基片刻蝕方法【專利摘要】本發(fā)明提供的基片刻蝕方法，其包括以下步驟：主刻蝕步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以在基片上刻蝕形成圖形的基礎輪廓；過刻蝕步驟，繼續(xù)向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并保持激勵電源和偏壓電源開啟，以修飾圖形形貌，使其達到工藝要求。本發(fā)明提供的基片刻蝕方法，其可以在整個工藝進行的過程中減少球形顆粒物掉落到基片上的數(shù)量，從而可以減少基片圖形形貌的缺陷?！緦＠f明】基片刻蝕方法【
技術領域：
】[0001]本發(fā)明涉及半導體領域，特別涉及一種基片刻蝕方法?！?br>背景技術：
】[0002]目前，在采用電感I禹合等離子體(InductivelyCoupledPlasma,以下簡稱ICP)設備對藍寶石襯底等基片進行刻蝕主要包括以下步驟:[0003]第一穩(wěn)流步驟(Stablel)，用于保證后續(xù)的主刻蝕步驟啟輝時，通入反應腔室內(nèi)的氣流達到充足、穩(wěn)定的狀態(tài)；[0004]主刻蝕步驟(MainEtch)，用于刻蝕基片，以形成圖形的基礎輪廓；[0005]第二穩(wěn)流步驟(Stable2),其作用與第一過渡步驟相同；[0006]過刻蝕步驟(OverEtch)，用于修飾圖形形貌，以使其尺寸和形狀達到工藝要求。[0007]在進行上述工藝的過程中，在反應腔室內(nèi)會產(chǎn)生大量的刻蝕副產(chǎn)物，這些刻蝕副產(chǎn)物的一部分附著在腔室內(nèi)壁和零部件表面上，并隨著工藝時間的積累越積越厚，在厚度達到一定程度時，沉積的刻蝕副產(chǎn)物因破裂脫落而形成大顆粒(直徑一般在10μm以上)，這些大顆粒一旦掉落在基片上會形成刻蝕掩膜，導致出現(xiàn)基片刻蝕不充分、基片形貌產(chǎn)生缺陷等問題。此外，還有一部分刻蝕副產(chǎn)物會逐漸凝聚形成球形顆粒物(直徑一般小于5μm)，如圖1A所示，球形顆粒物懸浮在等離子體氛圍中，并逐漸長大，一旦跌落至基片上也會導致基片的刻蝕形貌產(chǎn)生缺陷，如圖1B所示。[0008]但是，由于大顆粒通常在工藝時間累積至100小時以上才會出現(xiàn)，因此，只需定期對反應腔室中的腔室內(nèi)壁和零部件表面進行手工或干法清洗，即可降低刻蝕副產(chǎn)物的沉積量，從而可以避免大顆粒掉落的數(shù)量。[0009]而針對球形顆粒物，上述利用手工或干法清洗反應腔室的方法基本沒有清洗效果，且球形顆粒物在進行每次工藝的過程中基本都會出現(xiàn)，并且數(shù)量多時可達到上千顆，大量的球形顆粒物一旦掉落在基片上就會導致嚴重的形貌缺陷。【
發(fā)明內(nèi)容】[0010]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術中存在的技術問題之一，提出了一種基片刻蝕方法，其可以在整個工藝進行的過程中減少球形顆粒物掉落到基片上的數(shù)量，從而可以減少基片圖形形貌的缺陷。[0011]為實現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種基片刻蝕方法，包括以下步驟:[0012]主刻蝕步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以在基片上刻蝕形成圖形的基礎輪廓；[0013]過刻蝕步驟，繼續(xù)向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并保持激勵電源和偏壓電源開啟，以修飾圖形形貌，使其達到工藝要求。[0014]其中，在完成所述主刻蝕步驟之后，且在進行過刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:[0015]阻抗過渡步驟，將所述主刻蝕步驟所需的阻抗值，以預定規(guī)則增大至所述過刻蝕步驟所需的阻抗值；[0016]其中，所述阻抗值為用于匹配所述激勵電源的輸出阻抗與匹配網(wǎng)絡的輸入阻抗的匹配器中的可變阻抗元件的預定阻抗值。[0017]其中，所述預定規(guī)則為:每間隔預定時間，以預定幅度增大一次所述阻抗值，且共增大至少兩次。