沉積設(shè)備I的結(jié)構(gòu)的示意性平面圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1中的有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100的示意性側(cè)視圖。
[0075]參照圖1和圖2，有機(jī)層沉積設(shè)備I包括沉積單元100、加載單元200、卸載單元300和輸送器單元400 (也參見例如圖3和圖4)。
[0076]加載單元200可以包括第一支架212、傳遞室214、第一翻轉(zhuǎn)室218和緩沖室219。
[0077]其上還沒有施加沉積材料的多個基底2(例如，在圖3和圖4中示出了一個基底2)堆疊在第一支架212上。包括在傳遞室214中的傳遞機(jī)器人從第一支架212拾起一個基底2，將基底2放置在通過第二輸送器單元420傳送的傳送單元430上，并且將其上放置有基底2的傳送單元430移動到第一翻轉(zhuǎn)室218中。
[0078]第一翻轉(zhuǎn)室218設(shè)置為鄰近于傳遞室214。第一翻轉(zhuǎn)室218包括將傳送單元430翻轉(zhuǎn)然后將傳送單元430加載在沉積單元100的第一輸送器單元410上的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人。
[0079]參照圖1，傳遞室214的傳遞機(jī)器人將一個基底2放置在傳送單元430的頂表面上，其上放置有基底2的傳送單元430然后被傳送到第一翻轉(zhuǎn)室218中。第一翻轉(zhuǎn)室218的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人將傳送單元430翻轉(zhuǎn)，從而基底2在沉積單元100中被上下顛倒。
[0080]卸載單元300被構(gòu)造為以與上面描述的加載單元200的方式相反的方式操作。具體地講，第二翻轉(zhuǎn)室328中的第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人將已經(jīng)穿過沉積單元100同時基底2放置在傳送單元430上的傳送單元430翻轉(zhuǎn)，然后將其上放置有基底2的傳送單元430移動到排出室324中。然后，排出機(jī)器人將其上放置有基底2的傳送單元430從排出室324取出，將基底2與傳送單元430分離，然后將基底2加載在第二支架322上。與基底2分開的傳送單元430經(jīng)由第二輸送器單元420返回到加載單元200。
[0081]然而，本發(fā)明不限于以上示例。例如，當(dāng)將基底2放置在傳送單元430上時，基底2可以固定到(或附著到)傳送單元430的底表面上，然后移動到沉積單元100中。在這種實施例中，例如，可以省略第一翻轉(zhuǎn)室218的第一翻轉(zhuǎn)機(jī)器人和第二翻轉(zhuǎn)室328的第二翻轉(zhuǎn)機(jī)器人。
[0082]沉積單元100可以包括至少一個用于沉積的室。在一個實施例中，如圖1和圖2中所示，沉積單元100包括室101，在室101中，可以設(shè)置多個有機(jī)層沉積組件(100-1)、(100-2)……(100-n)。參照圖1，在室101中設(shè)置有11個有機(jī)層沉積組件，即，第一有機(jī)層沉積組件(100-1)、第二有機(jī)層沉積組件(100-2)、……、第十一有機(jī)層沉積組件(100-11)，但是有機(jī)層沉積組件的數(shù)量可以隨著期望的沉積材料和沉積條件而變化。室101在沉積工藝過程中保持在真空狀態(tài)。
[0083]在圖1示出的實施例中，其上固定有(或附著有)基底2的傳送單元430可以被第一輸送器單元410至少移動到沉積單元100或者可以被第一輸送器單元410順序地移動到加載單元200、沉積單元100和卸載單元300，在卸載單元300中與基底2分開的傳送單元430可以被第二輸送器單元420移動回到加載單元200。
[0084]第一輸送器單元410在穿過沉積單元100時穿過室101，第二輸送器單元420輸送(或傳遞)與基底2分離的傳送單元430。
[0085]在本實施例中，有機(jī)層沉積設(shè)備I被構(gòu)造為使得第一輸送器單元410和第二輸送器單元420分別設(shè)置在上方和下方，從而在傳送單元430在卸載單元300中與基底2分開(其中，傳送單元430在穿過第一輸送器單元410的同時已經(jīng)在傳送單元430上完成了沉積)之后，傳送單元430經(jīng)由形成在第一輸送器單元410下方的第二輸送器單元420返回到加載單元200，從而有機(jī)層沉積設(shè)備I可以具有提高的空間利用效率。
[0086]在實施例中， 圖1的沉積單元100還可以包括設(shè)置在每個有機(jī)層沉積組件的側(cè)面的沉積源更換單元190。盡管在圖中沒有具體示出，但是沉積源更換單元190可以形成為可以從每個有機(jī)層沉積組件拉到外部的嵌入形式。因此，可以容易地更換有機(jī)層沉積組件100-1的沉積源110 (參照圖3)。
[0087]圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1中的有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100的示意性透視圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖3中的沉積單元100的示意性剖視圖。圖5是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖3的沉積單元100的第一輸送器單元410和傳送單元430的剖視圖。
[0088]參照圖3和圖4，有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積單元100包括至少一個有機(jī)層沉積組件100-1和輸送器單元400。
[0089]在下文中，將描述沉積單元100的總體結(jié)構(gòu)。
[0090]室101可以形成為中空的盒子形式并且容納至少一個有機(jī)層沉積組件100-1和傳送單元430。在另一種描述方式中，形成腳部102，從而將沉積單元100固定在地上，下殼體103設(shè)置在腳部102上，上殼體104設(shè)置在下殼體103上。室101容納下殼體103和上殼體104。關(guān)于這一點，密封下殼體103和室101的連接部分，從而室101的內(nèi)部與外部完全隔離。由于下殼體103和上殼體104設(shè)置在固定在地上的腳部102上的結(jié)構(gòu)，所以即使室101重復(fù)地收縮和膨脹，下殼體103和上殼體104也可以保持在固定的位置。因此，下殼體103和上殼體104在沉積單元100中可以用作基準(zhǔn)框架。
[0091]上殼體104包括有機(jī)層沉積組件100-1和輸送器單元400的第一輸送器單元410，下殼體103包括輸送器單兀400的第二輸送器單兀420。在傳送單兀430在第一輸送器單元410和第二輸送器單元420之間循環(huán)移動的同時，連續(xù)執(zhí)行沉積工藝。
[0092]在下文中，詳細(xì)描述有機(jī)層沉積組件100-1的構(gòu)成。
[0093]第一有機(jī)層沉積組件100-1包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、圖案化縫隙片130、屏蔽構(gòu)件140、第一臺階150、第二臺階160、照相機(jī)(或多個照相機(jī))170和傳感器(或多個傳感器)180。關(guān)于這一點，圖3和圖4中示出的所有元件可以布置在保持在適當(dāng)?shù)恼婵諣顟B(tài)的室101中。使用這種結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)沉積材料的線性。
[0094]例如，為了將已經(jīng)從沉積源110排出并且穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片130的沉積材料115以期望的圖案沉積到基底2上，期望將室保持在與使用精細(xì)金屬掩模(FMM)的沉積方法中使用的真空狀態(tài)相同的真空狀態(tài)。另外，圖案化縫隙片130的溫度應(yīng)該充分低于沉積源110的溫度(例如，大約100°C或更低)，這是因為當(dāng)圖案化縫隙片130的溫度充分低時，圖案化縫隙片130的熱膨脹被減小或最小化。
[0095]其上將要沉積沉積材料115的基底2布置在室101中?；?可以為用于平板顯示裝置的基底。例如，用于制造多個平板顯示器的諸如母玻璃的大基底(例如，尺寸為40英寸或更大)可以用作基底2。
[0096]根據(jù)本實施例，可以在基底2相對于有機(jī)層沉積組件100-1移動的情況下執(zhí)行沉積工藝。
