有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法
【專利摘要】公開(kāi)了一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法，其中所述有機(jī)發(fā)光器件減小了厚度，也減小了曲率半徑，以便實(shí)現(xiàn)柔性器件，所述有機(jī)發(fā)光器件包括：具有第一多層的第一元件，該第一多層包括沉積在第一基板表面上的薄膜晶體管層、沉積在薄膜晶體管層上的發(fā)光元件層、和沉積在發(fā)光元件層上的鈍化層；具有第二多層的第二元件，該第二多層沉積在第二基板的表面上，而不需使用粘著劑；和在第一元件和第二元件之間的粘著層，該粘著層將第一元件和第二元件耦合到一起。
【專利說(shuō)明】有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求2012年10月31日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2012-0122329的權(quán)益，在此通過(guò)參考將其并入本文，就如在此全部列出一樣。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本文的實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光器件，更具體地，涉及一種具有觸摸傳感器的有機(jī)發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0004]在各種平板顯示器件當(dāng)中，直到目前廣泛采用液晶顯示(IXD)器件。但是，IXD器件不可避免地需要背光單元，并且在亮度和對(duì)比度方面也顯示出不足。與IXD器件相比，有機(jī)發(fā)光器件能自身發(fā)光，即有機(jī)發(fā)光器件不需要另外的背光單元，并獲得相對(duì)較好的亮度和對(duì)比度。由此，對(duì)于有機(jī)發(fā)光器件的興趣逐漸增加。
[0005]有機(jī)發(fā)光器件可包括用于注入電子的陰極、用于注入空穴的陽(yáng)極、和提供在陰極和陽(yáng)極之間的發(fā)光層。這種情況下，在陰極產(chǎn)生的電子和在陽(yáng)極產(chǎn)生的空穴被注入到發(fā)光層內(nèi)部，并且被注入的電子和空穴組合以產(chǎn)生激子。當(dāng)產(chǎn)生的激子從激發(fā)態(tài)回落到基態(tài)時(shí)，出現(xiàn)發(fā)光狀態(tài)，從而在有機(jī)發(fā)光器件上顯示圖像。
[0006]通常，有機(jī)發(fā)光器件使用輸入裝置，例如鼠標(biāo)或者鍵盤(pán)。但是，當(dāng)有機(jī)發(fā)光器件應(yīng)用于諸如導(dǎo)航、移動(dòng)電話或者PDA產(chǎn)品時(shí)，普遍使用觸摸傳感器，其允許用戶用手指、筆等直接接觸屏幕來(lái)輸入信息。
[0007]以下，將參考附圖描述具有觸摸傳感器的現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)發(fā)光器件。
[0008]圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)發(fā)光器件的截面圖。
[0009]如圖1中所示，現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)發(fā)光器件可包括下基板10、元件層20、阻擋層30、偏振膜40、觸摸傳感器50、上基板60和粘著層70。
[0010]下基板10—般由玻璃形成。但是，為了實(shí)現(xiàn)能夠彎曲或者變彎的柔性有機(jī)發(fā)光器件，下基板10可由透明塑膠材料形成。
[0011]元件層20形成在下基板10上，其中元件層20對(duì)應(yīng)于執(zhí)行顯示圖像的有機(jī)發(fā)光器件的主要功能的層。元件層20可包括薄膜晶體管和發(fā)光元件。
[0012]阻擋層30形成在元件層20上，其中阻擋層30防止外部的水或濕氣滲入到元件層20中。
[0013]偏振膜40形成在阻擋層30上，其中偏振膜40防止外部光反射。即，當(dāng)外部光入射到上基板60上，之后被提供到有機(jī)發(fā)光器件內(nèi)部時(shí)，光會(huì)反射到形成于元件層20內(nèi)部的多個(gè)電極或多條線上，這會(huì)引起觀眾不便于觀看圖像。若將偏振膜40應(yīng)用到有機(jī)發(fā)光器件，可以防止外部光反射。執(zhí)行該功能的偏振膜40 —般可由圓偏振板形成。
[0014]觸摸傳感器50形成在偏振膜40上。觸摸傳感器50可包括用于感應(yīng)X軸方向上觸摸位置的第一觸摸傳感器50a、和用于感應(yīng)Y軸方向上觸摸位置的第二觸摸傳感器50b。第一觸摸傳感器50a和第二觸摸傳感器50b中的每一個(gè)都包括在基膜上提供有預(yù)定圖案的觸摸電極。
