一種半導(dǎo)體器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成硅通孔；在所述硅通孔中依次形成第一應(yīng)力吸收層和銅導(dǎo)電層，其中，位于所述硅通孔底部的銅導(dǎo)電層的頂部低于所述硅通孔的頂部，以部分填充所述硅通孔；形成第二應(yīng)力吸收層，覆蓋所述銅導(dǎo)電層的同時(shí)完全填充所述硅通孔；執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨直至露出硅通孔的頂部。根據(jù)本發(fā)明，在硅通孔中形成上述雙層應(yīng)力吸收層，可以明顯減小襯墊層、阻擋層和銅導(dǎo)電層之間界面處的內(nèi)部應(yīng)力，避免分層現(xiàn)象的出現(xiàn)。
【專利說明】一種半導(dǎo)體器件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，具體而言涉及一種硅通孔和形成該硅通孔的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在消費(fèi)電子領(lǐng)域，多功能設(shè)備日益受到消費(fèi)者的喜愛，相比于功能簡單的設(shè)備，多功能設(shè)備制作過程將更加復(fù)雜，比如需要在電路版圖上集成多個(gè)不同功能的芯片，因而出現(xiàn)了 30集成電路(1111:6取'￡11:6(1 011X1111:，10技術(shù)。30集成電路被定義為一種系統(tǒng)級集成結(jié)構(gòu)，將多個(gè)芯片在垂直平面方向堆疊，從而節(jié)省空間，各個(gè)芯片的邊緣部分可以根據(jù)需要引出多個(gè)引腳，根據(jù)需要利用這些引腳，將需要互相連接的芯片通過金屬線互連。但是，上述方式仍然存在很多不足，比如堆疊芯片數(shù)量較多，芯片之間的連接關(guān)系比較復(fù)雜，需要利用多條金屬線，進(jìn)而導(dǎo)致最終的布線方式比較混亂，而且也會導(dǎo)致電路體積的增加。
[0003]因此，現(xiàn)有的30集成電路技術(shù)大都采用硅通孔曲81110011 VII 137)實(shí)現(xiàn)多個(gè)芯片之間的電連接。硅通孔是一種穿透硅晶圓或芯片的垂直互連，在硅晶圓或芯片上以蝕刻或鐳射方式鉆孔，再用導(dǎo)電材料如銅、鎢等物質(zhì)填滿，從而實(shí)現(xiàn)不同硅片之間的互連。
[0004]采用現(xiàn)有技術(shù)形成的硅通孔如圖1所示，硅通孔101形成于半導(dǎo)體襯底100中，包括導(dǎo)電層105以及環(huán)繞在導(dǎo)電層105外側(cè)的導(dǎo)電種子層104、阻擋層103和襯墊層102。導(dǎo)電層105由金屬材料形成，所述金屬材料包括代、八11、011 ? XI和I中的一種或者多種，優(yōu)選⑶，選用⑶不僅能夠降低成本，而且能夠很好地與現(xiàn)有工藝相兼容，進(jìn)而簡化工藝過程。導(dǎo)電種子層104可以增強(qiáng)導(dǎo)電層105與阻擋層103之間的附著性。阻擋層103可以防止導(dǎo)電層105中的金屬向半導(dǎo)體襯底100中的擴(kuò)散，其構(gòu)成材料為金屬、金屬氮化物或者其組合，優(yōu)選％和I'抓的組合或者了1和I的組合。襯墊層102為絕緣層，其作用是為了防止構(gòu)成導(dǎo)電層105的金屬和半導(dǎo)體襯底100發(fā)生導(dǎo)通，其構(gòu)成材料優(yōu)選氧化物，例如硬脂酸四乙氧基硅烷(8^X208 )或者四乙氧基硅烷(1208 )等。
[0005]在現(xiàn)有技術(shù)中，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成襯墊層102，采用物理氣相沉積工藝形成阻擋層103，采用濺射工藝或者化學(xué)氣相沉積工藝形成導(dǎo)電種子層104，采用電鍍工藝形成由。構(gòu)成的導(dǎo)電層105。
[0006]如圖1所示，由。構(gòu)成的導(dǎo)電層105完全填充硅通孔101。通過后續(xù)實(shí)施的硅晶圓可靠性測試，發(fā)現(xiàn)在如圖1所示的硅通孔101的上部和底部出現(xiàn)分層現(xiàn)象，進(jìn)而造成器件性能的下降。該分層現(xiàn)象是由構(gòu)成半導(dǎo)體襯底100的硅與構(gòu)成導(dǎo)電層105的⑶之間的熱不匹配性引發(fā)的內(nèi)部應(yīng)力所導(dǎo)致的，且該內(nèi)部應(yīng)力隨著硅通孔101的孔徑的增加而增大。
[0007]因此，需要提出一種方法，以解決上述問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括:提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成硅通孔；在所述硅通孔中依次形成第一應(yīng)力吸收層和銅導(dǎo)電層，其中，位于所述硅通孔底部的銅導(dǎo)電層的頂部低于所述硅通孔的頂部，以部分填充所述硅通孔；形成第二應(yīng)力吸收層，覆蓋所述銅導(dǎo)電層的同時(shí)完全填充所述硅通孔。
