本發(fā)明涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LED集成芯片。

背景技術(shù)：
目前，微顯示器件已經(jīng)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)成為各科技強(qiáng)國(guó)關(guān)注的熱點(diǎn)。LED微顯示器具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，如主動(dòng)發(fā)光、超高亮度、長(zhǎng)壽命、工作電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)速度快、性能穩(wěn)定可靠、工作溫度范圍寬等。傳統(tǒng)的制作方法是將多個(gè)單管LED芯片排列在基座上，然后引線、封裝。受到基座的影響，此方法制作的顯示器件的發(fā)光單元尺寸難以做小，因此分辨率受到一定限制，并不適應(yīng)今后的小型化、清晰化的發(fā)展需要。將半導(dǎo)體工藝技術(shù)與MOEMS三維微細(xì)加工技術(shù)相結(jié)合，其工業(yè)化生產(chǎn)不需要額外的大額投資，因此，具有廣闊的產(chǎn)業(yè)化前景。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明為解決現(xiàn)有制作LED微顯示器存在LED的發(fā)光單元尺寸難以做小，導(dǎo)致分辨率受到限制，并且無(wú)法適應(yīng)需要的問(wèn)題，提供一種微型LED陣列芯片。一種微型LED陣列芯片，包括透光層、發(fā)光層、反射層、基片、上電極、上電極引線、下電極、下電極引線、光闌、微透鏡、粘接材料和基板；所述透光層、發(fā)光層、反射層、基片和微透鏡組成LED發(fā)光單元；所述反射層的上面依次為發(fā)光層、透光層和微透鏡，反射層的下面為基片；多個(gè)LED發(fā)光單元均勻排布組成發(fā)光單元陣列，發(fā)光單元之間為光闌，所述光闌使各個(gè)發(fā)光單元依次連接并實(shí)現(xiàn)發(fā)光單元的隔離；透光層的上表面排布有上電極，光闌的上表面排布有上電極引線，處于同一行的上電極與上電極引線依次相連接，在基片的下表面排布有下電極，在光闌的下表面排布有下電極引線，處于同一列的下電極與下電極引線依次相連接，所述下電極與下電極引線組成的下引線列與上電極及上電極引線組成的上引線行在方向上異面垂直；基板通過(guò)粘接材料固定于發(fā)光單元陣列的下表面。本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明所述的一種微型LED陣列芯片的工作過(guò)程是，電流從上電極注入，從下電極流出，在器件中形成電場(chǎng)，使得載流子在發(fā)光層 復(fù)合發(fā)光。其中部分光向上經(jīng)過(guò)透光層，從微透鏡射出；部分光向下到達(dá)反射層，被反射層反射，穿過(guò)發(fā)光層、透光層，從微透鏡射出。由于該發(fā)光器件的發(fā)光原理為p-n結(jié)內(nèi)的載流子復(fù)合發(fā)光，具有二極管電流電壓的非線性特性，發(fā)光亮度也隨注入電流的大小具有非線性特性。本發(fā)明通過(guò)電路控制相素元的亮暗，實(shí)現(xiàn)發(fā)光顯示。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明所述的一種微型LED陣列芯片的效果圖；圖2中圖2a和圖2b分別為本發(fā)明所述的一種微型LED陣列芯片的主剖面圖和左剖面圖；圖3為本發(fā)明所述的一種微型LED陣列芯片中采用方形發(fā)光單元的發(fā)光單元分布圖。