多層陶瓷電容器及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種多層陶瓷電容器，包括：陶瓷體，該陶瓷體中層疊有多個介電層；多個第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極，該多個第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極形成為交替暴露于所述陶瓷體的兩個端面上，并且所述介電層插入在所述第一內(nèi)部電極與第二內(nèi)部電極之間；和第一外部電極和第二外部電極，該第一外部電極和第二外部電極形成在陶瓷體的兩個端面上并且電連接所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極；其中，當所述第一外部電極和第二外部電極的帶的厚度為T1且所述陶瓷體的厚度為T2時，所述第一外部電極或第二外部電極的帶的厚度與所述陶瓷體的厚度之間的比率T1/T2等于或者小于0.18。
【專利說明】多層陶瓷電容器及其制造方法
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求2012年12月27日向韓國專利局提出的申請?zhí)枮?0-2012-155294的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其公開部分以引用方式納入本申請中。
【技術領域】
[0003]本發(fā)明涉及一種多層陶瓷電容器及其制造方法。
【背景技術】
[0004]多層陶瓷電容器，即層狀芯片電子元件，是一種安裝于各種電子產(chǎn)品的印制電路板(PCB)上的用來充電和放電的片狀電容器，所述各種電子產(chǎn)品為例如成象設備(或視頻顯示裝置)，如液晶顯示器(IXDs)、等離子顯示面板(PDPs)等、電腦、個人數(shù)字助手(PDAs)、移動電話等等。
[0005]由于具有優(yōu)點如緊密度、確保高電容且易于安裝性，多層陶瓷電容器(MLCC)能夠用來作為各種電子設備的部件。
[0006]目前，隨著便攜式智能設備如智能手機、平板電腦等性能的提高，應用處理器(AP)處理計算的驅(qū)動速度也相應提高了。
[0007]應用處理器驅(qū)動速度的增加使得需要更高頻的電流迅速供應到應用處理器。
[0008]多層陶瓷電容器用來給這種應用處理器中供應電流。
[0009]所以，為了迅速供應高頻電流，應該使用具有低的等效串聯(lián)電感(ESL)的多層陶瓷電容器或者將多層陶瓷電容器嵌入到板中以最大限度地降低與應用處理器的距離。
[0010]然而，采用具有低的等效串聯(lián)電感的多層陶瓷電容器會引發(fā)關于結(jié)構(gòu)方面的另一不同問題，所以目前，對嵌入板中的多層陶瓷電容器已經(jīng)積極展開研究。
[0011]同時，隨著便攜式智能設備的重量和厚度的減少，嵌入有多層陶瓷電容器的板的厚度也在減小。
[0012]一般來說，嵌入式多層陶瓷電容器比板芯(board core)的厚度要厚30微米。
[0013]目前采用的板芯的厚度不到100微米，所以需要厚度約為130微米的多層陶瓷電容器。然而，目前隨著板芯厚度的減小，多層陶瓷電容器的厚度也需要減小。
[0014]為了減小多層陶瓷電容器的厚度，陶瓷體、外部電極和鍍層的厚度都應該減小?？紤]到當多層陶瓷電容器被嵌入時通過激光的處理過程產(chǎn)生的誤差，鍍層的厚度應該維持為至少5微米或者更大，所以一般廣泛采用減少陶瓷體和外部電極的厚度的辦法。
[0015]此處，陶瓷體厚度的減少可能會降低陶瓷體的強度。因此，由于燒結(jié)收縮應力和鍍應力集中在外部電極的端部，過分地減少陶瓷體的厚度會使陶瓷體產(chǎn)生裂紋。尤其，當陶瓷體的厚度小于80微米時，裂紋產(chǎn)生頻率會增加。
[0016]以下的專利文件I涉及一種多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器包括外部電極和具有多個介電層和內(nèi)部電極的陶瓷體，但是沒有公開陶瓷體的厚度與外部電極的帶(band)的厚度之間的比例。專利文件2涉及一種多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器包括外部電極和具有多個介電層和內(nèi)部電極的陶瓷體，但是沒有公開陶瓷體的厚度與外部電極的帶的厚度之間的比例。
[0017]【相關技術文獻】
[0018](專利文件I)韓國專利特許公開，專利號:10-2006-0082671。