[0015]被提供在有機(jī)發(fā)光器件最上部表面中的上基板60保護(hù)有機(jī)發(fā)光器件。
[0016]粘著層70可包括第一粘著層70a、第二粘著層70b、第三粘著層70c和第四粘著層70d。首先，使用第一粘著層70a將偏振膜40粘附到阻擋層30，使用第二粘著層70b將第一觸摸傳感器50a粘附到偏振膜40，使用第三粘著層70c將第二觸摸傳感器50b粘附到第一觸摸傳感器50a，使用第四粘著層70d將上基板60粘附到第二觸摸傳感器50b。S卩，由于在單獨(dú)的單元中制造偏振膜40、第一觸摸傳感器50a、第二觸摸傳感器50b和上基板60，因此不可避免地需要使用額外的粘著劑將上述單獨(dú)制造的部件組合到一起的粘附工藝。
[0017]但是，現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)發(fā)光器件具有以下不足。
[0018]如上所述，現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)發(fā)光器件包括多個(gè)單獨(dú)制作的部件，因此也需要多個(gè)粘著層，例如第一粘著層70a、第二粘著層70b、第三粘著層70c和第四粘著層70d。
[0019]隨著粘著層數(shù)目增加，有機(jī)發(fā)光器件的厚度也增加，由此難以實(shí)現(xiàn)薄型的有機(jī)發(fā)光器件。由于有機(jī)發(fā)光器件的厚度增加，因此有機(jī)發(fā)光器件的曲率半徑增加，從而難以實(shí)現(xiàn)能夠容易彎曲或者變彎的柔性有機(jī)發(fā)光器件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]因此，本文的實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法，其基本避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和不足導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
[0021]本文的實(shí)施例一方面旨在提供一種最小化粘著層數(shù)目的有機(jī)發(fā)光器件及其制造方法。
[0022]在下文的描述中將部分列出本發(fā)明的實(shí)施例的其他優(yōu)勢(shì)和特征，且一旦查閱了下文，這些優(yōu)勢(shì)和特征的一部分對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見(jiàn)的，或者可通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例獲知。通過(guò)所撰寫(xiě)的說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，可認(rèn)識(shí)到或者獲得本發(fā)明實(shí)施例的目的和其他優(yōu)勢(shì)。
[0023]為了實(shí)現(xiàn)這些和其他優(yōu)勢(shì)并且根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的目的，如本文所體現(xiàn)并廣泛描述的，提供了一種有機(jī)發(fā)光器件，其包括:具有第一多層的第一元件，第一多層包括沉積在第一基板表面上的薄膜晶體管層、沉積在薄膜晶體管層上的發(fā)光元件層、和沉積在發(fā)光元件層上的鈍化層；具有第二多層的第二元件，第二多層沉積在第二基板表面上，而不使用粘著劑；和在第一元件和第二元件之間的粘著層，該粘著層將第一元件和第二元件耦合在一起。
[0024]在本文實(shí)施例的另一方面，提供了一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，其包括:形成具有第一多層的第一元件，第一多層包括沉積在第一基板表面上的薄膜晶體管層、沉積在薄膜晶體管層上的發(fā)光元件層、和沉積在發(fā)光元件層上的鈍化層；形成具有第二多層的第二元件，第二多層沉積在第二基板表面上，而不使用粘著劑；和在第一元件和第二元件之間形成粘著層，該粘著層將第一元件和第二元件稱合到一起。
[0025]應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明前面的一般描述和下文的具體描述都是示范性和說(shuō)明性的，意在提供如所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0026]給本發(fā)明提供進(jìn)一步理解并組成說(shuō)明書(shū)一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實(shí)施例，并與說(shuō)明書(shū)一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0027]圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)有機(jī)發(fā)光器件的截面圖；
