檢測(cè)裝置、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及檢測(cè)裝置、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)裝置的制造方法。一種檢測(cè)裝置包括布置于基板上的多個(gè)像素和多個(gè)信號(hào)布線，其中，多個(gè)像素中的每一個(gè)包含布置于基板上的開(kāi)關(guān)元件和布置于開(kāi)關(guān)元件上的轉(zhuǎn)換元件，轉(zhuǎn)換元件包含布置于開(kāi)關(guān)元件上并與開(kāi)關(guān)元件電連接的第一電極和布置于多個(gè)第一電極之上的半導(dǎo)體層，多個(gè)開(kāi)關(guān)元件與多個(gè)信號(hào)布線電連接，并且，檢測(cè)裝置還包括被供給恒定電勢(shì)的恒定電勢(shì)布線，其中，在多個(gè)像素之中的一部分像素中，第一電極與恒定電勢(shì)布線電連接。
【專利說(shuō)明】檢測(cè)裝置、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于醫(yī)療圖像診斷裝置、非破壞性檢查裝置和利用放射線的分析儀的檢測(cè)裝置的制造方法、檢測(cè)裝置和檢測(cè)系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]近年，薄膜半導(dǎo)體制造技術(shù)被用于其中諸如薄膜晶體管(TFT)的開(kāi)關(guān)元件與諸如光電轉(zhuǎn)換元件的轉(zhuǎn)換元件組合的檢測(cè)裝置和放射線檢測(cè)裝置。在美國(guó)專利N0.5619033中討論的具有在開(kāi)關(guān)元件上布置轉(zhuǎn)換元件的分層結(jié)構(gòu)的像素已被討論，以通過(guò)改善轉(zhuǎn)換元件的孔徑比來(lái)改善檢測(cè)裝置的靈敏度。美國(guó)專利N0.5619033進(jìn)一步討論了具有對(duì)于各像素分割與開(kāi)關(guān)元件電連接的轉(zhuǎn)換元件的電極(稱為單個(gè)電極)并且在多個(gè)像素之上沒(méi)有分離地布置轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層的分層結(jié)構(gòu)的像素。
[0003]在利用薄膜半導(dǎo)體制造技術(shù)的檢測(cè)裝置的制造過(guò)程中，由于外物的污染或處理中的問(wèn)題，會(huì)以一定的概率產(chǎn)生在其轉(zhuǎn)換元件和TFT中具有缺陷的有缺陷像素。然后，美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)N0.2004/0159794討論了 TFT的漏電極或源電極與信號(hào)布線之間的連接被切斷以使有缺陷的像素與信號(hào)布線電氣分離的修理技術(shù)。美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)N0.2004/0159794特別討論了通過(guò)激光切斷TFT的漏電極或源電極與信號(hào)布線之間的連接的激光修理技術(shù)。
[0004]但是，如果具有不對(duì)于各像素分離半導(dǎo)體層的轉(zhuǎn)換元件的檢測(cè)裝置被修理，那么，由于與有缺陷像素相鄰的正常像素在半導(dǎo)體層中與有缺陷像素連接，因此，會(huì)由于載流子的移動(dòng)在正常像素中產(chǎn)生失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供即使具有不對(duì)于各像素分離半導(dǎo)體層的轉(zhuǎn)換元件的檢測(cè)裝置被修理也能夠防止在正常像素中出現(xiàn)失效的檢測(cè)裝置及其制造方法。
[0006]一種檢測(cè)裝置，包括布置于基板上的多個(gè)像素和多個(gè)信號(hào)布線，其中，所述多個(gè)像素中的每一個(gè)包含布置于基板上的開(kāi)關(guān)元件和布置于開(kāi)關(guān)元件上的轉(zhuǎn)換元件，其中所述轉(zhuǎn)換元件包含布置于開(kāi)關(guān)元件上并與開(kāi)關(guān)元件電連接的第一電極和布置于多個(gè)第一電極之上的半導(dǎo)體層，并且其中多個(gè)開(kāi)關(guān)元件與多個(gè)信號(hào)布線電連接，并且，檢測(cè)裝置還包括被供給恒定電勢(shì)的恒定電勢(shì)布線，其中，在多個(gè)像素中的一部分像素中，第一電極與恒定電勢(shì)布線電連接。
[0007]一種檢測(cè)裝置的制造方法，包括:執(zhí)行在基板上形成多個(gè)信號(hào)布線、與多個(gè)信號(hào)布線電連接的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件和被供給恒定電勢(shì)的恒定電勢(shì)布線的第一步驟；執(zhí)行形成包含與多個(gè)開(kāi)關(guān)元件電連接且在多個(gè)開(kāi)關(guān)元件上形成的多個(gè)第一電極和在多個(gè)第一電極上形成的半導(dǎo)體層的多個(gè)轉(zhuǎn)換元件、并且形成各包含多個(gè)開(kāi)關(guān)元件中的一個(gè)開(kāi)關(guān)元件和多個(gè)轉(zhuǎn)換元件中的一個(gè)轉(zhuǎn)換元件的多個(gè)像素的第二步驟；以及執(zhí)行電連接多個(gè)像素中的一部分像素的轉(zhuǎn)換元件的第一電極與恒定電勢(shì)布線的第三步驟。
[0008]從參照附圖對(duì)示例性實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的其它特征和方面將變得清晰?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1A是根據(jù)第一示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的示意性等價(jià)電路圖。
[0010]圖1B是根據(jù)第一示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置中的像素的示意性頂視圖。
[0011]圖2A和圖2B是根據(jù)第一示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置中的一個(gè)像素的示意性截面圖。
[0012]圖3A、圖3B、圖3C、圖3D、圖3E和圖3F是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的制造方法的示意性截面圖。
[0013]圖4A、圖4B和圖4C是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的制造方法的示意性截面圖。
[0014]圖5A是根據(jù)第二示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的示意性等價(jià)電路圖。
[0015]圖5B是根據(jù)第二示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置中的像素的示意性頂視圖。
[0016]圖6A和圖6B是根據(jù)第二示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置中的一個(gè)像素的示意性截面圖。
[0017]圖7A?7C是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的制造方法的示意性截面圖。
[0018]圖8是根據(jù)第三示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置中的像素的示意性頂視圖。
[0019]圖9A和圖9B是根據(jù)第三示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置中的一個(gè)像素的示意性截面圖。
[0020]圖1OA?IOD是示出根據(jù)第三示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的制造方法的示意性截面圖。
[0021]圖1lA和圖1lB是示出根據(jù)第三示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的制造方法的示意性截面圖。
[0022]圖12是根據(jù)第四示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置中的像素的示意性頂視圖。
[0023]圖13A和圖13B是根據(jù)第四示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置中的一個(gè)像素的示意性截面圖。
[0024]圖14A?14D是示出根據(jù)第四示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的制造方法的示意性截面圖。
