本發(fā)明涉及一種半導體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：
半導體裝置設(shè)置有保護半導體元件的鈍化膜。對于金屬層（即，電極或布線等）形成于絕緣膜上的半導體裝置，通常鈍化膜形成于金屬層上，然后，形成有機涂膜（例如，聚酰亞胺），這之后該裝置用樹脂等封裝。在這種情況下，由于外部溫度變化，在鈍化膜中可能會形成裂紋。也就是說，來自樹脂、有機涂膜和金屬層的應力可能會導致應力集中在突出的金屬層的邊角部，并且在覆蓋該邊角部的鈍化膜中可能會形成裂紋。公開號為2011-114008(JP2011-114008A)的日本專利申請描述了一種半導體裝置，其減少由于溫度變化而造成的鈍化膜中裂紋的出現(xiàn)。關(guān)于JP2011-114008A中描述的半導體裝置，鋁布線（即，金屬層）形成于勢壘層上（即，鈍化膜），在該鋁布線的上部上設(shè)置有金屬蓋（TiN等），且在該鋁布線的側(cè)部上設(shè)置有側(cè)壁（SiN或SiO等）。在勢壘層（即，鈍化膜）的上方形成鋁布線，使得勢壘層（即，鈍化層）中裂紋的出現(xiàn)能夠減少。關(guān)于JP2011-114008A中描述的半導體裝置，線性膨脹系數(shù)小于金屬層的膜（在下文中，也稱作“涂層”）環(huán)繞著金屬層區(qū)域（即，鋁布線）。當這樣的結(jié)構(gòu)被加熱至高溫時（例如，如果在制造過程中應用了聚酰亞胺烘烤處理），金屬層將極大地膨脹，而金屬層周圍的涂層將不會極大地膨脹。因此，金屬層將在涂層內(nèi)出現(xiàn)塑性變形，且金屬層的晶體密度將因此增大。然后當結(jié)構(gòu)恢復至正常溫度時，其晶體密度已暫時增大的金屬層將會變得比加熱前的金屬層小。其結(jié)果，先前不存在的空腔（在下文中，也稱作“空隙”）將最終形成在金屬層和涂層之間。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
因此，本發(fā)明提供一種半導體裝置，其中抑制在金屬層和涂層（即，鈍化膜）之間形成空隙。本發(fā)明的第一方案涉及一種半導體裝置，其包括：半導體襯底；金屬層，其布置在所述半導體襯底的上方；第一鈍化膜，其與所述金屬層的一個側(cè)表面的至少一部分相接觸；以及第二鈍化膜，其布置為從所述第一鈍化膜延伸至所述金屬層，且與所述第一鈍化膜的上表面相接觸而且與所述金屬層的上表面的至少一部分相接觸。依照此第一方案的結(jié)構(gòu)，能夠抑制形成空隙。在上述第一方案中，所述金屬層的線性膨脹系數(shù)可以大于所述第二鈍化膜的線性膨脹系數(shù)。而且，所述第一鈍化膜的線性膨脹系數(shù)可以大于所述第二鈍化膜的線性膨脹系數(shù)。依照該結(jié)構(gòu)，所述金屬層不僅與第二鈍化膜相接觸，而且還與線性膨脹系數(shù)大于第二鈍化膜的第一鈍化膜相接觸。因此，當加熱金屬層時金屬層能夠適當?shù)嘏蛎?，所以能夠抑制金屬層的晶體密度的增大。其結(jié)果，能夠抑制形成空隙。在上述第一方案中，所述第一鈍化膜可以包括聚酰亞胺。關(guān)于該結(jié)構(gòu)，當加熱金屬層時所述金屬層能夠適當?shù)嘏蛎洝Ｒ虼?，當該結(jié)構(gòu)恢復至正常溫度時，能夠抑制形成空隙。在上述第一方案中，所述第二鈍化膜可以是半導電的。依照該結(jié)構(gòu)，當活動離子進入第二鈍化膜的上層時，電流能夠流至第二鈍化膜。其結(jié)果，抑制在半導體襯底表面上產(chǎn)生感應電荷。上述第一方案的半導體裝置還可以包括形成于所述半導體襯底的外周部上的周邊耐壓區(qū)域，且第二鈍化膜可以位于所述周邊耐壓區(qū)域中。