集成系統(tǒng)和制作該集成系統(tǒng)的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及集成系統(tǒng)和制作該集成系統(tǒng)的方法。公開了一種系統(tǒng)和制造系統(tǒng)的方法。該系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例包括：第一封裝部件，其包括第一部件和設(shè)置在所述第一封裝部件的第一主表面上的第一重分布層RDL，其中所述第一RDL包括第一焊盤。該系統(tǒng)還包括：第二封裝部件，其具有設(shè)置在所述第二封裝部件的第一主表面處的第二部件，所述第一主表面具有第二焊盤以及處于所述第一封裝部件和所述第二封裝部件之間的連接層，其中所述連接層將第一多個(gè)第一焊盤與第二焊盤連接。
【專利說明】集成系統(tǒng)和制作該集成系統(tǒng)的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明總體上涉及封裝技術(shù)，并且特別涉及基于重組晶片技術(shù)來制造集成器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]消費(fèi)者市場(chǎng)對(duì)于具有更多樣功能性和增強(qiáng)性能的更小、更薄、更輕和更便宜的電子器件的需求持續(xù)地不減弱。諸如娃芯片(Silicon-on-Chip, SoC)、娃封裝(Silicon-1n-Package, SiP)或堆疊式封裝(Package-on-Package, PoP)之類的器件的芯片尺寸封裝(CSP)類型和各種版本的三維(3D)集成已經(jīng)被開發(fā)以便最小化或進(jìn)一步減小封裝占地面積。晶片級(jí)封裝(WLP)技術(shù)通過將晶片制造批處理擴(kuò)展為包括器件互連形成和器件保護(hù)處理來降低制造成本。節(jié)距和焊盤在芯片與封裝的界面處的收縮明顯比在封裝與板的界面處的收縮更快地發(fā)生，從而需要比芯片更大尺寸的封裝來提供足夠的區(qū)域以容納增加數(shù)目的第二級(jí)互連。因此，所謂的扇出式WLP (F0 WLP)技術(shù)已經(jīng)被開發(fā)來克服由芯片尺寸在互連計(jì)數(shù)中的限制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一種系統(tǒng)包括:第一封裝部件，其包括第一部件和設(shè)置在所述第一封裝部件的第一主表面上的第一重分布層RDL，其中所述第一 RDL包括第一焊盤。該系統(tǒng)還包括:第二封裝部件，其包括設(shè)置在所述第二封裝部件的第一主表面處的第二部件，所述第一主表面包括第二焊盤以及處于所述第一封裝部件和所述第二封裝部件之間的連接層，其中所述連接層將第一多個(gè)第一焊盤與第二焊盤連接。
[0004]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一種系統(tǒng)包括:第一封裝部件，其包括第一半導(dǎo)體部件；第二封裝部件，其包括第二半導(dǎo)體部件和變壓器，其中所述變壓器的第一部分被設(shè)置在所述第一封裝部件中，并且其中所述變壓器的第二部分被設(shè)置在所述第二封裝部件中。該系統(tǒng)還包括設(shè)置在所述第一封裝部件和所述第二封裝部件之間的底部填充材料。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一種用于制造裝置的方法包括:提供第一封裝部件，該第一封裝部件包括第一部件和第一重分布層RDL，其中該RDL被設(shè)置在所述第一封裝部件的第一主表面上；以及提供第二封裝部件，該第二封裝部件包括第二部件，其中該第二部件被設(shè)置在所述第二封裝部件的第一主表面處。該方法還包括:將所述第一封裝部件的第一主表面面對(duì)面地連接到所述第二封裝部件的第一主表面。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，一種用于制造器件的方法包括:形成包括第一部件的第一重組晶片以及形成包括第二部件的第二重組晶片。該方法還包括:將所述第二重組晶片切分成第二封裝部件，該第二封裝部件包括所述第二部件；將所述第二封裝部件放置在所述第一重組晶片的第一主表面上；以及將所述第二重組晶片切分成器件，該器件包括所述第一部件和所述第二封裝部件。【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]為了更完全地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在對(duì)結(jié)合附圖作出的下面的描述進(jìn)行參考，在附圖中:
圖1a圖不芯片嵌入技術(shù)的原理；
圖1b圖示切割(singulated)芯片嵌入技術(shù)封裝的橫截面圖；
圖2圖示集成器件的一個(gè)實(shí)施例的橫截面圖；
圖3圖示集成器件的一個(gè)實(shí)施例的橫截面圖；
圖4示出用于制造集成器件的方法的一個(gè)實(shí)施例的工藝流程；
圖5圖示空芯變壓器的橫截面圖；
圖6a_6e示出無芯變壓器或基于芯的變壓器的一個(gè)實(shí)施例；
圖7a_7d示出無芯變壓器或基于芯的變壓器的一個(gè)實(shí)施例；以及 圖8示出用于制造集成器件的方法的一個(gè)實(shí)施例的工藝流程。
【具體實(shí)施方式】
[0008]下面詳細(xì)討論目前優(yōu)選的實(shí)施例的制作和使用。然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明提供可在多種多樣的具體上下文中體現(xiàn)的許多可應(yīng)用的發(fā)明構(gòu)思。所討論的具體實(shí)施例僅僅說明用于制作和使用本發(fā)明的具體方式，而不限制本發(fā)明的范圍。
[0009]隨著時(shí)間的推移，已經(jīng)開發(fā)了在彼此頂上堆疊器件的各種技術(shù)，以便獲得與電子部件在印刷電路板上的并排組裝相比占地面積的明顯減少。已知的方法是例如較小線接合兼容(WB)芯片在較大WB芯片頂上的堆疊(WB-WB堆疊)、WB芯片在倒裝芯片頂上的附著(FC-WB堆疊)、較小倒裝芯片在適當(dāng)修改的線接合兼容芯片頂上的堆疊(WB-FC堆疊)、或者堆疊式封裝(PoP)方法。所有這些方法在可以將接合焊盤放置于何處的靈活性方面受到限制。