[0025]圖15是示出根據(jù)第四示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的制造方法的示意性截面圖。
[0026]圖16是根據(jù)第五示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置中的像素的示意性頂視圖。
[0027]圖17A和圖17B是根據(jù)第五示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置中的一個(gè)像素的示意性截面圖。
[0028]圖18是示出檢測(cè)裝置被應(yīng)用于檢測(cè)系統(tǒng)的應(yīng)用的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]以下，參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。
[0030]以下描述第一示例性實(shí)施例。
[0031]參照?qǐng)D1A和圖1B以及圖2A和圖2B，描述根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置。圖1A是根據(jù)第一示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的示意性等價(jià)電路圖。在圖1A中，為了簡(jiǎn)化，使用具有三行和三列的等價(jià)電路圖，但是，本發(fā)明不限于該電路圖。檢測(cè)裝置具有轉(zhuǎn)換單元3，該轉(zhuǎn)換單元3是具有η個(gè)行和m個(gè)列的像素陣列(η和m分別是2或更大的自然數(shù))。圖1B是一個(gè)像素的示意性頂視圖，并且，為了簡(jiǎn)化，僅示出轉(zhuǎn)換元件的第一電極122，而各絕緣層和轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層被省略。圖2A是沿圖1B中的正常像素的線A-A'的示意性截面圖。圖2B是沿圖1B中的有缺陷的像素的線B-B'的示意性截面圖。圖2A和圖2B還示出在圖1B中省略的各絕緣層和轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層。
[0032]在根據(jù)本示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置中，包含沿行方向和列方向布置的多個(gè)像素I的轉(zhuǎn)換單元3被設(shè)置在基板100的表面上。各像素I包含將放射線或光轉(zhuǎn)換成電荷的轉(zhuǎn)換元件12和作為輸出根據(jù)轉(zhuǎn)換元件12的電荷的電信號(hào)的開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT) 13。將放射線轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光的閃爍體(未示出)可被布置于轉(zhuǎn)換元件的第二電極126的表面上。電極布線14與沿列方向布置的多個(gè)轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126共同電連接。
[0033]為了方便，示出電極布線14，但是，本發(fā)明不限于使用布線結(jié)構(gòu)的配置。可在不使用布線結(jié)構(gòu)的情況下僅通過(guò)布置于像素陣列的整個(gè)表面上的第二電極126進(jìn)行電連接。后面描述的TFT的第二主電極136與轉(zhuǎn)換元件12的第一電極122電連接?？刂撇季€15與沿行方向布置的多個(gè)TFT13的控制電極131電連接，并與驅(qū)動(dòng)電路2電連接。驅(qū)動(dòng)電路2依次或同時(shí)向沿列方向并排布置的多個(gè)控制布線15供給驅(qū)動(dòng)脈沖，使得以行為單位的來(lái)自像素的電信號(hào)被并行輸出到沿行方向并排布置的多個(gè)信號(hào)布線16。
[0034]信號(hào)布線16與沿列方向布置的多個(gè)TFT13的第一主電極135共同電連接，并與讀取電路4電連接。讀取電路4包含對(duì)于各信號(hào)布線16積分和放大來(lái)自信號(hào)布線16的電信號(hào)的積分放大器5以及米樣和保持由積分放大器5放大和輸出的電信號(hào)的米樣和保持電路
6。讀取電路4還包含將從多個(gè)采樣和保持電路6并行輸出的電信號(hào)轉(zhuǎn)換成串行電信號(hào)的多路復(fù)用器7和將輸出的電信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的模-數(shù)(A/D)轉(zhuǎn)換器8。從電源電路9向積分放大器5的非反相輸入端子供給基準(zhǔn)電勢(shì)Vref。
[0035]電源電路9與沿行方向布置的多個(gè)電極布線14連接，以向轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126供給偏置電勢(shì)Vs。沿列方向布置被供給預(yù)先確定的恒定電勢(shì)的恒定電勢(shì)布線17。恒定電勢(shì)布線17被布置為與信號(hào)布線16平行。如果產(chǎn)生有缺陷的像素以向轉(zhuǎn)換元件的第一電極122施加意外的電勢(shì)，那么第一電極122與恒定電勢(shì)布線17電連接，以使得能夠?qū)⒌谝浑姌O122固定于供給到恒定電勢(shì)布線17的恒定電勢(shì)。TFT13的控制電極是柵電極，第一主電極135是源電極和漏電極中的一個(gè)，并且，第二主電極136是源電極和漏電極中的另一個(gè)。
[0036]以下參照?qǐng)D1B和圖2A描述正常像素的配置。根據(jù)本示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的一個(gè)像素11包括將放射線或光轉(zhuǎn)換成電荷的轉(zhuǎn)換元件12和作為輸出根據(jù)轉(zhuǎn)換元件12的電荷的電信號(hào)的開(kāi)關(guān)元件的TFT13。轉(zhuǎn)換元件12使用正本征負(fù)(PIN)光電二極管。轉(zhuǎn)換元件12被布置為層疊于設(shè)置在諸如玻璃基板的絕緣基板100上的TFT13上，使得層間絕緣層138夾在轉(zhuǎn)換元件12與TFT13之間。
[0037]TFT13被構(gòu)建為使得在基板100上依次一個(gè)覆蓋另一個(gè)地層疊控制電極131、絕緣層132、半導(dǎo)體層133、雜質(zhì)濃度比半導(dǎo)體層133高的雜質(zhì)半導(dǎo)體層134、第一主電極135和第二主電極136。雜質(zhì)半導(dǎo)體層134的部分區(qū)域與第一主電極135和第二主電極136接觸，并且，半導(dǎo)體層133的與所述部分區(qū)域接觸的區(qū)域之間的區(qū)域是TFT溝道?？刂齐姌O131與控制布線15電連接，第一主電極135與信號(hào)布線16電連接，并且，第二主電極136與轉(zhuǎn)換元件12的第一電極122電連接。恒定電勢(shì)布線17和連接部件18分別布置于基板100之上和上面。
[0038]在本示例性實(shí)施例中，如后面描述的那樣，控制電極131、控制布線15和連接部件18由相同的導(dǎo)電膜形成，并且，控制電極131形成控制布線15的一部分。在本示例性實(shí)施例中，如后面描述的那樣，第一主電極135、第二主電極136、信號(hào)布線16和恒定電勢(shì)布線17由相同的導(dǎo)電膜形成，并且，第一主電極135形成信號(hào)布線16的一部分。
[0039]如圖2A所示，連接部件18和恒定電勢(shì)布線17被布置為經(jīng)由絕緣層132相互至少部分地重疊。在本示例性實(shí)施例中，使用以非晶硅為主要材料的半導(dǎo)體層133和雜質(zhì)半導(dǎo)體層134的反相交錯(cuò)TFT被用作開(kāi)關(guān)元件，但是，本發(fā)明不限于反相交錯(cuò)TFT。例如，使用多晶硅為主要材料的交錯(cuò)TFT可被使用，或者，有機(jī)TFT或氧化物TFT可被使用。
[0040]保護(hù)層137被布置為覆蓋TFT13、控制布線15、信號(hào)布線16和恒定電勢(shì)布線17。層間絕緣層138被布置于基板100與多個(gè)第一電極122之間，以覆蓋多個(gè)TFT13。保護(hù)層137和層間絕緣層138包含接觸孔。