[0097]在利用FMM的傳統(tǒng)沉積方法中，F(xiàn)MM的尺寸需要與基底的尺寸相同。因此，隨著基底的尺寸增加，F(xiàn)MM的尺寸也增加。由于這些問題，難以制造FMM并且由于FMM的拉伸難以按照精確圖案對準(zhǔn)FMM。 [0098]為了解決這些問題，在根據(jù)本實施例的有機(jī)層沉積組件100-1中，可以在有機(jī)層沉積組件100-1和基底2相對于彼此移動的同時執(zhí)行沉積。換而言之，可以在面對有機(jī)層沉積組件100-1的基底2沿著Y軸方向移動的同時連續(xù)地執(zhí)行沉積。即，以掃描方式執(zhí)行沉積，同時基底2沿著圖3中不出的箭頭A的方向移動，。盡管基底2不出為在執(zhí)行沉積時在圖3的室101中沿著Y軸方向移動，但是本發(fā)明不限于此。例如，可以在有機(jī)層沉積組件100-1沿著Y軸方向移動并且基底2保持在固定位置的同時執(zhí)行沉積。
[0099]因此，在有機(jī)層沉積組件100-1中，圖案化縫隙片130可以小于(例如，遠(yuǎn)小于)在傳統(tǒng)的沉積方法中使用的FMM。換而言之，在有機(jī)層沉積組件100-1中，在基底2沿著Y軸方向移動的同時連續(xù)地執(zhí)行沉積，即，以掃描方式連續(xù)地執(zhí)行沉積。因此，圖案化縫隙片130沿X軸方向和Y軸方向的長度中的至少一個可以小于(例如，遠(yuǎn)小于)基底2的長度。由于圖案化縫隙片130可以形成為小于(例如，遠(yuǎn)小于)傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM，所以相對容易制造圖案化縫隙片130。即，與傳統(tǒng)沉積方法中使用的FMM相比，小圖案化縫隙片130在包括以下步驟的制造工藝(包括精確拉伸之后的蝕刻、焊接、傳送和清洗工藝)中更適合。另外，更適于制造相對大的顯示裝置。
[0100]為了在有機(jī)層沉積組件100-1和基底2如上所述地相對于彼此移動的同時執(zhí)行沉積，有機(jī)層沉積組件100-1和基底2可以彼此分隔開一定的距離(例如，間隙)。下面對此進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0101]包含并加熱沉積材料115的沉積源110設(shè)置在與在室中設(shè)置有基底2的側(cè)面相對(面對)的側(cè)面處。隨著包含在沉積源110中的沉積材料115被蒸發(fā)，在基底2上執(zhí)行沉積。
[0102]沉積源110包括填充有沉積材料115的坩堝111和加熱器112，加熱器112加熱坩堝111，以使沉積材料115朝向坩堝111的填充有沉積材料115的側(cè)面蒸發(fā)，具體地，朝向沉積源噴嘴單元120蒸發(fā)。
[0103]在一個實施例中，噴嘴單元120設(shè)置在沉積源110的面對基底2的側(cè)面。關(guān)于這一點，根據(jù)本實施例的有機(jī)層沉積組件在執(zhí)行用于形成公共層和圖案層的沉積過程中均可以包括不同的沉積噴嘴。也就是說，多個沉積源噴嘴121可以在沉積源噴嘴單元120處沿Y軸方向(即，基底2的掃描方向)布置，以形成圖案層。因此，沿X軸方向僅形成或布置一個沉積源噴嘴121，從而可以減少(例如，顯著減少)陰影的出現(xiàn)。另一方面，多個沉積源噴嘴121可以沿X軸方向布置在沉積源噴嘴單元120處以形成公共層。通過如此，可改善公共層的厚度均勻性。
[0104]在一個實施例中，圖案化縫隙片130可以設(shè)置在沉積源110和基底2之間。圖案化縫隙片130還可以包括具有與窗口框架相似形狀的框架。圖案化縫隙片130包括沿著X軸方向布置的多個圖案化縫隙131。已經(jīng)在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片130，然后沉積到基底2上。關(guān)于這一點，圖案化縫隙片130可以利用與用來形成FMM (具體地，條形掩模)的方法相同的方法(例如，蝕刻)來形成。關(guān)于這一點，圖案化縫隙131的總數(shù)可以大于沉積源噴嘴121的總數(shù)。
[0105]在一個實施例中，沉積源110 (以及與之結(jié)合的沉積源噴嘴單元120)和圖案化縫隙片130可以彼此分開一定的距離(例如，間隙)。
[0106]如上所述，在有機(jī)層沉積組件100-1相對于基底2移動的同時執(zhí)行沉積。為了使有機(jī)層沉積組件100-1相對于基底2移動，使圖案化縫隙片130與基底2分隔開一定的距離(例如，間隙)。
[0107]在利用FMM的傳統(tǒng)沉積方法中，為了防止在基底上形成陰影，通常在FMM緊密接觸基底的情況下執(zhí)行沉積。然而，當(dāng)FMM形成為緊密接觸基底時，會發(fā)生由于基底與FMM之間的接觸導(dǎo)致的缺陷。另外，由于難以使掩模相對于基底移動，所以掩模和基底具有相同的尺寸。因此，隨著顯示裝置的尺寸增加，掩模變得更大。然而，難以形成大的掩模。
[0108]為了解決這些問題，在根據(jù)本實施例的有機(jī)層沉積組件100-1中，圖案化縫隙片130形成為與其上將沉積沉積材料的基底2分隔開一定的距離(例如，間隙)。
[0109]根據(jù)本實施例，可以在形成為比基底小的掩模相對于基底移動的同時執(zhí)行沉積，因此相對容易地制造掩模。另外，可以防止由于基底和掩模之間的接觸導(dǎo)致的缺陷。另外，由于在沉積工藝期間不必使基底與掩模緊密接觸，所以可以提高制造速度。
[0110]在下文中，將描述上殼體104的每個元件的具體布置。
[0111]沉積源110和沉積源噴嘴單元120設(shè)置在上殼體104的底部上。容納部分104_1分別形成在沉積源Iio和沉積源噴嘴單元120的兩側(cè)上，以具有突出形狀。第一臺階150、第二臺階160和圖案化縫隙片130按此順序依次形成在容納部分104-1上(例如，位于容納部分104-1上)。
[0112]關(guān)于這一點，第一臺階150形成為沿著X軸和Y軸方向移動，從而第一臺階150沿著X軸和Y軸方向與圖案化縫隙片130對準(zhǔn)。即，第一臺階150包括多個致動器，從而第一臺階150相對于上殼體104沿著X軸和Y軸方向移動。
[0113]第二臺階160形成為沿著Z軸方向移動，從而沿著Z軸方向?qū)?zhǔn)圖案化縫隙片130。即，第二臺階160包括多個致動器，并且形成為相對于第一臺階150沿著Z軸方向移動。
[0114]圖案化縫隙片130設(shè)置在第二臺階160上。圖案化縫隙片130設(shè)置在第一臺階150和第二臺階160上，以沿著X軸、Y軸和Z軸方向移動，因此可以執(zhí)行基底2和圖案化縫隙片130之間的對準(zhǔn)(具體地，實時對準(zhǔn))。
[0115]另外，上殼體104、第一臺階150和第二臺階160可以引導(dǎo)沉積材料115的流動路徑，從而通過沉積源噴嘴121排放的沉積材料115不分散到流動路徑外部。即，沉積材料115的流動路徑被上殼體104、第一臺階150和第二臺階160密封，因此，于是可以同步或同時引導(dǎo)沉積材料115沿著X軸和Y軸方向的移動。
[0116]屏蔽構(gòu)件140可以設(shè)置在圖案化縫隙片130和沉積源110之間，以防止有機(jī)材料被沉積在基底2的非膜形成區(qū)域上。雖然未示出，但是屏蔽構(gòu)件140可以包括兩個相鄰的板。由于基底2的非膜形成區(qū)域被屏蔽構(gòu)件140所遮蔽，所以可以在不使用單獨結(jié)構(gòu)的情況下容易地防止有機(jī)材料沉積在基底2的非膜形成區(qū)域上。
[0117]在下文中，更詳細(xì)地描述輸送(例如，傳遞)其上將要沉積沉積材料115的基底2的輸送器單元400。參照圖3和圖4，輸送器單元400包括第一輸送器單元410、第二輸送器單元420和傳送單元430。 [0118]第一輸送器單元410以在線方式輸送(例如，傳遞)包括運送器431和附于運送器431的靜電卡盤432的傳送單元430以及附于傳送單元430的基底2，使得可以通過有機(jī)層沉積組件100-1將有機(jī)層形成在基底2上。第一輸送器單元410包括線圈411、引導(dǎo)構(gòu)件412、上磁懸浮軸承413、側(cè)面磁懸浮軸承414以及間隙傳感器415和416 (例如，也參見圖5)。
[0119]在傳送單元430穿過沉積單元100的同時完成了一個沉積循環(huán)之后，第二輸送器單元420將已經(jīng)在卸載單元300中與基底2分離的傳送單元430返回加載單元200。第二輸送器單元420包括線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423。
[0120]傳送單元430包括沿著第一輸送器單元410和第二輸送器單元420輸送(或傳遞)的運送器431和結(jié)合在(或附著到)運送器431的表面上的靜電卡盤432。基底2附著于靜電卡盤432。
[0121]在下文中，將更詳細(xì)地描述輸送器單元400的每個元件。
[0122]現(xiàn)在將詳細(xì)描述傳送單元430的運送器431。
[0123]運送器431包括主體部件431a、磁軌(或線性電動機(jī)系統(tǒng)(LMS)磁體)431b、非接觸電源(CPS)模塊431c、電源單元431d和引導(dǎo)槽431e。運送器431還可以包括凸輪從動件 431f。
