一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括透光基底和依次層疊設(shè)置在透光基底上的光提取層、陽極、有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，光提取層包括多個間隔設(shè)置在透光基底表面的第一氧化物層，以及覆蓋在透光基底和第一氧化物層表面的硫化物層，及覆蓋于硫化物層表面的第二氧化物層，第一氧化物層呈方形或圓形，厚度為0.5～5μm，第一氧化物層和第二氧化物層的材質(zhì)均選自二氧化鈦、二氧化硅和二氧化鋯中的一種或多種，硫化物層為一連續(xù)薄膜層，具有波浪型曲面結(jié)構(gòu)。該有機(jī)電致發(fā)光器件通過設(shè)置光提取層，增大了透光基底界面的全反射臨界角，從而增加了透光基底與陽極之間的出光效率，提高了器件發(fā)光效率。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光（OrganicLightEmissionDiode)，以下簡稱0LED，具有亮度高、材 料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速 度快等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動通信和信息顯示的發(fā) 展趨勢，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)的OLED發(fā)光裝置中，由于陽極材料與玻璃基板之間的折射率不匹配，t匕 如ITO折射率可達(dá)到2. 1，而普通的玻璃基板只有1. 6左右，導(dǎo)致光線在ITO與玻璃基板的 界面產(chǎn)生全反射的臨界角非常小，從而使光線從ITO向玻璃基板的傳輸效率較低，這也是 導(dǎo)致現(xiàn)有技術(shù)OLED發(fā)光裝置出光效率低的一個重要原因。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方 法。通過在透光基底與陽極之間設(shè)置一個光提取層，增大了在透光基底界面的全反射臨界 角，從而增加了透光基底與陽極之間的出光效率，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0005] -方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括透光基底和依次層疊設(shè)置在 透光基底上的光提取層、陽極、有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，所述有機(jī)發(fā)光功能層包括依次層疊 的空穴傳輸層，發(fā)光層和電子傳輸層，所述光提取層包括多個間隔設(shè)置在所述透光基底表 面的第一氧化物層，以及覆蓋在所述透光基底和所述第一氧化物層表面的硫化物層，以及 覆蓋于所述硫化物層表面的第二氧化物層，所述第一氧化物層呈方形或圓形，所述第一氧 化物層和所述第二氧化物層的材質(zhì)均選自二氧化鈦、二氧化硅和二氧化鋯中的一種或多 種，所述第一氧化物層的厚度為〇. 5?5μm，所述硫化物層為一連續(xù)薄膜層，所述硫化物層 具有波浪型曲面結(jié)構(gòu)。
[0006] 優(yōu)選地，相鄰兩個所述第一氧化物層之間的間隔為5?20μm。
[0007] 優(yōu)選地，單個所述第一氧化物層的面積為25?400μm2。
[0008] 優(yōu)選地，所述硫化物層的材質(zhì)為硫化鋅和硒化鋅中的一種或兩種，所述硫化物層 的厚度為100?500nm。
[0009] 優(yōu)選地，所述第二氧化物層的厚度為2?10μm。
[0010] 優(yōu)選地，多個所述第一氧化物層呈陣列分布在所述透光基底上。
[0011] 所述第二氧化物層可使得具有曲面型結(jié)構(gòu)的硫化物層變得平整化，從而利于后續(xù) 各功能層的制備。同時(shí)，第二氧化物層可保護(hù)先設(shè)置的硫化物層等不被后續(xù)濺射操作破壞。
[0012] 優(yōu)選地，所述陽極的材質(zhì)為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物和鎵鋅氧化物中 的一種或多種，所述陽極的厚度為70?200nm。
[0013] 優(yōu)選地，所述陰極為氟化銫或氟化鋰層與金屬層組成的疊層電極，所述氟化銫或 氟化鋰層的厚度為0. 5?2nm，所述金屬層的厚度為70?200nm，所述金屬層為銀、鋁、銀鎂 合金或鋁鎂合金，所述氟化銫或氟化鋰層靠近所述電子傳輸層。
[0014] 所述透光基底為透明玻璃或透明聚合物薄膜。
[0015] 空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用 于本發(fā)明。
[0016] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4,4'，4"-三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺 (2-TNATA)，N，N，-二苯基-N，N，-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4,4，-二胺（NPB)， 4, 4，，4 "-三（Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)，Ν,N，-二苯 基-Ν,Ν'-二（3-甲基苯基）-1，Γ-聯(lián)苯-4,4'-二胺（TPD)或 4,4' ,4"-三（咔 唑-9-基）三苯胺（TCTA)，厚度為20?60nm。