[0041]轉(zhuǎn)換元件12被構(gòu)建為使得在層間絕緣層138上依次一個(gè)覆蓋另一個(gè)地層疊第一電極122、第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層123、半導(dǎo)體層124、第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層125和第二電極126。希望布置于第一電極122與第二電極126之間的半導(dǎo)體層124是本征半導(dǎo)體。布置于第一電極122與半導(dǎo)體層124之間的第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層123表現(xiàn)第一導(dǎo)電類型極性，并且其第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)濃度比半導(dǎo)體層124和第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層125高。布置于半導(dǎo)體層124與第二電極126之間的第二導(dǎo)電雜質(zhì)半導(dǎo)體層125表現(xiàn)與第一導(dǎo)電類型極性相反的第二導(dǎo)電類型極性，并且其第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)濃度比第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層123和半導(dǎo)體層124高。
[0042]第一和第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層具有極性彼此不同的導(dǎo)電類型。例如，第一導(dǎo)電類型層是η型，并且，第二導(dǎo)電類型層是P型。轉(zhuǎn)換元件12的第一電極122在設(shè)置在TFT13的保護(hù)層137和層間絕緣層138中的第一接觸孔CHl處與第二主電極136電連接。轉(zhuǎn)換元件12的第一電極122在設(shè)置在保護(hù)層137和層間絕緣層138中的第二接觸孔CH2處與連接部件18電連接。第二電極126與后面描述的電極布線14電連接。
[0043]在本示例性實(shí)施例中，使用以非晶硅為主要材料的使用第一導(dǎo)電雜質(zhì)半導(dǎo)體層123、半導(dǎo)體層124和第二導(dǎo)電雜質(zhì)半導(dǎo)體層125的光電二極管，但是，本發(fā)明不限于以上情況。例如，元件可使用第一導(dǎo)電雜質(zhì)半導(dǎo)體層123、半導(dǎo)體層124和第二導(dǎo)電雜質(zhì)半導(dǎo)體層125，以非晶硒為主要材料，以直接將放射線轉(zhuǎn)換成電荷。
[0044]作為轉(zhuǎn)換元件，在第一電極122和第二電極126中使用諸如透光的氧化銦錫(ΙΤ0)的透明導(dǎo)電氧化物?？稍诘谝浑姌O122中使用金屬材料。特別地，如果轉(zhuǎn)換元件12是包含光電轉(zhuǎn)換元件和波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的間接轉(zhuǎn)換元件，那么在作為波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件側(cè)的電極的第二電極126中使用諸如透光的ITO的透明導(dǎo)電氧化物?？稍诒鹊诙姌O126遠(yuǎn)離波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件的第一電極122中使用由光透過(guò)率低的鋁制成的導(dǎo)電元件。
[0045]在層間絕緣層138上的多個(gè)第一電極122之間，由無(wú)機(jī)絕緣材料制成的絕緣部件121被布置為與層間絕緣層138接觸。第一電極122和絕緣部件121被布置于層間絕緣層138上以覆蓋層間絕緣層138。出于這種原因，在沉積作為雜質(zhì)半導(dǎo)體層123的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜時(shí)，層間絕緣層138不在表面上露出，以使得能夠減少雜質(zhì)半導(dǎo)體層123中的有機(jī)絕緣材料的污染。
[0046]在本示例性實(shí)施例中，雜質(zhì)半導(dǎo)體層123在絕緣部件121上對(duì)于各像素分離。在用于分離的干蝕刻處理中，絕緣部件121用作蝕刻停止層，以免使層間絕緣層138暴露到干蝕刻的物料(species )，從而使得能夠防止有機(jī)絕緣材料污染各層。
[0047]鈍化層127和層間絕緣層128被設(shè)置為覆蓋轉(zhuǎn)換元件12。鈍化層127使用諸如氧化硅或氮化硅的無(wú)機(jī)絕緣材料，并被設(shè)置為覆蓋轉(zhuǎn)換元件12和絕緣層121。層間絕緣層128被布置于第二電極126與電極布線14之間，以覆蓋鈍化層127。鈍化層127和層間絕緣層128具有接觸孔。轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126在設(shè)置在鈍化層127和層間絕緣層128中的接觸孔處與電極布線14電連接。層間絕緣層128可使用能夠形成厚層的有機(jī)絕緣材料，以減少轉(zhuǎn)換元件12與電極布線14之間的寄生電容。
[0048]電極布線14包含由透明導(dǎo)電氧化物制成并被布置于層間絕緣層128上的第一導(dǎo)電層141和由金屬材料制成并被布置于第一導(dǎo)電層141上的第二導(dǎo)電層142。第一導(dǎo)電層141在設(shè)置在鈍化層127和層間絕緣層128中的接觸孔處與轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126連接。第二導(dǎo)電層142被布置于第一導(dǎo)電層141上，使得第二導(dǎo)電層142的正交投影位于兩個(gè)相鄰的轉(zhuǎn)換元件12的兩個(gè)第一電極122之間。
[0049]諸如氧化硅或氮化硅的無(wú)機(jī)絕緣材料的鈍化層143被設(shè)置為覆蓋電極布線14。有機(jī)絕緣材料的平坦化層144被布置為覆蓋鈍化層143。將放射線轉(zhuǎn)換成可由光電轉(zhuǎn)換元件檢測(cè)的光的閃爍體200被布置于平坦化層144上。
[0050]以下參照?qǐng)D1B和圖2B描述有缺陷的像素的配置。作為例子，例舉外物20污染轉(zhuǎn)換元件12的有缺陷的像素。本發(fā)明的有缺陷的像素不限于此，而可例舉源自TFT13的電極之間的短路或特性異常的有缺陷的像素作為例子。
[0051]如圖1B和圖2B所示，在有缺陷的像素中，第一主電極135具有切斷第一主電極135與信號(hào)布線16的連接的斷開(kāi)區(qū)域21。斷開(kāi)區(qū)域21可禁止在有缺陷的像素中產(chǎn)生的電信號(hào)經(jīng)由信號(hào)布線16行進(jìn)到讀取電路4。斷開(kāi)區(qū)域21電氣分離第一電極122與信號(hào)布線
16。如后面描述的那樣，斷開(kāi)區(qū)域21是第一主電極135的一部分被激光照射以熔融和蒸發(fā)的區(qū)域。
[0052]控制電極131具有切斷控制電極131與控制布線15的連接的斷開(kāi)區(qū)域22。斷開(kāi)區(qū)域22是控制電極131的一部分被激光照射以熔融和蒸發(fā)的區(qū)域。斷開(kāi)區(qū)域22使得能夠防止供給到控制布線15的驅(qū)動(dòng)脈沖受在有缺陷的像素中產(chǎn)生的電信號(hào)影響。
[0053]有缺陷的像素具有第一電極122與恒定電勢(shì)布線17電連接的連接區(qū)域23。在本示例性實(shí)施例中，連接區(qū)域23是其中被布置為使得其一部分經(jīng)由絕緣層132重疊于連接部件18上的恒定電勢(shì)布線17重疊于連接部件18上并且連接部件18通過(guò)激光照射熔融的區(qū)域。由此，通過(guò)經(jīng)由連接區(qū)域23電連接連接部件18與恒定電勢(shì)布線17，第一電極122與恒定電勢(shì)布線17電連接。希望用于恒定電勢(shì)布線17和連接部件18的材料是諸如Al的具有低的熔點(diǎn)的金屬。由于要熔融的導(dǎo)電材料增加，因此，希望恒定電勢(shì)布線17比絕緣層132厚。可從基板100的上或下側(cè)進(jìn)行激光束的照射。圖2B示出從基板100的上側(cè)進(jìn)行激光照射的例子。
[0054]以下描述在第一電極122不與恒定電勢(shì)布線17電連接的情況下會(huì)出現(xiàn)的問(wèn)題。通常，跨著轉(zhuǎn)換元件的第一電極122和第二電極126施加用于將放射線或光轉(zhuǎn)換成電荷的電壓。出于這種原因，經(jīng)由信號(hào)布線16向第一電極122供給預(yù)先確定的電勢(shì)，并且，經(jīng)由電極布線14向第二電極126供給與預(yù)先確定的電勢(shì)不同的電勢(shì)。另一方面，在有缺陷的像素中，第一電極122與信號(hào)布線16電氣斷開(kāi),使得第一電極122在電氣上處于浮置狀態(tài),并且,其電勢(shì)逐漸變得等于供給到第二電極126的電勢(shì)。這在正常像素的第一電極122和有缺陷的像素的第一電極122之間產(chǎn)生大的電勢(shì)梯度差。
[0055]在這種狀態(tài)下，如果有缺陷的像素的第一電極122的電勢(shì)由于供給到控制布線15的驅(qū)動(dòng)脈沖而波動(dòng)成不希望的電勢(shì)，那么大量的電荷會(huì)經(jīng)由半導(dǎo)體層124根據(jù)電勢(shì)梯度流入相鄰的正常的像素中。這將受流入其中的電荷影響的電信號(hào)加到從與有缺陷的像素相鄰的正常像素獲得的電信號(hào)上，使得不會(huì)獲得正常的電信號(hào)。