圖4中4a至4e為本發(fā)明所述的一種微型LED陣列芯片中采用方形發(fā)光單元的五種上電極及上電極引線結(jié)構(gòu)示意圖；圖5中5a至5d為本發(fā)明所述的一種微型LED陣列芯片中采用方形發(fā)光單元的四種下電極及下電極引線結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明所述的一種微型LED陣列芯片中采用圓形發(fā)光單元的發(fā)光單元分布圖；圖7中7a至7d為本發(fā)明所述的一種微型LED陣列芯片的采用圓形發(fā)光單元的四種上電極及上電極引線結(jié)構(gòu)示意圖；圖8中8a至8c為本發(fā)明所述的一種微型LED陣列芯片中采用圓形發(fā)光單元的三種下電極及下電極引線結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式具體實(shí)施方式一、結(jié)合圖1至圖8說(shuō)明本實(shí)施方式，一種微型LED陣列芯片，包括透光層1、發(fā)光層2、反射層3、基片4、上電極5、上電極引線9、下電極6、下電極引線10、光闌7、微透鏡8和基板11；所述透光層1、發(fā)光層2、反射層3、基片4和微透鏡8組成正方形或長(zhǎng)方形或圓形或其它形狀的LED發(fā)光單元。反射層3的上面依次為發(fā)光層2、透光層1和微透鏡8，反射層3的下面是基片4。LED發(fā)光單元均勻排布組成發(fā)光單元陣列。發(fā)光單元之間為光闌7，光闌7使各個(gè)發(fā)光單元依次連接并實(shí)現(xiàn)發(fā)光單 元的隔離。透光層1的上表面排布有上電極5，光闌7的上表面排布有上電極引線9，處于同一排的上電極5與上電極引線9依次相連接，在基片4的下表面排布有下電極6，在光闌7的下表面排布有下電極引線10，處于同一列的下電極6與下電極引線10依次相連接，下電極6與下電極引線10組成的下引線列與上電極5及上電極引線9組成的上引線行在方向上異面垂直?；?1通過(guò)粘接材料12固定于發(fā)光單元陣列的下表面。本實(shí)施方式所述的LED發(fā)光單元為正方形、矩形、圓形或其他形狀，上電極5形狀為回字形、圓環(huán)形、單條形、雙條形或其它形狀；所述下電極6的形狀為矩形、圓形、單條形、雙條形或其它形狀。結(jié)合圖4和圖7說(shuō)明本實(shí)施方式，圖4和圖7分別為采用方形發(fā)光單元的五種上電極及上電極引線結(jié)構(gòu)示意圖和采用圓形發(fā)光單元的四種上電極及上電極引線結(jié)構(gòu)示意圖；不同上電極圖形具有各自的電流分布及發(fā)光單元顯示特點(diǎn)。本實(shí)施方式所述的透光層1、發(fā)光層2、反射層3、基片4為由傳統(tǒng)工藝制作的通用AlGaInPLED外延片材料。發(fā)光單元上的上電極5及發(fā)光單元外的上電極引線9的材料為Cr/Au或Ti/Pt/Au或Ti/Mo/Au或AuGeNi/Au或Al或Cu，或由Cr/Au或Ti/Pt/Au或Ti/Mo/Au或AuGeNi/Au與Cu或Au組成的復(fù)合膜，由薄膜蒸鍍及光刻腐蝕成形工藝制備，為提高上電極以及上電極引線的可靠性，或通過(guò)蒸鍍薄膜、光刻制備掩膜及電鑄等工藝制成厚膜電極。下電極6、下電極引線10的材料為Cr/AuTi/Pt/Au或Ti/Mo/Au或AuGeNi/Au或Al或Cu，或由Cr/Au或Ti/Pt/Au或Ti/Mo/Au或AuGeNi/Au與Cu或Au組成的復(fù)合膜，由薄膜蒸鍍及光刻腐蝕成形工藝制備，為提高下電極以及下電極引線的可靠性，或通過(guò)蒸鍍薄膜、光刻制備掩膜及電鑄等工藝制成厚膜電極。本實(shí)施方式所述的光闌7材料需滿足以下三點(diǎn)要求，一是絕緣性好，這樣可以更好地實(shí)現(xiàn)發(fā)光單元之間的電學(xué)隔離；二是不透光，保證發(fā)光單元之間的出光不會(huì)出現(xiàn)串?dāng)_現(xiàn)象；三是有一定的粘連性，使之與LED發(fā)光單元連結(jié)成一個(gè)整體。微透鏡8的材料為硬質(zhì)環(huán)氧樹(shù)脂或PMMA或聚酰亞胺或其它高透過(guò)率材料。