[0010]本發(fā)明的實(shí)施例提供了接合焊盤放置方法，在其中接合焊盤可以被放置到與傳統(tǒng)方法的位置不同的位置。例如，集成封裝器件可以包括在其上設(shè)置有延伸的接合焊盤的延伸芯片封裝。
[0011]本發(fā)明的實(shí)施例可以通過利用芯片嵌入技術(shù)來實(shí)現(xiàn)。例如，芯片嵌入技術(shù)可以是嵌入晶片級(jí)工藝或嵌入晶片級(jí)球柵陣列(eWLB)技術(shù)。芯片嵌入方法是允許制造不受芯片尺寸限制的部件的扇出式晶片級(jí)封裝WLP類型技術(shù)。該封裝可能不會(huì)在硅晶片上實(shí)現(xiàn)(如在傳統(tǒng)WLP處理的情況下那樣)，而是在被稱為重組的或重組晶片的人造晶片上實(shí)現(xiàn)。在圖1a和Ib中示意性地圖示在芯片嵌入工藝流程的初始階段期間從經(jīng)過處理的Si晶片10到重組晶片20的轉(zhuǎn)變。
[0012]來自在傳統(tǒng)的前端工藝流程中生產(chǎn)的硅晶片10的已知良好管芯110被挑選并放置在利用粘合箔覆蓋的晶片形狀的載體上。該管芯110以面向載體表面的其有源側(cè)定向。該載體上的相鄰管芯110之間的可自由調(diào)整的距離確定該管芯110周圍的扇出式區(qū)域105的尺寸，并且以提供互連數(shù)目的方式來選擇所述可自由調(diào)整的距離。使用例如壓模工藝來使所放置的管芯110之間的間隙填充有模制材料120 (例如聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、聚砜復(fù)合物)。然后，對(duì)模制復(fù)合物進(jìn)行固化(例如在250°C處)。隨后，通過包括電介質(zhì)132的沉積、種子層的濺射、電鍍抗蝕劑的涂敷和構(gòu)造、重分布線和著陸焊盤(landing pad)133的電鍍、抗蝕劑剝離、種子層蝕刻以及焊料停止層136的涂敷和構(gòu)造的工藝序列，將重分布層130構(gòu)造在重組晶片20的頂上。之后是焊料球140涂敷、晶片級(jí)處的測(cè)試/檢查、背側(cè)標(biāo)記以及重組晶片20的最終切分。
[0013]在圖2中圖示第一實(shí)施例，圖2以橫截面示意圖示出了包括三個(gè)封裝部件200、250、290的示例性集成系統(tǒng)20的架構(gòu)。
[0014]根據(jù)諸如eWLB工藝流程之類的芯片嵌入工藝流程來構(gòu)建第一封裝部件200。第一封裝部件200包括嵌入在包裝材料220的層中的第一部件210。該第一封裝部件200還包括設(shè)置在該第一封裝部件200的第一主表面215上的第一重分布層(RDL)230。第一 RDL230可以被設(shè)置在第一部件210外部。第一 RDL 230包括導(dǎo)電互連線233和著陸焊盤235，以及電絕緣部分236。
[0015]該集成系統(tǒng)20還包括第二封裝部件250和第三封裝部件290。該第二封裝部件250可以是芯片尺寸WLP封裝?？商鎿Q地，該第二封裝部件250可以是諸如eWLB封裝或WLB封裝之類的芯片嵌入工藝封裝。該第二封裝部件250包括嵌入在第二包裝材料270中的第二部件260。該第二部件260可以被設(shè)置在第二封裝部件250的第一主表面265處。此外，第二封裝部件250可以包括第二 RDL 282，其具有導(dǎo)電跡線、接合焊盤284以及電絕緣部分286。該第二封裝部件250可以通過焊料球288的球柵陣列(BGA)被焊接到第一封裝部件200。可替換地，該第二封裝部件250可以通過焊料膏層或者通過銅柱/螺柱的面陣而被附著到第一封裝部件200。
[0016]第三封裝部件290可以是表面安裝器件(SMD)。該表面安裝器件可以是有源部件、無源部件或機(jī)電部件(MEMS)。例如，SMD可以是二極管、電阻器、電容器、換能器(諸如MEMS麥克風(fēng))。SMD可以包括蓋293 (例如錫蓋)，其可以通過焊接材料296電連接到第一重分布層230的著陸焊盤234。
[0017]第一部件210和第二部件260包括襯底。該襯底可以是半導(dǎo)體襯底(諸如硅或鍺)、或化合物襯底(諸如SiGe、GaAs, InP、GaN或SiC)或可替換地其他材料。該襯底可以是摻雜或非摻雜的并且可以包括一個(gè)或多個(gè)阱。半導(dǎo)體襯底可以是單晶硅或絕緣體上硅(SOI)。一個(gè)或多個(gè)互連金屬化層可以被布置在該襯底上。鈍化層被設(shè)置在互連金屬化層上以便針對(duì)部件電隔離和構(gòu)造部件接觸焊盤。
[0018]第一部件210和第二部件260可以包括多個(gè)部件(例如芯片或管芯)。部件210、260可以包括諸如單個(gè)半導(dǎo)體器件或集成電路(IC)之類的分立器件。例如，部件210、260可以包括半導(dǎo)體器件(諸如M0SFET)或功率半導(dǎo)體器件(諸如雙極型晶體管、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、功率MOSFET、晶閘管或二極管?？商鎿Q地，部件210、260可以是例如電阻器、保護(hù)器件、電容器、傳感器或檢測(cè)器。部件210、260可以是片上系統(tǒng)(SoC)。在一個(gè)實(shí)施例中，部件210、260包括單個(gè)器件(諸如晶體管)，其中頂表面包括源極并且底表面包括漏極。
[0019]第一包裝材料220和第二包裝材料270可以包括模制復(fù)合物、層壓件或套(casing)。包裝材料可以包括熱固性材料，諸如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、聚氨酯或聚丙烯酸酯復(fù)合物?？商鎿Q地，該包裝材料可以包括熱塑性材料，諸如聚砜、聚苯硫醚或聚醚酰亞胺。在一個(gè)實(shí)施例中，包裝材料可以是層壓件，諸如預(yù)浸料。
[0020]集成系統(tǒng)20可以經(jīng)由導(dǎo)線240而被接合到載體。導(dǎo)線240被附著到設(shè)置在第一封裝部件200的外圍處的第一 RDL上的接合焊盤235。導(dǎo)線240可以經(jīng)由球形接合、楔形接合、條形接合或帶形接合而被接合到載體?？商鎿Q地，集成系統(tǒng)20通過導(dǎo)電夾而被連接到載體。該集成系統(tǒng)20可以利用包裝材料(未示出)來包裝。
[0021]在一個(gè)實(shí)施例中，集成系統(tǒng)20可以是QFP (四面扁平封裝)，其具有集成在其中的若干封裝部件?？商鎿Q地，集成系統(tǒng)20可以是包括設(shè)置在PCB上的若干更小SMD (例如電阻器、電容器或二極管)的集成封裝。