[0028]圖2是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的截面圖；
[0029]圖3A是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的觸摸傳感器的平面圖，圖3B是沿著圖3A的1_1的截面圖；
[0030]圖4示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例確定粘著層的厚度以防止在有機(jī)發(fā)光器件中各個(gè)相鄰像素之間的光泄露的方法；
[0031]圖5是示出根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的截面圖；和
[0032]圖6A至6E是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光器件的方法的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]現(xiàn)在將具體參考本發(fā)明的示范實(shí)施例，附圖圖解了這些實(shí)施例的一些例子。只要可能，相同參考數(shù)字在全部附圖中用于表示相同或相似部件。
[0034]在解釋本文實(shí)施例時(shí)，當(dāng)提及第一元件位于第二結(jié)構(gòu)“上”時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解為第一和第二元件彼此接觸，或者第三元件插入在第一和第二元件之間。
[0035]而且，術(shù)語(yǔ)“沉積”指的是形成膜層而不使用額外的粘著劑，例如，通過(guò)諸如CVD(化學(xué)氣相沉積)或者PVD (物理氣相沉積)的氣相沉積方法或者通過(guò)涂覆溶液來(lái)形成膜層。
[0036]以下，將參考附圖詳細(xì)描述實(shí)施例。
[0037]圖2是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的截面圖。
[0038]如圖2中所示，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件可包括下元件101、上元件201和用于粘附下元件101和上元件201的粘著層300。
[0039]下元件101可包括下基板100、下阻擋層110、薄膜晶體管層120、發(fā)光元件層130、鈍化層140和下表面加強(qiáng)層150。
[0040]下基板100可由能夠彎曲或變彎的透明塑膠材料，例如聚酰亞胺形成，但是不限于該材料。例如，下基板100可由玻璃形成。如果下基板100由聚酰亞胺形成，則考慮到在下基板100上的高溫沉積工藝，優(yōu)選使用能夠承受高溫的耐熱聚酰亞胺。
[0041]下阻擋層110沉積在下基板100的一個(gè)表面上，更具體地，沉積在面對(duì)粘著層300的下基板100上表面上。下阻擋層110防止外部的水或濕氣滲入到發(fā)光元件層130中，也防止下基板100中包含的元素?cái)U(kuò)散向薄膜晶體管層120。下阻擋層110可由通過(guò)CVD (化學(xué)氣相沉積)沉積的氧化硅或者氮化硅形成。
[0042]薄膜晶體管層120沉積在下阻擋層110上。薄膜晶體管層120可包括多條線，例如柵極線、數(shù)據(jù)線和電源線，以及與多條線連接的開(kāi)關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管。而且，可通過(guò)組合線和薄膜晶體管的電極來(lái)形成電容?？蓪?gòu)成薄膜晶體管層120的上述線和薄膜晶體管變成本領(lǐng)域人員普遍公知的各種類型。
[0043]發(fā)光元件層130沉積在薄膜晶體管層120上。發(fā)光元件層130可包括堤岸層131、下電極132、有機(jī)發(fā)光層133和上電極134。
[0044]堤岸層131沉積在薄膜晶體管層120上，具體地，沉積在除了像素區(qū)之外的其余區(qū)域上。即，用于顯示圖像的像素區(qū)被堤岸層131包圍。堤岸層131由有機(jī)絕緣材料，例如聚酰亞胺、光丙烯或者苯并環(huán)丁烯(BCB)形成，但是不限于這些材料。
[0045]下電極132沉積在薄膜晶體管層120上，具體地，沉積在由堤岸層131包圍的像素區(qū)上。即，下電極132具有分別位于多個(gè)像素區(qū)中且彼此絕緣的多個(gè)圖案。下電極132與提供在薄膜晶體管層120中的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管電連接。