[0019](專利文件2)韓國專利特許公開，專利號:10-2012-0010148。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]在相關技術中，需要一種關于多層陶瓷電容器的新方案，該方案通過調(diào)節(jié)多層陶瓷電容器中的陶瓷體、外部電極和鍍層之間的厚度比例而使得能夠在不降低可靠性的情況下減少陶瓷體中裂紋的產(chǎn)生。[0021]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種多層陶瓷電容器，包括:陶瓷體，該陶瓷體中層疊有多個介電層；多個第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極，該多個第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極形成為交替暴露于所述陶瓷體的兩個端面上，并且所述介電層插入在所述第一內(nèi)部電極與第二內(nèi)部電極之間；和第一外部電極和第二外部電極，該第一外部電極和第二外部電極形成在陶瓷體的兩個端面上并且電連接所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極；其中，當所述第一外部電極和第二外部電極的帶的厚度為Tl且所述陶瓷體的厚度為T2時，所述第一外部電極或第二外部電極的帶的厚度與所述陶瓷體的厚度之間的比率T1/T2等于或者小于 0.18。
[0022]所述陶瓷體的厚度可等于或者小于100微米。
[0023]多層陶瓷電容器進一步包括分別覆蓋第一和第二外部電極的第一和第二鍍層，且定義第一和第二鍍層的帶的厚度為Tp，第一或第二外部電極的帶的厚度和第一或第二鍍層的所述帶的厚度的比率等于或者大于0.35。
[0024]第一和第二鍍層的兩個帶的厚度相加值等于或者小于25微米。
[0025]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供一種制造多層陶瓷電容器的方法，包括:制備多個陶瓷基片；通過在各個所述陶瓷基片上使用導電糊，以在厚度方向上交替地形成在相反方向上暴露的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極；層壓多個陶瓷基片以及形成在所述陶瓷基片上的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極，以形成層壓體；焙燒所述層壓體以形成陶瓷體；和在所述陶瓷體的兩個端面上形成第一外部電極和第二外部電極，以使得所述第一外部電極和第二外部電極與第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的暴露部分相接觸，以形成電連接，其中，所述第一外部電極和第二外部電極的帶的厚度為Tl且所述陶瓷體的厚度為Τ2，所述第一外部電極或第二外部電極的所述帶的厚度與所述陶瓷體的厚度的比率(Τ1/Τ2)等于或者小于0.18。
[0026]可根據(jù)熱轉(zhuǎn)換方法制造第一和第二外部電極。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]本發(fā)明的上述及其他方面、特點和其他優(yōu)點將從結(jié)合附圖的以下具體描述中得到詳細說明，其中:
[0028]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一種【具體實施方式】的多層陶瓷電容器的立體示意圖；
[0029]圖2為根據(jù)本發(fā)明的一種【具體實施方式】的多層陶瓷電容器的主視圖；[0030]圖3為沿圖1中A-A線的截面圖；
[0031]圖4 Ca)到4 Cd)為根據(jù)本發(fā)明的【具體實施方式】中，根據(jù)熱轉(zhuǎn)換方法在多層陶瓷電容器的陶瓷體的兩個端面上形成外部電極的過程的平面圖；以及
[0032]圖5為在圖3中多層陶瓷電容器的外部增設鍍層的的截面圖。
【具體實施方式】
[0033]本發(fā)明的【具體實施方式】將參照附圖進行詳細介紹。
[0034]本發(fā)明可以有許多不同的呈現(xiàn)形式，并且不應被視為受限于在此闡述的實施方式。
[0035]進一步，提供這些【具體實施方式】是為了使公開徹底和完整，并且能夠為本領域技術人員完全表達本發(fā)明的保護范圍。
[0036]在附圖中，為了清晰表述，構(gòu)件的形狀和尺寸可能夸大且相同或相似的構(gòu)件中應用了相同的附圖標記。