[0022]在圖3中圖示集成系統(tǒng)30的另一實(shí)施例。該集成系統(tǒng)30包括第一封裝部件300和第二封裝部件350，其中已經(jīng)通過應(yīng)用芯片嵌入技術(shù)構(gòu)建了這兩個(gè)封裝部件300/350。母封裝300的元件對(duì)應(yīng)于母封裝200的元件，并且子封裝350的元件對(duì)應(yīng)于圖2中示出的子封裝的元件。
[0023]第二封裝部件350包括嵌入在第二包裝材料370中的第二部件360。第二封裝部件350還包括具有導(dǎo)電部分383和非導(dǎo)電部分386的第二 RDL 380。第二封裝部件350可以經(jīng)由焊料球388的陣列格柵而被電連接到第一封裝部件300。芯片嵌入工藝/芯片嵌入工藝堆疊包括兩個(gè)重分布層330/380，從而提供增加的設(shè)計(jì)靈活性。設(shè)置在芯片嵌入工藝/芯片嵌入工藝封裝堆疊中的兩個(gè)重分布層330/380展示了與兩層RDL的功能等效的功能。例如，eWLB/eWLB堆疊可以是利用交叉導(dǎo)電線或交叉互連跡線來設(shè)計(jì)的。在一個(gè)實(shí)施例中，集成系統(tǒng)30可以被封裝從而形成諸如VQFN封裝(非常薄四面扁平無引腳封裝)之類的模塊。
[0024]圖4示出制造半導(dǎo)體系統(tǒng)的實(shí)施例的流程圖400。可以使用芯片嵌入技術(shù)來制造第一重組晶片。在第一步驟405中，形成第一重組晶片。該第一重組晶片包括切分后的第一部件和第一包裝材料，如關(guān)于圖1a和Ib所描述的那樣。在步驟410中，在該第一重組晶片上形成第一重分布層(RDL)?？梢酝ㄟ^首先沉積絕緣層、對(duì)該絕緣層進(jìn)行圖案化和蝕刻以及然后在經(jīng)過圖案化的絕緣層中沉積導(dǎo)電材料來形成該第一 RDL。RDL中的經(jīng)過圖案化的導(dǎo)電材料提供用于將第一部件與扇出式區(qū)域中的接合焊盤連接的互連跡線。RDL的絕緣材料可以包括聚酰亞胺、氮化硅或二氧化硅、或者其組合。RDL的經(jīng)過圖案化的導(dǎo)電材料可以包括Cu或Al。
[0025]在步驟415中，為在整個(gè)工藝序列的稍后階段處發(fā)生的焊接應(yīng)用制備接合焊盤。焊盤表面可以被覆蓋有適當(dāng)合成物的薄金屬膜的堆疊，從而針對(duì)較強(qiáng)且可靠的焊料接合的形成提供最優(yōu)的條件。例如，表面拋光堆疊可以包括鍍鎳(Ni)(例如約2.5μπι到約4μπι)上的金(Au)(例如約0.5 μ m到約2 μ m)。薄Au頂層可以防止Ni的氧化降解并保持Ni的可焊性。另一方面，Ni促進(jìn)金屬間化合物(例如Ni/Sn)的形成，以形成強(qiáng)冶金接合。
[0026]在步驟420中，形成第二重組晶片?？梢允褂眯酒度爰夹g(shù)來制造第二重組晶片。第二重組晶片包括切分后的第二部件和第二包裝材料，如關(guān)于圖1a和Ib所描述的那樣。第二部件和第二包裝材料可以與第一部件和第一包裝材料相同或不同。在步驟425中，在該第二重組晶片上形成第二RDL?？梢酝ㄟ^首先沉積絕緣層、對(duì)該絕緣層進(jìn)行圖案化和蝕刻以及然后在經(jīng)過圖案化的絕緣層中沉積導(dǎo)電材料來形成該第二 RDL。第二 RDL中的經(jīng)過圖案化的導(dǎo)電材料提供用于將第一部件與扇出式區(qū)域中的接合焊盤連接的互連跡線。第二 RDL的絕緣材料可以包括聚酰亞胺、氮化硅或二氧化硅、或者其組合。第二 RDL的經(jīng)過圖案化的導(dǎo)電材料可以包括Cu或Al。第二 RDL的材料可以與第一 RDL的材料相同或不同。在一個(gè)實(shí)施例中，接合焊盤的陣列可以被形成在第二 RDL中，接合焊盤的陣列被配置成接納球柵陣列(BGA)的焊料球。
[0027]在步驟430中，可以在接合焊盤上沉積凸塊下金屬化(UBM, under-bumpmetallization)層。UBM冶金可以提供到包圍接合焊盤的芯片鈍化層的良好粘附并可以向最終互連(焊料球)冶金提供低歐姆電阻。若干UBM材料選擇是可用的，諸如Al/Ni/Cu、無電鍍Ni/Au、Ni/Cu/Au、Cr/Cu/Ag或Ti/W/Cu?？俇BM工藝序列包括焊盤表面的RF Ar濺射清洗、UBM濺射沉積、光致抗蝕劑的圖案化、未被光致抗蝕劑覆蓋的區(qū)域中的UBM的蝕刻、UBM的蝕刻、以及抗蝕劑的剝離以便暴露UBM。
[0028]在步驟435中，可以使用焊料凸塊工藝或球涂敷工藝將焊料球附著到第二焊料焊盤。焊料凸塊工藝選項(xiàng)包括焊料膏印刷、合金部件以適當(dāng)比率的濺射沉積或電鍍、熱超聲接合、或噴墨工藝的應(yīng)用以便分發(fā)熔化且增壓的焊接材料。用于焊料球形成的材料可以是共熔的Sn/Pb、或無Pb的Sn/Ag/Cu或Sn/Bi。球涂敷工藝可以包括在熔解儲(chǔ)藏物上涂敷預(yù)先形成的焊料球(例如使用模板(stencil))以及回流焊接。
[0029]在下一步驟440中，將第二重組晶片切分成多個(gè)第二封裝部件。該第二封裝部件被挑選并放置到第一重組晶片上。然后，將第一重組晶片和第二封裝部件接合在一起(步驟445)。
[0030]之后，第一重組晶片的頂表面與第二部件封裝之間的接合間隙可以被填充有絕緣材料。該絕緣材料可以是底部填充材料。典型的底部填充材料可以是基于環(huán)氧樹脂、硅樹脂或聚氨酯的材料。然后，切分第一重組，從而形成集成器件，該集成器件包括具有設(shè)置在其上的一個(gè)或多個(gè)第二部件封裝的第一部件封裝(步驟450)。
[0031]在步驟455中，將集成器件放置在部件載體上。該部件載體可以是引線框、襯底或板(諸如印刷電路板(PCB))。該集成器件被接合到部件載體。例如，該集成器件是線接合的、球形接合的、楔形接合的、帶形接合的或這些接合工藝的組合?？商鎿Q地，該集成器件可以使用導(dǎo)電夾而被連接到部件載體。
[0032]在步驟460中，包裝集成器件并且可選地切割或分離部件載體(步驟465)。包裝材料可以與關(guān)于圖2討論的包裝材料相同或不同。
[0033]在本發(fā)明的實(shí)施例中公開的集成方法在應(yīng)用中提供了較高靈活性，從而允許各種各樣不同器件類型的互連，所述不同器件類型諸如半導(dǎo)體芯片(例如邏輯或易失性或非易失性存儲(chǔ)器件)、無源部件(例如電阻器、電感器、電容器、接收器、收發(fā)器)、MEMS器件、或其他功能的器件。