[0017] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、雙（4,6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、 雙（4,6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥^1冰），二（2-甲基-二苯基[匕11]喹喔 啉)(乙酰丙酮)合銥（Ir(MDQ)2(acac))、三（1-苯基-異喹啉)合銥（Ir(piq)3)和三（2-苯基 批陡)合銥（Ir(ppy) 3)中的一種或幾種發(fā)光材料與主體材料摻雜而成的混合材料。所述主 體材料可選用4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)，8-羥基喹啉鋁（4193)，了?8丨（1，3,5-三（1-苯 基-IH-苯并咪唑-2-基）苯）或N,Ν' -二苯基-N,Ν' -二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二 胺（NPB)，發(fā)光材料在主體材料中的質(zhì)量比為2?20 : 100。
[0018] 又優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為熒光材料4,4'-二（2,2_二苯乙烯基）-1，1'-聯(lián)苯 (DPVBi)，4,4'-雙[4-(二對甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi)、5,6,11，12-四苯基 萘并萘（Rubrene)和二甲基喹吖啶酮（DMQA)中的至少一種。
[0019] 優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?20nm。
[0020] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為2_(4_聯(lián)苯基）_5_(4_叔丁基）苯基_1，3,4_ B,惡 二唑（？80)、4,7-二苯基-1，10-菲羅啉（8?1^11)、^芳基苯并咪唑（了?81)或2,9-二甲 基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)，厚度為20?60nm。
[0021] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0022] 提供一透光基底及一掩膜板，所述掩膜板貼合于所述透光基底表面，
[0023] 米用磁控溉射法在所述透光基底貼合有掩膜板的一面制備多個間隔排布的第一 氧化物層，濺射速度為0. 5?5nm/s;所述第一氧化物層呈方形或圓形，所述第一氧化物層 的厚度為〇. 5?5μm;
[0024] 取下所述掩膜板，在所述透光基底表面和所述第一氧化物層表面，采用真空熱鍍 膜法制備硫化物層，蒸鍍速度為〇. 2?2nm/s;所述硫化物層為一連續(xù)薄膜層，所述硫化物 層具有波浪型曲面結(jié)構(gòu)；
[0025] 采用磁控濺射法在所述硫化物層表面制備第二氧化物層；所述第一氧化物層和所 述第二氧化物層的材質(zhì)均選自二氧化鈦、二氧化硅和二氧化鋯中的一種或多種；
[0026] 采用磁控濺射法在所述第二氧化物層表面制備陽極，再采用真空熱鍍膜法，在所 述陽極表面依次制備有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，從而制備得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件，所述 有機(jī)發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴傳輸層，發(fā)光層和電子傳輸層。
[0027]優(yōu)選地，相鄰兩個所述第一氧化物層之間的間隔為5?20μm。
[0028] 優(yōu)選地，單個所述第一氧化物層的面積為25?400μm2。
[0029] 優(yōu)選地，所述硫化物層的材質(zhì)為硫化鋅和硒化鋅中的一種或兩種，所述硫化物層 的厚度為100?500nm。
[0030] 優(yōu)選地，所述第二氧化物層的厚度為2?10μm。
[0031] 優(yōu)選地，多個所述第一氧化物層呈陣列分布在所述透光基底上。
[0032] 所述第二氧化物層可使得具有曲面型結(jié)構(gòu)的硫化物層變得平整化，從而利于后續(xù) 各功能層的制備。同時(shí)，第二氧化物層可保護(hù)先設(shè)置的硫化物層等不被后續(xù)濺射操作破壞。
[0033] 優(yōu)選地，所述磁控濺射法和真空鍍膜法的過程中，真空度為IXKT5Pa? IXKT3Pa。
[0034] 優(yōu)選地，第二氧化物層的濺射速率為0. 5?5nm/s。
[0035] 優(yōu)選地，所述陽極的材質(zhì)為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物和鎵鋅氧化物中 的一種或多種，所述陽極的厚度為70?200nm。所述陽極的溉射速率為0. 2?2nm/s。