[0046]有機(jī)發(fā)光層133沉積在下電極132上?？赏ㄟ^(guò)順序沉積空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層形成有機(jī)發(fā)光層133。這種情況下，可以省略除了發(fā)光層之外的空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層當(dāng)中的一層或多層?？梢砸勒毡绢I(lǐng)域人員普遍公知的多種方式改變有機(jī)發(fā)光層133中包含的上述多個(gè)層的沉積結(jié)構(gòu)。由于有機(jī)發(fā)光器件可包括下文描述的另外的濾色層，因此不需要在每個(gè)像素中發(fā)出彩色光(color light)，從而可將提供在每個(gè)像素中的有機(jī)發(fā)光層133配置成發(fā)出白色光，但不是必須的。可將有機(jī)發(fā)光層133配置成在相應(yīng)像素中單獨(dú)發(fā)出紅色光、綠色光和藍(lán)色光?？梢砸勒毡绢I(lǐng)域人員普遍公知的多種方式改變有機(jī)發(fā)光層133的結(jié)構(gòu)和材料。
[0047]上電極134沉積在有機(jī)發(fā)光層133上。上電極134可用作公共電極，由此上電極134可形成在堤岸層131以及有機(jī)發(fā)光層133上。
[0048]鈍化層140沉積在發(fā)光元件層130上，更具體地，沉積在上電極134上，其中鈍化層140保護(hù)發(fā)光元件層130。
[0049]下表面加強(qiáng)層150形成在下基板100的另一表面上，更具體地，形成在下基板100的下表面上。下表面加強(qiáng)層150用于提高最終制造的產(chǎn)品的機(jī)械性能?？赏ㄟ^(guò)涂覆工藝將下表面加強(qiáng)層150沉積在下基板100的另一表面上，或者可將下表面加強(qiáng)層150形成為粘附到下基板100另一表面的膜型。為了將粘附工藝減到最少，優(yōu)選通過(guò)涂覆工藝將下表面加強(qiáng)層150沉積到下基板100的另一表面上。為了最小化有機(jī)發(fā)光器件的厚度，可以省略下表面增強(qiáng)層150。
[0050]如上所述，構(gòu)成下元件101的下阻擋層110、薄膜晶體管層120、發(fā)光元件層130和鈍化層140可以全部順序沉積在下基板100的一個(gè)表面上，而不需使用額外的粘著層。由此，可以防止下元件101變厚，也簡(jiǎn)化了制造工藝。
[0051]上元件201可包括上基板200、上阻擋層210、觸摸傳感器220、光屏蔽層230、濾色層240和防反射層250。
[0052]上基板200可由能夠彎曲或變彎的透明塑膠材料，例如聚酰亞胺形成，但是不限于這種材料。例如，上基板200可由玻璃形成。
[0053]上阻擋層210沉積在上基板200的一個(gè)表面上，更具體地，沉積在面對(duì)粘著層300的上基板200下表面上。與前述的下阻擋層110相似，上阻擋層210防止外部的水或濕氣滲入到有機(jī)發(fā)光器件中，并且也防止上基板200中包含的元素?cái)U(kuò)散向觸摸傳感器220。上阻擋層210可由氧化硅或氮化硅形成。
[0054]觸摸傳感器220沉積在上阻擋層210上。在現(xiàn)有技術(shù)的情況下，通過(guò)在玻璃或者塑膠基板制成的額外基底上，形成具有預(yù)定圖案的觸摸電極來(lái)制造觸摸傳感器。由此，通過(guò)使用粘著劑，將作為單獨(dú)制造的部件的現(xiàn)有技術(shù)觸摸傳感器粘附到有機(jī)發(fā)光器件的另一部件。但是，在本發(fā)明的情況下，通過(guò)在用作基底的上阻擋層210上，沉積具有預(yù)定圖案的觸摸電極來(lái)制造觸摸傳感器220，而不需使用額外的玻璃或塑膠基板。根據(jù)本文的實(shí)施例，不需要另外的粘著劑以形成觸摸傳感器220，從而可以防止有機(jī)發(fā)光器件厚度增加，也能簡(jiǎn)化制造工藝。
[0055]觸摸傳感器220包括沉積在上阻擋層210上的觸摸電極。在本文的實(shí)施例中，用于感應(yīng)X軸方向上觸摸位置的第一接觸電極和用于感應(yīng)Y軸方向上觸摸位置的第二觸摸電極可形成在相同層中。
[0056]圖3A和3B不出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的觸摸傳感器220,其中第一觸摸電極和第二觸摸電極形成在相同層中。圖3A是觸摸傳感器的平面圖，圖3B是沿著圖3A的1-1的截面圖。
[0057]如圖3A中所不,根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的觸摸傳感器220可包括第一觸摸電極221、第二觸摸電極223和橋接電極301。
[0058]可以在水平和垂直方向上以固定間隔提供多個(gè)第一觸摸電極221。如圖中所示，第一觸摸電極221可形成為鉆石狀，但是不限于該形狀。而且，在垂直方向上以固定間隔提供的相鄰兩個(gè)第一觸摸電極221通過(guò)橋接電極301彼此電連接。根據(jù)第一觸摸電極221和橋接電極301的連接，可以獲得垂直方向上多個(gè)第一觸摸電極221的電連接。這種情況下，橋接電極301防止了第一觸摸電極221和第二觸摸電極223之間的短路，并且在垂直方向上連接了第一觸摸電極221。通過(guò)參考下文圖3B的截面圖將容易理解橋接電極301的結(jié)構(gòu)。