[0034]制造工藝的實(shí)施例提供了若干優(yōu)點(diǎn):可以使用標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試設(shè)備來分開測(cè)試母封裝和疊置的(一個(gè)或多個(gè))子封裝這兩者，之后將該疊置的封裝接合到第一重組晶片。在重置的子封裝經(jīng)由BGA焊接或其他焊接點(diǎn)的應(yīng)用而被直接表面安裝到母封裝的情況下，不需要將疊置的封裝粘貼到載體封裝。因此，可以避免所使用的粘附材料對(duì)母封裝的任何污染。
[0035]本發(fā)明的另一實(shí)施例涉及無芯變壓器。無芯變壓器提供控制面板和功率級(jí)之間的流電隔離。無芯變壓器解決方案提供了與包括基于芯的變壓器的解決方案相比顯著更低水平的功率耗散。
[0036]圖5示出無芯變壓器50的簡(jiǎn)化橫截面示意圖。設(shè)置在半導(dǎo)體襯底520中/上的第一集成電路500包括接收器510、初級(jí)電感線圈590和次級(jí)電感線圈595。兩個(gè)電感線圈590/595被絕緣介電層575分開。第二集成電路550包括設(shè)置在第二半導(dǎo)體襯底570中/上的發(fā)射器560。初級(jí)線圈590的末端端子通過互連跡線530電連接到接收器510，并且次級(jí)線圈595的末端端子電連接到發(fā)射器560。
[0037]圖6e示出集成系統(tǒng)60的一個(gè)實(shí)施例。在一個(gè)實(shí)施例中，該集成系統(tǒng)是具有如關(guān)于圖5所描述的示意性布置的無芯變壓器。在該實(shí)施例中，線圈軸方向與母封裝和子封裝的主表面的方向正交。圖6a和6b不出母封裝600的橫截面圖和頂視圖，并且圖6c和6d示出子封裝650的橫截面圖和頂視圖。無芯變壓器60可以包括基于芯片嵌入技術(shù)的第一封裝部件600和基于芯片嵌入技術(shù)的第二封裝部件650。
[0038]第一封裝部件600包括:第一部件610、包裝620、第一電感線圈的繞組690以及設(shè)置在該第一封裝部件600的第一主表面上的第一重分布層(RDL)630。該繞組690可以是螺旋形的或者可以包括其他幾何形狀。該繞組690可以被設(shè)置在RDL 630上或者可以是RDL630的一部分。
[0039]RDL 630還包括被配置成線連接或夾具連接的著陸焊盤635以及被配置成焊料球連接的著陸焊盤634。第一繞組690的末端端子691、692可以被直接連接到第一部件610或者可以經(jīng)由RDL 630的互連跡線633而被連接到著陸焊盤634、635。第一繞組690可以整個(gè)設(shè)置在第一部件610上，部分設(shè)置在第一部件610上，或者遠(yuǎn)離第一部件610設(shè)置，例如僅設(shè)置在第一封裝部件600的扇出式區(qū)域上。第一繞組690可以包括諸如多晶硅或金屬之類的導(dǎo)電材料。例如，第一繞組可以包括鋁或銅。
[0040]第二封裝部件650包括第二部件660、第二包裝670、電感線圈的第二繞組695以及第二 RDL 680。繞組695可以是螺旋形的或者可以包括其他幾何形狀。第二繞組695可以被設(shè)置在RDL 680上或者可以是RDL 680的一部分。第一繞組690和第二繞組695可以包括相同的幾何形狀。
[0041]第一部件610和第二部件660可以分別是發(fā)射器或接收器。第一部件610和第二部件660可以是集成在關(guān)于圖2討論的部件中的一個(gè)中的發(fā)射器或接收器。
[0042]RDL 680還包括著陸焊盤684和焊接球688或者設(shè)置在其上的其他連接元件。第二繞組695的末端端子696、697可以被直接連接到第二部件660或者可以經(jīng)由RDL 630的互連跡線633而被連接到著陸焊盤684。第二繞組695可以整個(gè)設(shè)置在第二部件660上，部分設(shè)置在第二部件660上，或者遠(yuǎn)離第一部件660設(shè)置，例如僅設(shè)置在第二封裝部件650的扇出式區(qū)域上。第二繞組695可以包括諸如多晶硅或金屬之類的導(dǎo)電材料。例如，第一繞組可以包括鋁或銅。
[0043]在一個(gè)實(shí)施例中，導(dǎo)電路徑698可以從第二封裝部件650的第一主表面上的第二繞組695的內(nèi)部末端端子696引導(dǎo)到封裝650的第二主表面上的著陸焊盤699。導(dǎo)電路徑698可以包括金屬(例如Al或Cu)填充的通孔。著陸焊盤699可以被配置成附著到線接合部 645。
[0044]無芯變壓器60可以消除或減輕因基礎(chǔ)部件(半導(dǎo)體襯底)的存在而引起的寄生電容的有害影響，這是因?yàn)殡姼芯€圈690/695的繞組可以被圖案化在低損耗材料上。線圈690/695可以例如被構(gòu)造在包括低損耗包裝材料620/670的扇出式區(qū)上?？商鎿Q地，線圈690/695可以被圖案化在被放置在第一 /第二部件610/660的上主表面上(或者在第一 /第二封裝部件600/650的整個(gè)上主表面上)的低損耗勢(shì)壘層上。
[0045]變壓器線圈附近的良好電介質(zhì)材料可以展示低耗散因子和低介電常數(shù)。其間有模制復(fù)合物的有機(jī)材料是針對(duì)該目的的高度合適的材料選擇。它們的介電常數(shù)可以比硅的介電常數(shù)更低，具有在IMHz頻率下測(cè)量的處于約2到約4.5的范圍內(nèi)的值。例如，合適的材料是環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、聚苯乙烯或特氟龍(Teflon)。有機(jī)材料的耗散因子(DF)也可以非常低。例如對(duì)于環(huán)氧復(fù)合物(在IMHz下)，已經(jīng)測(cè)量出約0.003到約0.005的DF值。聚乙烯的DF例如≤0.0002，并且聚苯乙烯的DF ( 0.0001。對(duì)于大多數(shù)塑料材料，指示在其處絕緣材料的擊穿將不會(huì)發(fā)生的最大可允許場(chǎng)強(qiáng)的介電強(qiáng)度處于約lOOkV/cm到300kV/cm的范圍內(nèi)。
[0046]圖6e示出載體封裝600和第二封裝部件650之間的絕緣層665。絕緣層665 (其可以在疊置的第二封裝部件650的附著之前被沉積在所構(gòu)造的線圈導(dǎo)線(690或695或這兩者)上)可以包括高介電強(qiáng)度以便緩解電介質(zhì)放電的危險(xiǎn)。減輕放電的可能性的另一選項(xiàng)是在(一個(gè)或多個(gè))變壓器線圈上粘貼包括高介電強(qiáng)度的有機(jī)或無機(jī)(例如陶瓷)化合物的適當(dāng)尺寸的小板。介電強(qiáng)度可以是約9或更大。