[0037]同時，在各個【具體實施方式】的附圖中圖示的具有相同概念范圍的同一功能的構(gòu)件將用相同的附圖標記進行描述。
[0038]為了清晰表達本發(fā)明的【具體實施方式】，定義立體坐標系如下:圖1中L、W和T分別指示長度方向、寬度方向和厚度方向。此時，厚度方向與層狀介電層的層疊方向具有相同概念。
[0039]同時，為了便于描述，本發(fā)明的【具體實施方式】中，在陶瓷體的長度方向上形成有第一和第二外電極的表面設為兩端面，并且與該端面垂直的表面設為左、右側(cè)面。
[0040]圖1為根據(jù)本發(fā)明的一種【具體實施方式】的多層陶瓷電容器(MLCC)的立體示意圖。圖2為根據(jù)本發(fā)明的一種【具體實施方式】的多層陶瓷電容器的主視圖。圖3為沿圖1中A-A線的截面圖。
[0041]參照圖1至3，根據(jù)本發(fā)明的一種【具體實施方式】的多層陶瓷電容器100可包括陶瓷體110，第一和第二內(nèi)部電極121和122以及第一和第二外部電極131和132。
[0042]陶瓷體110可形成為具有第一和第二主表面IlOa和IlOb及第一和第二橫向表面IlOc和IlOd的六面體形狀。第一和第二主表面IlOa和IlOb在長度(L)方向和寬度(D)方向延伸。第一和第二橫向表面IlOc和IlOd在厚度(T)方向和長度(L)方向延伸。
[0043]先將厚度(T)方向的多個介電層111層壓而后再進行焙燒即可形成陶瓷體110。陶瓷體110的結(jié)構(gòu)和尺寸及介電層111的層數(shù)不僅僅限制于在本發(fā)明的此【具體實施方式】中所圖示的。
[0044]同時，形成陶瓷體110的多個介電層111處于燒結(jié)狀態(tài)并且相臨的介電層50可一體結(jié)合，以使得若非使用掃描電子顯微鏡(SEM)則兩者之間的邊界不易區(qū)分。
[0045]陶瓷體110可包括作為電容器的一部分為電容的形成做出貢獻的一個活動區(qū)域，以及位于該活動區(qū)域的上部和下部的上部邊緣區(qū)域和下部邊緣區(qū)域。上部邊緣區(qū)域和下部邊緣區(qū)域能夠抑制物理或化學作用力對第一和第二內(nèi)部電極121和122產(chǎn)生的破壞。
[0046]介電層111的厚度能夠根據(jù)多層陶瓷電容器100的電容設計而隨意改變。同時，介電層111由具有較高的介電常數(shù)(或者高的K介電值)等的陶瓷粉末制成，如鈦酸鋇基粉末、鈦酸鍶基粉末等，但是本發(fā)明并不受限于此。[0047]通過在厚度(T)方向?qū)訅旱亩鄠€介電層111上印刷包含導電金屬的導電糊(conductive paste)至設定厚度,可形成具有不同極性的一對電極，即第一和第二內(nèi)部電極121和122。以使第一和第二內(nèi)部電極121和122在介電層111的層壓方向上交替暴露于陶瓷體110的兩端面上。通過在其中設置介電層111可使第一和第二內(nèi)部電極121和122彼此電絕緣。
[0048]S卩，第一和第二內(nèi)部電極121和122通過其交替暴露于陶瓷體110表面上的部分與形成于陶瓷體110的兩個端面上的第一和第二外部電極131和132電連接。
[0049]因此，當在第一和第二外部電極131和132上施加電壓時，電荷在彼此相對的第一和第二內(nèi)部電極121和122之間匯聚。在這種情況下，多層陶瓷電容器100的電容與第一和第二內(nèi)部電極121和122之間彼此重疊區(qū)域的面積成比例。
[0050]第一和第二內(nèi)部電極的寬度可根據(jù)目的而設置。例如，第一和第二內(nèi)部電極的厚度可定義在0.2微米到1.0微米之間變化，但是本發(fā)明不僅僅限于此。
[0051]同時，用于形成第一和第二內(nèi)部電極121和122的導電糊中包含的導電金屬可以是鎳、銅、鈀或者它們的同位素，但是此發(fā)明中不僅僅限于此。
[0052]同時，使用絲網(wǎng)印刷法(screen printing method)、凹版印刷法(gravureprinting method)等方法能印刷導電糊,但本發(fā)明不僅僅限于此。
[0053]第一和第二外部電極131和132可形成為覆蓋陶瓷體110的兩個端面上的陶瓷體110的上部分和下部分。
[0054]第一和第二外部電極131和132包括用于覆蓋陶瓷體110的第一和第二主表面IlOa和IlOb的部分的帶131a、131b、132a和132b，以及位于長度(L)方向上用于覆蓋陶瓷體110的兩個端面的頭部131c和132c。