依照該結(jié)構(gòu)，能夠適當?shù)匾种苹顒与x子進入所述半導體襯底（特別是具有RESURF結(jié)構(gòu)的區(qū)域）。本發(fā)明的第二方案涉及半導體裝置制造方法，包括：在半導體襯底上方形成金屬層；形成第一鈍化膜，其與所述金屬層的一個側(cè)表面的至少一部分相接觸；以及形成第二鈍化膜，其形成為從所述第一鈍化膜延伸至所述金屬層，并且所述第二鈍化膜與所述第一鈍化膜的上表面相接觸而且與所述金屬層的上表面的至少一部分相接觸。依照本發(fā)明的該第二方案，能夠制造出抑制空隙形成的半導體。附圖說明以下將參照附圖描述本發(fā)明示例性實施例的特征、優(yōu)點以及技術(shù)意義和工業(yè)意義，其中類似的附圖標記指代類似的元件，并且其中：圖1是本發(fā)明的半導體裝置的縱剖視圖；圖2是本發(fā)明的半導體裝置的周邊耐壓區(qū)域的縱剖視圖的局部放大圖；圖3是低溫下現(xiàn)有半導體裝置的電極附近區(qū)域的縱剖視圖；圖4是圖3中半導體裝置的鈍化膜中已形成裂紋的狀態(tài)圖；圖5是高溫下現(xiàn)有半導體裝置的電極附近區(qū)域的縱剖視圖；圖6是圖5中半導體裝置的鈍化膜中已形成空隙的狀態(tài)圖；圖7是在本發(fā)明的半導體裝置制造方法中，已應用聚酰亞胺到電極和絕緣膜上的狀態(tài)圖；圖8是在本發(fā)明的半導體裝置制造方法中，在被應用的聚酰亞胺膜上已形成掩模的狀態(tài)圖；圖9是在本發(fā)明的半導體裝置制造方法中，已經(jīng)掩模蝕刻聚酰亞胺膜的狀態(tài)圖；圖10是在本發(fā)明的半導體裝置制造方法中，已卸除掩模的狀態(tài)（烘烤聚酰亞胺膜前的狀態(tài)）圖；圖11是在本發(fā)明的半導體裝置制造方法中，已經(jīng)通過熱處理半導體襯底來烘烤聚酰亞胺膜后的狀態(tài)圖；以及圖12是在本發(fā)明的半導體裝置制造方法中，在聚酰亞胺膜上已形成氮化物膜的狀態(tài)圖。具體實施方式以下，將描述本發(fā)明半導體裝置的示例性實施例。圖1是本發(fā)明的半導體裝置10的縱剖視圖。如圖1所示，半導體裝置10包括半導體襯底12，以及形成于半導體襯底12的上表面和下表面上的電極和絕緣膜等。半導體襯底12具有有源區(qū)域20和周邊耐壓區(qū)域50。在有源區(qū)域20中形成IGBT（絕緣柵雙極晶體管）。當從上表面?zhèn)扔^察半導體襯底12時，有源區(qū)域20基本上形成于半導體襯底12的中央部。周邊耐壓區(qū)域50是減弱有源區(qū)域20的電場的區(qū)域。周邊耐壓區(qū)域50形成于半導體襯底12的外周部處。更具體地，周邊耐壓區(qū)域50是在半導體襯底12的有源區(qū)域20和外端部（即，外周邊）12a之間的區(qū)域。因此，當從上方觀察半導體襯底12時，周邊耐壓區(qū)域50環(huán)繞著有源區(qū)域20。在有源區(qū)域20的上表面內(nèi)形成有溝槽。溝槽的內(nèi)表面被柵極絕緣膜覆蓋。柵電極28形成在溝槽內(nèi)。發(fā)射電極22形成于有源區(qū)域20的上表面上。母線（未顯示）被焊接至發(fā)射電極22。集電極34形成于半導體襯底12的下表面上。通過諸如焊錫的釬料、或絲焊、或?qū)щ娦阅z等，將半導體裝置10的上表面上的電極（例如，發(fā)射電極22、柵電極極板（即，連接至每個柵電極28的極板）（未顯示）以及另一個信號提取電極）連接至外部導電構(gòu)件。在有源區(qū)域20內(nèi)形成有n型發(fā)射極區(qū)域24、p型體區(qū)域26、n型漂移區(qū)30和p型集電極區(qū)域32。發(fā)射極區(qū)域24形成于半導體襯底12的上表面上外露的區(qū)域內(nèi)。