[0036] 優(yōu)選地，所述陰極為氟化銫或氟化鋰層與金屬層組成的疊層電極，所述氟化銫或 氟化鋰層的厚度為0. 5?2nm，所述金屬層的厚度為70?200nm，所述金屬層為銀、鋁、銀鎂 合金或鋁鎂合金，所述氟化銫或氟化鋰層靠近所述電子傳輸層。
[0037] 優(yōu)選地，所述氟化銫或氟化鋰層的蒸發(fā)速度為0. 01?0.lnm/s，所述金屬層的蒸 發(fā)速度為〇. 2?2nm/s。
[0038] 所述透光基底為透明玻璃或透明聚合物薄膜。
[0039] 空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用 于本發(fā)明。
[0040] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4,4'，4"-三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺 (2-TNATA)，N，N，-二苯基-N，N，-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4,4，-二胺（NPB)， 4, 4，，4 "-三（Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)，Ν,N，-二苯 基-Ν,Ν'-二（3-甲基苯基）-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（TPD)或 4,4' ,4"-三（咔 唑-9-基）三苯胺（TCTA)，厚度為20?60nm。優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的蒸發(fā)速度為0. 1? lnm/s〇
[0041] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、 雙（4,6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥^1冰），二（2-甲基-二苯基[匕11]喹喔 啉）（乙酰丙酮)合銥（Ir(MDQ) 2 (acac))、三（1-苯基-異喹啉)合銥（Ir(piq) 3)和三（2-苯 基批陡）合銥（Ir(ppy)3)中的一種或幾種發(fā)光材料與主體材料摻雜而成的混合材料。所 述主體材料可選用4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)，8-羥基喹啉鋁（Alq3)，TPBi(1，3, 5-三 (1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯）或N，N'-二苯基-N，N'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián) 苯-4, 4'-二胺（NPB)，發(fā)光材料在主體材料中的質(zhì)量比為2?20 : 100。
[0042] 又優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為熒光材料4,4'-二（2,2_二苯乙烯基）_1，1'-聯(lián)苯 (DPVBi)，4,4'-雙[4-(二對甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi)、5,6, 11，12-四苯基 萘并萘（Rubrene)和二甲基喹吖啶酮（DMQA)中的至少一種。
[0043] 優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?20nm。優(yōu)選地，所述發(fā)光層的蒸發(fā)速度為0.01? lnm/s〇
[0044] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁 二唑（？80)、4,7-二苯基-1，10-菲羅啉（8?1^11)、^芳基苯并咪唑（了?81)或2,9-二甲 基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)，厚度為20?60nm。優(yōu)選地，所述電子傳輸層的蒸 發(fā)速度為〇. 1?lnm/s。
[0045] 本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果：
[0046] (1)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，在透明基底與陽極之間設(shè)置光提取層，該光 提取層包括多個間隔排布的第一氧化物層，以及覆蓋在第一氧化物層上的硫化物層，和覆 蓋在硫化物層上的第二氧化物層，硫化物層通過成膜形成連續(xù)薄膜，具有高低起伏的波浪 型曲面結(jié)構(gòu)，由于硫化物與氧化物的折射率不同，因此在第一氧化物層與硫化物層的接觸 界面，光線會反生折射現(xiàn)象，從而實(shí)現(xiàn)在曲面上的折射，導(dǎo)致在該曲面結(jié)構(gòu)具有更大的全反 射臨界角，光線在透光基底與該光提取層界面之間的損失將大大降低，此外，由于第二氧化 物層具有與陽極薄膜接近的折射率，因此在陽極薄膜與第二氧化物層界面的光線損耗也可 降低到較低水平，從而提高了透光基底與陽極之間的出光效率；因此，本發(fā)明提供的有機(jī)電 致發(fā)光器件具有出光效率高，發(fā)光效率較優(yōu)的特點(diǎn)；