[0018]其中，在完成所述主刻蝕步驟之后，且在進行過刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:[0019]氣流過渡步驟，將所述主刻蝕步驟所需的流量值，以預定規(guī)則減小至所述過刻蝕步驟所需的流量值；其中，所述流量值為向反應腔室通入的刻蝕氣體的預定流量值。[0020]其中，所述預定規(guī)則為:每間隔預定時間，以預定幅度減小一次所述流量值，且共減小至少兩次。[0021]其中，在完成所述主刻蝕步驟之后，且在進行過刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:[0022]壓力過渡步驟，將所述主刻蝕步驟所需的壓力值，以預定規(guī)則減小至所述過刻蝕步驟所需的壓力值；其中，所述壓力值為所述反應腔室的腔室壓力的預定壓力值。[0023]其中，所述預定規(guī)則為:每間隔預定時間，以預定幅度減小一次所述壓力值，且共減小至少兩次。[0024]其中，在完成所述主刻蝕步驟之后，且在進行過刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:[0025]偏壓過渡步驟，將所述主刻蝕步驟所需的偏壓功率值，以預定規(guī)則增大至所述過刻蝕步驟所需的偏壓功率值；其中，所述偏壓功率值為偏壓電源的預定偏壓功率值。[0026]其中，所述預定規(guī)則為:每間隔預定時間，以預定幅度增大一次所述偏壓功率值，且共增大至少兩次。[0027]其中，在進行所述主刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:[0028]第一穩(wěn)流步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，以保證后續(xù)的主刻蝕步驟啟輝時，通入反應腔室內(nèi)的氣流達到充足、穩(wěn)定的狀態(tài)。[0029]作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種基片刻蝕方法包括以下步驟:[0030]主刻蝕步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以在基片上刻蝕形成圖形的基礎輪廓；[0031]激勵過渡步驟，關閉偏壓電源，并將所述激勵電源的激勵功率，以預定規(guī)則減小至零；[0032]過刻蝕步驟，繼續(xù)向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以修飾圖形形貌，使其達到工藝要求。[0033]其中，在進行所述主刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:[0034]第一穩(wěn)流步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，以保證后續(xù)的主刻蝕步驟啟輝時，通入反應腔室內(nèi)的氣流達到充足、穩(wěn)定的狀態(tài)。[0035]其中，在完成所述激勵過渡步驟之后，且在進行過刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:[0036]第二穩(wěn)流步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，以保證后續(xù)的過刻蝕步驟啟輝時，通入反應腔室內(nèi)的氣流達到充足、穩(wěn)定的狀態(tài)。[0037]本發(fā)明具有以下有益效果:[0038]本發(fā)明提供的基片刻蝕方法，其通過在完成主刻蝕步驟之后直接進行過刻蝕步驟，這與現(xiàn)有技術中在主刻蝕步驟與過刻蝕步驟之間設置有穩(wěn)流步驟相比，可以在整個刻蝕過程中使等離子體始終處于輝光放電狀態(tài)，以使大多數(shù)球形顆粒物(帶負電荷)在等離子體氛圍中保持懸浮，直至完成整個刻蝕工藝，從而可以減少球形顆粒物掉落到基片上的數(shù)量，進而可以減少基片圖形形貌的缺陷。此外，由于本發(fā)明提供的基片刻蝕方法省去了穩(wěn)流步驟，這可以提聞工藝效率，從而可以提聞廣能。