[0009]進(jìn)一步，采用電鍍工藝形成所述銅導(dǎo)電層，所述電鍍工藝采用的電鍍液中的加速劑的含量為1-24/1，抑制劑的含量為4-5111171。
[0010]進(jìn)一步，所述第一應(yīng)力吸收層包括8(?層。
[0011]進(jìn)一步，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述8⑶層。
[0012]進(jìn)一步，所述第二應(yīng)力吸收層包括8(?層。
[0013]進(jìn)一步，采用等離子化學(xué)氣相沉積工藝形成所述8⑶層。
[0014]進(jìn)一步，所述沉積的工藝條件為:采用苯丙環(huán)丁烯單體為沉積原料，分子量為350-4208/11101，在130-1701下氣化后通入沉積操作腔，選用抱作為載氣，808的流量為0.01-0.03^/111111,? 的流量為 300-6008(^111，襯底溫度為 300-5001，射頻頻率為 13-14冊12，功率為40-601，壓力為卜3.5X01-1-0
[0015]進(jìn)一步，形成所述硅通孔的步驟包括:在所述半導(dǎo)體襯底上形成光刻膠層；通過曝光、顯影在所述光刻膠層中形成所述硅通孔的頂部開口的圖案；以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，蝕刻所述半導(dǎo)體襯底以在其中形成所述硅通孔；通過灰化去除所述光刻膠層。
[0016]進(jìn)一步，在所述第一應(yīng)力吸收層與所述硅通孔之間還依次形成有襯墊層和阻擋層。
[0017]進(jìn)一步，所述襯墊層為絕緣層，其構(gòu)成材料為氧化物。
[0018]進(jìn)一步，所述阻擋層的構(gòu)成材料為金屬、金屬氮化物或者其組合。
[0019]進(jìn)一步，所述第一應(yīng)力吸收層為8(?層時(shí)，所述阻擋層為I抓層。
[0020]進(jìn)一步，形成所述第二應(yīng)力吸收層之后，還包括執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨直至露出所述硅通孔的頂部的步驟。
[0021]本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，包括:
[0022]半導(dǎo)體襯底；
[0023]形成于所述半導(dǎo)體襯底中的硅通孔，所述硅通孔包括銅導(dǎo)電層，環(huán)繞所述銅導(dǎo)電層的第一應(yīng)力吸收層，嵌入所述銅導(dǎo)電層中且頂部與所述銅導(dǎo)電層的頂部平齊的第二應(yīng)力吸收層。
[0024]進(jìn)一步，所述第一應(yīng)力吸收層和所述第二應(yīng)力吸收層包括8(?層。
[0025]進(jìn)一步，在所述第一應(yīng)力吸收層與所述硅通孔之間還依次形成有襯墊層和阻擋層
[0026]根據(jù)本發(fā)明，在硅通孔中形成上述雙層應(yīng)力吸收層，可以明顯減小襯墊層、阻擋層和銅導(dǎo)電層之間界面處的內(nèi)部應(yīng)力，避免分層現(xiàn)象的出現(xiàn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0028]附圖中:
[0029]圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)形成的硅通孔的示意性剖面圖；
[0030]圖2八為根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的方法形成的硅通孔的示意性剖面圖；
[0031]圖28-圖20為根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的方法依次實(shí)施的步驟所分別獲得的器件的示意性剖面圖；
[0032]圖3為根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的方法形成圖2八中示出的硅通孔的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0033]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0034]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的形成硅通孔的方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0035]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0036]為了解決采用現(xiàn)有技術(shù)形成的如圖1所示的硅通孔101所存在的分層現(xiàn)象，本發(fā)明提出一種硅通孔201，如圖2八所示，硅通孔201形成于半導(dǎo)體襯底200中，包括銅導(dǎo)電層205，嵌入銅導(dǎo)電層205中且頂部與銅導(dǎo)電層205的頂部平齊的第二應(yīng)力吸收層204’，以及環(huán)繞在銅導(dǎo)電層205外側(cè)的第一應(yīng)力吸收層204、阻擋層203和襯墊層202。阻擋層203可以防止銅導(dǎo)電層205中的銅金屬向半導(dǎo)體襯底200中的擴(kuò)散，其構(gòu)成材料為金屬、金屬氮化物或者其組合，優(yōu)選％和I'抓的組合或者了1和I的組合。襯墊層202為絕緣層，其作用是為了防止銅導(dǎo)電層205中的銅金屬和半導(dǎo)體襯底200發(fā)生導(dǎo)通，其構(gòu)成材料優(yōu)選氧化物，例如硬脂酸四乙氧基硅烷(8^X208 )或者四乙氧基硅烷(1208 )等。