[0124]主體部件431a構(gòu)成運送器431的基礎(chǔ)部件，并且可以由諸如鐵的磁性材料形成。關(guān)于這一點，由于主體部件431a與對應(yīng)的上磁懸浮軸承413和側(cè)面磁懸浮軸承414 (下面描述)之間的磁排斥力(和/或磁吸引力)，使得運送器431可以與引導(dǎo)構(gòu)件412保持分隔開一定的距離(例如，間隙)。
[0125]引導(dǎo)槽431e可以分別形成在主體部件431a的兩側(cè)處，并且均可以容納引導(dǎo)構(gòu)件412的引導(dǎo)突起412e。
[0126]磁軌431b可以在主體部件431a行進(jìn)的方向沿著主體部件431a的中線形成。磁軌431b和線圈411 (后面進(jìn)行更詳細(xì)地描述)可以彼此結(jié)合以構(gòu)成線性電動機(jī)，運送器431可以在線性電動機(jī)的作用下沿著箭頭A的方向輸送(或傳遞)。
[0127]CPS模塊431c和電源單元431d可以在主體部件431a中分別形成在磁軌431b的兩側(cè)上。電源單元43Id包括提供電力的電池(例如，可再充電電池)，從而靜電卡盤432可以卡住(例如，固定或夾持)基底2并且保持操作。CPS模塊431c是為電源單元431d充電的無線充電模塊。例如，形成在第二輸送器單元420中的充電軌道423 (后面描述)連接到逆變器(未示出)，因此當(dāng)運送器431被傳送到第二輸送器單元420中時，在充電軌道423和CPS模塊431c之間形成磁場，從而為CPS模塊431c供電。供應(yīng)到CPS模塊431c的電力用來為電源單元431d充電。[0128]靜電卡盤432可以包括嵌入在由陶瓷形成的主體中的電極，其中，電極被供電。當(dāng)向電極施加合適的電壓(例如，高電壓或相對高的電壓)時，基底2被附于靜電卡盤432的主體的表面上。
[0129]在下文中，更詳細(xì)描述傳送單元430的操作。
[0130]主體部件431a的磁軌431b和線圈411可以彼此結(jié)合以構(gòu)成操作單元。關(guān)于這一點，所述操作單元可以為線性電動機(jī)。與傳統(tǒng)的滑動引導(dǎo)系統(tǒng)相比，線性電動機(jī)具有小的摩擦系數(shù)、小的位置誤差以及高程度(例如，非常高程度)的位置確定。如上所述，線性電動機(jī)可以包括線圈411和磁軌431b。磁軌431b線性地設(shè)置(或布置)在運送器431上，多個線圈411可以以一定的距離設(shè)置在室101的內(nèi)側(cè)，以面對磁軌431b。由于磁軌431b設(shè)置在運送器431而不是線圈411處，所以運送器431可以在沒有對其提供電力的情況下操作。關(guān)于這一點，線圈411可以形成在在空氣氣氛下的大氣(ATM)箱中，磁軌431b附于其上的運送器431可以在保持在真空的室101中移動。
[0131]在下文中，詳細(xì)描述第一輸送器單元410和傳送單元430。
[0132]參照圖4和圖5，第一輸送器單元410輸送(或傳遞)固定(或附著于)基底2的靜電卡盤432并且輸送(或傳遞)運送器431，其中，運送器431輸送(或傳遞)靜電卡盤432。關(guān)于這一點，第一輸送器單元410包括線圈411、引導(dǎo)構(gòu)件412、上磁懸浮軸承413、側(cè)面磁懸浮軸承414以及間隙傳感器415和416。
[0133]線圈411和引導(dǎo)構(gòu)件412形成在(或位于)上殼體104內(nèi)側(cè)。線圈411形成在(或位于)上殼體104的上部中，引導(dǎo)構(gòu)件412分別形成在上殼體104的兩個內(nèi)側(cè)上。
[0134]引導(dǎo)構(gòu)件412引導(dǎo)運送器431沿著一定方向移動。關(guān)于這一點，引導(dǎo)構(gòu)件412形成為穿過沉積單元100。
[0135]例如，引導(dǎo)構(gòu)件412容納運送器431的兩側(cè)，以引導(dǎo)運送器431沿著圖3中示出的箭頭A的方向移動。關(guān)于這一點，引導(dǎo)構(gòu)件412均可以包括設(shè)置在運送器431下面的第一容納部件412a、設(shè)置在運送器431上面的第二容納部件412b以及將第一容納部件412a和第二容納部件412b彼此連接的連接部件412c。通過第一容納部件412a、第二容納部件412b和連接部件412c形成容納槽412d。運送器431的兩側(cè)分別容納在容納槽412d中，運送器431沿著容納槽412d移動。
[0136]側(cè)面磁懸浮軸承414均設(shè)置在引導(dǎo)構(gòu)件412的連接部件412c處，從而分別對應(yīng)于運送器431的兩側(cè)。側(cè)面磁懸浮軸承414引起運送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離(例如，間隙)，從而運送器431以與引導(dǎo)構(gòu)件412非接觸(即，不與引導(dǎo)構(gòu)件412接觸)的方式沿著引導(dǎo)構(gòu)件412移動。即，在圖5的左側(cè)上的側(cè)面磁懸浮軸承414和運送器431 (為磁性材料)之間存在的排斥力Rl以及在圖5的右側(cè)上的側(cè)面磁懸浮軸承414與運送器431 (為磁性材料)之間存在的排斥力R2保持平衡，因此在運送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412的各個部件之間存在恒定(或基本恒定)的距離。[0137]每個上磁懸浮軸承413可以設(shè)置在第二容納部件412b處，以位于運送器431上方。上磁懸浮軸承413能夠使運送器431以與第一容納部件412a和第二容納部件412b不接觸(即，不與其接觸)且使運送器431與第一容納部件412a和第二容納部件412b之間的距離(例如，間隙)保持恒定(或基本恒定)的方式沿著引導(dǎo)構(gòu)件412移動。即，在上磁懸浮軸承413和運送器431 (由磁性材料制成)之間存在的吸引力A3和重力G保持平衡，因此運送器431和對應(yīng)引導(dǎo)構(gòu)件412之間存在恒定(或基本恒定)的距離。
[0138]每個引導(dǎo)構(gòu)件412還可以包括間隙傳感器415。間隙傳感器415可以測量運送器431和引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離。參照圖5，間隙傳感器415可以設(shè)置在第一容納部件412a中，以對應(yīng)于運送器431的底部。設(shè)置在第一容納部件412a中的間隙傳感器415可以測量第一容納部件412a和運送器431之間的距離。間隙傳感器416可以設(shè)置在側(cè)面磁懸浮軸承414的側(cè)面。間隙傳感器416可以測量運送器431的側(cè)表面和側(cè)面磁懸浮軸承414之間的距離。本發(fā)明不限于以上示例，間隙傳感器416可以設(shè)置在連接部件412c處。
[0139]上磁懸浮軸承413和側(cè)面磁懸浮軸承414的磁力可以根據(jù)間隙傳感器415和間隙傳感器416測量的值改變，因此，可以實時調(diào)節(jié)運送器431和各引導(dǎo)構(gòu)件412之間的距離。即，運送器431的精確傳送可以利用上磁懸浮軸承413、側(cè)面磁懸浮軸承414、間隙傳感器415和間隙傳感器416進(jìn)行反饋控制。
[0140]在下文中，詳細(xì)描述第二輸送器單元420和傳送單元430。
[0141]返回參照圖4，第二輸送器單元420將已經(jīng)在卸載單元300中分離了基底2的靜電卡盤432和運送靜電卡 盤432的運送器431返回到加載單元200。關(guān)于這一點，第二輸送器單元420包括線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423。
[0142]具體地講，線圈421、輥式引導(dǎo)件422和充電軌道423可以位于下殼體103內(nèi)。線圈421和充電軌道423可以設(shè)置在下殼體103的頂部內(nèi)表面處，輥式引導(dǎo)件422可以設(shè)置在下殼體103的兩個內(nèi)側(cè)。盡管圖4中未示出，但是線圈421可以與第一輸送器單元410的線圈411 一樣設(shè)置在ATM箱中。
[0143]與第一輸送器單元410相似，第二輸送器單元420可以包括線圈421。另外，運送器431的主體部分431a的磁軌(例如，LMS磁體)431b和線圈421彼此結(jié)合，以構(gòu)成操作單元。關(guān)于這一點，所述操作單元可以為線性電動機(jī)。運送器431可以沿著與圖3中示出的箭頭A的方向相反的方向在線性電動機(jī)的作用下移動。
[0144]棍式引導(dǎo)件422引導(dǎo)運送器431沿著一定方向移動。關(guān)于這一點，棍式引導(dǎo)件422形成為穿過沉積單元100。具體地講，輥式引導(dǎo)件422支撐分別形成在運送器431的兩側(cè)上的凸輪從動件431f (例如，見圖5)，以引導(dǎo)運送器431沿著與圖3中示出的箭頭A的方向相反的方向移動。即，利用設(shè)置在分別沿著輥式引導(dǎo)件422旋轉(zhuǎn)的運送器431的兩側(cè)上的凸輪從動件431f使運送器431移動。關(guān)于這一點，凸輪從動件431f用作用來準(zhǔn)確地重復(fù)特定操作的軸承。在實施例中，多個凸輪從動件431f形成在(或位于)運送器431的側(cè)表面上，并用作用于在第二輸送器單元420中輸送(或傳遞)運送器431的輪子。這里沒有提供關(guān)于凸輪從動件431f的詳細(xì)描述。