[0039]本發(fā)明提供的基片刻蝕方法，其通過在主刻蝕步驟與過刻蝕步驟之間設置有激勵過渡步驟，即，關閉偏壓電源，并將激勵電源的激勵功率，以預定規(guī)則減小至零，這與現(xiàn)有技術中直接關閉激勵電源相比，可以使球形顆粒物緩慢地下落，而不是在激勵電源關閉的瞬間集中掉落，緩慢下落的球形顆粒物會隨氣流排出反應腔室，從而可以減少球形顆粒物掉落到每個基片上的數(shù)量，進而可以減少基片圖形形貌的缺陷。【專利附圖】【附圖說明】[0040]圖1A為球形顆粒物的電鏡掃描圖；[0041]圖1B為基片圖形形貌的電鏡掃描圖；[0042]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種基片刻蝕方法的流程框圖；[0043]圖3為現(xiàn)有的一種基片刻蝕方法中激勵功率的時序圖；[0044]圖4為實驗一中激勵功率的時序圖；[0045]圖5為實驗二中激勵功率的時序圖；以及[0046]圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種基片刻蝕方法的流程框圖。【具體實施方式】[0047]為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結合附圖來對本發(fā)明提供的基片刻蝕方法進行詳細描述。[0048]圖2為發(fā)明實施例提供的一種基片刻蝕方法的流程框圖。請參閱圖2，基片刻蝕方法包括以下步驟:[0049]主刻蝕步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以在基片上刻蝕形成圖形的基礎輪廓；[0050]過刻蝕步驟，繼續(xù)向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并保持激勵電源和偏壓電源開啟，以修飾圖形形貌，使其達到工藝要求。[0051]下面結合現(xiàn)有技術對本發(fā)明實施例提供的基片刻蝕方法的原理進行詳細描述。具體地，圖3為現(xiàn)有的一種基片刻蝕方法中激勵功率的時序圖。如圖3所示，由于現(xiàn)有基片刻蝕方法在主刻蝕步驟與過刻蝕步驟之間設置有穩(wěn)流步驟，用以保證后續(xù)的過刻蝕步驟啟輝時，通入反應腔室內(nèi)的氣流達到充足、穩(wěn)定的狀態(tài)，該穩(wěn)流步驟需要關閉激勵電源和偏壓電源，通過實驗發(fā)現(xiàn)，由于激勵電源的激勵功率在主刻蝕步驟結束時瞬間降至零，導致反應腔室內(nèi)產(chǎn)生的球形顆粒物掉落在基片上，從而造成基片的圖像形貌產(chǎn)生缺陷。與之相比，本發(fā)明實施例提供的基片刻蝕方法，其通過在完成主刻蝕步驟之后直接進行過刻蝕步驟，即，刪除上述穩(wěn)流步驟，不關閉激勵電源和偏壓電源，可以在整個刻蝕過程中使等離子體始終處于輝光放電狀態(tài)，以使大多數(shù)球形顆粒物(帶負電荷)在等離子體氛圍中保持懸浮，直至完成整個刻蝕工藝，從而可以減少球形顆粒物掉落到基片上的數(shù)量，進而可以減少基片圖形形貌的缺陷。此外，由于本發(fā)明提供的基片刻蝕方法省去了穩(wěn)流步驟，這可以提高工藝效率，從而可以提高產(chǎn)能。[0052]在實際應用中，在主刻蝕步驟中，刻蝕氣體可以采用BCl3(三氯化硼)氣體，由BCl3氣體形成的等離子體不僅可以去除基片表面的氧，還可以通過化學反應機理刻蝕基片的Al2O3層，同時借助BCl3等離子體中的BCl離子對基片進行物理轟擊。優(yōu)選地，還可以在刻蝕氣體中混合CH4或CHF3等碳氟類氣體作為輔助氣體。[0053]優(yōu)選地，在進行上述主刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:穩(wěn)流步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，以保證后續(xù)的主刻蝕步驟啟輝時，通入反應腔室內(nèi)的氣流達到充足、穩(wěn)定的狀態(tài)。[0054]優(yōu)選地，本發(fā)明實施例提供的基片刻蝕方法可以采用下述工藝參數(shù):[0055]穩(wěn)流步驟，其工藝參數(shù)為:腔室壓力為3mT;激勵功率為OW;偏壓功率為OW；BC13的流量為llOsccm；CH4的流量為5SCCm;阻抗值為18;工藝溫度為5°C;工藝時間為10s。