[0047] (2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝簡單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模 使用。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0048] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1的第一氧化物層Ila在玻璃基底10上的排布示意圖；
[0050] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例2的第一氧化物層11a'在玻璃基底10'上的排布示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0051] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于 本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0052] 實(shí)施例1
[0053] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0054] (1)提供一透明玻璃基底及一掩膜板，所述掩膜板貼合于所述玻璃基底表面；將玻 璃基底置于IXKT5Pa的真空鍍膜室中，采用磁控濺射法在玻璃基底貼合有掩膜板的一面 制備12個陣列排布的第一氧化物層，材質(zhì)為二氧化鈦，濺射速度為0. 5nm/s;第一氧化物層 呈方形，厚度為〇. 5μm，相鄰兩第一氧化物層之間的間隔為5μm，單個第一氧化層的面積 為 25μm2 ;
[0055] (2)取下掩膜板，在玻璃基底表面和第一氧化物層表面，采用真空熱鍍膜法制備硫 化物層，材質(zhì)為硫化鋅，蒸鍍速度為〇. 2nm/s;硫化物層為一連續(xù)薄膜層，具有波浪型曲面 結(jié)構(gòu)，厚度為IOOnm;
[0056] (3)在真空度為IXKT5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射法在硫化物層上制備 第二氧化物層，材質(zhì)為二氧化鈦，厚度為2 μ m，濺射速度為0. 5nm/s ;
[0057] (4)在真空度為IXKT5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射法在第二氧化物層表 面制備陽極，材料為ΙΤ0,厚度為70nm，濺射速度為0. 2nm/s;再采用真空熱鍍膜法，在陽極 表面制備有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，從而制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0058] 其中，有機(jī)發(fā)光功能層依次包括空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；空穴傳輸層米 用NPB，厚度為20nm，蒸發(fā)速度為0.lnm/s;發(fā)光層材料為TPBi摻雜Ir(ppy)3形成的混合 材料，Ir(ppy) 3與TPBi的質(zhì)量比為10 : 100,發(fā)光層厚度為15nm，其中TPBi的蒸發(fā)速度 為0.lnm/s，Ir(ppy)3的蒸發(fā)速度為0. 01nm/s;電子傳輸層材質(zhì)為TPBi,厚度為20nm，蒸發(fā) 速度為〇.lnm/s;陰極為LiF-Ag疊層陰極，首先在電子傳輸層上制備LiF層，厚度為0. 5nm， 蒸發(fā)速度為〇. 〇lnm/s，然后制備金屬Ag層，厚度為70nm，蒸發(fā)速度為0. 2nm/s。
[0059] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí) 施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括透明玻璃基底10、光提取層11、陽極12、空穴傳輸層13、 發(fā)光層14、電子傳輸層15和陰極16。所述光提取層11包括多個陣列間隔設(shè)置在透明玻璃 基底10上的第一氧化物層11a，以及覆蓋在透明玻璃基底10和第一氧化物層Ila表面的 硫化物層11b，以及覆蓋于硫化物層Ilb表面的第二氧化物層11c，硫化物層Ilb為一連續(xù) 薄膜層，具有波浪型曲面結(jié)構(gòu)。該波浪型曲面結(jié)構(gòu)能改變在該曲面結(jié)構(gòu)上的折射光線，使入 射角增大，因而導(dǎo)致在該曲面結(jié)構(gòu)具有更大的全反射臨界角，光線在透明玻璃基底10與硫 化物層Ilb界面之間的損失將大大降低，從而提高了器件的出光效率。此外，第二氧化物層 IlC具有與陽極12接近的折射率，因此在陽極12與第二氧化物層Ilc界面的光線損耗也可 降低到較低水平，，從而可進(jìn)一步提高器件的出光效率。
[0060] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1的第一氧化物層Ila在玻璃基底10上的排布示意圖。從 圖2中可以看出，第一氧化物層Ila呈方形，第一氧化物層具有一定厚度，本實(shí)施例中第一 氧化物層厚度為0. 5μπι，在本實(shí)施例中，多個第一氧化物層陣列排布在玻璃基底10上，相 互之間的間隔相同，為5μm。在其他實(shí)施例中，第一氧化物層的設(shè)置數(shù)量和相互之間的間隔 也可做不同設(shè)置。
[0061] 實(shí)施例2