[0059]第二觸摸電極223形成于在水平方向上延伸的電極結(jié)構(gòu)中。更具體地，第二觸摸電極223可包括提供在每個(gè)第一觸摸電極221之間的鉆石狀結(jié)構(gòu)223a、和用于連接鉆石狀結(jié)構(gòu)223a的連接結(jié)構(gòu)223b，其中連接結(jié)構(gòu)223b與橋接電極301交疊。鉆石狀結(jié)構(gòu)223a和連接結(jié)構(gòu)223b —體形成。鉆石狀結(jié)構(gòu)223a可變?yōu)閷?duì)應(yīng)于第一觸摸電極221的形狀。
[0060]由此，根據(jù)第一觸摸電極221和橋接電極301的連接，可以獲得在垂直方向上延伸的電極結(jié)構(gòu)，并且通過(guò)第二觸摸電極223也能獲得在水平方向上延伸的電極結(jié)構(gòu)，從而感應(yīng)X軸方向和Y軸方向上用戶的觸摸位置。
[0061]如圖3B中所示，以固定間隔將多個(gè)第一觸摸電極221提供在上阻擋層210上，將構(gòu)成第二觸摸電極223的連接結(jié)構(gòu)223b形成在以固定間隔提供的兩個(gè)第一觸摸電極221之間。即，在上阻擋層210上，第一觸摸電極221和第二觸摸電極223被一起圖案化。
[0062]在構(gòu)成第二觸摸電極223的連接結(jié)構(gòu)223b上，具有絕緣層222。由于該絕緣層222，第一觸摸電極221與第二觸摸電極223絕緣。
[0063]橋接電極301形成在絕緣層222上。橋接電極301與以固定間隔提供的兩個(gè)第一觸摸電極221連接，從而兩個(gè)第一觸摸電極221通過(guò)橋接電極301彼此電連接。
[0064]圖3A和3B中不出的上述觸摸傳感器對(duì)應(yīng)于根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的觸摸傳感器。但是，相應(yīng)的觸摸傳感器不限于圖3A和3B中示出的上述結(jié)構(gòu)。觸摸傳感器可包括本領(lǐng)域人員所普遍公知的各種類型的觸摸傳感器，其能夠被沉積在上阻擋層210上而不需使用其他基底。例如，觸摸傳感器可使用紅外掃描型或者超聲表面聲波型觸摸傳感器。
[0065]再次參考圖2，光屏蔽層230沉積在觸摸傳感器220上。光屏蔽層230防止除了像素區(qū)之外的其他區(qū)域中的光泄露，其中光屏蔽層230與上述堤岸層131交疊。
[0066]濾色層240沉積在觸摸傳感器220上，更具體地，沉積在每個(gè)光屏蔽層230之間的像素區(qū)上。濾色層240可包括紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)色濾色器。
[0067]濾色層240用于在有機(jī)發(fā)光器件上實(shí)現(xiàn)全彩圖像。而且，濾色層240與光屏蔽層230 一起降低了外部光的反射，從而能去掉用于防止外部光反射的偏振膜，從而減小了有機(jī)發(fā)光器件的厚度。更具體地，當(dāng)外部光入射到有機(jī)發(fā)光器件上時(shí)，在光屏蔽層230中吸收外部光，從而減少外部光的反射。而且，當(dāng)外部光提供到有機(jī)發(fā)光器件內(nèi)部時(shí)，濾色層240能僅透過(guò)預(yù)定波長(zhǎng)范圍的光(例如，紅、綠或藍(lán)光)，即濾色層240防止除預(yù)定波長(zhǎng)范圍之外的其余波長(zhǎng)范圍的光透過(guò)，從而減少外部光的反射。例如，如果穿過(guò)紅色濾色層240的光在下元件101上反射，并且被折射至綠或藍(lán)色濾色層240，則通過(guò)濾色層240防止了光繼續(xù)行進(jìn)，從而減少了外部光的反射。
[0068]如圖2的放大部分中所示，可在觸摸傳感器220上額外沉積平坦化層225，更具體地，平坦化層225沉積在觸摸傳感器220和光屏蔽層230之間以及觸摸傳感器220和濾色層240之間。S卩，如上所述，由于觸摸傳感器220提供有具有預(yù)定圖案的多個(gè)觸摸電極，因此觸摸傳感器220由于該結(jié)構(gòu)而具有臺(tái)階覆蓋。這種情況下，難以在具有臺(tái)階覆蓋的觸摸傳感器220上沉積光屏蔽層230和濾色層240。由此，為了克服由臺(tái)階覆蓋導(dǎo)致的問(wèn)題，可另外提供平坦化層225。但是，如果需要，可省略平坦化層225。
[0069]防反射層250形成在上基板200的另一表面上，更具體地，形成在上基板200的上表面上。防反射層250防止外部光的反射。如上所述，通過(guò)光屏蔽層230和濾色層240，降低了提供到有機(jī)發(fā)光器件內(nèi)部的外部光的反射。此外，可提供防反射層250以便防止外部光被反射到有機(jī)發(fā)光器件的表面上。如果需要的話，可通過(guò)本領(lǐng)域人員普遍公知的用于防止反射的涂覆工藝將防反射層250沉積到上基板200的另一表面上，或者可將防反射層250形成為粘附到上基板200另一表面的膜型。
[0070]如上文解釋的，構(gòu)成上元件201的上阻擋層210、觸摸傳感器220、光屏蔽層230和濾色層240可順序沉積到上基板200的一個(gè)表面上，而不需使用額外的粘著層。因此，可以防止上元件201的厚度由于粘著層而增加，也防止了制造工藝復(fù)雜化。