[0145]第二輸送器單元420用在使已經(jīng)與基底2分離了的運送器431返回的工藝中，而沒有用在將有機(jī)材料沉積在基底2上的工藝中，因此，不需要如第一輸送器單元410那樣要求第二輸送器單元420的位置準(zhǔn)確度(例如，位置上的準(zhǔn)確度)。因此，對需要高位置準(zhǔn)確度的第一輸送器單元410施加磁懸浮，從而獲得位置準(zhǔn)確度，對需要相對低的位置準(zhǔn)確度的第二輸送器單元420應(yīng)用傳統(tǒng)的輥子方法，從而降低制造成本并且簡化有機(jī)層沉積設(shè)備的結(jié)構(gòu)。盡管在圖4中未不出，但是也可以如第一輸送器單兀410中一樣對第二輸送器單兀420施加磁懸浮。
[0146]根據(jù)本實施例的有機(jī)層沉積設(shè)備I的有機(jī)層沉積組件100-1還可以包括用于對準(zhǔn)工藝的照相機(jī)170和傳感器180。更具體地說，照相機(jī)170可以將在圖案化縫隙片130的框架135中形成的第一對準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)與在基底2上形成的第二對準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)實時對準(zhǔn)。傳感器180可以是共焦傳感器。由于能夠利用照相機(jī)170和傳感器180實時測量基底2和圖案化縫隙片130之間的距離，所以基底2可以與圖案化縫隙片130實時對準(zhǔn)，從而可以改善(例如，顯著改善)圖案的位置準(zhǔn)確度。
[0147]在下文中，詳細(xì)地描述有機(jī)層沉積設(shè)備I的沉積源110、角度限定板145和沉積源快門。 [0148]圖6A、圖6B和圖6C示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖3的沉積源110、角度限定板145和沉積源快門。
[0149]參照圖6A、圖6B和圖6C，角度限定板145可圍繞沉積源110的一部分，以引導(dǎo)在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料的流路徑。具有筆畫“ Π (橫折)”的形狀(例如，鏡像并旋轉(zhuǎn)了的字母L的形狀)的角度限定板145形成在沉積源110的兩側(cè)，從而角度限定板145限定在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料的排放路徑，并提高了沉積材料的線性。即，在沉積源110中蒸發(fā)并且以接近90度的角移動的沉積材料朝基底2移動而不碰撞到角度限制板145中，而在沉積源110中蒸發(fā)并以小于或等于預(yù)定角的角度傾斜地移動的沉積材料碰撞到角度限定板145中，并因此沉積在角度限定板145上。通過布置角度限定板145，可以改善或?qū)崿F(xiàn)沉積材料的線性，從而可減少(例如，顯著減少)陰影的出現(xiàn)。
[0150]沉積源快門還可布置在角度限定板145的一側(cè)，即，在角度限定板145和圖案化縫隙片130之間(參見圖4)。沉積源快門可包括具有平板形狀并可以沿與基底2的移動方向相同的方向(即，圖3中示出的箭頭A的方向)移動的第一沉積源快門141和第二沉積源快門142。第一沉積源快門141和第二沉積源快門142可在模具操作中阻擋來自另一沉積源的沉積材料。將對此進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0151]例如，有機(jī)發(fā)光裝置的特性極大地(或基本上)取決于有機(jī)層的厚度。因此，為了制造具有高質(zhì)量的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，在執(zhí)行膜形成操作之前，必須執(zhí)行模具操作以調(diào)節(jié)全部有機(jī)層的厚度。這里，模具操作表示下述操作，即，以預(yù)定的沉積速率在未設(shè)置器件(例如，TFT)的基底上執(zhí)行對于目標(biāo)有機(jī)層的沉積，利用能夠測量厚度的諸如橢偏測厚儀的分析儀器來測量其上沉積有有機(jī)層的基底的厚度，然后，通過使用測量的厚度來改變有機(jī)層的模具因子(TF)或者調(diào)整沉積速率。在這一方面，TF表示在模具操作中基于利用傳感器實際測量的有機(jī)層的厚度與有機(jī)層的目標(biāo)厚度之比的控制參數(shù)。
[0152]當(dāng)對形成在基底上的有機(jī)層執(zhí)行模具操作時，根據(jù)每種類型的目標(biāo)有機(jī)層、每個沉積源和/或每個沉積組件分別地執(zhí)行模具操作。例如，圖1的有機(jī)層沉積設(shè)備I具有有機(jī)層沉積組件100-1至100-11，有機(jī)層沉積組件100-1至100-11中的每個具有三個沉積源，從而典型地進(jìn)行總共33次模具操作，來對所有的沉積源執(zhí)行模具操作。這里，為了對在一個有機(jī)層沉積組件中的三個沉積源中的每個沉積源執(zhí)行模具操作，在一個沉積源的沉積過程中，阻擋來自另外兩個沉積源的沉積材料。
[0153]為了這樣，根據(jù)本實施例的有機(jī)層沉積設(shè)備I包括第一沉積源快門141和第二沉積源快門142，從而在模具操作中阻擋除了來自目標(biāo)沉積源的沉積材料之外的來自其它沉積源的沉積材料。
[0154]即，如圖6A中所示，在普通沉積工藝中，第一沉積源快門和第二沉積源快門(未示出)完整地或完全地打開，從而有機(jī)層通過在有機(jī)層沉積組件100-1中的全部三個沉積源110a、IIOb和IIOc沉積在基底2上。[0155]然而，如圖6B和圖6C所示，當(dāng)對在有機(jī)層沉積組件100-1中的三個沉積源110a、IlOb和IlOc中的一個沉積源執(zhí)行模具操作時，通過控制第一沉積源快門141和第二沉積源快門142，僅對其執(zhí)行模具操作的目標(biāo)沉積源被打開而另外兩個沉積源被關(guān)閉。
[0156]如上所述，通過單獨地控制沉積源110、角度限定板145和沉積源快門141和142，能夠在模具操作中精確地測量對于每個沉積源的厚度，從而可改善膜形成均勻性。
[0157]圖7A、圖7B、圖7C和圖7D示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖3的沉積源110、角度限定板和沉積源快門。
[0158]參照圖7A、圖7B、圖7C和圖7D，本實施例的特征在于使用了既具有根據(jù)圖6A、圖6B和圖6C的前述實施例的角度限定板的功能又具有根據(jù)圖6A、圖6B和圖6C的前述實施例的沉積源快門的功能的一個沉積源快門。對此進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0159]在使用根據(jù)前述實施例的角度限定板的情況下，噴嘴主要位于沉積源的中心，使得沉積材料隨著時間流而過量地沉積在位于沉積源中心的噴嘴附近的角度限定板處。過量沉積的沉積材料會妨礙來自沉積源的沉積材料的流路徑，從而影響形成在基底上的沉積材料的膜形成輪廓。
[0160]為了解決該問題，根據(jù)本實施例，沉積源快門可以布置在沉積源(參照圖3的沉積源110)和圖案化縫隙片(參照圖3的圖案化縫隙片130)之間。沉積源快門可包括可以沿與基底2的移動方向相同的方向(即，圖3中示出的箭頭A的方向)移動的第一沉積源快門143和第二沉積源快門144。第一沉積源快門143和第二沉積源快門144可在模具操作中阻擋來自其它沉積源的沉積材料。另外，第一沉積源快門143和第二沉積源快門144可圍繞沉積源110，從而引導(dǎo)在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的流路徑。
[0161 ] 參照圖7D，圖7D是根據(jù)本實施例的第一沉積源快門143的透視圖，第一沉積源快門143可包括平板部分143a和傾斜部分143b，還可以在傾斜部分143b的一端形成(例如，設(shè)置在或位于傾斜部分143b的一端)槽143c。即，由于在本實施例的起沉積源快門的功能的傾斜部分143b的端部形成起角度限定板的功能的槽143c，所以可以布置既具有角度限定板功能又具有沉積源快門功能的一個沉積源快門。
[0162]即，如圖7A中所示，在普通沉積工藝中，第一沉積源快門143和第二沉積源快門144完整地或完全地打開，從而有機(jī)層通過在有機(jī)層沉積組件100-1中的全部三個沉積源IlOaUlOb和IlOc沉積在基底2上。這里，第一沉積源快門143和第二沉積源快門144的傾斜部分143b和144b起角度限定板的作用，從而傾斜部分143b和144b限制在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料的流路徑，并且提高或改善沉積材料的線性。即，在沉積源110中蒸發(fā)并且以接近90度的角移動的沉積材料朝基底2移動而不碰撞到第一沉積源快門143的傾斜部分143b和第二沉積源快門144的傾斜部分144b中，而在沉積源110中蒸發(fā)并以小于或等于預(yù)定的角度的角傾斜地移動的沉積材料碰撞到第一沉積源快門143的傾斜部分143b和第二沉積源快門144的傾斜部分144b中，并因此沉積在傾斜部分143b和144b上。通過布置第一沉積源快門143和第二沉積源快門144，可以實現(xiàn)沉積材料的線性，從而可以顯著減少陰影的出現(xiàn) 。