[0055]在形成外部電極的相關技術方法中，將陶瓷體插入包含金屬組分的糊中的方法被廣泛推廣。此時，為了減少芯片如嵌入式的多層陶瓷電容器(MLCC)的厚度，降低糊的黏度以使得用于形成外部電極的糊的應用量最小化。
[0056]然而，在這種情況下，當糊的黏度降低，外部電極的厚度也會相應減小，但是由于當外部電極焙燒時會形成焙燒收縮,外部電極不能夠恰當?shù)馗采w陶瓷體的邊角部分。
[0057]所以，當陶瓷體的邊角部分暴露，水分就會滲入暴露部分而使耐濕可靠性降低，同時陶瓷體和外部電極之間的粘著力也降低，這就造成外部電極可能因為被施加的很小的沖擊就與陶瓷體的兩端面分離的問題。
[0058]因此，由于這個問題，用目前的插入方法很難將外部電極的厚度降低到例如12微米以下。
[0059]一般來說，在陶瓷體的厚度為等于或者小于80微米的情況下，如果外部電極的厚度約為12微米，由于外部電極的壓縮應力，陶瓷體的外部電極所在位置的部分會產(chǎn)生垂直裂紋。隨著陶瓷體厚度的減少這些裂紋將會增多。
[0060]本發(fā)明的具體實施例中，可根據(jù)熱轉(zhuǎn)換方法形成第一和第二外部電極131和132。熱轉(zhuǎn)換方法允許外部電極的結(jié)構(gòu)能夠覆蓋陶瓷體整個邊角，確?？煽啃郧液穸鹊扔诨蛘咝∮诒仨毜?2微米。
[0061]因此，優(yōu)選地，陶瓷體110的厚度等于或者小于100微米，并且優(yōu)選地，陶瓷體110和第一和第二外部電極131和132的帶131a、131b、132a、132b的上部和下部之和的總厚度等于或者小于120微米。
[0062]參照圖4,根據(jù)熱轉(zhuǎn)換方法,首先,在非均質(zhì)材料(heterogeneous material)制成的板200上薄薄地印刷需要用于轉(zhuǎn)換的糊印刷部分210。
[0063]然后，如圖4 (a)和4 (b)中所示，陶瓷體110在厚度(T)方向上固定于糊印刷部分210并且加熱糊印刷部分210以允許印刷面轉(zhuǎn)移至陶瓷體110的兩個端面上以形成第一和第二外部電極131和132的帶131a、131b、132a和132b。
[0064]繼而，如圖4 (C)和4 (d)所示，陶瓷體110在長度(L)方向上交替固定于糊印刷部分210上并且加熱糊印刷部分210以允許印刷面轉(zhuǎn)移至陶瓷體110的兩個端面上以形成第一和第二外部電極131和132的頭部131c和132c，從而形成第一和第二外部電極131和132。
[0065]以此方式，在本發(fā)明的【具體實施方式】中，使用絲網(wǎng)印刷法形成第一和第二外部電極131和132。因此，用來最終形成第一和第二外部電極131和132的厚度的印刷糊厚度可以在0.5微米和10微米之間自由調(diào)節(jié)，并且第一和第二外部電極131和132的厚度也可以在0.5微米和10微米之間自由調(diào)節(jié)。然而，本發(fā)明的外部電極厚度不僅僅局限于此。
[0066]同時，構(gòu)成糊印刷部分210的導電糊可包括導電金屬。導電金屬可以為鎳(Ni)、銅(Cu)、鈀(Pd)、金(Au)或者他們的同位素，但本發(fā)明并不僅僅局限于此。
[0067]同時，盡管帶有已經(jīng)減小厚度的第一和第二外部電極131和132的多層陶瓷電容器100通過熱轉(zhuǎn)換方法被制造，如果第一和第二外部電極131和132的帶131a、131b、132a、132b的厚度相對于陶瓷體110的厚度太厚，當焙燒外部電極時仍然會在陶瓷體110中產(chǎn)生裂紋。
[0068]參照圖3，第一和第二外部電極131和132的帶131a、131b、132a、132b的厚度定義為Tl且陶瓷體110的厚度定義為T2。
[0069]根據(jù)本發(fā)明的【具體實施方式】的多層陶瓷電容器是嵌入式多層陶瓷電容器100，在這種情況下，優(yōu)選地，陶瓷體110的厚度T2等于或者小于100微米，且通過將其中的第一或第二外部電極131和132的帶131a、131b、132a、132b的厚度相加可獲得等于或者小于120微米的值。
[0070]為了有效地抑制陶瓷體110中裂紋的產(chǎn)生，第一和第二外部電極131和132的帶131a、131b、132a、132b的厚度Tl與陶瓷體110的厚度T2的比率(T1/T2)可以調(diào)節(jié)到等于或者小于0.18。