[0062] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0063] (1)提供一透明玻璃基底及一掩膜板，所述掩膜板貼合于所述玻璃基底表面；將玻 璃基底置于IXKT3Pa的真空鍍膜室中，采用磁控濺射法在玻璃基底貼合有掩膜板的一面 制備12個陣列排布的第一氧化物層，材質(zhì)為二氧化硅，濺射速度為5nm/s;第一氧化物層 呈圓形，厚度為5μm，相鄰兩第一氧化物層之間的間隔為20μm，單個第一氧化層的面積為 400μm2 ；
[0064] (2)取下掩膜板，在玻璃基底表面和第一氧化物層表面，采用真空熱鍍膜法制備硫 化物層，材質(zhì)為硒化鋅，蒸鍍速度為2nm/s;硫化物層為一連續(xù)薄膜層，具有波浪型曲面結(jié) 構(gòu)，厚度為500nm;
[0065] (3)在真空度為IXKT3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射法在硫化物層上制備 第二氧化物層，材質(zhì)為二氧化娃，厚度為10μm，#i射速度為5nm/s;
[0066] (5)在真空度為IXKT3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射法在第二氧化物層表 面制備陽極，材料為ΙΖ0,厚度為200nm，濺射速度為2nm/s;再采用真空熱鍍膜法，在陽極表 面制備有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，從而制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0067] 其中，有機(jī)發(fā)光功能層依次包括空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；空穴傳輸層米 用2-TNATA，厚度為60nm，蒸發(fā)速度為lnm/s;發(fā)光層材料為NPB摻雜Ir(MDQ) 2 (acac)形成 的混合材料，Ir(MDQ) 2 (acac)與NPB的質(zhì)量比為20 : 100,發(fā)光層厚度為20nm，其中NPB的 蒸發(fā)速度為lnm/s,Ir(MDQ) 2 (acac)蒸發(fā)速度為0. 2nm/s.;電子傳輸層材質(zhì)為Bphen，厚度 為60nm，蒸發(fā)速度為lnm/s;陰極為CsF-Al疊層陰極，首先在電子傳輸層上制備CsF層，厚 度為2nm，蒸發(fā)速度為lnm/s,然后制備金屬Al層，厚度為200nm，蒸發(fā)速度為2nm/s。
[0068] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例2的第一氧化物層11a'在玻璃基底10'上的排布示意圖。
[0069] 實(shí)施例3
[0070] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0071] (1)提供一透明玻璃基底及一掩膜板，所述掩膜板貼合于所述玻璃基底表面；將玻 璃基底置于IXKT4Pa的真空鍍膜室中，采用磁控濺射法在玻璃基底貼合有掩膜板的一面 制備12個陣列排布的第一氧化物層，材質(zhì)為二氧化鋯，濺射速度為2nm/s;第一氧化物層 呈方形，厚度為1μm，相鄰兩第一氧化物層之間的間隔為10μm，單個第一氧化層的面積為 50μm2 ；
[0072] (2)取下掩膜板，在玻璃基底表面和第一氧化物層表面，采用真空熱鍍膜法制備硫 化物層，材質(zhì)為硫化鋅，蒸鍍速度為lnm/s;硫化物層為一連續(xù)薄膜層，具有波浪型曲面結(jié) 構(gòu)，厚度為200nm;
[0073] (3)在真空度為IXKT4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射法在硫化物層上制備 第二氧化物層，材質(zhì)為二氧化鋯，厚度為5μm，濺射速度為2nm/s;
[0074] (5)在真空度為IXKT4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射法在第二氧化物層表 面制備陽極，材料為ΑΖ0,厚度為lOOnm，濺射速度為lnm/s;再采用真空熱鍍膜法，在陽極表 面制備有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，從而制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0075] 其中，有機(jī)發(fā)光功能層依次包括空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；空穴傳輸層米 用m-MTDATA，厚度為30nm，蒸發(fā)速度為0. 5nm/s;發(fā)光層材料為Alq3摻雜DCJTB形成的混合 材料，DCJTB與Alq3的質(zhì)量比為2 : 100,發(fā)光層厚度為5nm，其中Alq3的蒸發(fā)速度為Inm/ s，DCJTB蒸發(fā)速度為0. 02nm/s.;電子傳輸層材質(zhì)為BCP，厚度為40nm，蒸發(fā)速度為0. 5nm/ s;陰極為CsF-Mg-Al疊層陰極，首先在電子傳輸層上制備CsF層，厚度為lnm，蒸發(fā)速度為 0.lnm/s,然后制備金屬M(fèi)g-Al合金層，厚度為IOOnm,蒸發(fā)速度為lnm/s。
[0076] 對比例1
[0077] 對比例1與實(shí)施例1的區(qū)別在于，在陽極與玻璃基底之間不設(shè)置光提取層。對比 例2