[0163]然而，如圖7B和圖7C中所示，當(dāng)對有機(jī)層沉積組件100-1中的三個沉積源110a、IlOb和IlOc中的一個沉積源執(zhí)行模具操作時，通過控制第一沉積源快門143和第二沉積源快門144，僅對其執(zhí)行模具操作的目標(biāo)沉積源被打開而另外兩個沉積源被關(guān)閉。
[0164]如上所述，通過分別控制沉積源110和沉積源快門，能夠在模具操作中精確地測量對于每個沉積源的厚度，從而可改善膜形成均勻性。
[0165]雖然未示出，但是有機(jī)層沉積設(shè)備I的有機(jī)層沉積組件100-1還可包括控制傳感器、調(diào)節(jié)傳感器和傳感器快門，以控制將在基底2上形成的有機(jī)層的厚度，因此可以實時地監(jiān)測并調(diào)節(jié)有機(jī)層的厚度。即，在使用控制傳感器、調(diào)節(jié)傳感器和傳感器快門的初始膜形成操作中，對于有機(jī)材料分別形成層，通過使用諸如橢偏測厚儀的分析設(shè)備來檢測層的厚度。然后，將TF反映至包含各個有機(jī)材料的各個沉積源，通過監(jiān)測傳感器來檢測它們的沉積速率，然后，通過監(jiān)測傳感器獲得的沉積速率可以是用于在隨后的膜形成操作過程中的監(jiān)測操作的參考值。
[0166]圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機(jī)層沉積組件700的示意性透視圖。圖9是圖8的有機(jī)層沉積組件700的示意性側(cè)面剖視圖。圖10是圖8的有機(jī)層沉積組件700的示意性平面剖視圖。
[0167]參照圖8至圖10，有機(jī)層沉積組件700包括沉積源710、沉積源噴嘴單元720、屏蔽板組件(例如，阻擋組件或阻擋板組件)730以及圖案化縫隙片750。
[0168]沉積源710包括填充有沉積材料715的坩堝711和加熱器712，加熱器712加熱坩堝711，以使包括在坩堝711中的沉積材料715朝向沉積源噴嘴單元720蒸發(fā)。沉積源噴嘴單元720位于沉積源710的側(cè)面，多個沉積源噴嘴721沿X軸方向形成(或布置)在沉積源噴嘴單元720上。
[0169]屏蔽板組件730布置在(或位于)沉積源噴嘴單元720的側(cè)面。屏蔽板組件730包括多個屏蔽板(或阻擋板)731和位于屏蔽板731的外側(cè)上(例如，在屏蔽板731附近或圍繞屏蔽板731)的屏蔽板框架732。屏蔽板731可以被布置為沿X軸方向彼此平行。這里，屏蔽板731可以以規(guī)則的間距定位。另外，每個屏蔽板731可沿Y-Z平面延伸，并且可具有矩形形狀。以上述方式布置的屏蔽板731將沉積源噴嘴單元720和圖案化縫隙片750之間的空間限定(例如，分隔或分開)成多個沉積空間S，從而從一個沉積源噴嘴721排出(例如，噴射或排放)的沉積材料不與從其它沉積源噴嘴721排出(噴射或排放)的沉積材料混合，而是穿過圖案化縫隙751并然后沉積到基底2上(附著到傳送單元430)。即，每個屏蔽板731起到引導(dǎo)沉積材料的移動路徑的功能，從而從每個沉積源噴嘴721排出的沉積材料沿Z軸方向直線前進(jìn)而不擴(kuò)散(或基本不擴(kuò)散)。
[0170]如上所述，通過布置屏蔽板731，可以改善或?qū)崿F(xiàn)沉積材料的線性，從而可以使在基底2上形成的陰影的尺寸減小(例如，顯著減小)，因此有機(jī)層沉積組件700和基底2可以彼此分開特定的距離(例如，間隙)。
[0171]圖案化縫隙片750還定位在(或位于)沉積源710和基底2之間。圖案化縫隙片750還包括具有與窗口框架相似的形狀的框架755。另外，圖案化縫隙片750包括沿著X軸方向布置的多個圖案化縫隙751。在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料715穿過沉積源噴嘴單元720和圖案化縫隙片750并然后朝向作為沉積目標(biāo)的基底2移動。
[0172]圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機(jī)層沉積組件800的示意性透視圖。
[0173]參照圖11，有機(jī)層沉積組件800包括沉積源810、沉積源噴嘴單元820、第一屏蔽板組件(例如，第一阻擋板組件)830、第二屏蔽板組件(例如，第二阻擋板組件)840以及圖案化縫隙片850。這里，沉積源810、第一屏蔽板組件830以及圖案化縫隙片850的構(gòu)造與上面參照圖8描述的構(gòu)造相同(或基本相同)，因此，省略對它們的詳細(xì)描述。圖案化縫隙片850包括沿X軸方向布置的多個圖案化縫隙851。中間區(qū)域在每對相鄰的圖案化縫隙851之間。本實施例與前述實施例不同之處在于在第一屏蔽板組件830的一側(cè)布置有第二屏蔽板組件840。
[0174]更具體地說，第二屏蔽板組件840包括多個第二屏蔽板(例如，第二組擋板)841和位于第二屏蔽板841的外側(cè)上(例如，在第二屏蔽板841附近或圍繞第一屏蔽板841)的第二屏蔽板框架842。第二屏蔽板841可以沿X軸方向彼此平行地布置。另外，第二屏蔽板841可以以規(guī)則的間距布置。另外，第二屏蔽板841中的每個可以沿Y-Z平面延伸，即，可以與X軸方向垂直。
[0175]以上述方式布置的多個第一屏蔽板831和第二屏蔽板841限定(例如，分隔或分開)沉積源噴嘴單元820和圖案化縫隙片850之間的空間。即，本實施例的特征在于，由于第一屏蔽板831和第二屏蔽板841，所以對于噴射沉積材料的多個沉積源噴嘴821分別限定沉積空間。
[0176]這里，第一屏蔽板831和第二屏蔽板841可被布置為彼此對應(yīng)。換言之，第一屏蔽板831可與第二屏蔽板841分別對準(zhǔn)，因此可以彼此平行。即，彼此對應(yīng)的第一屏蔽板831和第二屏蔽板841可位于相同的平面(或基本相同的平面)上。參照圖11，每個第一屏蔽板831的寬度或厚度與每個第二屏蔽板841的X軸方向?qū)挾认嗟?或基本相同)，但是本發(fā)明的各方面不限于此。即，為了便于制造，與相鄰的圖案化縫隙851精確地(或準(zhǔn)確地)對準(zhǔn)的第二屏蔽板841可以相對薄，而未與相鄰的圖案化縫隙851精確地(或準(zhǔn)確地)對準(zhǔn)的第一屏蔽板831可以相對厚。
[0177]圖12是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機(jī)層沉積組件900的示意性透視圖。
[0178]參照圖12，有機(jī)層沉積組件900包括沉積源910、沉積源噴嘴單元920以及圖案化縫隙片950。
[0179]沉積源910包括填充有沉積材料915的坩堝911和加熱器912，加熱器912加熱坩堝911，以使包括在坩堝911中的沉積材料915朝向沉積源噴嘴單元920蒸發(fā)。沉積源噴嘴單元920位于沉積源910的側(cè)面，多個沉積源噴嘴921沿Y軸方向形成在(或布置在)沉積源噴嘴單元920上。另外，圖案化縫隙片950和框架955還位于或布置在沉積源910和基底2之間，多個圖案化縫隙951沿X軸方向形成在或布置在圖案化縫隙片950上。分隔件(或中間區(qū)域)位于每對相鄰的圖案化縫隙951之間。沉積源910和沉積源噴嘴單元920與圖案化縫隙片950通過利用連 接構(gòu)件935而結(jié)合。
[0180]本實施例與前述實施例不同之處在于一些沉積源噴嘴921被形成在或布置在沉積源噴嘴單元920處。在下文中，將該區(qū)別描述如下。[0181]沉積源噴嘴單元920位于沉積源910的側(cè)面以面對基底2。沉積源噴嘴921沿Y軸方向(即，沿基底2的掃描方向)被形成在或布置在沉積源噴嘴單元920上。這里，沉積源噴嘴921可以以規(guī)則的間距定位或布置。已經(jīng)在沉積源910中蒸發(fā)的沉積材料915穿過沉積源噴嘴單元920并然后朝作為沉積目標(biāo)的基底2移動。對于這方面，在有機(jī)層沉積組件900中，沉積源噴嘴921沿基底2的掃描方向形成或布置。在這方面中，如果沉積源噴嘴921沿X軸方向形成，則各個沉積源噴嘴921與各個圖案化縫隙951之間的距離會彼此不同，從而會由于已經(jīng)從遠(yuǎn)離對應(yīng)的圖案化縫隙951的沉積源噴嘴921排放的沉積材料而出現(xiàn)陰影。因此，在本實施例中，僅一個沉積源噴嘴921被形成為或布置為沿X軸方向，因此可減少(或顯著減少)陰影的出現(xiàn)。另外，由于沉積源921形成為沿基底2的掃描方向，所以在沉積源噴嘴121之間出現(xiàn)的流量的差異可以被補(bǔ)償，并且可使沉積均勻性保持恒定(或基本恒定)。