[0071]粘著層300形成在下元件101和上元件201之間，更具體地，形成在下元件101的鈍化層140和上元件201的濾色層240之間，其中粘著層300用作下元件101和上元件201之間的粘著劑。
[0072]可將粘著層300形成為例如雙面帶的膜結(jié)構(gòu)，或者可通過(guò)涂覆例如密封劑的液體粘附材料，并固化涂覆的材料來(lái)形成粘著層300。
[0073]粘著層300增加的厚度會(huì)引起有機(jī)發(fā)光器件厚度增加，也會(huì)引起各個(gè)相鄰像素之間區(qū)域內(nèi)的光泄露。考慮到有機(jī)發(fā)光器件的總厚度和防止光泄露，來(lái)確定粘著層300的厚度。以下，將具體描述考慮到防止光泄露來(lái)確定粘著層300的厚度的方法。
[0074]圖4示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例確定粘著層300的厚度，以防止有機(jī)發(fā)光器件中各個(gè)相鄰像素之間的光泄露的方法。
[0075]如圖4中所示，下元件(見(jiàn)圖2的“101”)的堤岸層131與上元件(見(jiàn)圖2的“201”)的光屏蔽層230交疊。這種情況下，假設(shè)能夠防止各個(gè)相鄰像素之間的光泄露，即防止一個(gè)像素發(fā)出的光進(jìn)入相鄰像素的最大視角是‘ Θ ’，則建立以下等式I至3，
[0076]Tl=AX tan(90-Θ )/2...................................等式 I
[0077]T2=B X tan (90- Θ )/2...................................等式 2
[0078]T=T1+T2= (A+B) X tan (90- Θ )/2...........等式 3
[0079]其中，‘A’是堤岸層131的寬度，‘B’是光屏蔽層230的寬度，‘T’是堤岸層131和光屏蔽層230之間的距離。
[0080]如從等式3可以獲知的，當(dāng)將最大視角‘ Θ ’設(shè)定成預(yù)定值時(shí)，通過(guò)堤岸層131的寬度‘A’和光屏蔽層230的寬度‘B’確定堤岸層131和光屏蔽層230之間的距離‘T’。例如，如果將最大視角‘ Θ ’設(shè)置成60°，則堤岸層131和光屏蔽層230之間的距離‘T’為約(A+B) /3.464。
[0081]參考圖2，濾色層240、粘著層300、鈍化層140和上電極134形成在堤岸層131和光屏蔽層230之間。由此，如果確定了堤岸層131和光屏蔽層230之間的距離‘T’，則考慮到堤岸層131和光屏蔽層230之間的距離‘T’以內(nèi)除了粘著層300之外的其余層的厚度，來(lái)確定粘著層300的厚度。由此，可以確定粘著層300的厚度以防止各個(gè)相鄰像素之間的光泄露。
[0082]圖5是示出根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的截面圖。除了上元件201中包含的觸摸傳感器220、光屏蔽層230和濾色層240的位置改變之外，圖5的有機(jī)發(fā)光器件與圖2的有機(jī)發(fā)光器件結(jié)構(gòu)相同。由此，在附圖中使用相同參考數(shù)字表示相同或相似部件，并且將省略對(duì)于相同部件的具體說(shuō)明，即僅描述不同的部件。
[0083]如圖5中所示，光屏蔽層230和濾色層240沉積在上阻擋層210上，更具體地，沉積在上阻擋層210的下表面上。光屏蔽層230形成在除了像素區(qū)以外的其他區(qū)域中，濾色層240形成在像素區(qū)中。
[0084]之后，觸摸傳感器220沉積在濾色層240上。如圖5的放大部分中所示，平坦化層225可另外沉積在濾色層240上，更具體地，沉積在濾色層240和觸摸傳感器220之間。
[0085]與本發(fā)明的前述實(shí)施例不同，粘著層300形成在下元件101的鈍化層140和上元件201的觸摸傳感器220之間。
[0086]圖6A至6E是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法的截面圖，其與圖2的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法相關(guān)。
[0087]如圖6A中所示，將下元件101形成在第一玻璃基板I上。
[0088]若下元件101的下基板101由能夠彎曲或者變彎的透明塑膠形成，對(duì)于制造工藝重復(fù)執(zhí)行的操作，諸如傳送工藝會(huì)變得困難。為此，考慮到便于諸如傳送工藝的操作，將下元件101形成在第一玻璃基板I上，且在隨后工藝將第一玻璃基板I與下元件101分開(kāi)。
[0089]將第一犧牲層Ia沉積在第一玻璃基板I上，將下元件101形成在第一犧牲層Ia上。第一犧牲層Ia能夠?qū)⑾略?01固定到第一玻璃基板1，并能夠在隨后的激光分離工藝中使第一玻璃基板I和下元件101易于分離。可通過(guò)CVD (化學(xué)氣相沉積)由氫化非晶娃(a_S1:H)形成第一犧牲層la。