[0047]在一個(gè)實(shí)施例中，集成系統(tǒng)60可以是基于芯的變壓器。基于芯的變壓器60可以包括初級(jí)線圈690的繞組和次級(jí)線圈695的繞組之間的間隙中的磁性膜或磁性膏層。可以通過磁性膜來增強(qiáng)磁通量。
[0048]非單片方法的優(yōu)點(diǎn)可以是通過采用非硅襯底(諸如預(yù)浸料層壓件)來避免半導(dǎo)體襯底引起的寄生電容的有害影響。本發(fā)明的實(shí)施例的芯片嵌入技術(shù)/芯片嵌入技術(shù)堆疊方法供應(yīng)了顯著更短的互連路徑，由此遞送改進(jìn)的電性能。例如，變壓器特性和功率消耗優(yōu)于傳統(tǒng)系統(tǒng)。所公開的eWLB/eWLB方法共享任何eWLB技術(shù)應(yīng)用所固有的制造成本中的優(yōu)點(diǎn)，這是因?yàn)橛糜谥圃熘亟M晶片的額外成本比源自對(duì)沒有扇出式區(qū)域的部件的管芯尺寸進(jìn)行最小化從而允許在成本更高的硅晶片上放置更大數(shù)目的管芯的能力的相當(dāng)大的節(jié)約更小。
[0049]圖7a_7d示出集成系統(tǒng)的另一實(shí)施例。該集成系統(tǒng)可以是無芯變壓器。在該實(shí)施例中，線圈軸方向平行于母封裝(第一封裝部件700)和子封裝(第二封裝部件750)的主表面的方向。在一個(gè)實(shí)施例中，無芯變壓器包括纏結(jié)的線圈布線。例如，無芯變壓器70包括具有兩個(gè)纏結(jié)的線圈布線的雙螺旋的線圈布線。
[0050]圖7a示出第一封裝部件700，圖7b示出第二封裝部件750，并且圖7c示出第一部件700和第二部件750之間的焊料球布置。圖7d示出基于芯的變壓器的橫截面。
[0051]圖7a示出包括嵌入在第一包裝720中的第一部件710 (例如發(fā)射器和接收器)的第一封裝部件700。該第一封裝部件700包括第一變壓器線圈7100的第一部分和第二變壓器線圈7200的第一部分。第一變壓器線圈7100的第一部分包括第一多個(gè)第一變壓器線圈形成元件(CFE) 7110、7120、7130、7140、7150和7160。每個(gè)CFE都包括終止于接合焊盤7111、7112、7121、7122、7131、7132、7141、7142、7151、7152、7161、7162 和 7171 中的導(dǎo)電跡線。第二變壓器線圈7200的第一部分包括第一多個(gè)第二變壓器線圈形成元件(CFE)7210、7220、7230、7240、7250 和 7260。每個(gè) CFE 都包括終止于接合焊盤 7202、7211、7212、7221、7222、7231、7232、7241、7242、7251、7252、7261 和 7262 中的導(dǎo)電跡線。第一變壓器線圈 7100的第一部分和第二變壓器線圈7200的第一部分的材料和尺度可以是基本上相同的。第一和第二多個(gè)CFE 7100/7200中的各個(gè)CFE可以并行并排對(duì)齊，其中第一線圈7100的第一部分的CFE與第二線圈7200的第一部分的CFE交替。
[0052]CFE被設(shè)置在第一 RDL或第一包裝材料720中。[0053]第一封裝部件700還包括:將第二線圈7200的第一部分的第一端7202與外圍焊盤734連接的互連785 ；以及將第二線圈7200的第一部分的第二端7261與另一外圍焊盤732連接的互連780。另外，第一封裝部件700包括:將第一線圈7100的第一部分的第一端7111連接到外圍焊盤742的互連790 ;以及將第一線圈7100的第一部分的第二端7171與另一外圍焊盤744連接的導(dǎo)電跡線。焊盤被配置成被連接到第一部件710和外側(cè)器件?；ミB780、785、790、795可以被設(shè)置在第一 RDL的單個(gè)層或多個(gè)層中。
[0054]圖7b示出包括嵌入在第二包裝770中的第二部件760 (例如發(fā)射器或接收器)的第二封裝部件750。該第二封裝部件750包括第一變壓器線圈7300的第二部分和第二變壓器線圈7400的第二部分。第一變壓器線圈7300的第二部分包括第二多個(gè)第一變壓器線圈形成元件(CFE) 7310、7320、7330、7340、7350和7360。每個(gè)CFE都包括終止于接合焊盤7302、7311、7312、7321、7322、7331、7332、7341、7342、7351、7352、7361 和 7362 中的導(dǎo)電跡線。第二變壓器線圈7400的第二部分包括第二多個(gè)線圈形成元件(CFE)7410、7420、7430、7440,7450 和 7460。每個(gè) CFE 都包括終止于接合焊盤 7411、7412、7421、7422、7431、7432、7441、7442、7451、7452、7461、7462和7471中的導(dǎo)電跡線。第一變壓器線圈7300的第二部分和第二變壓器線圈7400的第二部分的材料和尺度可以是基本上相同的。第一和第二多個(gè)CFE 7300/7400中的各個(gè)CFE可以并行并排對(duì)齊，其中第一線圈7300的第二部分的CFE與第二線圈7400的第二部分的CFE交替。
[0055]CFE被設(shè)置在第二 RDL或第二包裝材料770中。第一部件710和第二部件760可以分別是發(fā)射器或接收器。第一部件710和第二部件760可以是集成在關(guān)于圖2所討論的部件中的一個(gè)中的發(fā)射器或接收器。
[0056]第一和第二變壓器線圈7100、7200的第一部分的焊盤被設(shè)置在第一封裝部件700的第一主表面上。焊盤可以被布置在第一部件710和/或第一扇出式區(qū)域上?？商鎿Q地，焊盤可以被布置在第一扇出式區(qū)域上但是不在第一部件上。
[0057]第一和第二變壓器線圈7300、7400的第二部分的焊盤被設(shè)置在第二封裝部件750的第一主表面上。該焊盤可以被布置在第二部件760和/或第二扇出式區(qū)域上。可替換地，焊盤可以被布置在第二部件760上但是不在第二扇出式區(qū)域上。
[0058]圖7c示出第一封裝部件700和第二部件封裝750之間的焊料球布置701。該焊料球布置701提供集成到變壓器70中的雙螺旋系統(tǒng)。該焊料球布置701將第一變壓器線圈7100的第一部分連接到第一變壓器線圈7300的第二部分并且將第二變壓器線圈7200的第一部分連接到第二變壓器線圈7400的第二部分。焊料球780被設(shè)置在焊盤上，并且焊料球之間的空間被填充有絕緣材料770。