[0037]由于苯丙環(huán)丁烯(8(?)具有優(yōu)秀的塑性變形特性，因此，第一應(yīng)力吸收層204和第二應(yīng)力吸收層204’的構(gòu)成材料優(yōu)選808，其可以充分吸收由構(gòu)成半導(dǎo)體襯底200的硅與構(gòu)成銅導(dǎo)電層205的銅之間的熱不匹配性所引發(fā)的內(nèi)部應(yīng)力，從而消除如圖1所示的硅通孔101的上部和底部所存在的分層現(xiàn)象。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的是，具有上述功能和特性的其它材料也可以用來構(gòu)成第一應(yīng)力吸收層204和第二應(yīng)力吸收層204’。需要說明的是，當(dāng)?shù)谝粦?yīng)力吸收層204的材料為8(?時(shí)，阻擋層203的材料優(yōu)選I抓，因?yàn)槎咧g具有良好的界面特性。同時(shí)，銅導(dǎo)電層205未填滿硅通孔201，在硅通孔201的內(nèi)部可以給銅的塑性形變提供較大的空間，有利于所述應(yīng)力的釋放。
[0038]下面，參照下述示例性實(shí)施例來描述形成圖2八中示出的硅通孔201的方法。
[0039]〔示例性實(shí)施例〕
[0040]下面，參照圖2八-圖20來描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的方法形成圖2八中示出的硅通孔201的詳細(xì)步驟。
[0041]參照圖2八-圖20，其中示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的方法依次實(shí)施的步驟所分別獲得的器件的示意性剖面圖。
[0042]首先，如圖28所示，提供半導(dǎo)體襯底200，半導(dǎo)體襯底200的構(gòu)成材料可以采用未摻雜的單晶硅、摻雜有雜質(zhì)的單晶硅、絕緣體上硅(301)、絕緣體上層疊硅(8801)、絕緣體上層疊鍺化硅(3-31(^01^絕緣體上鍺化硅(31(^01)以及絕緣體上鍺((^01)等。作為示例，在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底200的構(gòu)成材料選用單晶硅。
[0043]在半導(dǎo)體襯底200上形成有前端器件，為了簡化，圖例中未予示出。所述前端器件是指實(shí)施半導(dǎo)體器件的后端制造工藝(8200之前形成的器件，在此并不對前端器件的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行限定。所述前端器件包括柵極結(jié)構(gòu)，作為一個(gè)示例，柵極結(jié)構(gòu)包括自下而上依次層疊的柵極介電層和柵極材料層。在柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)形成有側(cè)壁結(jié)構(gòu)，在側(cè)壁結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底200中形成有源/漏區(qū)，在源/漏區(qū)之間是溝道區(qū)；在柵極結(jié)構(gòu)的頂部以及源/漏區(qū)上形成有自對準(zhǔn)硅化物。
[0044]接下來，在半導(dǎo)體襯底200中形成硅通孔201。形成硅通孔201的步驟包括:在半導(dǎo)體襯底200上形成光刻膠層；通過曝光、顯影在光刻膠層中形成硅通孔201的頂部開口的圖案；以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，蝕刻半導(dǎo)體襯底200以在其中形成硅通孔201 ；通過灰化去除所述光刻膠層。
[0045]上述形成硅通孔201的過程是在形成連通位于半導(dǎo)體襯底200上的前端器件的有源區(qū)(包括柵極和源/漏區(qū))的接觸塞之后實(shí)施的，所述接觸塞位于半導(dǎo)體襯底200上的層間介電層中，為了簡化，圖例中未予示出。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的是，硅通孔201的制作和所述接觸塞的制作可以同時(shí)進(jìn)行，其詳細(xì)過程已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習(xí)，在此不再贅述。