[0056]主刻蝕步驟，其工藝參數(shù)為:腔室壓力為3mT;激勵功率為2400W;偏壓功率為150W；BC13的流量為I1sccm；CH4的流量為5sCCm;阻抗值為18;工藝溫度為5°C;工藝時間為1780s。[0057]過刻蝕步驟，其工藝參數(shù)為:腔室壓力為1.5mT;激勵功率為2000W;偏壓功率為700W；BC13的流量為45sccm;阻抗值為40;工藝溫度為5°C;工藝時間為820s。[0058]所謂阻抗值，是指匹配器中的可變阻抗元件的預定阻抗值，其中，匹配器用于匹配激勵電源的輸出阻抗與匹配網(wǎng)絡的輸入阻抗(即，匹配器自身阻抗及匹配器后端的射頻線圈及反應腔室的等價阻抗)，以保證激勵電源輸出的激勵功率可以無損耗地輸送至用于激發(fā)反應腔室內(nèi)的刻蝕氣體形成等離子體的射頻線圈中。[0059]優(yōu)選地，可以對應于反應腔室的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域分別設置內(nèi)射頻線圈和外射頻線圈，并采用具有兩個輸出端的匹配器，且使兩個輸出端分別與內(nèi)射頻線圈和外射頻線圈電連接，在這種情況下，通過調(diào)節(jié)匹配器中的可變阻抗元件的阻抗值，可以調(diào)節(jié)分別內(nèi)射頻線圈和外射頻線圈中的電流比例，以使反應腔室的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域形成的等離子體趨于均勻。[0060]下面采用本發(fā)明實施例提供的基片刻蝕方法及上述工藝參數(shù)進行了實驗一，實驗結果表明:通過在完成主刻蝕步驟之后直接進行過刻蝕步驟，以在整個刻蝕過程中使等離子體始終處于輝光放電狀態(tài)，可以將球形顆粒物掉落到每個基片上的數(shù)量降至500?800顆，從而可以在一定程度上減少基片圖形形貌的缺陷。[0061]通過對上述實驗一進行分析發(fā)現(xiàn)，仍然會有部分球形顆粒物掉落到基片上的原因在于:雖然上述基片刻蝕方法通過在整個刻蝕過程中等離子體始終處于輝光放電狀態(tài)，可以使球形顆粒物在等離子體氛圍中保持懸浮，但是，當自主刻蝕步驟向過刻蝕步驟切換時，由于第一阻抗值、偏壓功率、腔室壓力及刻蝕氣體的流量等的工藝參數(shù)發(fā)生驟然改變，導致匹配網(wǎng)絡的輸入阻抗發(fā)生突變，這使得匹配器需要經(jīng)過一段時間才能將匹配網(wǎng)絡的輸入阻抗與激勵電源的輸出阻抗匹配，如圖4所示，為實驗一中激勵功率的時序圖。由圖可知，當自主刻蝕步驟向過刻蝕步驟切換時，激勵功率無法直接由2400W切換至2000W，而是先下降至600W左右，再逐漸回升至2000W。在這種情況下，激勵功率的瞬時降低會影響等離子體的穩(wěn)定性，導致懸浮的部分球形顆粒物掉落在基片上。[0062]為了保證等離子體的穩(wěn)定性，可以在主刻蝕步驟與過刻蝕步驟之間設置以預定規(guī)則逐步調(diào)整第一阻抗值、偏壓功率、腔室壓力和/或刻蝕氣體的流量等的工藝參數(shù)的過渡步驟，即，該過渡步驟用于將主刻蝕步驟需要的工藝參數(shù)值逐步調(diào)整至過刻蝕步驟需要的工藝參數(shù)值。并且，該過渡步驟可以僅單獨調(diào)整上述工藝參數(shù)中的其中一個參數(shù)，而其他工藝參數(shù)在過渡步驟進行的過程中保持不變，或者，也可以同時調(diào)整上述工藝參數(shù)中的多個參數(shù)，即，可以選擇上述工藝參數(shù)中的任意一個或多個參數(shù)通過過渡步驟逐步調(diào)整至過刻蝕步驟需要的工藝參數(shù)值。[0063]下面對過渡步驟進行詳細地描述。具體地，若過渡步驟僅逐步調(diào)整阻抗值，則在完成主刻蝕步驟之后，且在進行過刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:[0064]阻抗過渡步驟，將主刻蝕步驟所需的阻抗值，以預定規(guī)則增大至過刻蝕步驟所需的阻抗值，該預定規(guī)則為:每間隔預定時間，以預定幅度增大一次阻抗值，且共增大至少兩次。例如，以實驗一的基片刻蝕方法所采用的工藝參數(shù)為例，且阻抗過渡步驟包括三次過渡步,具體工藝參數(shù)如下:[0065]過渡步I(Rampl)，腔室壓力為3mT;激勵功率為2400W;偏壓功率為150W；BC13的流量為llOsccm；CH4的流量為5SCCm;阻抗值為25;工藝溫度為5°C;工藝時間為2s。