技術(shù)特征：
1.一種終端保護(hù)環(huán)，其特征在于，包括至少一組位于半導(dǎo)體襯底的復(fù)合場限環(huán)；所述每組復(fù)合場限環(huán)包括至少一個N型場限環(huán)和至少一個P型場限環(huán)，且每個所述P型場限環(huán)至少有一側(cè)連接一個所述N型場限環(huán)形成PN結(jié)；所述N型場限環(huán)的深度大于與所述N型場限環(huán)連接的所述P型場限環(huán)的深度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終端保護(hù)環(huán)，其特征在于，所述N型場限環(huán)對稱分布于所述P型場限環(huán)的兩側(cè)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終端保護(hù)環(huán)，其特征在于，所述N型場限環(huán)分布于所述P型場限環(huán)低電勢的一側(cè)。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的終端保護(hù)環(huán)，其特征在于，所述N型場限環(huán)的摻雜元素為磷。5.一種制造終端保護(hù)環(huán)的方法，其特征在于，包括以下步驟：提供半導(dǎo)體襯底；生成至少一組位于半導(dǎo)體襯底的復(fù)合場限環(huán)，其中所述每組復(fù)合場限環(huán)包括至少一個N型場限環(huán)和至少一個P型場限環(huán)，且每個所述P型場限環(huán)至少有一側(cè)連接一個所述N型場限環(huán)形成PN結(jié)，且所述N型場限環(huán)的深度大于與所述N型場限環(huán)連接的所述P型場限環(huán)的深度。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造終端保護(hù)環(huán)的方法，其特征在于，所述生成至少一組復(fù)合場限環(huán)的步驟還包括下列子步驟：使用光刻工藝定義注入?yún)^(qū)域；注入摻雜元素；通過退火工藝控制所述N型場限環(huán)或P型場限環(huán)的深度。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造終端保護(hù)環(huán)的方法，其特征在于，在所述使用光刻工藝定義注入?yún)^(qū)域的步驟中，對于所述N型場限環(huán)對稱分布于所述P型場限環(huán)的兩側(cè)的所述復(fù)合場限環(huán)，使用相同的光刻圖形。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造終端保護(hù)環(huán)的方法，其特征在于，在所述注入摻雜元素的步驟中，所述摻雜元素的注入角度為0度角，或者所述摻雜元素的注入角度在30度到60度之間。9.根據(jù)權(quán)利要求5至8中任一項(xiàng)所述的制造終端保護(hù)環(huán)的方法，其特征在于，所述N型場限環(huán)的摻雜元素為磷。