[0046]接著，如圖2(:所示，先在硅通孔201的側(cè)壁上依次形成襯墊層202、阻擋層203和第一應(yīng)力吸收層204，再在娃通孔201的側(cè)壁和底部形成銅導(dǎo)電層205，其中，位于娃通孔201底部的銅導(dǎo)電層205的頂部低于硅通孔201的頂部，以部分填充硅通孔201。阻擋層203可以防止銅導(dǎo)電層205中的銅向半導(dǎo)體襯底200中的擴(kuò)散，其構(gòu)成材料為金屬、金屬氮化物或者其組合，優(yōu)選％和I'抓的組合或者了1和I的組合。襯墊層202為絕緣層，其作用是為了防止銅導(dǎo)電層205中的銅和半導(dǎo)體襯底200發(fā)生導(dǎo)通，其構(gòu)成材料優(yōu)選氧化物，例如硬脂酸四乙氧基硅烷(8^X208 )或者四乙氧基硅烷(1208 )、二氧化硅等。
[0047]形成上述各層可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習(xí)的各種適宜的工藝技術(shù)，例如采用化學(xué)氣相沉積工藝形成襯墊層202和第一應(yīng)力吸收層204，采用物理氣相沉積工藝形成阻擋層203，采用電鍍工藝形成銅導(dǎo)電層205。需要說明的是，在本實(shí)施例中，實(shí)施電鍍工藝時(shí)，在傳統(tǒng)硅通孔電鍍液的基礎(chǔ)上，將其中的加速劑的含量由原來的1.5-31111/1減少為1-201/1,同時(shí)，將其中的抑制劑的含量由原來的2.5-44/1增加為4-54/1,以使銅導(dǎo)電層205達(dá)到如下標(biāo)準(zhǔn):位于硅通孔201側(cè)壁上的銅導(dǎo)電層205的厚度為2-4微米時(shí)，位于硅通孔201底部的銅導(dǎo)電層205的厚度達(dá)到硅通孔201深度的30% -50%；第一應(yīng)力吸收層204的材料優(yōu)選808，此時(shí)，阻擋層203的材料優(yōu)選I抓，因?yàn)槎咧g具有良好的界面特性。
[0048]接著，如圖20所示，形成第二應(yīng)力吸收層204’，覆蓋銅導(dǎo)電層205的同時(shí)完全填充硅通孔201。在本實(shí)施例中，第二應(yīng)力吸收層204’的構(gòu)成材料優(yōu)選808，采用等離子化學(xué)氣相沉積工藝形成由8(?構(gòu)成的第二應(yīng)力吸收層204’，其工藝條件為:采用苯丙環(huán)丁烯單體為沉積原料，分子量為350-4208/11101，在130-1701下氣化后通入沉積操作腔，選用氦氣(?)作為載氣，8(?的流量為0.01-0.03^/111111,?的流量為300-6008(^111，襯底溫度為300-5001，射頻頻率為13-14冊12，功率為40-601，壓力為3-3.5101^，其中101^代表毫米汞柱，800.11代表立方厘米/分鐘。由于上述沉積工藝的沉積速率較慢，因此，實(shí)施上述沉積工藝時(shí)，優(yōu)選孔徑小于13微米且深寬比為10的硅通孔，例如，當(dāng)硅通孔201的側(cè)壁上形成的銅導(dǎo)電層205的厚度為2-4微米時(shí)，形成在硅通孔201底部上的由8(?構(gòu)成的第二應(yīng)力吸收層204’的直徑為4-7微米。
[0049]接下來，執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨直至露出硅通孔201的頂部，可以采用常規(guī)方式控制所述研磨過程的終點(diǎn)，例如當(dāng)化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備的研磨墊接觸到前述位于半導(dǎo)體襯底200上的層間介電層時(shí)，即探測設(shè)備捕捉到所述層間介電層的構(gòu)成材料(通常為氧化物)的反饋信號時(shí)，終止所述研磨過程。
[0050]至此，完成了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的方法形成圖2八中示出的硅通孔201所實(shí)施的工藝步驟，接下來，可以通過后續(xù)工藝完成整個(gè)半導(dǎo)體器件的制作，包括形成連通硅通孔201和前述接觸塞的金屬互連層。根據(jù)本發(fā)明，在硅通孔201中分別形成第一應(yīng)力吸收層204和第二應(yīng)力吸收層204’，將銅導(dǎo)電層205夾在其中，此種結(jié)構(gòu)可以明顯減小襯墊層202、阻擋層203和銅導(dǎo)電層205之間界面處的內(nèi)部應(yīng)力，包括剪應(yīng)力和彎曲應(yīng)力，避免分層現(xiàn)象的出現(xiàn)；改變形成銅導(dǎo)電層205的工藝條件，可以優(yōu)化銅導(dǎo)電層205的質(zhì)量，避免后續(xù)研磨銅導(dǎo)電層205時(shí)于硅通孔201的孔口處出現(xiàn)凹坑缺陷；通過先形成第一應(yīng)力吸收層204，可以減小后續(xù)形成的第二應(yīng)力吸收層204’的橫截面直徑，縮短制程時(shí)間，同時(shí)可以增加銅導(dǎo)電層205與上層的互連導(dǎo)線連接的接觸面積，從而減小互連電阻，提高器件的性能。
[0051]參照圖3，其中示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的方法形成圖2八中示出的硅通孔201的流程圖，用于簡要示出整個(gè)制造工藝的流程。