[0090]如果使用玻璃基板的下基板100，則不需要另外提供第一玻璃基板I和第一犧牲層la。
[0091]下面將更具體地描述形成下元件101的工藝。首先，將下基板100粘附到第一犧牲層la，將下阻擋層110沉積到下基板100上，將薄膜晶體管層120沉積到下阻擋層110上。之后，將包括堤岸層131、下電極132、有機(jī)發(fā)光層133和上電極134的發(fā)光元件層130沉積到薄膜晶體管層120上。之后，將鈍化層140沉積到發(fā)光元件層130上。
[0092]形成下元件101的上述工藝可包括薄膜沉積工藝，諸如CVD (化學(xué)氣相沉積)、PVD(物理氣相沉積)和涂覆方法，或者包括薄膜沉積工藝和諸如光刻的圖案化工藝的組合。[0093]如圖6B中所示，上元件201形成在第二玻璃基板2上。
[0094]若上元件201的上基板200由能夠彎曲或者變彎的透明塑膠形成，則采用第二玻璃基板2。同時(shí)，如果使用玻璃基板的上基板200，則不需要另外提供第二玻璃基板2。
[0095]第二犧牲層2a沉積在第二玻璃基板2上，上元件201形成在第二犧牲層2a上。與第一犧牲層Ia相似，第二犧牲層2a可通過(guò)CVD (化學(xué)氣相沉積)由氫化非晶硅(a_S1:H)形成。
[0096]下面將更具體地描述形成上元件201的工藝。首先，將上基板200粘附到第二犧牲層2a，將上阻擋層210沉積到上基板200上，將觸摸傳感器220沉積到上阻擋層210上，之后將光屏蔽層230和濾色層240沉積到觸摸傳感器220上。
[0097]盡管未示出，但是將光屏蔽層230和濾色層240沉積在上阻擋層210上，將觸摸傳感器220沉積到濾色層240上，從而制造圖5的有機(jī)發(fā)光器件。
[0098]形成上元件201的上述工藝可包括薄膜沉積工藝，諸如CVD (化學(xué)氣相沉積)、PVD(物理氣相沉積)和涂覆方法，或者包括薄膜沉積工藝和諸如光刻的圖案化工藝的組合。
[0099]之后，如圖6C中所示，在下元件101和上元件201彼此面對(duì)的條件下，通過(guò)使用粘著層300將下元件101和上元件201彼此粘附。
[0100]該工藝可包括將諸如雙面帶的膜結(jié)構(gòu)粘附到下元件101和上元件201中的任一個(gè)，或者將諸如密封劑的液體粘著劑材料涂覆到下元件101和上元件201中的任一個(gè)上。
[0101]如圖6D中所示，第一玻璃基板I與下元件101分開(kāi)，第二玻璃基板2與上元件201分開(kāi)。
[0102]可通過(guò)激光照射工藝執(zhí)行分離第一玻璃基板I和第二玻璃基板2的工藝。通過(guò)激光照射，自第一犧牲層Ia和第二犧牲層2a的氫化非晶娃(a-S1:H)產(chǎn)生氫氣(H2),從而第一玻璃基板I與下元件101由于其間的粘附性變差而分開(kāi)，第二玻璃基板2與上元件201由于其間的粘附性變差而分開(kāi)。
[0103]但是，分離第一玻璃基板I和第二玻璃基板2的工藝不限于激光照射工藝。即，可采用本領(lǐng)域人員普遍公知的各種方法分離第一玻璃基板I和第二玻璃基板2。
[0104]如圖6E中所示，將下表面加強(qiáng)層150形成在下基板100的下表面上，將防反射層250形成在上基板200的上表面上,從而實(shí)現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的完整有機(jī)發(fā)光器件。
[0105]根據(jù)本文實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光器件，薄膜晶體管層120、發(fā)光元件層130和鈍化層140沉積在下基板100的一個(gè)表面上，而不需使用額外的粘著劑，并且觸摸傳感器220、光屏蔽層230和濾色層240沉積在上基板200的一個(gè)表面上，而不需使用額外的粘著劑，因此與現(xiàn)有技術(shù)相比可以減少粘著層數(shù)目。因此，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光器件減小了厚度，也減小了曲率半徑，由此實(shí)現(xiàn)了柔性有機(jī)發(fā)光器件。
[0106]對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員很明顯，在本發(fā)明實(shí)施例中可做出各種修改和變化，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。由此，只要落在所附權(quán)利要求及其等價(jià)物的范圍內(nèi)，本發(fā)明意在覆蓋本發(fā)明的這種修改和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)發(fā)光器件，包括: 具有第一多層的第一元件，所述第一多層包括沉積在第一基板表面上的薄膜晶體管層、沉積在薄膜晶體管層上的發(fā)光元件層、和沉積在發(fā)光元件層上的鈍化層； 具有第二多層的第二元件，所述第二多層沉積在第二基板表面上，而不需使用粘著劑；和 在第一元件和第二元件之間的粘著層，所述粘著層將第一元件和第二元件耦合到一起。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述第二多層包括沉積在第二基板上的觸摸傳感器和沉積在觸摸傳感器上的濾色層，或者所述第二多層包括沉積在第二基板上的濾色層和沉積在濾色層上的觸摸傳感器。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述第一元件還包括沉積在第一基板和薄膜晶體管層之間的第一阻擋層，其中所述第二元件還包括沉積在第二基板和觸摸傳感器之間的第二阻擋層。