[0182]圖13是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的在有機(jī)層沉積設(shè)備I的圖案化縫隙片130中圖案化縫隙131以等間距布置的結(jié)構(gòu)的圖。圖14是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的利用圖13中的圖案化縫隙片130在基底2上形成的有機(jī)層的圖。
[0183]圖13和圖14示意性地示出了其中以等間距布置有圖案化縫隙131的圖案化縫隙片130。即，在圖13中，圖案化縫隙131滿足下面的條件山=12=13=14。
[0184]在本實施例中，沿著沉積空間S的中線C排放的沉積材料的入射角基本上垂直于基底2。因此，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131a的沉積材料形成的有機(jī)層P1具有最小尺寸的陰影(或尺寸減小了的陰影)，右側(cè)陰影SR1和左側(cè)陰影SL1形成為彼此對稱。
[0185]然而，穿過離沉積空間S的中線C設(shè)置得較遠(yuǎn)的圖案化縫隙的沉積材料的臨界入射角Θ逐漸增大，因此，在一個實施例中，穿過最外側(cè)圖案化縫隙131e的沉積材料的臨界入射角Θ為大約55°。因此，沉積材料以相對于圖案化縫隙131e傾斜的方式入射，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131e的沉積材料形成的有機(jī)層P5具有最大的陰影。例如，左側(cè)陰影SL5比右側(cè)陰影SR5大。
[0186]即，隨著沉積材料的臨界入射角Θ增大，陰影的尺寸也增大。例如，在距離沉積空間S的中線C較遠(yuǎn)的位置處的陰影的尺寸增大。另外，隨著沉積空間S的中線C與各圖案化縫隙之間的距離增加，沉積材料的臨界入射角Θ增大。因此，利用穿過設(shè)置為距離沉積空間S的中線C較遠(yuǎn)的圖案化縫隙的沉積材料形成的有機(jī)層具有相對較大的陰影尺寸。例如，在各有機(jī)層的兩側(cè)上的陰影中，距離沉積空間S的中線C較遠(yuǎn)的位置處的陰影的尺寸大于另一位置處的陰影的尺寸。
[0187]即，參照圖14，形成在沉積空間S的中線C的左側(cè)上的有機(jī)層具有左側(cè)斜邊(在頂側(cè)和底側(cè)之間的左側(cè)上的傾斜側(cè)壁)大于右側(cè)斜邊(在頂側(cè)和底側(cè)之間的右側(cè)上的傾斜側(cè)壁)的結(jié)構(gòu)，形成在沉積空間S的中線C的右側(cè)上的有機(jī)層具有右側(cè)斜邊(例如，右側(cè)傾斜側(cè)壁)大于左側(cè)斜邊(例如，左側(cè)傾斜側(cè)壁)的結(jié)構(gòu)。
[0188]另外，在形成在沉積空間S的中線C的左側(cè)上的有機(jī)層中，左側(cè)斜邊(例如，左側(cè)傾斜側(cè)壁)的長度朝向左側(cè)增加。在形成在沉積空間S的中線C的右側(cè)上的有機(jī)層中，右側(cè)斜邊(例如，右側(cè)傾斜側(cè)壁)的長度朝向右側(cè)增加。結(jié)果，形成在沉積空間S中的有機(jī)層可以形成為關(guān)于沉積空間S的中線C彼此對稱。
[0189]現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述這種結(jié)構(gòu)。
[0190]穿過圖案化縫隙131b的沉積材料以臨界入射角Θ b穿過圖案化縫隙131b，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131b的沉積材料形成的有機(jī)層P2具有尺寸為SL2的左側(cè)陰影。類似地，穿過圖案化縫隙131c的沉積材料以臨界入射角Θ。穿過圖案化縫隙131c，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131c的沉積材料形成的有機(jī)層P3具有尺寸為SL3的左側(cè)陰影。類似地，穿過圖案化縫隙131d的沉積材料以臨界入射角Θ d穿過圖案化縫隙131d，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131d的沉積材料形成的有機(jī)層P4具有尺寸為SL4的左側(cè)陰影。類似地，穿過圖案化縫隙131e的沉積材料以臨界入射角Θ ^穿過圖案化縫隙131e，利用已經(jīng)穿過圖案化縫隙131e的沉積材料形成的有機(jī)層P5具有尺寸為SL5的左側(cè)陰影。
[0191]關(guān)于這一點，臨界入射角滿足下面的條件:Θ b〈 Θ?！?Θ d〈 Θ e，因此，有機(jī)層的陰影尺寸也滿足下面的條件AL^SI^SLySLZSLp
[0192]圖15是根據(jù)本發(fā)明實施例的利用有機(jī)層沉積設(shè)備I制造的有源矩陣型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。
[0193]參照圖15，根據(jù)當(dāng)前實施例的有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置10形成在基底50上。基底50可以由諸如玻璃、塑料或金屬的透明材料形成。在基底50的整個表面上形成諸如緩沖層的絕緣層51。在其它實施例中，可以省略絕緣層51。
[0194]如圖15中所示，在絕緣層51上形成薄膜晶體管(TFT)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
[0195]以設(shè)定或預(yù)定圖案在絕緣層51的上表面上形成半導(dǎo)體有源層52。柵極絕緣層53形成為覆蓋半導(dǎo)體有源層52。半導(dǎo)體有源層52可以包含P型或η型半導(dǎo)體材料。
[0196]TFT的柵電極54形成在柵極絕緣層53的對應(yīng)于半導(dǎo)體有源層52的區(qū)域中。層間絕緣層55形成為覆蓋柵電極54。通過例如干蝕刻來蝕刻層間絕緣層55和柵極絕緣層53，以形成分別暴露半導(dǎo)體有源層52的部分的接觸孔。
[0197]源電極56和漏電極57形成在層間絕緣層55上，以通過各個接觸孔接觸半導(dǎo)體有源層52。鈍化層58形成為覆蓋源電極56和漏電極57，并且被蝕刻以暴露源電極56和漏電極57中的一個的一部分。絕緣層59還可以形成在鈍化層58上，以使鈍化層58平坦化。
[0198]另外，OLED通過根據(jù)電流發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光來顯示圖像信息(例如，設(shè)定或預(yù)定的圖像信息)。OLED包括設(shè)置在絕緣層59上的第一電極61。第一電極61電連接到TFT40的被暴露的源電極56和漏電極57中的一個。
[0199]像素限定層60形成為覆蓋第一電極61。在像素限定層60中形成開口，包括發(fā)射層(EML)的有機(jī)層62形成在由所述開口限定的區(qū)域中。第二電極63形成在有機(jī)層62上。
[0200]限定各個像素的像素限定層60可以由有機(jī)材料形成。像素限定層60還將基底50的形成有第一電極61的區(qū)域的表面平坦化，具體地，像素限定層60將絕緣層59的表面平坦化。
[0201]第一電極61和第二電極63彼此絕緣,并且分別對有機(jī)層62施加相反極性的電壓來誘導(dǎo)發(fā)光。
[0202]包括EML的有機(jī)層62可以由低分子量有機(jī)材料或聞分子量有機(jī)材料形成。當(dāng)使用低分子量有機(jī)材料時，有機(jī)層62可以具有包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、EML、電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)的單層或多層結(jié)構(gòu)。在有機(jī)層63形成為多層結(jié)構(gòu)的情況下，該多層結(jié)構(gòu)中的層可以具有不均勻的厚度。可以使用的有機(jī)材料的非限制性示例可以包括銅酞菁(CuPc)、N，N' -二(1-萘基)_N，N' - 二苯基聯(lián)苯胺(NPB)和三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)。[0203]可以利用圖1至圖14中示出的有機(jī)層沉積設(shè)備I的任何合適的實施例或利用本發(fā)明的原理的其它合適的有機(jī)層沉積設(shè)備來形成包括EML的有機(jī)層62。例如，將包括排放沉積材料的沉積源、設(shè)置在沉積源的側(cè)面并且包括形成在其中的多個沉積源噴嘴的沉積源噴嘴單元以及面對沉積源噴嘴單元并且包括形成在其中的多個圖案化縫隙的圖案化縫隙片的有機(jī)層沉積設(shè)備設(shè)置為與其上將沉積沉積材料的基底分隔開設(shè)定或預(yù)定距離。另外，在有機(jī)層沉積設(shè)備I (例如，參照圖1)和基底2 (例如，參照圖1)相對于彼此移動的同時，從有機(jī)層沉積設(shè)備I排放的沉積材料沉積在基底2上。
[0204]在形成有機(jī)層62之后，可以通過與用來形成有機(jī)層62的沉積方法相同的沉積方法形成第二電極63。