[0056]為了解決以上的問(wèn)題，第一電極122與恒定電勢(shì)布線17電連接，以使第一電極122固定于預(yù)先確定的恒定電勢(shì)。需要向恒定電勢(shì)布線17供給恒定的電勢(shì)，使得不向PIN型光電二極管施加正向偏置。例如，如果第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層123是η型且第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層125是P型，那么供給到恒定電勢(shì)布線17的恒定電勢(shì)需要被設(shè)為等于或大于供給到第二電極126的偏置電勢(shì)Vs的電勢(shì)。
[0057]反方向的過(guò)量的偏置增加與相鄰的像素的第一電極的電勢(shì)差，并在有缺陷的像素部分中使電勢(shì)失衡。出于這種原因，希望供給到恒定電勢(shì)布線的恒定電勢(shì)至多固定到使為正常狀態(tài)中的暗電流的10倍或更少的暗電流流動(dòng)的電勢(shì)。并且，希望將恒定電勢(shì)固定到正常像素的轉(zhuǎn)換元件12的第一電極122的電勢(shì)的變動(dòng)范圍，并希望將其固定到正常像素的轉(zhuǎn)換元件被放射線照射時(shí)的第一電極122的電勢(shì)和轉(zhuǎn)換元件不被放射線照射時(shí)的第一電極122的電勢(shì)之間的電勢(shì)的范圍。恒定電勢(shì)可被設(shè)為基準(zhǔn)電勢(shì)Vref，基準(zhǔn)電勢(shì)Vref是等于供給到正常像素的第一電極122的電勢(shì)的電勢(shì)。
[0058]如果第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層123是P型且第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層125是η型，那么上述的電勢(shì)的大小關(guān)系相反。例如，固定的電勢(shì)布線電勢(shì)被設(shè)為等于或低于Vs電勢(shì)，以不向光電二極管施加反向偏置。在本示例性實(shí)施例中，使用PIN型光電二極管，但是，即使通過(guò)依次一個(gè)覆蓋另一個(gè)地層疊第一電極、絕緣層、半導(dǎo)體層、雜質(zhì)半導(dǎo)體層和第二電極的金屬絕緣體半導(dǎo)體(MIS)型光電轉(zhuǎn)換元件和不對(duì)于各像素分離半導(dǎo)體層的配置，也可實(shí)現(xiàn)類似的效果。
[0059]如圖2Β所示，如果外物20污染轉(zhuǎn)換元件12以導(dǎo)致缺陷，那么希望在外物20周?chē)O(shè)置斷開(kāi)區(qū)域24。第一電極122和第二電極126通過(guò)外物20被短路，并且由于外物20導(dǎo)致的短路是不穩(wěn)定的。希望通過(guò)將第二電極126的與外物20接觸的區(qū)域設(shè)為浮置使第一電極122與恒定電勢(shì)布線17電連接，以使轉(zhuǎn)換元件12穩(wěn)定化。如后面描述的那樣，斷開(kāi)區(qū)域24是第二電極126的一部分被激光照射以熔融和蒸發(fā)的區(qū)域。
[0060]以下，參照?qǐng)D3Α?3F和圖4Α?4C，描述根據(jù)第一示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的制造方法。圖3Α?3F和圖4Α和圖4Β是沿圖1B中的正常像素的A-A'的制造過(guò)程中的示意性截面圖。圖4C是沿圖1B中的有缺陷的像素的B-B'的示意性截面圖。
[0061]在圖3Α所示的處理中，Al的導(dǎo)電膜通過(guò)濺射方法沉積于絕緣基板100上，并被濕蝕刻以形成控制布線15 (未示出)、控制電極131和連接部件18。
[0062]在圖3Β所示的處理中，氮化硅膜的絕緣膜通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)方法被沉積，以覆蓋控制布線15、控制電極131和連接部件18。非晶硅膜的半導(dǎo)體膜和作為第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體膜的摻入作為雜質(zhì)的磷的非晶硅膜通過(guò)等離子體CVD方法被一個(gè)覆蓋另一個(gè)地沉積，以通過(guò)干蝕刻形成半導(dǎo)體層133和雜質(zhì)半導(dǎo)體層134。Al的導(dǎo)電膜被沉積，以通過(guò)濺射方法覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體層134，并被濕蝕刻以形成信號(hào)布線16、第一主電極135、第二主電極136和恒定電勢(shì)布線17。氮化硅膜的絕緣膜通過(guò)等離子體CVD方法被沉積，以覆蓋信號(hào)布線16、第一主電極135、第二主電極136和恒定電勢(shì)布線17。連接部件18上的部分區(qū)域和第二主電極136上的部分區(qū)域的絕緣膜通過(guò)干蝕刻被去除，以形成絕緣層132和保護(hù)層137。在圖3A和圖3B所示的處理中，在基板100上形成多個(gè)TFT13、控制布線
15、信號(hào)布線16、恒定電勢(shì)布線17和連接部件18。在本示例性實(shí)施例中，圖3A和圖3B所示的處理與本發(fā)明的第一處理對(duì)應(yīng)。
[0063]在圖3C所示的處理中，通過(guò)使用諸如旋涂機(jī)的涂敷裝置，作為感光有機(jī)材料的丙烯酸樹(shù)脂被涂敷，以形成作為層間絕緣膜的膜，以覆蓋TFT13、連接部件18和保護(hù)層136。作為感光有機(jī)材料，也可以使用聚酰亞胺樹(shù)脂。連接部件18上的部分區(qū)域和第二主電極136上的部分區(qū)域的層間絕緣膜通過(guò)使用希望的掩模并通過(guò)曝光和顯影處理被去除，以形成具有第一和第二接觸孔CHl和CH2的層間絕緣層138。
[0064]在圖3D所示的處理中，ITO的非晶透明導(dǎo)電氧化物膜通過(guò)濺射方法被沉積，以覆蓋TFT13、連接部件18和層間絕緣層138。透明導(dǎo)電氧化物膜通過(guò)使用希望的掩模被濕蝕亥IJ，并且通過(guò)退火處理被多晶化以形成第一電極122。在這里使用ITO作為透明導(dǎo)電氧化物，但是，可有利地使用 Zn0、Sn02、AT0、AZ0、CdIn204、MgIn204、ZnGa204和 InGaZn04。另外，可以使用可處于非晶狀態(tài)的諸如含Cu的銅鐵礦氧化物的透明導(dǎo)電氧化物，諸如CuA102。第一電極122在處理中與預(yù)先確定的連接部件18電連接，但不與恒定電勢(shì)布線17電連接。預(yù)先確定的連接部件18指的是與多個(gè)第一電極122中的每一個(gè)對(duì)應(yīng)的連接部件18。
[0065]在圖3E所示的處理中，諸如氮化硅或氧化硅的一般無(wú)機(jī)材料的絕緣膜通過(guò)等離子體CVD方法被沉積，以覆蓋層間絕緣層138和第一電極122。通過(guò)使用希望的掩模蝕刻絕緣膜，以形成用于與第一電極122 —起覆蓋層間絕緣層138的表面的絕緣部件121。
[0066]在圖3F所示的處理中，作為第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體膜的摻入作為雜質(zhì)的磷的非晶硅膜通過(guò)等離子體CVD方法被沉積，以覆蓋絕緣部件121和第一電極122。絕緣部件121上的雜質(zhì)半導(dǎo)體膜的一部分通過(guò)使用希望的掩模的干蝕刻被去除，以形成對(duì)于各第一電極122分離的第一導(dǎo)電雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。在絕緣部件121上執(zhí)行通過(guò)干蝕刻的去除。出于這種原因，絕緣部件121用作蝕刻停止層以免使層間絕緣層138暴露到干蝕刻的物料，從而使得能夠防止有機(jī)絕緣材料污染第一導(dǎo)電雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。
[0067]在圖4A所示的處理中，非晶硅膜的半導(dǎo)體層124通過(guò)等離子體CVD方法被沉積，以覆蓋絕緣部件121和第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層123。其中混入作為雜質(zhì)的硼的非晶硅膜的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體層125通過(guò)等離子體CVD方法被沉積，以覆蓋半導(dǎo)體層124。透明導(dǎo)電氧化物膜的導(dǎo)電膜通過(guò)濺射方法被沉積，以覆蓋第二導(dǎo)電雜質(zhì)半導(dǎo)體層125，由此形成第二電極126。諸如氮化硅膜的無(wú)機(jī)絕緣材料的絕緣膜通過(guò)等離子體CVD方法被沉積，以覆蓋第二電極126。作為感光有機(jī)絕緣材料的丙烯酸樹(shù)脂被涂敷以形成作為層間絕緣層的膜以覆蓋絕緣膜。通過(guò)使用希望的掩模在第二電極126上形成具有接觸孔的層間絕緣層128和鈍化層127。在本示例性實(shí)施例中，圖3C?3F和圖4A所示的處理與本發(fā)明的第二處理對(duì)應(yīng)。
