一種設(shè)置有低溫uGaN層的發(fā)光二極管外延片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種設(shè)置有低溫uGaN層的發(fā)光二極管外延片，包括藍寶石襯底層（1）、Buffer—緩沖層（2）、uGaN層（3）、nGaN層（4）、MQW發(fā)光層（5）以及pGaN層（6），所述uGaN層（3）包括成核層（31）、三維生長層（32）、二維生長層A（33）、低溫uGaN層（34）、二維生長層B（35），本發(fā)明有效解決傳統(tǒng)外延片抗靜電能力差，從而導致芯片擊穿和發(fā)光效率低的問題。
【專利說明】—種設(shè)置有低溫uGaN層的發(fā)光二極管外延片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED外延片【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種設(shè)置有低溫UGaN層的發(fā)光二極管外延片。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，藍綠光發(fā)光二極管的主流是在藍寶石或碳化硅襯底上生長GaN材料，其中絕大部分米用藍寶石作為襯底，由于藍寶石襯底與GaN材料之間較大的晶格失配與熱失配，導致GaN外延層內(nèi)產(chǎn)生高密度的缺陷，例如穿透位錯。實驗證明這些缺陷是III族氮化物基發(fā)光二極管中反向漏電電流產(chǎn)生的一個重要途徑?，F(xiàn)有的外延片在uGaN層生產(chǎn)過程中，通常是在包括成核層、三維生長層(32)、二維生長層，但是這種生長順序，不利于發(fā)光二極管的ESD抗靜電能力。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種設(shè)置有低溫UGaN層的發(fā)光二極管外延片，該技術(shù)方案有效解決傳統(tǒng)外延片抗靜電能力差，從而導致芯片擊穿和發(fā)光效率低的問題。
[0004]本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):
一種設(shè)置有低溫UGaN層的發(fā)光二極管外延片，包括藍寶石襯底層(I)、Buffer—緩沖層(2)、uGaN層(3)、nGaN層(4)、MQW發(fā)光層(5)以及pGaN層(6)，其特征在于:所述uGaN層(3)包括成核層(31)、三維生長層(32)、二維生長層A (33)、低溫uGaN層(34)、二維生長層B (35)。
[0005]本發(fā)明進一步技術(shù)改進方案是:
所述低溫uGaN層(34)的厚度為200nm。
[0006]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下明顯優(yōu)點:本發(fā)明在傳統(tǒng)外延片UGaN層的二維生長層生長完后繼續(xù)生長一層低溫UGaN層，可顯著降低芯片瞬間放電產(chǎn)生的瞬間電流的密度，從而提高發(fā)光二極管ESD抗靜電能力。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖1中I為藍寶石襯底層、2為Buffer—緩沖層、3為uGaN層、4為nGaN、5為MQW發(fā)光層、6為pGaN層；
圖2為本發(fā)明uGaN層結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0008]如圖1、2所示,本發(fā)明包括藍寶石襯底層UBuffer—緩沖層2、uGaN層3、nGaN層
4、MQff發(fā)光層5以及pGaN層6，所述uGaN層3包括成核層31、三維生長層32、二維生長層A33、低溫uGaN層34、二維生長層B35，所述低溫uGaN層34的厚度為200nm。[0009]本發(fā)明未涉及部分均與現(xiàn)有技術(shù)相同或可采用現(xiàn)有技術(shù)加以實現(xiàn)。
【權(quán)利要求】
1.一種設(shè)置有低溫UGaN層的發(fā)光二極管外延片，包括藍寶石襯底層(I)、Buffer—緩沖層(2 )、UGaN層(3 )、nGaN層(4)、MQW發(fā)光層(5 )以及pGaN層(6 )，其特征在于:所述uGaN層(3)包括成核層(31)、三維生長層(32)、二維生長層A (33)、低溫UGaN層(34)、二維生長層 B (35)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種設(shè)置有低溫UGaN層的發(fā)光二極管外延片，其特征在于:所述低溫uGaN層(34)的厚度為200nm。
【文檔編號】H01L33/14GK103441200SQ201310351395
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月14日
【發(fā)明者】蘆玲, 張向飛, 錢仁海, 劉堅 申請人:淮安澳洋順昌光電技術(shù)有限公司