發(fā)射極區(qū)域24與覆蓋柵電極28的柵極絕緣膜相接觸。發(fā)射極區(qū)域24歐姆連接至發(fā)射電極22。體區(qū)域26緊鄰發(fā)射極區(qū)域24而形成于發(fā)射極區(qū)域24的下側(cè)上。體區(qū)域26與發(fā)射極區(qū)域24的下側(cè)上的柵極絕緣膜相接觸。兩個發(fā)射極區(qū)域24之間的體區(qū)域26（所謂的體接觸區(qū)域）具有高p型雜質(zhì)濃度，且體區(qū)域26歐姆連接至發(fā)射電極22。漂移區(qū)30形成于體區(qū)域26的下側(cè)上。通過體區(qū)域26將漂移區(qū)30與發(fā)射極區(qū)域24隔開。漂移區(qū)30與溝槽下端部的柵極絕緣膜相接觸。集電極區(qū)域32形成于漂移區(qū)30的下側(cè)上。集電極區(qū)域32具有高p型雜質(zhì)濃度，且歐姆連接至集電極34。通過上述的這些電極和半導體區(qū)域在有源區(qū)域20內(nèi)形成IGBT。在周邊耐壓區(qū)域50內(nèi)形成有深p型區(qū)域52、RESURF區(qū)域56以及端部n型區(qū)域62。深p型區(qū)域52位于有源區(qū)域20和周邊耐壓區(qū)域50之間的邊界處。深p型區(qū)域52形成于半導體襯底12的上表面上外露的區(qū)域內(nèi)。深p型區(qū)域52體區(qū)域26相接觸。深p型區(qū)域52比有源區(qū)域20中的柵電極28形成得更深。深p型區(qū)域52包含高濃度的p型雜質(zhì)，且電阻性地連接至形成于深p型區(qū)域52上的電極54。電極54起諸如金屬層的作用。RESURF區(qū)域56靠近深p型區(qū)域52。RESURF區(qū)域56形成于半導體襯底12的上表面上外露的區(qū)域內(nèi)。RESURF區(qū)域56比深p型區(qū)域52形成得更淺。RESURF區(qū)域56的p型雜質(zhì)濃度低于深p型區(qū)域52的p型雜質(zhì)濃度。而且，RESURF區(qū)域56的p型雜質(zhì)濃度低于端部n型區(qū)域62的n型雜質(zhì)濃度。端部n型區(qū)域62形成于外露于半導體襯底12的端表面12a上并外露于半導體襯底12的上表面上的區(qū)域內(nèi)。端部n型區(qū)域62具有較高濃度的n型雜質(zhì)，且電阻性地連接至形成于端部n型區(qū)域62上的電極64。電極64起諸如金屬層的作用。上述漂移區(qū)30形成于深p型區(qū)域52、RESURF區(qū)域56以及端部n型區(qū)域62的下側(cè)上。也就是說，漂移區(qū)30從有源區(qū)域20延伸至周邊耐壓區(qū)域50。而且，漂移區(qū)30還處于RESURF區(qū)域56和端部n型區(qū)域62之間的區(qū)域內(nèi)，且外露于本區(qū)域內(nèi)的半導體襯底12的上表面上。在下文中，RESURF區(qū)域56和端部n型區(qū)域62之間的漂移區(qū)30將被稱為周邊漂移區(qū)30a。該漂移區(qū)30的n型雜質(zhì)濃度低于端部n型區(qū)域62的n型雜質(zhì)濃度。集電極區(qū)域32也形成于周邊耐壓區(qū)域50中的漂移區(qū)30的下側(cè)上。絕緣膜58形成于周邊耐壓區(qū)域50的表面上。絕緣膜58從深p型區(qū)域52延伸至端部n型區(qū)域62，且形成于RESURF區(qū)域56和周邊漂移區(qū)30a二者的上表面上。電極54和電極64形成于絕緣膜58的上表面上。電極54經(jīng)由形成于絕緣膜58內(nèi)的通孔而與深p型區(qū)域52相接觸。在本示例性實施例中的電極54和電極64都是由鋁制成的，但用于形成電極的金屬類型并不限于此。