[0068]在圖4B所示的處理中，透明導(dǎo)電氧化物通過(guò)濺射方法被沉積，以覆蓋層間絕緣層128和第二電極126。透明導(dǎo)電氧化物通過(guò)使用希望的掩模被濕蝕刻，以形成第一導(dǎo)電層141。諸如Al的金屬膜通過(guò)濺射方法被沉積，以覆蓋第一導(dǎo)電層141和層間絕緣層128。金屬膜通過(guò)使用希望的掩模被濕蝕刻，以在第一導(dǎo)電層141的一部分上形成第二導(dǎo)電層142。在該處理中，第二導(dǎo)電層142通過(guò)第一導(dǎo)電層141與轉(zhuǎn)換元件12的第二電極126電連接。在該點(diǎn)處，第一導(dǎo)電層141由透明導(dǎo)電氧化物形成，以防止數(shù)值孔徑降低。這形成由第一導(dǎo)電層141和第二導(dǎo)電層142形成的電極布線14。鈍化層143形成為覆蓋電極布線14和層間絕緣層128。
[0069]在圖4C所示的處理中，控制電極131的部分區(qū)域從基板100的上側(cè)被具有第一強(qiáng)度(能量)的激光照射。這形成熔融和蒸發(fā)控制電極131的部分區(qū)域及其上面的組成物質(zhì)以形成斷開(kāi)區(qū)域22的開(kāi)口。激光的強(qiáng)度(能量)由每單位面積的激光能量(能量密度)、被激光照射的面積和激光照射時(shí)間的積確定?？刂齐姌O131的部分區(qū)域從基板100的上側(cè)被具有比第一強(qiáng)度小的第二強(qiáng)度的激光照射，以形成熔融和蒸發(fā)控制電極131的部分區(qū)域及其上面的組成物質(zhì)從而形成斷開(kāi)區(qū)域21的開(kāi)口。
[0070]被布置為使得其一部分經(jīng)由絕緣層132重疊于連接部件18上的恒定電勢(shì)布線17重疊于連接部件18上的區(qū)域從基板100的上側(cè)被具有比第一強(qiáng)度小的第三強(qiáng)度的激光照射。這形成恒定電勢(shì)布線17上的組成物質(zhì)被蒸發(fā)從而蒸發(fā)絕緣層132以將恒定電勢(shì)布線17和連接部件18焊接在一起的開(kāi)口，這形成電連接第一電極122與恒定電勢(shì)布線17的連接區(qū)域23。
[0071]第二電極126中的外物20周?chē)牟糠謪^(qū)域從基板100的上側(cè)被具有比第二強(qiáng)度小的第四強(qiáng)度的激光照射，以形成熔融和蒸發(fā)第二電極126的部分區(qū)域及其上面的組成物質(zhì)的開(kāi)口，從而形成斷開(kāi)區(qū)域24。然后，各開(kāi)口被堵塞，并且，有機(jī)絕緣材料的平坦化層144形成為覆蓋鈍化層143，從而在平坦化層144上形成閃爍體200。這提供圖2A和圖2B所示的裝置。在本示例性實(shí)施例中，圖4C所示的處理與本發(fā)明的第三處理對(duì)應(yīng)。
[0072]以下描述第二示例性實(shí)施例。
[0073]以下參照?qǐng)D5A，描述根據(jù)第二示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的示意性等價(jià)電路。與在第一示例性實(shí)施例中描述的部件類似的部件被賦予相同的附圖標(biāo)記，因此省略它們的詳細(xì)的描述。
[0074]在圖1A所示的第一示例性實(shí)施例中，恒定電勢(shì)布線17被與信號(hào)布線16平行地并且沿著列方向布置。在圖5A所示的第二示例性實(shí)施例中，恒定電勢(shì)布線17被與信號(hào)布線15平行地并且沿著行方向布置。以上配置以外的配置與第一示例性實(shí)施例中的配置類似，因此省略其詳細(xì)的描述。
[0075]以下參照?qǐng)D5B與圖6A和圖6B描述根據(jù)第二示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的配置。圖5B是一個(gè)像素的示意性頂視圖，并且，出于簡(jiǎn)化的原因，僅示出轉(zhuǎn)換元件的第一電極122，各絕緣層和轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層被省略。圖6A是沿圖5B中的正常像素的線A-A'的示意性截面圖。圖6B是沿圖5B中的有缺陷的像素的線B-Bi的示意性截面圖。圖6A和圖6B還示出在圖5B中省略的各絕緣層和轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層。與在第一示例性實(shí)施例中描述的部件類似的部件被賦予相同的附圖標(biāo)記，因此省略它們的詳細(xì)的描述。[0076]在第一示例性實(shí)施例中，控制電極131、控制布線15和連接部件18由相同的導(dǎo)電膜形成，并且，第一主電極135、第二主電極136、信號(hào)布線16和恒定電勢(shì)布線17由相同的導(dǎo)電膜形成。恒定電勢(shì)布線17被布置于連接部件18上，使得恒定電勢(shì)布線17的至少一部分經(jīng)由絕緣層132重疊于連接部件18上。有缺陷的像素包含連接區(qū)域23，在連接區(qū)域23處，恒定電勢(shì)布線17的重疊于連接部件18上的區(qū)域通過(guò)激光照射焊接到連接部件18。
[0077]另一方面，在第二示例性實(shí)施例中，控制電極131、控制布線15和恒定電勢(shì)布線17由相同的導(dǎo)電膜形成，并且，第一主電極135、第二主電極136、信號(hào)布線16和連接部件18由相同的導(dǎo)電膜形成。連接部件18被布置于恒定電勢(shì)布線17上，使得連接部件18的至少一部分經(jīng)由絕緣層132重疊于恒定電勢(shì)布線17上。有缺陷的像素包含連接區(qū)域23，在連接區(qū)域23處，連接部件18的重疊于恒定電勢(shì)布線17上的區(qū)域通過(guò)激光照射被焊接到恒定電勢(shì)布線17。以上配置以外的配置與第一示例性實(shí)施例中的配置類似，因此，省略它們的詳細(xì)的描述。
[0078]以下參照?qǐng)D7A至圖7C描述根據(jù)第二示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的制造方法。以下，僅描述制造方法中的與第一示例性實(shí)施例不同的處理。與在第一示例性實(shí)施例中描述的處理類似的處理的詳細(xì)描述被省略。
[0079]在圖7A所示的處理中，Al的導(dǎo)電膜通過(guò)濺射方法被沉積于絕緣性的基板100上，并被濕蝕刻以形成控制布線15 (未示出)、控制電極131和恒定電勢(shì)布線17。
[0080]在圖7B所示的處理中，氮化硅膜的絕緣膜通過(guò)等離子體CVD方法被沉積，以覆蓋控制布線15、控制電極131和恒定電勢(shì)布線17。非晶硅膜的半導(dǎo)體膜和作為第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體膜的摻入作為雜質(zhì)的磷的非晶硅膜通過(guò)等離子體CVD方法被一個(gè)覆蓋另一個(gè)地沉積，以通過(guò)干蝕刻形成半導(dǎo)體層133和雜質(zhì)半導(dǎo)體層134。Al的導(dǎo)電膜通過(guò)濺射方法被沉積，以覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體層134，并被濕蝕刻以形成信號(hào)布線16、第一主電極135、第二主電極136和連接部件18。
[0081]氮化硅膜的絕緣膜通過(guò)等離子體CVD方法被沉積，以覆蓋信號(hào)布線16、第一主電極135、第二主電極136和連接部件18。連接部件18上的部分區(qū)域和第二主電極136上的部分區(qū)域的絕緣膜通過(guò)干蝕刻被去除，以形成絕緣層132和保護(hù)層137。在圖7A和圖7B所示的處理中，在基板100上形成多個(gè)TFT13、控制布線15、信號(hào)布線16、恒定電勢(shì)布線17和連接部件18。在本示例性實(shí)施例中，圖7A和圖7B所示的處理與本發(fā)明的第一處理對(duì)應(yīng)。
[0082]在圖7C所示的處理中，通過(guò)使用諸如旋涂機(jī)的涂敷裝置，作為感光有機(jī)材料的丙烯酸樹(shù)脂被涂敷以形成作為層間絕緣層的膜以覆蓋TFT13、連接部件18和保護(hù)層137。連接部件18上的部分區(qū)域和第二主電極136上的部分區(qū)域中的層間絕緣膜通過(guò)使用希望的掩模并通過(guò)曝光和顯影處理被去除，以形成具有第一和第二接觸孔CHl和CH2的層間絕緣層138。由于隨后的處理與在第一示例性實(shí)施例中描述的處理類似，因此，省略它們的詳細(xì)的描述。
[0083]以下描述第三示例性實(shí)施例。