[0059]圖7c圖示第一電感線圈的第一布線路徑7155和第二電感線圈的第二布線路徑7255。布線路徑7155是第一線圈的整個(gè)布線路徑的一部分。布線路徑7155經(jīng)過焊料球7802,CFE 7310、焊料球 7803、CFE 7120、焊料球 7806、CFE 7320、焊料球 7807、CFE 7130 和焊料球7810。第二布線路徑7255是第二線圈的整個(gè)布線路徑的一部分。布線路徑7255經(jīng)過焊料球 7800、CFE 7410、焊料球 7801、CFE 7210、焊料球 7804、CFE 7420、焊料球 7805、CFE 7220、焊料球 7808、CFE 7430、焊料球 7809 和 CFE 7230。
[0060]圖7a_7c示出設(shè)置在無芯變壓器中的第一線圈和第二線圈，第一多個(gè)CFE 7100和第二多個(gè)CFE 7200的各個(gè)元件被以交替地方式布置，由此實(shí)現(xiàn)纏結(jié)的電感線圈繞組的形成。可替換地，第一多個(gè)CFE 7100可以被順序地布置，并且第二多個(gè)CFE 7200可以被順序地布置，以使得沿著公共水平軸在第一線圈7200的整個(gè)第一部分之后布置第二線圈7200的整個(gè)(未劃分的)第一部分。
[0061]圖7d示出基于芯的變壓器的一個(gè)實(shí)施例的橫截面圖?；谛镜淖儔浩骺梢园ㄐ?，該芯包括磁性材料以便實(shí)現(xiàn)更好的磁耦合以及磁通量的最優(yōu)濃度和密閉度(containment)。適當(dāng)?shù)拇判栽梢允穷A(yù)先制造的鐵氧體部件或者磁性膏層。大塊鐵氧體部件可以包括各種類型的鐵氧體(例如純鐵氧體、N1-Zn鐵氧體、Mn-Ni鐵氧體或者M(jìn)g-Mn鐵氧體)。磁性膏可以包括銑削的鐵氧體磁性粉末或者與有機(jī)粘結(jié)劑(例如環(huán)氧樹脂或苯丙環(huán)丁烷)混合的磁性納米顆粒(例如涂有硅石的Co納米顆粒)。
[0062]圖7d的集成器件70示出第一封裝部件700和第二封裝部件750之間的磁芯7700。該集成器件70示出第一封裝部件700和第二封裝部件750這兩者中的線圈形成元件7100、7200、7300、7400。在一個(gè)實(shí)施例中，薄且長(zhǎng)方形的鐵氧體部件7700被設(shè)置在包括第一和第二線圈7100/7200的第一部分的導(dǎo)電跡線的下層7500 (第一 RDL)與包括第一和第二線圈7300/7400的第二部分中所包括的導(dǎo)電跡線的上層7600 (第二 RDL)之間。
[0063]集成器件可以包括用于磁芯的改進(jìn)的磁通量控制的兩個(gè)T形末端部分7720/7740。在一個(gè)實(shí)施例中，第二鐵氧體部件7800位于層7500之下，而第三鐵氧體部件7850位于層7600之上。這三個(gè)鐵氧體部件7700、7800、7850的存在將提供閉環(huán)磁通量。在芯片嵌入技術(shù)處理的早期階段中進(jìn)行將第二鐵氧體部件7800和第三鐵氧體部件7850結(jié)合到集成器件70中。
[0064]在一個(gè)實(shí)施例中，鐵氧體板7800/7850被放置在處于緊靠電氣部件710/760的位置中的重組晶片(膠帶粘貼的載體表面)上，所有這些隨后都將被嵌入到模制復(fù)合物720/770中。在疊置的第二封裝部件750的對(duì)齊和接合之前，將雙T形的位于中央的鐵氧體部件7700挑選并放置在第一封裝部件700 (其仍是重組晶片的一部分)上。
[0065]在一個(gè)實(shí)施例中，集成器件70包括磁性膏。在第一和第二線圈7100/7200的第一部分的形成之前，將第一磁性膏層設(shè)置在第一重組晶片上。經(jīng)由絲網(wǎng)印刷、或者經(jīng)由磁性材料的濺射或旋涂后跟光刻圖案化/蝕刻，可以進(jìn)行對(duì)磁性膏圖案的實(shí)現(xiàn)。以類似的方式，在第一和第二線圈7300/7400的第二部分的形成之前，在第二重組晶片上處理第二磁性膏層。在將第二封裝部件750接合到第一封裝部件700之前，位于中央的第三膏層(與第一鐵氧體部件7700等效)被設(shè)置在第一和第二線圈7100/7200的第一部分上。可替換地，雙T形的槽狀特征可以被圖案化在第一封裝部件700的頂表面處的適當(dāng)位置處，并且這些槽然后可以被填充有磁性膏。
[0066]圖8示出制造包括變壓器系統(tǒng)的半導(dǎo)體系統(tǒng)(例如eWLB/eWLB堆疊)的一個(gè)實(shí)施例的流程圖800。使用芯片嵌入技術(shù)來制造第一重組晶片。在第一步驟805中，形成第一重組晶片。該第一重組晶片包括第一部件和第一包裝材料，如關(guān)于圖1a和Ib所描述的那樣。
[0067]在步驟810中，將第一重分布層(RDL)形成在第一重組晶片上?？梢酝ㄟ^首先沉積絕緣層、對(duì)該絕緣層進(jìn)行圖案化和蝕刻以及然后在經(jīng)過圖案化的絕緣層中沉積導(dǎo)電材料來形成該第一 RDL。RDL中的經(jīng)過圖案化的導(dǎo)電材料提供用于將第一部件與扇出式區(qū)域中的接合焊盤連接的互連跡線。RDL的絕緣材料可以包括聚酰亞胺、氮化硅或二氧化硅、或者其組合。RDL的經(jīng)過圖案化的導(dǎo)電材料可以包括Cu或Al。[0068]第一 RDL可以包括變壓器線圈的部分。變壓器線圈的部分可以是初級(jí)線圈。可替換地，該變壓器線圈的部分可以是第一變壓器線圈的第一部分和第二變壓器線圈的第一部分。該第一變壓器線圈的第一部分和該第二變壓器線圈的第一部分可以包括線圈形成元件(CFE)0變壓器線圈的部分可以包括或者不包括接合焊盤。變壓器線圈的部分的第一末端端子和第二末端端子經(jīng)由跡線連接到第一 RDL上/中的第一接合焊盤。
[0069]在步驟815中，為在整個(gè)工藝序列的稍后階段處發(fā)生的焊接應(yīng)用制備接合焊盤。焊盤表面可以被覆蓋有適當(dāng)合成物的薄金屬膜的堆疊，從而針對(duì)較強(qiáng)且可靠的焊料接合的形成提供最優(yōu)的條件。例如，表面拋光堆疊可以包括鍍鎳(Ni)(例如約2.5μπι到約4μπι)上的金(Au)(例如約0.5 μ m到約2 μ m)。薄Au頂層可以防止Ni的氧化降解并保持Ni的可焊性。另一方面，Ni促進(jìn)金屬間化合物(例如Ni/Sn)的形成，以形成強(qiáng)冶金接合。