聚酰亞胺膜70形成于電極54和電極64之間，也形成于發(fā)射電極22和電極54之間。電極54和電極64之間的聚酰亞胺膜70形成于絕緣膜58的上表面上以便于與電極54的一個側(cè)表面的一部分和電極64的一個側(cè)表面的一部分都相接觸。同時，發(fā)射電極22和電極54之間的聚酰亞胺膜70形成于絕緣膜57的上表面上以便于與電極22的一個側(cè)表面的一部分和電極54的一個側(cè)表面的一部分都相接觸。聚酰亞胺膜70起諸如第一鈍化膜的作用。在本示例性實施例中，由聚酰亞胺膜70形成第一鈍化膜，但形成第一鈍化膜的材料并不限于此。而且，聚酰亞胺膜70可以與電極54或64的整個側(cè)表面相接觸。也就是說，聚酰亞胺膜70可以與電極54或64相接觸以便于處于與電極54或64大致相同的高度。氮化物膜76形成于聚酰亞胺膜70的上表面上、電極54的上表面上以及電極64的上表面上。也就是說，氮化物膜76形成于周邊耐壓區(qū)域50的表面上。氮化物膜76作為一個連續(xù)膜形成為從聚酰亞胺膜70延伸至電極54和電極64。氮化物膜76起諸如第二鈍化膜的作用。例如，氮化物膜76可以是半導電性的氮化硅膜（所謂的SinSiN膜），但形成第二鈍化膜的材料并不限于此。上述結(jié)構(gòu)，換言之，電極54與聚酰亞胺膜70和氮化物膜76相接觸。電極54（鋁）、聚酰亞胺膜70（聚酰亞胺）以及氮化物膜76（SiN）的線性膨脹系數(shù)分別是24×10-6[/K]、40×10-6[/K]和3×10-6[/K]。因此，在這三者之間成立以下關(guān)系。也就是說，電極54的線性膨脹系數(shù)大于氮化物膜76的線性膨脹系數(shù)。而且，聚酰亞胺膜70的線性膨脹系數(shù)大于氮化物膜76的線性膨脹系數(shù)。另外，聚酰亞胺膜70的線性膨脹系數(shù)大于電極54的線性膨脹系數(shù)。聚合物層80形成于氮化物膜76的上表面上。該聚合物層80還與發(fā)射電極22的上表面的一部分相接觸。也就是說，聚合物層80形成為以有源區(qū)域20的表面的一部分和周邊耐壓區(qū)域50的表面而延續(xù)的一層。本示例性實施例的聚合物層80由聚酰胺形成，但形成聚合物層80的材料并不限于此。樹脂層82形成于聚合物層80的上表面上。由聚酰胺形成的聚合物層80能夠改善金屬板（未顯示，例如上述母線）與樹脂層82之間的接觸。以下，依照圖2至圖6，將參照根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的半導體裝置作為比較示例，來描述本示例性實施例的半導體裝置10的詳細情況。圖3是低溫下現(xiàn)有半導體裝置的電極附近區(qū)域的縱剖視圖。圖3中的箭頭以結(jié)構(gòu)形式顯示出每個構(gòu)件中因低溫而產(chǎn)生的應力。電極104、氮化物膜106、聚酰亞胺膜100、聚合物層110以及樹脂層112分別由與制成圖2中電極54、氮化物膜76、聚酰亞胺膜70、聚合物層80以及樹脂層82的材料相同的材料制成。電極104（鋁）、氮化物膜106、聚酰亞胺膜100、聚合物層110（聚酰胺）以及樹脂層112的線性膨脹系數(shù)分別大約為24×10-6[/K]、3×10-6[/K]、40×10-6[/K]、80×10-6[/K]和9×10-6[/K]。也就是說，環(huán)繞氮化物膜106的材料具有比氮化物膜106本身的線性膨脹系數(shù)大很多的線性膨脹系數(shù)。因此，當這些材料由于溫度變化而反復地熱膨脹和熱收縮時，諸如圖3中箭頭所指的強大熱應力作用在氮化物膜106上，使得形成像圖4中顯示的裂紋103。剪切應力和壓縮應力都是熱應力的示例，但熱應力并不限于這些。