4.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述第一元件的發(fā)光元件層包括堤岸層，所述堤岸層與第二元件的濾色層中包含的光屏蔽層交疊。
5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中在所述光屏蔽層和所述堤岸層之間的距離T滿足如下等式:
6.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述第二元件還包括沉積在第二基板另一表面上的防反射層。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光器件，其中所述第一元件還包括沉積在第一基板另一表面上的加強(qiáng)層。
8.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光器件，還包括: 沉積在濾色層和觸摸傳感器之間的平坦化層。
9.一種制造有機(jī)發(fā)光器件的方法，包括: 形成具有第一多層的第一元件，所述第一多層包括沉積在第一基板表面上的薄膜晶體管層、沉積在薄膜晶體管層上的發(fā)光元件層、和沉積在發(fā)光元件層上的鈍化層； 形成具有第二多層的第二元件，所述第二多層沉積在第二基板表面上，而不需使用粘著劑；和 在第一元件和第二元件之間形成粘著層，所述粘著層將第一元件和第二元件耦合到一起。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第二多層包括沉積在第二基板上的觸摸傳感器和濾色層。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述觸摸傳感器沉積在第二基板上，所述濾色層沉積在觸摸傳感器上，或者所述濾色層沉積在第二基板上，所述觸摸傳感器沉積在濾色層上。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括: 將第一阻擋層沉積在第一基板和薄膜晶體管層之間；和 將第二阻擋層沉積在第二基板和觸摸傳感器之間。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述第一元件包括: 形成與第二元件的濾色層中包含的光屏蔽層交疊的堤岸層。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述光屏蔽層和堤岸層形成為在所述光屏蔽層和堤岸層之間具有距離T，所述距離T滿足如下等式:
T=(A+B)X tan(90-Θ)/2 其中A是堤岸層寬度，B是光屏蔽層寬度，Θ是防止有機(jī)發(fā)光器件的各個(gè)相鄰像素之間的光泄露的最大視角。
15.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述第二元件還包括: 在第二基板另一表面上形成防反射層。
16.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述第一元件還包括: 在第一基板另一表面上形成加強(qiáng)層。
17.如權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述第二元件還包括: 形成沉積在濾色層和觸摸傳感器之間的平坦化層。
18.如權(quán)利要求9所述的方法`，其中所述第一基板另一表面形成在第一犧牲層上，所述第一犧牲層形成在第三基板上，其中所述第二基板另一表面形成在第二犧牲層上，所述第二犧牲層形成在第四基板上。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括: 使第三基板和第一元件層分離；和 使第四基板和第二元件層分離。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中分離所述第三基板包括將激光施加至第一犧牲層以使第一犧牲層與第一基板分離，其中分離所述第四基板包括將激光施加至第二犧牲層以使第二犧牲層與第二基板分離。
【文檔編號(hào)】H01L21/82GK103794624SQ201310314184
【公開(kāi)日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2013年7月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月31日
【發(fā)明者】金昌男 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司