[0066]過渡步2(Ramp2)，腔室壓力為3mT;激勵功率為2400W;偏壓功率為150W；BC13的流量為llOsccm；CH4的流量為5SCCm;阻抗值為30;工藝溫度為5°C;工藝時間為2s。[0067]過渡步3(Ramp3)，腔室壓力為3mT;激勵功率為2400W;偏壓功率為150W；BC13的流量為llOsccm；CH4的流量為5SCCm;阻抗值為40;工藝溫度為5°C;工藝時間為2s。[0068]由上可知，三次過渡步僅對阻抗值進行了調(diào)整，而其他工藝參數(shù)保持不變，且調(diào)整的預定規(guī)則為:間隔時間為2s;阻抗值由主刻蝕步驟至過渡步I的增大幅度為7、由過渡步I至過渡步2的增大幅度為5以及由過渡步2至過渡步3的增大幅度為10。借助阻抗過渡步驟逐步增大阻抗值，可以對阻抗器的匹配工作及其對內(nèi)射頻線圈和外射頻線圈中的電流比例的調(diào)整均起到了緩和的作用，從而可以避免激勵功率出現(xiàn)的瞬時波動，進而可以保證等離子體的穩(wěn)定性，從而進一步降低球形顆粒物掉落到基片上的數(shù)量。[0069]與之相類似的，若過渡步驟同時逐步調(diào)整流量值和壓力值，則在完成所述主刻蝕步驟之后，且在進行過刻蝕步驟之前，還同時進行氣流過渡步驟和壓力過渡步驟，即:[0070]將主刻蝕步驟所需的流量值和壓力值，以預定規(guī)則減小至過刻蝕步驟所需的流量值和壓力值。其中，流量值為向反應腔室通入的刻蝕氣體的預定流量值；壓力值為反應腔室的腔室壓力的預定壓力值。[0071]例如，以實驗一的基片刻蝕方法所采用的工藝參數(shù)為例，且過渡步驟包括三次過渡步，具體工藝參數(shù)如下:[0072]過渡步I(Rampl)，腔室壓力為3mT;激勵功率為2400W;偏壓功率為150W；BC13的流量為90SCCm;阻抗值為18;工藝溫度為5°C;工藝時間為2s。[0073]過渡步2(Ramp2)，腔室壓力為2mT;激勵功率為2400W;偏壓功率為150W；BC13的流量為65SCCm;阻抗值為18;工藝溫度為5°C;工藝時間為2s。[0074]過渡步3(Ramp3)，腔室壓力為1.5mT;激勵功率為2400W;偏壓功率為150W；BC13的流量為45SCCm;阻抗值為18;工藝溫度為5°C;工藝時間為2s。[0075]由上可知，三次過渡步僅對氣流值和壓力值進行了調(diào)整，而其他工藝參數(shù)保持不變，且調(diào)整的預定規(guī)則為:間隔時間為2s;氣流值由主刻蝕步驟至過渡步I的減小幅度為20、由過渡步I至過渡步2的減小幅度為25以及由過渡步2至過渡步3的減小幅度為20。壓力值由主刻蝕步驟至過渡步I的減小幅度為O、由過渡步I至過渡步2的減小幅度為I以及由過渡步2至過渡步3的減小幅度為0.5。通過同時進行氣流過渡步驟和壓力過渡步驟來逐步減小流量值和壓力值，同樣可以對阻抗器的匹配工作起到了緩和的作用，從而可以避免激勵功率出現(xiàn)的瞬時波動，進而可以保證等離子體的穩(wěn)定性，從而進一步降低球形顆粒物掉落到基片上的數(shù)量。[0076]除此之外，也可以設置逐步調(diào)整偏壓功率的偏壓過渡步驟，即:將主刻蝕步驟所需的偏壓功率值，以預定規(guī)則增大至過刻蝕步驟所需的偏壓功率值，該偏壓功率值為偏壓電源的預定偏壓功率值；或者，還可以設置逐步調(diào)整任意對阻抗器的匹配工作起緩和作用的一個或多個工藝參數(shù)，下面采用過渡步驟的基片刻蝕方法進行了實驗二，實驗結果表明:通過在主刻蝕步驟與過刻蝕步驟之間增設上述過渡步驟，激勵功率自主刻蝕步驟向過刻蝕步驟切換時平緩穩(wěn)定，如圖5所示，且球形顆粒物掉落到每個基片上的數(shù)量降低至幾十顆甚至十顆以下，從而有效減少了基片圖形形貌的缺陷。[0077]需要說明的是，在本實施例中，過渡步驟的預定規(guī)則是采用逐步調(diào)整的方式，但是本發(fā)明并不局限于此，在實際應用中，也可以采用線性調(diào)整方式逐漸增大或減小一個或多個工藝參數(shù)值，或者，還可以采用其他預定規(guī)則，只要該預定規(guī)則能夠保證等離子體的穩(wěn)定性即可。