上述熱應力特別集中于臺階的邊角部（例如，圖3中的邊角部C2），因此，裂紋103形成于氮化物膜106的邊角部附近。通常，應力更多集中于氮化物膜106處，因此，電極104的臺階越高（即，電極104越厚），作用在氮化物膜106的邊角部上的熱應力就越增大。這里，圖2是圖1中半導體裝置10的周邊耐壓區(qū)域50的局部放大圖。如圖2所示，聚酰亞胺膜70與電極54的兩個側(cè)表面的一部分和電極64的一個側(cè)表面的一部分相接觸。因此，電極54從靠近電極54的膜的表面（即，從聚酰亞胺膜）以高度H2突出。在另一方面，對于圖3中顯示的現(xiàn)有半導體裝置，電極104形成于絕緣膜108的上表面上。因此，電極104從絕緣膜108的表面以高度H1突出。如果電極54和電極104形成在距離絕緣膜的表面相同高度處（即，高度H1），則電極54所突出的高度H2比電極104所突出的高度H1小聚酰亞胺膜70的膜厚度D1。因此，氮化物膜76在電極54的邊角部C1處的臺階將不與氮化物膜106在電極104的邊角部C2處的臺階一樣大。其結(jié)果，即使在溫度變化之后相同的熱應力從電極54和聚合物層80等作用于氮化物膜76上，也將緩解從此刻起的應力朝向邊角部C1集中。因此，能夠減少氮化物膜76中裂紋的出現(xiàn)。圖5是高溫下現(xiàn)有半導體裝置的電極附近區(qū)域的縱剖視圖。例如，高溫的例子為半導體裝置制造過程中正在進行的聚酰亞胺烘烤過程。如圖5所示，電極104（鋁）被氮化物膜106和絕緣膜108（SiO2）覆蓋。鋁、氮化物膜（SiN）以及SiO2的線性膨脹系數(shù)分別為24×10-6[/K]、3×10-6[/K]和0.6×10-6[/K]。當在聚酰亞胺烘烤過程中加熱半導體裝置至高溫時，由具有比較大線性膨脹系數(shù)的鋁制成的電極104被具有比較小線性膨脹系數(shù)的氮化物膜106和絕緣膜108環(huán)繞，因而阻礙了電極104的膨脹。因此，電極104在氮化物膜106和絕緣膜108內(nèi)發(fā)生塑性變形，并且電極104的晶體密度增大。然后，當半導體裝置恢復到正常溫度時，其中晶體密度已被暫時增大的電極104熱收縮直至其小于原始大?。矗钡狡湫∮陔姌O104在加熱前的尺寸）。也就是說，電極104的體積因已增大的電極104的晶體密度而減小。當發(fā)生這種情況時，在氮化物膜106和絕緣膜108內(nèi)形成真空腔（空隙），如圖6所示。同時，如圖2所示，對于示例性實施例的半導體裝置10，所使用的結(jié)構(gòu)是，電極54不僅與氮化物膜76和絕緣膜58相接觸，而且還與聚酰亞胺膜70相接觸。如上所述，聚酰亞胺膜70的線性膨脹系數(shù)(40×10-6[/K])大于氮化物膜76的線性膨脹系數(shù)(3×10-6[/K])。因此，當加熱半導體裝置時，電極54在接觸聚酰亞胺膜70的表面處相對容易膨脹。其結(jié)果，能夠抑制由于加熱而形成空隙。而且，氮化物膜阻止例如Na、Cu和Cl的活動離子從外部進入半導體襯底12中。因此，如圖1所示，因為氮化物膜76在周邊耐壓區(qū)域50中形成在電極54和電極64之間，所以能夠阻止活動離子進入RESURF區(qū)域56中。而且，因為氮化物膜76是半導電的，所以通過形成在電極54和電極64之間延伸的氮化物膜76，能夠抑制在半導體襯底12的表面上產(chǎn)生感應電荷。因此，可以抑制在周邊耐壓區(qū)域中耐壓的降低。如上所述，對于上述現(xiàn)有半導體裝置，應力由于溫度變化而集中于突出電極104的邊角部，因而在覆蓋該邊角部的氮化物膜106內(nèi)形成裂紋。也就是說，當?shù)锬?06形成為覆蓋臺階時，應力由于溫度變化而集中于臺階的邊角部處，并且在覆蓋該邊角部的氮化物膜106內(nèi)形成裂紋。