[0084]以下參照?qǐng)D8與圖9A和圖9B描述根據(jù)第三示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的配置。圖8是一個(gè)像素的示意性頂視圖，并且，出于簡(jiǎn)化的原因，僅示出轉(zhuǎn)換元件的第一電極122，各絕緣層和轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層被省略。圖9A是沿圖8中的正常像素的線A-A'的示意性截面圖。圖9B是沿圖8中的有缺陷的像素的線的示意性截面圖。圖9A和圖9B還示出在圖8中省略的各絕緣層和轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層。與在以上示例性實(shí)施例中描述的部件類似的部件被賦予相同的附圖標(biāo)記，因此省略它們的詳細(xì)的描述。
[0085]在第三示例性實(shí)施例中，第一主電極135、第二主電極136、信號(hào)布線16、恒定電勢(shì)布線17和連接部件18由相同的導(dǎo)電膜形成。有缺陷的像素還包含被設(shè)置為露出位于第一電極122下面的連接部件18和恒定電勢(shì)布線17的開(kāi)口以及布置于所述開(kāi)口中并將連接部件18連接到恒定電勢(shì)布線17的導(dǎo)電層25。在本示例性實(shí)施例中，恒定電勢(shì)布線17和連接部件18由相同的導(dǎo)電膜形成，但是，本發(fā)明不限于此。與第一和第二示例性實(shí)施例類似，恒定電勢(shì)布線17或連接部件18可由與在控制電極131中使用的導(dǎo)電膜相同的導(dǎo)電膜形成。
[0086]以下，參照?qǐng)D1OA?IOD和圖1lA和圖11B，描述根據(jù)第三示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的制造方法。圖1OA?IOD是沿圖8中的正常像素的A-A'的制造處理中的示意性截面圖。圖1lA和圖1lB是沿圖8中的有缺陷的像素的線B-B'的示意性截面圖。以下，僅描述制造方法與第一示例性實(shí)施例不同的處理。與在第一示例性實(shí)施例中描述的處理類似的處理的詳細(xì)描述被省略。
[0087]在圖1OA所示的處理中，Al的導(dǎo)電膜通過(guò)濺射方法被沉積于絕緣性的基板100上，并被濕蝕刻以形成控制布線15 (未示出)和控制電極131。氮化硅膜的絕緣膜通過(guò)等離子體CVD方法被沉積，以覆蓋控制布線15、控制電極131和恒定電勢(shì)布線17，從而形成絕緣層132。非晶硅膜的半導(dǎo)體膜和作為第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體膜的摻入作為雜質(zhì)的磷的非晶硅膜通過(guò)等離子體CVD方法被一個(gè)覆蓋另一個(gè)地沉積，以通過(guò)干蝕刻形成半導(dǎo)體層133和雜質(zhì)半導(dǎo)體層134。Al的導(dǎo)電膜通過(guò)濺射方法被沉積以覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體層134，并被濕蝕刻以形成信號(hào)布線16、第一主電極135、第二主電極136、恒定電勢(shì)布線17和連接部件18。
[0088]在圖1OB所示的處理中，氮化硅膜的絕緣膜通過(guò)等離子體CVD方法被沉積，以覆蓋信號(hào)布線16、第一主電極135、第二主電極136、恒定電勢(shì)布線17和連接部件18。連接部件18上的部分區(qū)域和第二主電極136上的部分區(qū)域的絕緣膜通過(guò)干蝕刻被去除，以形成保護(hù)層137。在圖1OA和圖1OB所示的處理中，在基板100上形成多個(gè)TFT13、控制布線15、信號(hào)布線16、恒定電勢(shì)布線17和連接部件18。在本示例性實(shí)施例中，圖1OA和圖1OB所示的處理與本發(fā)明的第一處理對(duì)應(yīng)。
[0089]在圖1OC所示的處理中，通過(guò)使用諸如旋涂機(jī)的涂敷裝置，作為感光有機(jī)材料的丙烯酸樹(shù)脂被涂敷以形成作為層間絕緣層的膜以覆蓋TFT13、連接部件18和保護(hù)層137。連接部件18上的部分區(qū)域和第二主電極136上的部分區(qū)域中的層間絕緣層通過(guò)使用希望的掩模并通過(guò)曝光和顯影處理被去除，以形成具有第一和第二接觸孔CHl和CH2的層間絕緣層 138。
[0090]在圖1OD所示的處理中，ITO的非晶透明導(dǎo)電氧化物膜通過(guò)濺射方法被沉積以覆蓋TFT13、連接部件18和層間絕緣層138。透明導(dǎo)電氧化物膜通過(guò)使用希望的掩模被濕蝕亥IJ，并且通過(guò)退火處理被多晶化以形成第一電極122。通過(guò)該處理，第一電極122與預(yù)先確定的連接部件18電連接，且不與恒定電勢(shì)布線17電連接。由于隨后的處理與在第一示例性實(shí)施例中描述的那些類似，因此省略它們的詳細(xì)的描述。
[0091]以下參照?qǐng)D1lA和圖1lB描述有缺陷的像素中的斷開(kāi)區(qū)域和連接區(qū)域的形成。以下，僅描述制造方法與第一不例性實(shí)施例不同的處理。與在第一不例性實(shí)施例中描述的處理類似的處理的詳細(xì)描述被省略。[0092]在圖1lA所示的處理中，連接部件18上的部分區(qū)域和恒定電勢(shì)布線17上的部分區(qū)域從基板100的上側(cè)通過(guò)具有比第二強(qiáng)度小的第三強(qiáng)度的激光照射。這蒸發(fā)連接部件18上的部分區(qū)域和恒定電勢(shì)布線17上的部分區(qū)域上的組成物質(zhì)，以形成露出連接部件18和恒定電勢(shì)布線17的開(kāi)口。用于形成斷開(kāi)區(qū)域21、斷開(kāi)區(qū)域22和斷開(kāi)區(qū)域24的方法與在第一示例性實(shí)施例中描述的那些方法類似，因此省略它們的詳細(xì)的描述。
[0093]在圖1lB所示的處理中，在連接部件18上的部分區(qū)域和恒定電勢(shì)布線17上的部分區(qū)域上方的開(kāi)口中，形成用于電連接連接部件18與恒定電勢(shì)布線17的導(dǎo)電層25。在本示例性實(shí)施例中，通過(guò)使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法沉積化合物半導(dǎo)體材料，以形成由化合物半導(dǎo)體材料制成的導(dǎo)電層25。本發(fā)明不限于此，而可通過(guò)使用導(dǎo)電糊劑形成導(dǎo)電層25。在本示例性實(shí)施例中，圖1lA和圖1lB所示的處理與本發(fā)明的第三處理對(duì)應(yīng)。由于隨后的處理與在第一示例性實(shí)施例中描述的那些類似，因此，省略它們的詳細(xì)的描述。
[0094]以下描述第四示例性實(shí)施例。
[0095]以下參照?qǐng)D12與圖13A和圖13B描述根據(jù)第四示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的配置。圖12是一個(gè)像素的示意性頂視圖，并且，為了簡(jiǎn)化，僅示出轉(zhuǎn)換元件的第一電極122，各絕緣層和轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層被省略。圖13A是沿圖12中的正常像素的線A-A'的示意性截面圖。圖13B是沿圖12中的有缺陷的像素的線B-Bi的示意性截面圖。圖13A和圖13B還示出在圖12中省略的各絕緣層和轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層。與在以上的示例性實(shí)施例中描述的部件類似的部件被賦予相同的附圖標(biāo)記，因此省略它們的詳細(xì)描述。
[0096]在第四示例性實(shí)施例中，作為多個(gè)層間絕緣層的第一和第二層間絕緣層138a和138b被布置于基板100及TFT13與第一電極122之間。連接部件18形成為恒定電勢(shì)布線17的一部分。恒定電勢(shì)布線17和連接部件18被布置于第一和第二層間絕緣層138a和138b之間。被供給恒定電勢(shì)的連接部件18的一部分被布置于TFT13的半導(dǎo)體層133與第一電極122之間，以用作對(duì)于第一電極122的半導(dǎo)體層133的屏蔽。由與恒定電勢(shì)布線17和連接部件18相同的導(dǎo)電膜形成并電連接第二主電極136與第一電極122的中間層19被布置于第二主電極136與第一電極122之間。中間層19使得能夠減小第二主電極136與第一電極122之間的連接電阻。有缺陷的像素包含連接區(qū)域23，在連接區(qū)域23處，位于連接部件18的部分區(qū)域上的第一電極122的部分區(qū)域通過(guò)激光照射被焊接到連接部件18。以上配置以外的配置與第一示例性實(shí)施例中的配置類似，因此省略它們的詳細(xì)描述。
[0097]以下參照?qǐng)D14A?14D和圖15描述根據(jù)第四示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的制造方法。以下，僅描述制造方法與第一不例性實(shí)施例不同的處理。與在第一不例性實(shí)施例中描述的處理類似的處理的詳細(xì)描述被省略。