[0070]在步驟820中，形成第二重組晶片。可以使用芯片嵌入技術(shù)來制造第二重組晶片。第二重組晶片包括第二部件和第二包裝材料，如關(guān)于圖1a和Ib所描述的那樣。第二部件和第二包裝材料可以與第一部件和第一包裝材料相同或不同。在步驟825中，將第二 RDL形成在該第二重組晶片上。可以通過首先沉積絕緣層、對(duì)該絕緣層進(jìn)行圖案化和蝕刻以及然后在經(jīng)過圖案化的絕緣層中沉積導(dǎo)電材料來形成該第二 RDL。第二 RDL中的經(jīng)過圖案化的導(dǎo)電材料提供用于將第一部件與扇出式區(qū)域中的接合焊盤連接的互連跡線。第二 RDL的絕緣材料可以包括聚酰亞胺、氮化硅或二氧化硅、或者其組合。第二 RDL的經(jīng)過圖案化的導(dǎo)電材料可以包括Cu或Al。第二 RDL的材料可以與第一 RDL的材料相同或不同。在一個(gè)實(shí)施例中，接合焊盤的陣列可以被形成在第二 RDL中，接合焊盤的陣列被配置成接納球柵陣列(BGA)的焊料球。
[0071]第二 RDL可以包括變壓器線圈的部分。變壓器線圈的部分可以是次級(jí)線圈?？商鎿Q地，該變壓器線圈的部分可以是第一變壓器線圈的第二部分和第二變壓器線圈的第二部分。該第一變壓器線圈的第二部分和該第二變壓器線圈的第二部分可以包括線圈形成元件(CFE)0變壓器線圈的部分可以包括或者不包括接合焊盤。變壓器線圈的部分的第一末端端子和第二末端端子經(jīng)由跡線連接到第二 RDL中/上的第二接合焊盤。
[0072]在步驟830中，可以在接合焊盤上沉積凸塊下金屬化(UBM)層。UBM冶金可以提供到包圍接合焊盤的芯片鈍化層的良好粘附并可以向最終互連(焊料球)冶金提供低歐姆電阻。若干UBM材料選擇是可用的，諸如Al/Ni/Cu、無電鍍Ni/Au、Ni/Cu/Au、Cr/Cu/Ag或Ti/W/Cu?？俇BM工藝序列包括焊盤表面的RF Ar濺射清洗、UBM濺射沉積、光致抗蝕劑的圖案化、未被光致抗蝕劑覆蓋的區(qū)域中的UBM的蝕刻、UBM的蝕刻、以及抗蝕劑的剝離以便暴露UBM。
[0073]在步驟835中，可以使用焊料凸塊工藝將焊料球附著到第二焊料焊盤。焊料凸塊工藝選項(xiàng)包括合金部件以適當(dāng)比率的濺射沉積或電鍍、熱超聲接合、或噴墨工藝的應(yīng)用以便分發(fā)熔化且增壓的焊接材料。用于焊料球形成的材料可以是共熔的Sn/Pb、或無Pb的Sn/Ag/Cu 或 Sn/Bi ο
[0074]在下一步驟840中，將第二重組晶片切分成多個(gè)第二封裝部件。該第二封裝部件被挑選并放置在第一重組晶片上。然后，將第一重組晶片和第二封裝部件接合在一起(步驟845)。在一個(gè)實(shí)施例中，將絕緣層設(shè)置在第一重組晶片的初級(jí)線圈和第二封裝部件的次級(jí)線圈之間(步驟850)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一變壓器線圈的第一部分的CFE被連接(例如利用焊接材料)到第一變壓器線圈的第二部分的CFE，并且第二變壓器線圈的第一部分的CFE被連接(例如利用焊接材料)到第二變壓器線圈的第二部分的CFE。在焊接材料周圍，將底部填充材料設(shè)置在第一重組晶片和第二封裝部件之間(步驟850)。
[0075]在一個(gè)實(shí)施例中，磁性材料可以被設(shè)置在第一重組晶片和第二封裝部件之間。例如，包括納米顆粒的磁性膏可以用于高頻器件。小顆粒尺寸以及下至納米級(jí)的顆粒之間的分離距離導(dǎo)致新穎的磁耦合現(xiàn)象，結(jié)果得到更高的磁導(dǎo)率和減小的磁各向異性。在非常高的頻率下，基于納米顆粒的磁性膏的磁導(dǎo)率值可以比傳統(tǒng)的(非納米級(jí))膏和大塊鐵氧體的磁導(dǎo)率值顯著更高。
[0076]在步驟855中，切分第一重組晶片，從而形成集成器件，該集成器件包括具有設(shè)置在其上的一個(gè)或多個(gè)第二部件封裝的第一部件封裝。
[0077]在步驟860中，將集成器件放置在部件載體上。該部件載體可以是襯底、引線框或板(諸如印刷電路板(PCB ))。
[0078]該集成器件被接合到部件載體。應(yīng)用球形接合工藝、楔形接合工藝、條形接合工藝、帶形接合工藝或這些工藝的組合將該集成器件接合到載體。可替換地，該集成器件可以使用導(dǎo)電夾而被連接到部件載體。
[0079]在步驟865中，包裝該集成器件，并且在步驟870中，可選地切割或分開部件載體。包裝材料可以與關(guān)于圖2所討論的包裝材料相同或不同。
[0080]盡管已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)該理解，在不偏離如所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在本發(fā)明中做出各種變化、替換和更改。
[0081 ] 此外，意圖不將本申請(qǐng)的范圍限于在本說明書中描述的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組分、裝置、方法和步驟的特定實(shí)施例。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將容易地從本發(fā)明的公開中意識(shí)到的那樣，根據(jù)本發(fā)明，可以利用執(zhí)行與本文中描述的對(duì)應(yīng)實(shí)施例基本相同的功能或?qū)崿F(xiàn)與該對(duì)應(yīng)實(shí)施例基本相同的結(jié)果的目前存在或后續(xù)將被開發(fā)的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組分、裝置、方法或步驟。相應(yīng)地，所附權(quán)利要求意圖在其范圍內(nèi)包括這樣的工藝、機(jī)器、制造、物質(zhì)組分、裝置、方法或步驟。
【權(quán)利要求】
1.一種系統(tǒng)，包括: 第一封裝部件，其包括第一部件和設(shè)置在所述第一封裝部件的第一主表面上的第一重分布層RDL，其中所述第一 RDL包括第一焊盤； 第二封裝部件，其包括設(shè)置在所述第二封裝部件的第一主表面處的第二部件，所述第一主表面包括第二焊盤；以及 處于所述第一封裝部件和所述第二封裝部件之間的連接層，其中所述連接層將第一多個(gè)第一焊盤與第二焊盤連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述第二封裝部件還包括設(shè)置在所述第二封裝部件的第一主表面上的第二 RDL。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括:表面安裝器件SMD，其包括SMD焊盤，其中所述SMD焊盤經(jīng)由所述連接層連接到所述第一 RDL的第二多個(gè)第一焊盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述連接層包括焊料層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述連接層包括焊料膏。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述連接層包括絕緣介電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，還包括:部件載體，其包括部件載體焊盤，其中第三多個(gè)第一焊盤被連接到所述部件載體焊盤。