[0071]同時，如圖5所示，在陶瓷體110的兩個端面上可以進一步形成第一和第二鍍層141和142以覆蓋第一和第二外部電極131和132。此時，為了抑制水分滲入到陶瓷體110中而降低可靠性，第一和第二鍍層141和142的上部和下部帶的總厚度可以調(diào)節(jié)到等于或者小于25微米。
[0072]第一和第二鍍層141和142能夠抑制在陶瓷體110中由于在外部電極進行鍍的過程中產(chǎn)生的壓縮應力或者拉伸應力作用下產(chǎn)生裂紋，進一步增加抑制裂紋產(chǎn)生的效果。
[0073]然而，相對于第一或第二外部電極131和132的帶131a、131b、132a、132b的厚度，若第一或第二鍍層141和142的帶太厚，第一和第二外部電極131和132將不能完整地緩解電鍍應力，因而殘余應力可作用到陶瓷體110上，促使裂紋產(chǎn)生在陶瓷體110上。
[0074]因此，當?shù)谝缓偷诙儗?41和142的帶厚度定義為Tp時，為了有效地抑制陶瓷體110中裂紋的產(chǎn)生，第一或第二鍍層141或142的帶厚度Tp與第一或第二外部電極131和132的帶131a、131b、132a、132b的厚度Tl的比率(Tp/Tl)可以調(diào)節(jié)到0.35(例如0.35:1)
或者更大。
[0075]下文中將介紹包含在根據(jù)本發(fā)明的【具體實施方式】的多層陶瓷電容器100中的部件的尺寸關系以及裂紋的產(chǎn)生。
[0076]實驗例
[0077]根據(jù)本發(fā)明的【具體實施方式】和比較例的多層陶瓷電容器(MLCC)被如下所述地制造。
[0078]首先，將包括例如鈦酸鋇(BaTiO3)等粉末的泥漿施加到載體膜上并且而后烘干以制備多個具有既定厚度的陶瓷基片(ceramic green sheets)。
[0079]然后，通過應用絲網(wǎng)等類似物將導電糊施加到多個陶瓷基片上以形成多個第一和第二內(nèi)部電極121和122，以使第一和第二內(nèi)部電極121和122交替暴露于相對陶瓷基片的兩表面上。
[0080]繼而，多個陶瓷基片在厚度(T)方向上層疊以形成層壓材料(或?qū)訅后w)，且層壓材料在溫度85°C、壓力為lOOOkgf/cm2的條件下承受靜壓力。 [0081]按壓形成的陶瓷層壓材料被分割為單個芯片，然后對其在一個大氣壓下溫度為230°C時進行60個小時的脫脂過程。
[0082]繼而，芯片在溫度為1200°C、氧分壓(oxygen partial pressure)為低于鎳/氧化鎳平衡氧分壓的IO41~1(T1CI個大氣壓之間的還原氣氛(reduced atmosphere)下進行焙燒，以使第一和第二內(nèi)部電極121和122不被氧化。經(jīng)過焙燒之后的陶瓷件110的尺寸(長 X 寬(LXW))約為 0.950mmX0.500mm (LXff, 1005 尺寸)。此時，在長 X 寬(LXW)方向的制造誤差限制在±0.1mm。
[0083]繼而，在陶瓷體110的兩個端面上形成第一和第二外部電極131和132。為了使厚度較小且保證可靠性，第一和第二外部電極131和132可通過熱轉(zhuǎn)換方法制造。
[0084]此時，第一和第二外部電極131和132可形成為使得將陶瓷體110的厚度T2以及第一和第二外部電極131和132的帶131a、131b、132a、132b的厚度Tl相加后的值等于或者小于120微米。
[0085]同時，第一和第二外部電極131和132的帶131a、131b、132a、132b的厚度Tl與陶瓷體110的厚度T2的比率(T1/T2)等于或者小于0.18。
[0086]繼而，可進行電鍍以形成第一和第二鍍層，該第一和第二鍍層能夠覆蓋陶瓷體110的兩端面上的第一和第二外部電極131和132。
[0087]此處，將第一和第二鍍層的帶的厚度相加后的值可等于或者小于25微米。
[0088]同時，第一或第二鍍層141或142的帶厚度Tp與第一和第二外部電極131和132的帶131a、131b、132a、132b的厚度Tl的比率(Tp/Tl)可等于或者大于0.35。
[0089]在多層陶瓷電容器100制作后，進行測試以檢測產(chǎn)生裂紋的頻率和缺陷可靠性的頻率。
[0090]【表1】
[0091]
【權(quán)利要求】