特別地，當臺階較大時（即，當電極的厚度大時），氮化物膜106往往容易裂開。另一方面，對于依照本發(fā)明的半導體裝置10的結(jié)構(gòu)，聚酰亞胺膜70形成為靠近電極54和電極64的側(cè)表面的至少一部分。因此，從聚酰亞胺膜70突出的電極54和電極64的臺階要小于在現(xiàn)有半導體裝置中的臺階。也就是說，電極54和電極64的厚度相對小了聚酰亞胺膜70的厚度。因此，減小或阻止了應力由于溫度變化而集中在電極54和電極64的邊角部處，因而能夠抑制在覆蓋電極54和電極64的邊角部的氮化物膜76內(nèi)形成裂紋。另外，氮化物膜76形成于接觸電極54和電極64的側(cè)表面的聚酰亞胺膜70上。因此，聚酰亞胺膜70被氮化物膜76保護，從而不需要具有與氮化物膜76相同的功能。所以，與氮化物膜76相比較，聚酰亞胺膜70能夠由允許電極54和電極64在被加熱時膨脹的材料制成。其結(jié)果，能夠抑制電極54和電極64被加熱時的晶體密度的增大，因而能夠抑制形成空隙。這樣，依照本示例性實施例的半導體裝置10，能夠抑制在電極周圍形成空隙，且能夠抑制在氮化物膜76中形成裂紋。（半導體裝置的制造方法）以下，將參照圖7至圖12描述半導體裝置10的制造方法。盡管未顯示，但在半導體襯底12的有源區(qū)域20中形成有諸如擴散層的半導體元件結(jié)構(gòu)。通過現(xiàn)有公認的方法形成有源區(qū)域20的半導體元件結(jié)構(gòu)，因而將省略掉該形成方法的說明。在以下說明中，將主要描述設(shè)置在半導體襯底12的周邊耐壓區(qū)域50的表面上的保護膜的形成方法。而且，在所參照的以下附圖中，雖然僅顯示了電極54附近的區(qū)域，但以下所述制造方法對于周邊耐壓區(qū)域50也是相同的。在本示例性實施例中，通過在半導體襯底12上執(zhí)行絕緣膜形成步驟、金屬層形成步驟、第一鈍化膜形成步驟和第二鈍化膜形成步驟來制造半導體裝置10。首先，如圖7所示，依照公認的方法在半導體襯底12的表面上形成絕緣膜。然后，使用光刻技術(shù)等將蝕刻應用于絕緣膜上，以形成圖案化的絕緣膜58。接著，如圖7所示，通過CVD方法等，在絕緣膜58和半導體襯底12二者的表面上形成鋁層。還可以在鋁層和絕緣膜58之間以及在鋁層和半導體襯底12之間預先形成勢壘層。然后，使用光刻技術(shù)等將蝕刻應用于鋁層上，且形成電極54。通過與電極54相同的方法來形成電極64（未顯示）。繼續(xù)地，如圖7所示，通過諸如旋涂（spincoating）的方法將包含聚酰亞胺的有機溶劑涂敷到半導體襯底12的周邊耐壓區(qū)域50的表面上，然后烘干以形成聚酰亞胺涂膜69。在這種情況下，聚酰亞胺涂膜69形成得高于電極54的高度，使得電極54和絕緣膜58之間的臺階將被填滿（即，消除）。接下來，如圖8所示，使用光刻技術(shù)在聚酰亞胺涂膜69上形成圖案化掩模84。該圖案化掩模84在電極54上方具有開口86。如圖8所示，開口86的寬度小于電極54的寬度。接著，如圖9所示，通過濕法蝕刻去除位于電極54的上部上的聚酰亞胺膜69。使用濕法蝕刻能夠去除寬于掩模84的開口86的聚酰亞胺涂膜69的區(qū)域。然后，如圖10所示，通過灰化破壞和去除掩模84。然后，通過應用聚酰亞胺烘烤過程來烘烤聚酰亞胺涂膜69。當被加熱至預定溫度時，聚酰亞胺以恒速收縮。因此，該聚酰亞胺烘烤過程引起聚酰亞胺涂膜69熱收縮，使得它成為類似于圖11中所示的聚酰亞胺膜70。在圖11所示的狀態(tài)中，聚酰亞胺膜70的上表面略微低于電極54的上表面。而且，聚酰亞胺膜70與電極54的兩個側(cè)表面的一部分相接觸。通過預先調(diào)整聚酰亞胺涂膜69的高度，能夠使聚酰亞胺膜70的高度（即，距離絕緣膜58的高度）形成在適當高度處。