[0205]第一電極61可以用作陽極，第二電極63可以用作陰極?？蛇x地，第一電極61可以用作陰極，第二電極63可以用作陽極。第一電極61可以被圖案化以對應(yīng)于各像素區(qū)域，第二電極63可以形成為覆蓋所有像素。
[0206]第一電極61可以形成為透明電極或反射電極。這種透明電極可以由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)形成?？梢酝ㄟ^由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或它們的混合物形成反射層并且在反射層上由ΙΤΟ、ΙΖ0,ZnO或In2O3形成層來形成這種反射電極?？梢酝ㄟ^例如濺射形成層然后通過例如光刻將所述層圖案化來形成第一電極61。 [0207]第二電極63也可以形成為透明電極或反射電極。當(dāng)?shù)诙姌O63形成為透明電極時，第二電極63可以用作陰極。為此，可以通過在有機(jī)層62的表面上沉積具有低功函數(shù)的諸如鋰(1^)、鈣(0&)、氟化鋰/鈣(1^?八^)、氟化鋰/鋁(1^?/^1)、鋁(41)、銀(48)、鎂(1%)或它們的混合物的金屬并在其上由ΙΤΟ、ΙΖ0, ZnO或In2O3等形成輔助電極層或匯流電極線來形成這種透明電極。當(dāng)?shù)诙姌O63形成為反射電極時，可以通過在有機(jī)層62的整個表面上沉積L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的混合物來形成反射層?？梢岳门c上面描述的用來形成有機(jī)層62的沉積方法相同的沉積方法來形成第二電極63。
[0208]上面描述的根據(jù)本發(fā)明實施例的有機(jī)層沉積設(shè)備可以應(yīng)用于形成有機(jī)TFT的無機(jī)層或有機(jī)層，并且用來形成由各種合適的材料形成的層。
[0209]根據(jù)本發(fā)明的一個或多個實施例能夠?qū)崿F(xiàn)適用于在大基底的批量生產(chǎn)中使用的有機(jī)層沉積設(shè)備。本發(fā)明的實施例使高分辨率地圖案化成為可能。另外根據(jù)本發(fā)明的實施例提供了一種通過利用該有機(jī)層沉積設(shè)備制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法以及利用所述方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。
[0210]雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)層沉積設(shè)備，所述有機(jī)層沉積設(shè)備包括: 輸送器單元，包括用于附著基底并且被構(gòu)造為與所述基底一起移動的傳送單元、用于將附著有基底的傳送單元沿著第一方向移動的第一輸送器單元和用于在已經(jīng)完成沉積之后將與基底分開的傳送單兀沿著與第一方向相反的方向移動的第二輸送器單兀；以及 沉積單元，包括被構(gòu)造成保持在真空狀態(tài)下的室以及用于將有機(jī)層沉積在附著于傳送單元的基底上的有機(jī)層沉積組件， 其中，有機(jī)層沉積組件包括: 沉積源，用于排放沉積材料； 沉積源噴嘴單元，在沉積源的一側(cè)并包括多個沉積源噴嘴； 圖案化縫隙片，面對沉積源噴嘴單元并包括沿第一方向布置的多個圖案化縫隙；以及 沉積源快門，能夠沿第一方向移動并被構(gòu)造為選擇性地阻擋在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料， 其中，傳送單元被構(gòu)造為在第一輸送器單元和第二輸送器單元之間移動，并被構(gòu)造為使附著的基底在被第一輸送器單元傳送的同時與有機(jī)層沉積組件分隔開。
2.如權(quán)利要求1所述的 有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，有機(jī)層沉積組件還包括角度限定板，角度限定板在沉積源的一側(cè)以引導(dǎo)在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的流路徑。
3.如權(quán)利要求2所述的 有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，角度限定板圍繞沉積源的一部分。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，沉積源快門包括具有平板形狀的第一沉積源快門和第二沉積源快門，沉積源由于第一沉積源快門和第二沉積源快門的移動而打開或關(guān)閉。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，沉積源快門包括第一沉積源快門和第二沉積源快門，并且 其中，第一沉積源快門和第二沉積源快門中的每個包括平板部分和從平板部分彎曲的傾斜部分。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，槽在傾斜部分的一端并對應(yīng)于所述多個沉積源噴嘴中的一個。
7.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，傾斜部分被構(gòu)造為引導(dǎo)在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的流路徑。
8.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，沉積源由于第一沉積源快門和第二沉積源快門的移動而打開或關(guān)閉。
9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，所述有機(jī)層沉積設(shè)備還包括控制傳感器，控制傳感器在沉積源的一側(cè)，以測量在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的沉積速率。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，控制傳感器被構(gòu)造為在傳送單元與基底一起移動的同時測量沉積材料的沉積速率,并且 其中，利用沉積速率來控制在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的蒸發(fā)量。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，控制由控制傳感器測量的沉積源的沉積速率，從而以目標(biāo)厚度在基底上沉積沉積材料。
12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第一輸送器單元和第二輸送器單元穿過沉積單元。
13.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第一輸送器單元和第二輸送器單元平行地布置在彼此上方。
14.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，所述有機(jī)層沉積設(shè)備還包括: 加載單元，用于將基底附著到傳送單元；以及 卸載單元，用于將在穿過沉積單元的同時已經(jīng)對其完成了沉積的基底與傳送單元分開。
15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第一輸送器單元被構(gòu)造為將傳送單元順序地傳遞至加載單元、沉積單元和卸載單元。
16.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，第二輸送器單元被構(gòu)造為將傳送單元順序地傳遞至卸載單元、沉積單元和加載單元。
17.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，有機(jī)層沉積組件被構(gòu)造為使得從沉積源排放的沉積材料穿過圖案化縫隙片，并隨后被沉積在基底上，同時沉積材料在基底上形成圖案。
18.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片在第一方向或與第一方向垂直的第二方向中的至少一個中比基底小。
19.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，沉積源噴嘴單元的所述多個沉積源噴嘴沿第一方向布置， 其中，圖案化縫隙片的所述多個圖案化縫隙沿第一方向布置，并且 其中，有機(jī)層沉積 設(shè)備還包括屏蔽板組件，屏蔽板組件包括多個屏蔽板，所述多個屏蔽板在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間沿第一方向布置，并且所述多個屏蔽板將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間分隔為多個沉積空間。
20.如權(quán)利要求19所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，所述多個屏蔽板中的每個沿與第一方向基本垂直的第二方向延伸。