8.一種系統(tǒng),包括: 第一封裝部件，其包括第一半導(dǎo)體部件； 第二封裝部件，其包括第二半導(dǎo)體部件； 變壓器，其中所述變壓器的第一部分被設(shè)置在所述第一封裝部件中，并且其中所述變壓器的第二部分被設(shè)置在所述第二封裝部件中；以及 設(shè)置在所述第一封裝部件和所述第二封裝部件之間的底部填充材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述變壓器的第一部分是初級(jí)線圈，并且其中所述變壓器的第二部分是初級(jí)線圈。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述變壓器的第一部分包括初級(jí)線圈的第一部分和次級(jí)線圈的第一部分，并且其中所述變壓器的第二部分包括初級(jí)線圈的第二部分和次級(jí)線圈的第二部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述第一封裝部件包括設(shè)置在該第一封裝部件的第一主表面上的第一重分布層RDL，所述第一 RDL將所述變壓器的第一部分電連接到所述第一半導(dǎo)體部件。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述變壓器的第一部分被設(shè)置在所述第一RDL上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述第二封裝部件包括設(shè)置在該第二封裝部件的第一主表面上的第二重分布層RDL，所述第二 RDL將所述變壓器的第二部分電連接到所述第二半導(dǎo)體部件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述變壓器的第二部分被設(shè)置在所述第二RDL上。
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述第二封裝部件包括第二主表面上的接觸焊盤，其中所述接觸焊盤被連接到所述變壓器的第二部分，并且其中所述接觸焊盤被配置成被連接到載體。
16.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述底部填充材料包括金屬芯。
17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述變壓器的第一部分包括初級(jí)線圈的第一部分和次級(jí)線圈的第一部分，其中所述變壓器的第二部分包括初級(jí)線圈的第二部分和次級(jí)線圈的第二部分，其中所述初級(jí)線圈的第一部分被連接到所述初級(jí)線圈的第二部分，并且所述次級(jí)線圈的第一部分被連接到所述次級(jí)線圈的第二部分，并且其中所述初級(jí)線圈的第一部分和所述次級(jí)線圈的第一部分被以交替的方式設(shè)置。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述初級(jí)線圈的第一部分和所述初級(jí)線圈的第二部分經(jīng)由第一焊料連接而被連接，并且其中所述次級(jí)線圈的第一部分和所述次級(jí)線圈的第二部分經(jīng)由第二焊料連接而被連接。
19.一種用于制造裝置的方法，該方法包括: 提供第一封裝部件，該第一封裝部件包括第一部件和第一重分布層RDL，其中該RDL被設(shè)置在第一封裝部件的第一主表面上； 提供第二封裝部件，該第二封裝部件包括第二部件，其中該第二部件被設(shè)置在所述第二封裝部件的第一主表面處；以及 將所述第一封裝部件的第一主表面面對(duì)面地連接到所述第二封裝部件的第一主表面。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中面對(duì)面地連接包括:將所述第一封裝部件與所述第二封裝部件隔離；以及將所述第一封裝部件的第一主表面的第一焊盤電連接到所述第二封裝部件的第一主表面的第二焊盤。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述第二封裝部件包括所述第一主表面上的第二 RDL，其中所述第一 RDL包括變壓器的第一部分，其中所述第二 RDL包括所述變壓器的第二部分。
22.一種用于制造器件的方法，該方法包括: 形成包括第一部件的第一重組晶片； 形成包括第二部件的第二重組晶片； 將所述第二重組晶片切分成第二封裝部件，該第二封裝部件包括所述第二部件； 將所述第二封裝部件放置在所述第一重組晶片的第一主表面上；以及 將所述第二重組晶片切分成器件，所述器件包括所述第一部件和所述第二封裝部件。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，還包括: 將所述器件放置在載體上； 將所述器件接合到所述載體；以及 包裝所述器件。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，還包括:將第一重分布層設(shè)置在所述第一重組晶片的第一主表面上。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，還包括:在切割所述第二重組晶片之前，將第二RDL設(shè)置在所述第二重組晶片的第一主表面上，并且其中將所述第二封裝部件放置在所述第一重組晶片的第一主表面上包括以該RDL面向所述第一重組晶片的第一主表面的方式放置所述第二封裝部件。
【文檔編號(hào)】H01L23/488GK103579205SQ201310334461
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年8月2日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月2日
【發(fā)明者】T.基爾格 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司