在本示例性實施例中，盡管聚酰亞胺膜70的上表面形成為低于電極54的上表面，但是還可以調(diào)整聚酰亞胺涂膜69的高度以與電極54的高度基本上相同。使得聚酰亞胺膜70的上表面與電極54的上表面基本上處于相同高度，能夠使得氮化物膜76內(nèi)形成的臺階更小。以下，如圖12所示，使用等離子CVD方法等在聚酰亞胺膜70和電極54二者的上表面上形成氮化物膜76。形成氮化物膜76的方法并不限于等離子CVD方法。例如，還可以使用基團束（radicalbeam）方法等。以這種方式形成的氮化物膜76形成為從聚酰亞胺膜70延續(xù)至電極54，且與聚酰亞胺膜70的上表面和電極54的上表面相接觸。依照上述制造方法，能夠制造出圖1和圖2中顯示的示例性實施例的半導體裝置10。對于本示例性實施例的制造方法，在形成由鋁制成的電極54和電極64之后，形成氮化物膜76，因而不會腐蝕電極54和電極64。而且，使用的是干法蝕刻，所以堆積速率大于使用濕法蝕刻的堆積速率。也就是說，當在形成氮化物膜后形成鋁膜進而應用干法蝕刻時，來自氮化物膜的氫氣與蝕刻用氣體的氯氣反應，因而有可能會腐蝕鋁。然而，對于本示例性實施例的制造方法，在形成鋁膜后才形成氮化物膜，因而將不會存在上述腐蝕鋁膜的問題。在下文中，已經(jīng)詳細地描述了本說明書中所述技術(shù)的示例性實施例，但是這些僅僅是示例。本說明書中所描述的半導體裝置和半導體裝置制造方法還包括上述示例性實施例的各種修改例。例如，在示例性實施例中，氮化物膜76由半導電性的氮化硅膜(SInSiN膜)形成，但氮化物膜76還可以是雙層結(jié)構(gòu)，在半導電性的氮化硅膜(SInSiN膜)的上表面上具有氮化硅膜(SiN)。在這種情況下，作為氮化物膜76的上層膜的氮化硅膜（SiN）用來絕緣，以及抑制活動離子從外部進入，同時作為氮化物膜76的下層膜的半導電性的氮化硅膜(SInSiN膜)通過利用其半導電特性來抑制在襯底表面中產(chǎn)生感應電荷。也就是說，通過在周邊耐壓區(qū)域50的電極54和電極64之間形成的這種鈍化膜，能夠可靠地抑制活動離子從外部進入RESURF區(qū)域56。如從上述氮化物膜76的功能中顯而易見的是，氮化物膜76的一端可以連接至電極54，而氮化物膜76的另一端可以連接至電極64。因此，氮化物膜76不需要形成于電極54的整個上表面上。也就是說，氮化物膜76可以僅形成于電極54的上表面的一部分上。類似地，氮化物膜76不需要形成于電極64的整個上表面上。也就是說，氮化物膜76可以僅形成于電極64的上表面的一部分上。另外，在示例性實施例中，電極54和電極64是最上層的電極，但在具有多層布線結(jié)構(gòu)的半導體裝置中，依照本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可以形成于除了最上層以外的其他層上。而且，在示例性實施例中，IGBT形成于半導體裝置10的有源區(qū)域20中，但是別的半導體元件也可以形成于有源區(qū)域20中。例如，也可以形成MOSFET或二極管等。另外，在示例性實施例中，RESURF區(qū)域56形成于周邊耐壓區(qū)域50中，但是形成于半導體襯底上的周邊耐壓區(qū)域不限于RESURF區(qū)域56。例如，可以形成諸如FLR（場限環(huán)）結(jié)構(gòu)或者場電極結(jié)構(gòu)或者EQR（等勢環(huán)）等的另外的結(jié)構(gòu)而不是RESURF區(qū)域56。而且，在本說明書和附圖中示出的技術(shù)要素，以單獨的和各種組合形式來顯示技術(shù)實用性。另外，在本說明書和附圖中示出的技術(shù)同時實現(xiàn)多個目標，并且僅僅通過實現(xiàn)其中一個目標就具有技術(shù)實用性。