[0078]作為另一個技術方案，本發(fā)明還提供一種基片刻蝕方法，圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種基片刻蝕方法的流程框圖。請參閱圖6，基片刻蝕方法包括以下步驟:[0079]主刻蝕步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以在基片上刻蝕形成圖形的基礎輪廓；[0080]激勵過渡步驟，關閉偏壓電源，并將激勵電源的激勵功率，以預定規(guī)則減小至零；[0081]過刻蝕步驟，繼續(xù)向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以修飾圖形形貌，使其達到工藝要求。[0082]由上可知，本實施例的技術方案與上述實施例的技術方案相比，其區(qū)別在于:在本實施例中，無需在整個刻蝕過程中使等離子體始終處于輝光放電狀態(tài)，而是在主刻蝕步驟與過刻蝕步驟之間增設了激勵過渡步驟，用以將激勵電源的激勵功率逐步降低至零，這與現(xiàn)有技術中直接關閉激勵電源相比，可以使球形顆粒物緩慢地下落，而不是在激勵電源關閉的瞬間集中掉落，緩慢下落的球形顆粒物會隨氣流排出反應腔室，從而可以減少球形顆粒物掉落到每個基片上的數(shù)量，進而可以減少基片圖形形貌的缺陷。[0083]以上述實施例中的實驗一所采用的工藝參數(shù)為例，激勵過渡步驟的工藝參數(shù)可以為:腔室壓力為3mT;激勵功率為400W;偏壓功率為OW；BC13的流量為llOsccm；CH4的流量為5SCCm;阻抗值為18;工藝溫度為5°C;工藝時間為Is。[0084]優(yōu)選地，在進行主刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:[0085]第一穩(wěn)流步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，以保證后續(xù)的主刻蝕步驟啟輝時，通入反應腔室內(nèi)的氣流達到充足、穩(wěn)定的狀態(tài)。[0086]優(yōu)選地，在完成激勵過渡步驟之后，且在進行過刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:[0087]第二穩(wěn)流步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，以保證后續(xù)的過刻蝕步驟啟輝時，通入反應腔室內(nèi)的氣流達到充足、穩(wěn)定的狀態(tài)。[0088]容易理解，由于本實施例提供的基片刻蝕方法無需在整個刻蝕過程中使等離子體始終處于輝光放電狀態(tài)，因而其無需設置上述實施例中的過渡步驟，除此之外，本實施例的技術方案與上述實施例的技術方案相類似，在此不再重復描述。[0089]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍?！緳嗬蟆?.一種基片刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟:主刻蝕步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以在基片上刻蝕形成圖形的基礎輪廓；過刻蝕步驟，繼續(xù)向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并保持激勵電源和偏壓電源開啟，以修飾圖形形貌，使其達到工藝要求。2.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在完成所述主刻蝕步驟之后，且在進行過刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:阻抗過渡步驟，將所述主刻蝕步驟所需的阻抗值，以預定規(guī)則增大至所述過刻蝕步驟所需的阻抗值；其中，所述阻抗值為用于匹配所述激勵電源的輸出阻抗與匹配網(wǎng)絡的輸入阻抗的匹配器中的可變阻抗元件的預定阻抗值。3.如權利要求2所述的基片刻蝕方法，其特征在于，所述預定規(guī)則為:每間隔預定時間，以預定幅度增大一次所述阻抗值，且共增大至少兩次。4.