[0052]在步驟301中，提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底中形成硅通孔；
[0053]在步驟302中，在硅通孔中依次形成第一應(yīng)力吸收層和銅導(dǎo)電層，其中，位于硅通孔底部的銅導(dǎo)電層的頂部低于硅通孔的頂部，以部分填充硅通孔；
[0054]在步驟303中，形成第二應(yīng)力吸收層，覆蓋銅導(dǎo)電層的同時(shí)完全填充硅通孔；
[0055]在步驟304中，執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨直至露出硅通孔的頂部。
[0056]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成硅通孔； 在所述硅通孔中依次形成第一應(yīng)力吸收層和銅導(dǎo)電層，其中，位于所述硅通孔底部的銅導(dǎo)電層的頂部低于所述硅通孔的頂部，以部分填充所述硅通孔； 形成第二應(yīng)力吸收層，覆蓋所述銅導(dǎo)電層的同時(shí)完全填充所述硅通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，采用電鍍工藝形成所述銅導(dǎo)電層，所述電鍍工藝采用的電鍍液中的加速劑的含量為l_2mL/L，抑制劑的含量為4-5mL/L。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一應(yīng)力吸收層包括BCB層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述BCB層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二應(yīng)力吸收層包括BCB層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，采用等離子化學(xué)氣相沉積工藝形成所述BCB 層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述沉積的工藝條件為:采用苯丙環(huán)丁烯單體為沉積原料，分子量為350-420g/mol，在130_170°C下氣化后通入沉積操作腔，選用He作為載氣，BCB的流量為0.01-0.03g/min, He的流量為300-600sccm，襯底溫度為300-500°C，射頻頻率為 13-14MHZ，功率為 40-60W，壓力為 3-3.5Torr0
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述硅通孔的步驟包括:在所述半導(dǎo)體襯底上形成光刻膠層；通過曝光、顯影在所述光刻膠層中形成所述硅通孔的頂部開口的圖案；以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，蝕刻所述半導(dǎo)體襯底以在其中形成所述硅通孔；通過灰化去除所述光刻膠層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一應(yīng)力吸收層與所述硅通孔之間還依次形成有襯墊層和阻擋層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述襯墊層為絕緣層，其構(gòu)成材料為氧化物。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述阻擋層的構(gòu)成材料為金屬、金屬氮化物或者其組合。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一應(yīng)力吸收層為BCB層時(shí)，所述阻擋層為TaN層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第二應(yīng)力吸收層之后，還包括執(zhí)行化學(xué)機(jī)械研磨直至露出所述硅通孔的頂部的步驟。
14.一種半導(dǎo)體器件，包括: 半導(dǎo)體襯底； 形成于所述半導(dǎo)體襯底中的硅通孔，所述硅通孔包括銅導(dǎo)電層，環(huán)繞所述銅導(dǎo)電層的第一應(yīng)力吸收層，嵌入所述銅導(dǎo)電層中且頂部與所述銅導(dǎo)電層的頂部平齊的第二應(yīng)力吸收層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一應(yīng)力吸收層和所述第二應(yīng)力吸收層包括BCB層。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，在所述第一應(yīng)力吸收層與所述硅通孔之間還依次形成有襯墊層和阻擋層。
【文檔編號】H01L21/768GK104347483SQ201310335580
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年8月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月2日
【發(fā)明者】李廣寧, 沈哲敏 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司