[0098]在圖14所示的處理中，Al的導(dǎo)電膜通過(guò)濺射方法被沉積于絕緣性的基板100上，并被濕蝕刻以形成控制布線15 (未示出)、控制電極131。氮化硅膜的絕緣膜通過(guò)等離子體CVD方法被沉積，以覆蓋控制布線15、控制電極131和恒定電勢(shì)布線17，從而形成絕緣層132。非晶硅膜的半導(dǎo)體膜和作為第一導(dǎo)電類型雜質(zhì)半導(dǎo)體膜的摻入作為雜質(zhì)的磷的非晶硅膜通過(guò)等離子體CVD方法被一個(gè)覆蓋另一個(gè)地沉積，以通過(guò)干蝕刻形成半導(dǎo)體層133和雜質(zhì)半導(dǎo)體層134。Al的導(dǎo)電膜通過(guò)濺射方法被沉積以覆蓋雜質(zhì)半導(dǎo)體層134，并被濕蝕刻以形成信號(hào)布線16、第一主電極135和第二主電極136。
[0099]氮化硅膜的絕緣膜通過(guò)等離子體CVD方法被沉積，以覆蓋信號(hào)布線16、第一主電極135和第二主電極136。第二主電極136上的部分區(qū)域的絕緣膜通過(guò)干蝕刻被去除，以形成保護(hù)層137。這在基板100上形成多個(gè)TFT13、控制布線15和信號(hào)布線16。通過(guò)使用諸如旋涂機(jī)的涂敷裝置，作為感光有機(jī)材料的丙烯酸樹(shù)脂被涂敷以形成作為層間絕緣層的膜以覆蓋TFT13和保護(hù)層136。第二主電極136上的部分區(qū)域中的層間絕緣膜通過(guò)使用希望的掩模并通過(guò)曝光和顯影處理被去除，以形成具有第一接觸孔CHl的第一層間絕緣層138a。
[0100]在圖14B所示的處理中，Al的導(dǎo)電膜通過(guò)濺射方法被沉積以覆蓋第二主電極136和第一層間絕緣層138a，并被濕蝕刻以形成恒定電勢(shì)布線17、連接部件18和中間層19。
[0101]在圖14C所示的處理中，通過(guò)使用諸如旋涂機(jī)的涂敷裝置，作為感光有機(jī)材料的丙烯酸樹(shù)脂被涂敷以形成作為層間絕緣層的膜以覆蓋第一層間絕緣層138a、恒定電勢(shì)布線
17、連接部件18和中間層19。中間層19上的部分區(qū)域中的層間絕緣膜通過(guò)使用希望的掩模并通過(guò)曝光和顯影處理被去除，以形成具有第一接觸孔CHl的第二層間絕緣層138b。在本示例性實(shí)施例中，圖14A?14C所示的處理與本發(fā)明的第一處理對(duì)應(yīng)。
[0102]在圖14D所示的處理中，ITO的非晶透明導(dǎo)電氧化物膜通過(guò)濺射方法被沉積，以覆蓋中間層19和第二層間絕緣層138b。透明導(dǎo)電氧化物膜通過(guò)使用希望的掩模被濕蝕刻，并且通過(guò)退火處理被多晶化以形成第一電極122。該處理將第一電極122電連接到第二主電極136但不電連接到恒定電勢(shì)布線17。由于隨后的處理與在第一示例性實(shí)施例中描述的處理類似，因此，省略它們的詳細(xì)的描述。
[0103]以下，參照?qǐng)D15描述有缺陷的像素中的斷開(kāi)區(qū)域和連接區(qū)域的形成。以下，僅描述制造方法與第一示例性實(shí)施例不同的處理。與在第一示例性實(shí)施例中描述的處理類似的處理的詳細(xì)描述被省略。
[0104]位于連接部件18的部分區(qū)域上的第一電極122上的部分區(qū)域從基板100的上側(cè)通過(guò)具有比第二強(qiáng)度小的第三強(qiáng)度的激光照射。這蒸發(fā)連接部件18之上的第二層間絕緣層138b，以將第一電極122焊接到連接部件18，從而形成電連接第一電極122與恒定電勢(shì)布線17的連接區(qū)域23。
[0105]以下描述第五示例性實(shí)施例。
[0106]以下，參照?qǐng)D16與圖17A和圖17B描述根據(jù)第五示例性實(shí)施例的檢測(cè)裝置的配置。圖16是一個(gè)像素的示意性頂視圖，并且，出于簡(jiǎn)化的原因，僅示出轉(zhuǎn)換元件的第一電極122、第一導(dǎo)電層141和第二導(dǎo)電層142，各絕緣層和轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層被省略。圖17A是沿圖16中的正常像素的線A-A'的示意性截面圖。圖17B是沿圖16中的有缺陷的像素的線B-Bi的示意性截面圖。圖17A和圖17B還示出在圖16中省略的各絕緣層和轉(zhuǎn)換元件的半導(dǎo)體層。與在以上的示例性實(shí)施例中描述的部件類似的部件被賦予相同的附圖標(biāo)記，因此省略它們的詳細(xì)描述。
[0107]在第五示例性實(shí)施例中，使用用作電極布線14的第一和第二導(dǎo)電層141和142作為恒定電勢(shì)布線17和連接部件18。在有缺陷的像素中，在包含與第二電極126連接的區(qū)域的電極布線14的部分區(qū)域和位于該區(qū)域下面的第二電極126、第二導(dǎo)電雜質(zhì)半導(dǎo)體層125、半導(dǎo)體層124和第一導(dǎo)電雜質(zhì)半導(dǎo)體層123中，包括開(kāi)口。與第三示例性實(shí)施例類似地通過(guò)激光照射形成開(kāi)口。有缺陷的像素還包括用于連接電極布線14與第一電極122的導(dǎo)電層25。通過(guò)與在第三示例性實(shí)施例中描述的方法類似的方法形成導(dǎo)電層25。在本示例性實(shí)施例中，導(dǎo)電層25不是必須的。電極布線14可被焊接到第一電極122上以電連接第一電極122與電極布線14。以上內(nèi)容之外的配置與第一示例性實(shí)施例中的配置類似，因此省略其詳細(xì)的描述。
[0108]在本示例性實(shí)施例中，由第一和第二導(dǎo)電層141和142形成的電極布線14被設(shè)置在鈍化層127和層間絕緣層128上，但是，本發(fā)明不限于此。第二導(dǎo)電層142可在不設(shè)置鈍化層127和層間絕緣層128的情況下被直接設(shè)置在第二電極126的一部分上。
[0109]應(yīng)用示例性實(shí)施例
[0110]以下參照?qǐng)D18描述使用檢測(cè)裝置的放射線檢測(cè)系統(tǒng)。
[0111]通過(guò)放射線源的X射線管6050產(chǎn)生的X射線6060穿過(guò)病人或被檢者6061的胸部6062，并入射到包含于檢測(cè)裝置6040中的轉(zhuǎn)換單元3的各轉(zhuǎn)換元件12上。入射的X射線包含關(guān)于病人6061的身體的信息。轉(zhuǎn)換單元3根據(jù)X射線的入射將放射線轉(zhuǎn)換成電荷，以輸出電信息。所述信息被轉(zhuǎn)換成經(jīng)受作為信號(hào)處理單元的圖像處理器6070的圖像處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，并且可通過(guò)作為控制室中的顯示單元的顯示器6080被觀察。
[0112]所述信息可通過(guò)諸如電話線6090的傳送處理單元被傳送到遠(yuǎn)程區(qū)域，在另一位置的醫(yī)生房間中的作為顯示單元的顯示器6081上被顯示，或者存儲(chǔ)于諸如光盤(pán)的記錄單元中，并且由遠(yuǎn)程位置的醫(yī)生進(jìn)行診斷。該信息也可通過(guò)作為記錄單元的膠片處理器6100記錄于作為記錄介質(zhì)的膠片6110中。
[0113]雖然已參照示例性實(shí)施例說(shuō)明了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于公開(kāi)的示例性實(shí)施例。所附權(quán)利要求的范圍應(yīng)被賦予最寬的解釋以包含所有這樣的修改以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測(cè)裝置，包括: 多個(gè)信號(hào)布線，所述多個(gè)信號(hào)布線被布置于基板上； 多個(gè)像素，所述多個(gè)像素被布置于所述基板上， 其中，所述多個(gè)像素中的每一個(gè)包含布置于所述基板上的開(kāi)關(guān)元件和布置于所述開(kāi)關(guān)元件上的轉(zhuǎn)換元件， 其中，所述轉(zhuǎn)換元件包含布置于所述開(kāi)關(guān)元件上并與所述開(kāi)關(guān)元件電連接的第一電極和布置于多個(gè)第一電極之上的半導(dǎo)體層，并且 其中，多個(gè)所述開(kāi)關(guān)元件與所述多個(gè)信號(hào)布線電連接；以及 恒定電勢(shì)布線，所述恒定電勢(shì)布線被布置于所述基板上并被供給恒定電勢(shì)， 其中，在所述多個(gè)像素之中的一部分像素中，第一電極與恒定電勢(shì)布線電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)裝置， 其中，所述一部分像素的開(kāi)關(guān)元件與所述多個(gè)信號(hào)布線之中的與所述一部分像素的開(kāi)關(guān)元件電連接的信號(hào)布線之間的連接被切斷。