1.一種多層陶瓷電容器，包括: 陶瓷體，該陶瓷體中層疊有多個介電層； 多個第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極，該多個第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極形成為交替暴露于所述陶瓷體的兩個端面上，并且所述介電層插入在所述第一內(nèi)部電極與第二內(nèi)部電極之間；和 第一外部電極和第二外部電極，該第一外部電極和第二外部電極形成在陶瓷體的兩個端面上并且與所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極電連接； 其中，當所述第一外部電極和第二外部電極的帶的厚度為Tl且所述陶瓷體的厚度為T2時， 所述第一外部電極或第二外部電極的帶的厚度與所述陶瓷體的厚度之間的比率T1/T2等于或者小于0.18。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述陶瓷體的厚度等于或者小于100微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，該多層陶瓷電容器還包括分別覆蓋所述第一外部電極和第二外部電極的第一鍍層和第二鍍層，并且 當所述第一鍍層和第二鍍層的帶的厚度為Tp時， 所述第一外部電極或第二外部電極的帶的厚度與所述第一鍍層或第二鍍層的帶的厚度的比率Tl/Tp等于或者大于0.35。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層陶瓷電容器，其中，所述第一鍍層和第二鍍層的兩個帶的厚度的相加值等于或者小于25微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，根據(jù)熱轉(zhuǎn)換方法形成所述第一外部電極和第二外部電極。
6.一種制造多層陶瓷電容器的方法，該方法包括: 制備多個陶瓷基片； 通過在各個所述陶瓷基片上使用導電糊，以在厚度方向上交替地形成在相反方向上暴露的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極； 層壓多個陶瓷基片以及形成在所述陶瓷基片上的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極，以形成層壓體； 焙燒所述層壓體以形成陶瓷體；和 在所述陶瓷體的兩個端面上形成第一外部電極和第二外部電極，以使得所述第一外部電極和第二外部電極與第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極的暴露部分相接觸，以形成電連接， 其中，當所述第一外部電極和第二外部電極的帶的厚度為Tl且所述陶瓷體的厚度為T2時， 所述第一外部電極或第二外部電極的所述帶的厚度與所述陶瓷體的厚度的比率T1/T2等于或者小于0.18。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造多層陶瓷電容器的方法，其中，在形成所述層壓體的過程中，將所述第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極以及多個所述陶瓷基片層壓為使得所述層壓體的厚度等于或者小于100微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造多層陶瓷電容器的方法，該方法還包括:在形成所述第一外部電極和第二外部電極后，形成第一鍍層和第二鍍層以覆蓋所述第一外部電極和第二外部電極， 其中，當所述第一鍍層和第二鍍層的帶的厚度定義為Tp時， 所述第一鍍層和第二鍍層形成為使得所述第一外部電極或第二外部電極的所述帶的厚度與所述第一鍍層或第二鍍層的厚度的比率Tl/Tp等于或者大于0.35。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造多層陶瓷電容器的方法，其中，在形成所述第一鍍層和第二鍍層時，所述第一鍍層和第二鍍層形成為使得所述第一鍍層和第二鍍層的兩個帶的厚度的相加值等于或者小于25微米。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造多層陶瓷電容器的方法，其中，在形成第一外部電極和第二外部電極 時，根據(jù)熱轉(zhuǎn)換方法制造所述第一外部電極和第二外部電極。
【文檔編號】H01G4/232GK103903855SQ201310343900
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2013年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月27日
【發(fā)明者】金奎利, 李炳華, 蔡恩赫, 金斗永 申請人:三星電機株式會社