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在完成所述主刻蝕步驟之后，且在進行過刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:氣流過渡步驟，將所述主刻蝕步驟所需的流量值，以預定規(guī)則減小至所述過刻蝕步驟所需的流量值；其中，所述流量值為向反應腔室通入的刻蝕氣體的預定流量值。5.如權利要求4所述的基片刻蝕方法，其特征在于，所述預定規(guī)則為:每間隔預定時間，以預定幅度減小一次所述流量值，且共減小至少兩次。6.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在完成所述主刻蝕步驟之后，且在進行過刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:壓力過渡步驟，將所述主刻蝕步驟所需的壓力值，以預定規(guī)則減小至所述過刻蝕步驟所需的壓力值；其中，所述壓力值為所述反應腔室的腔室壓力的預定壓力值。7.如權利要求6所述的基片刻蝕方法，其特征在于，所述預定規(guī)則為:每間隔預定時間，以預定幅度減小一次所述壓力值，且共減小至少兩次。8.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在完成所述主刻蝕步驟之后，且在進行過刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:偏壓過渡步驟，將所述主刻蝕步驟所需的偏壓功率值，以預定規(guī)則增大至所述過刻蝕步驟所需的偏壓功率值；其中，所述偏壓功率值為偏壓電源的預定偏壓功率值。9.如權利要求8所述的基片刻蝕方法，其特征在于，所述預定規(guī)則為:每間隔預定時間，以預定幅度增大一次所述偏壓功率值，且共增大至少兩次。10.如權利要求1所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在進行所述主刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:第一穩(wěn)流步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，以保證后續(xù)的主刻蝕步驟啟輝時，通入反應腔室內(nèi)的氣流達到充足、穩(wěn)定的狀態(tài)。11.一種基片刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟:主刻蝕步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以在基片上刻蝕形成圖形的基礎輪廓；激勵過渡步驟，關閉偏壓電源，并將所述激勵電源的激勵功率，以預定規(guī)則減小至零；過刻蝕步驟，繼續(xù)向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開啟激勵電源和偏壓電源，以修飾圖形形貌，使其達到工藝要求。12.如權利要求11所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在進行所述主刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:第一穩(wěn)流步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，以保證后續(xù)的主刻蝕步驟啟輝時，通入反應腔室內(nèi)的氣流達到充足、穩(wěn)定的狀態(tài)。13.如權利要求11所述的基片刻蝕方法，其特征在于，在完成所述激勵過渡步驟之后，且在進行過刻蝕步驟之前，還包括以下步驟:第二穩(wěn)流步驟，向反應腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，以保證后續(xù)的過刻蝕步驟啟輝時，通入反應腔室內(nèi)的氣流達到充足、穩(wěn)定的狀態(tài)?！疚臋n編號】H01L21/3065GK104425237SQ201310364428【公開日】2015年3月18日申請日期:2013年8月20日優(yōu)先權日:2013年8月20日【發(fā)明者】吳鑫,楊盟,高福寶,賈士亮申請人:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司