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)裝置，還包括用于電連接所述一部分像素的轉(zhuǎn)換元件的第一電極與恒定電勢(shì)布線的多個(gè)連接部件， 其中，所述多個(gè)連接部件被布置為使得其至少一部分經(jīng)由絕緣層重疊于恒定電勢(shì)布線上，并且，所述多個(gè)連接部件之中的預(yù)先確定的連接部件與多個(gè)第一電極之中的預(yù)先確定的第一電極電連接，并且， 其中，所述多個(gè)連接部件在所述多個(gè)連接部件之中的位于所述一部分像素的轉(zhuǎn)換元件的第一電極下面的連接部件與恒定電勢(shì)布線重疊的位置中包含連接部件通過(guò)激光照射焊接到恒定電勢(shì)布線的區(qū)域，并且，所述連接部件經(jīng)由該區(qū)域與恒定電勢(shì)布線電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)裝置， 其中，所述多個(gè)第一電極中的每一個(gè)在多個(gè)連接部件之中的預(yù)先確定的連接部件上形成，并與預(yù)先確定的連接部件電連接， 其中，所述檢測(cè)裝置還包含被設(shè)置為露出所述多個(gè)連接部件之中的位于所述一部分像素的轉(zhuǎn)換元件的第一電極下面的連接部件和恒定電勢(shì)布線的開(kāi)口，并且， 其中，用于連接所述連接部件與恒定電勢(shì)布線的導(dǎo)電層被布置于所述開(kāi)口中。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)裝置，還包含: 第一層間絕緣層，所述第一層間絕緣層被布置于所述多個(gè)信號(hào)布線和所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件上；和 第二層間絕緣層，所述第二層間絕緣層被布置于所述第一層間絕緣層上， 其中，與恒定電勢(shì)布線連接的多個(gè)連接部件和恒定電勢(shì)布線被布置于第一層間絕緣層和第二層間絕緣層之間， 其中，多個(gè)所述第一電極被布置于所述第二層間絕緣層上，并且， 其中，在所述一部分像素中，在位于連接部件上的區(qū)域中設(shè)置通過(guò)激光照射蒸發(fā)第二層間絕緣層的區(qū)域，并且，所述連接部件經(jīng)由該區(qū)域與第一電極電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)裝置， 其中，所述開(kāi)關(guān)元件是包含柵電極、源極、漏極和溝道的薄膜晶體管，其中，所述源極和所述漏極中的一個(gè)與第一電極電連接，并且，所述源極和所述漏極中的另一個(gè)與信號(hào)布線連接，并且， 其中，所述多個(gè)連接部件之中的一個(gè)連接部件形成在與在所述一個(gè)連接部件上形成的第一電極電連接的晶體管的溝道上。
7.一種檢測(cè)系統(tǒng)，包括: 根據(jù)權(quán)利要求1的檢測(cè)裝置； 信號(hào)處理單元，所述信號(hào)處理單元被配置為處理從所述檢測(cè)裝置輸出的信號(hào)； 顯示單元，所述顯示單元被配置為顯示從所述信號(hào)處理單元輸出的信號(hào)；和 傳送處理單元，所述傳送處理單元被配置為傳送從所述信號(hào)處理單元輸出的信號(hào)。
8.一種檢測(cè)裝置的制造方法，包括: 執(zhí)行第一步驟:在基板上形成多個(gè)信號(hào)布線、與所述多個(gè)信號(hào)布線電連接的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件、以及被供給恒定電勢(shì)的恒定電勢(shì)布線； 執(zhí)行第二步驟:形成多個(gè)轉(zhuǎn)換元件并且形成多個(gè)像素，所述多個(gè)轉(zhuǎn)換元件包含不與恒定電勢(shì)布線電連接但與多個(gè)開(kāi)關(guān)元件電連接且形成在所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件上的多個(gè)第一電極和形成在所述多個(gè)第一電極上的半導(dǎo)體層，所述多個(gè)像素各包含所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件之中的一個(gè)開(kāi)關(guān)元件和所述多個(gè)轉(zhuǎn)換元件之中的一個(gè)轉(zhuǎn)換元件；以及 執(zhí)行第三步驟:電連接所述多個(gè)像素之中的一部分像素的轉(zhuǎn)換元件的第一電極與恒定電勢(shì)布線。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的 檢測(cè)裝置的制造方法，其中， 執(zhí)行第三步驟包含:通過(guò)激光照射切斷所述多個(gè)信號(hào)布線之中的與所述一部分像素的開(kāi)關(guān)元件連接的信號(hào)布線與具有缺陷的像素的開(kāi)關(guān)元件之間的連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測(cè)裝置的制造方法， 其中，執(zhí)行第一步驟還包含:形成用于電連接一部分像素的轉(zhuǎn)換元件的第一電極與恒定電勢(shì)布線的多個(gè)連接部件，使得所述多個(gè)連接部件的至少一部分經(jīng)由絕緣層重疊于恒定電勢(shì)布線上， 其中，在執(zhí)行第二步驟時(shí)，所述多個(gè)第一電極中的每一個(gè)在多個(gè)連接部件之中的預(yù)先確定的連接部件上形成，并與該預(yù)先確定的連接部件電連接，并且， 其中，執(zhí)行第三步驟包含:通過(guò)用激光照射所述多個(gè)連接部件之中的位于所述一部分像素的轉(zhuǎn)換元件的第一電極下面的連接部件與恒定電勢(shì)布線重疊的位置來(lái)蒸發(fā)所述絕緣層，并且電連接所述一部分像素的轉(zhuǎn)換元件的第一電極與恒定電勢(shì)布線。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測(cè)裝置的制造方法， 其中，執(zhí)行第一步驟還包含:形成用于電連接具有缺陷的像素的轉(zhuǎn)換元件的第一電極與恒定電勢(shì)布線的多個(gè)連接部件， 其中，在執(zhí)行第二步驟時(shí)，所述多個(gè)第一電極中的每一個(gè)在所述多個(gè)連接部件之中的預(yù)先確定的連接部件上形成，并與該連接部件電連接， 其中，執(zhí)行第三步驟包含:設(shè)置露出所述多個(gè)連接部件之中的位于所述一部分像素的轉(zhuǎn)換元件的第一電極下面的連接部件和恒定電勢(shì)布線的開(kāi)口，并在所述開(kāi)口中形成用于電連接該連接部件與恒定電勢(shì)布線的導(dǎo)電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的檢測(cè)裝置的制造方法， 其中，執(zhí)行第一步驟包含:形成覆蓋所述多個(gè)信號(hào)布線和所述多個(gè)開(kāi)關(guān)元件的第一層間絕緣層、在第一層間絕緣層上形成與恒定電勢(shì)布線連接的所述多個(gè)連接部件和恒定電勢(shì)布線、以及形成覆蓋恒定電勢(shì)布線和所述多個(gè)連接部件的第二層間絕緣層， 其中，執(zhí)行第二步驟包含:在第二層間絕緣層上形成多個(gè)第一電極， 其中，執(zhí)行第三步驟包含:通過(guò)從所述多個(gè)連接部件之中的位于所述一部分像素的轉(zhuǎn)換元件的第一電極下面的連接部件上面執(zhí)行激光照射來(lái)蒸發(fā)第二層間絕緣層，以及電連接所述一部分像素的轉(zhuǎn)換元件的第一電極與恒定電勢(shì)布線。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的檢測(cè)裝置的制造方法， 其中，所述開(kāi)關(guān)元件是包含柵電極、源極、漏極和溝道的薄膜晶體管，其中，所述源極和所述漏極中的一個(gè)與第一電極電連接，并且，所述源極和所述漏極中的另一個(gè)與信號(hào)布線連接，并且， 其中，所述多個(gè)連接部件之中的一個(gè)連接部件在與在所述一個(gè)連接部件上形成的第一電極電連接的薄膜晶體管的溝道上形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的檢測(cè)裝置的制造方法，還包括，在執(zhí)行第三步驟之后，執(zhí)行第四步驟:形成覆蓋包含所述一部分像素的轉(zhuǎn)換元件的所述多個(gè)轉(zhuǎn)換元件的鈍化層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的檢測(cè)裝置的制造方法， 其中，所述轉(zhuǎn)換元件是光電轉(zhuǎn)換元件，并且， 其中，所述方法還包括:在執(zhí)行第四步驟之后，執(zhí)行第五步驟:在所述鈍化層上形成被配置為將放射線轉(zhuǎn)換成能夠由光電轉(zhuǎn)換元件檢測(cè)的光的閃爍體。
【文檔編號(hào)】H01L27/146GK103579271SQ201310335357
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年8月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月6日
【發(fā)明者】藤吉健太郎, 望月千織, 渡邊實(shí), 橫山啟吾, 大藤將人, 川鍋潤(rùn), 和山弘 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社