21.如權(quán)利要求19所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，屏蔽板組件包括具有多個第一屏蔽板的第一屏蔽板組件和具有多個第二屏蔽板的第二屏蔽板組件。
22.如權(quán)利要求21所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，所述多個第一屏蔽板中的每個以及所述多個第二屏蔽板中的每個沿與第一方向基本垂直的第二方向布置，并將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間分隔為所述多個沉積空間。
23.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，沉積源噴嘴單元的所述多個沉積源噴嘴沿第一方向布置，并且 其中，圖案化縫隙片的所述多個圖案化縫隙沿與第一方向垂直的第二方向布置。
24.如權(quán)利要求23所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，沉積源和沉積源噴嘴單元以及圖案化縫隙片通過使用連接構(gòu)件一體地結(jié)合。
25.如權(quán)利要求24所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，連接構(gòu)件被構(gòu)造為引導(dǎo)沉積材料的流路徑。
26.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)層沉積設(shè)備，其中，連接構(gòu)件使沉積源、沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間與外部密封。
27.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括下述步驟: 通過利用穿過室的第一輸送器單元將附著有基底的傳送單元移動到所述室中；在所述室中的多個有機(jī)層沉積組件與基底彼此分隔開的情況下，在基底關(guān)于有機(jī)層沉積組件相對移動的同時，通過在基底上沉積從有機(jī)層沉積組件排放的沉積材料形成有機(jī)層； 通過使用穿過所述室的第二輸送器單元使與基底分開的傳送單元移動， 其中，有機(jī)層沉積組件中的每個包括: 沉積源，用于排放沉積材料； 沉積源噴嘴單元，在沉積源的一側(cè)并包括多個沉積源噴嘴； 圖案化縫隙片，面對沉積源噴嘴單元并包括多個圖案化縫隙；以及 沉積源快門，能夠沿第一方向移動并被構(gòu)造為選擇性地阻擋在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料，并且 其中，沉積沉積材料的步驟包括利用沉積源快門通過順序地打開或關(guān)閉多個沉積源來測量所述多個沉積源中的每個沉積源的沉積速率。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，每個有機(jī)層沉積組件還包括位于沉積源的一側(cè)的角度限定板，以引導(dǎo)在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的流路徑。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中，沉積源快門包括具有平板形狀的第一沉積源快門和第二沉積源快門，所述多個沉積源由于第一沉積源快門和第二沉積源快門的移動而打開或關(guān)閉。
30.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，沉積源快門包括第一沉積源快門和第二沉積源快門，并且 其中，第一沉積源快門和第二沉積源快門中的每個包括平板部分和從平板部分彎曲的傾斜部分。
31.如權(quán)利要求30所述的方法，其中，槽位于傾斜部分的一端并對應(yīng)于所述多個沉積源噴嘴中的一個。
32.如權(quán)利要求30所述的方法，其中，傾斜部分被構(gòu)造為引導(dǎo)在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的流路徑。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，其中，所述多個沉積源由于第一沉積源快門和第二沉積源快門的移動而打開或關(guān)閉。
34.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述有機(jī)層沉積設(shè)備還包括控制傳感器，控制傳感器在沉積源的一側(cè)，以測量在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的沉積速率。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，其中，在傳送單元與基底一起移動的同時通過控制傳感器來測量沉積材料的沉積速率，并且 其中，通過利用沉積速率來控制在沉積源中蒸發(fā)的沉積材料的蒸發(fā)量。
36.如權(quán)利要求27所述的方法，所述方法還包括下述步驟: 在利用第一輸送器單元移動傳送單元之前，利用加載單元將基底附著到傳送單元；以及 在利用第二輸送器單元移動傳送單元之前，在基底上已經(jīng)完成沉積之后利用卸載單元將基底與傳送單元分開。
37.如權(quán)利要求27所述的方法,其中，傳送單兀被構(gòu)造為在第一輸送器單兀和第二輸送器單元之間移動。
38.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，第一輸送器單元和第二輸送器單元平行地布置在彼此上方。
39.如權(quán)利要求27所述的方法，其中，有機(jī)層沉積組件的圖案化縫隙片在第一方向或第二方向中的至少一個中比基底小。
40.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括: 基底； 多個薄膜晶體管，在基底上，每個薄膜晶體管包括半導(dǎo)體有源層、與半導(dǎo)體有源層絕緣的柵電極以及均接觸半導(dǎo)體有源層的源電極和漏電極； 多個像素電極，分別在薄膜晶體管上； 多個有機(jī)層，分別在所述多個像素電極上；以及 對電極，在所述多個有機(jī)層上， 其中，基底上的所述多個有機(jī)層的離沉積區(qū)域的中心更遠(yuǎn)的至少一個有機(jī)層的頂側(cè)和底側(cè)之間的傾斜側(cè)壁的長度大于分別在離沉積區(qū)域的中心更近的其它有機(jī)層的頂側(cè)和底側(cè)之間的傾斜側(cè)壁的長度，并且 其中，在基底上的所述多個有機(jī)層的至少一個是利用權(quán)利要求1的有機(jī)層沉積設(shè)備形成的線性圖案化的有機(jī)層。
41.如權(quán)利要求40所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個有機(jī)層包括至少一個發(fā)射層。
42.如權(quán)利要求40所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，所述多個有機(jī)層具有不均勻的厚度。
43.如權(quán)利要求40所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，在有機(jī)層中的離沉積區(qū)域的中心更遠(yuǎn)的每個有機(jī)層中，離沉積區(qū)域的中心更遠(yuǎn)的傾斜側(cè)壁比其它的傾斜側(cè)壁大。
44.如權(quán)利要求40所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，沉積區(qū)域中的所述多個有機(jī)層之中的有機(jī)層離沉積區(qū)域的中心越遠(yuǎn)，所述多個有機(jī)層中的該有機(jī)層的兩側(cè)的疊置區(qū)域形成地越窄。
45.如權(quán)利要求40所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，位于在沉積區(qū)域的中心的有機(jī)層的傾斜側(cè)壁具有彼此基本相同的長度。
46.如權(quán)利要求40所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，沉積區(qū)域中的所述多個有機(jī)層關(guān)于沉積區(qū)域的中心對稱地布置。
47.如權(quán)利要求40所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中，基底的尺寸為40英寸或更大。
【文檔編號】H01L51/56GK103540896SQ201310301733
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年7月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月16日
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