[0078] 對比例2與實(shí)施例2的區(qū)別在于，在陽極與玻璃基底之間不設(shè)置光提取層。對比 例3
[0079] 對比例3與實(shí)施例3的區(qū)別在于，在陽極與玻璃基底之間不設(shè)置光提取層。效果 實(shí)施例
[0080] 本發(fā)明測試與制備設(shè)備為高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司），美 國海洋光學(xué)OceanOptics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時(shí)利公司的 Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測試亮度和色度。
[0081] 將本發(fā)明實(shí)施例1?3和對比例1?3所制得的有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行發(fā)光亮度 的測試，以及在6V驅(qū)動電壓下進(jìn)行發(fā)光效率測試，測試結(jié)果如表1所示：
[0082]表1
[0083]
【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括透光基底和依次層疊設(shè)置在透光基底上的光提取層、 陽極、有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，所述有機(jī)發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴傳輸層，發(fā)光層和 電子傳輸層，其特征在于，所述光提取層包括多個間隔設(shè)置在所述透光基底表面的第一氧 化物層，以及覆蓋在所述透光基底和所述第一氧化物層表面的硫化物層，以及覆蓋于所述 硫化物層表面的第二氧化物層，所述第一氧化物層呈方形或圓形，所述第一氧化物層和所 述第二氧化物層的材質(zhì)均選自二氧化鈦、二氧化硅和二氧化鋯中的一種或多種，所述第一 氧化物層的厚度為0. 5?5 i! m，所述硫化物層為一連續(xù)薄膜層，所述硫化物層具有波浪型 曲面結(jié)構(gòu)。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，相鄰兩個所述第一氧化物層 之間的間隔為5?20 iim。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，單個所述第一氧化物層的面 積為25?400 u m2。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述硫化物層的材質(zhì)為硫化 鋅和硒化鋅中的一種或兩種。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述硫化物層的厚度為100? 500nm〇
6. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二氧化物層的厚度為 2 ?10 u m〇
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，多個所述第一氧化物層呈陣 列分布在所述透光基底上。
8. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極的材質(zhì)為銦錫氧 化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物和鎵鋅氧化物中的一種或多種，所述陽極的厚度為70? 200nm.
9. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極為氟化銫或氟化鋰 層與金屬層組成的疊層電極，所述氟化銫或氟化鋰層的厚度為〇. 5?2nm，所述金屬層的厚 度為70?200nm，所述金屬層為銀、鋁、銀鎂合金或鋁鎂合金，所述氟化銫或氟化鋰層靠近 所述電子傳輸層。
10. -種如權(quán)利要求1?9任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于， 包括步驟如下： 提供一透光基底及一掩膜板，所述掩膜板貼合于所述透光基底表面， 采用磁控濺射法在所述透光基底貼合有掩膜板的一面制備多個間隔排布的第一氧化 物層，濺射速度為0. 5?5nm/s ;所述第一氧化物層呈方形或圓形，所述第一氧化物層的厚 度為0? 5?5 y m ; 取下所述掩膜板，在所述透光基底表面和所述第一氧化物層表面，采用真空熱鍍膜法 制備硫化物層，蒸鍍速度為〇. 2?2nm/s ;所述硫化物層為一連續(xù)薄膜層，所述硫化物層具 有波浪型曲面結(jié)構(gòu)； 采用磁控濺射法在所述硫化物層表面制備第二氧化物層；所述第一氧化物層和所述第 二氧化物層的材質(zhì)均選自二氧化鈦、二氧化硅和二氧化鋯中的一種或多種； 采用磁控濺射法在所述第二氧化物層表面制備陽極，再采用真空熱鍍膜法，在所述陽 極表面依次制備有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，從而制備得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī) 發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴傳輸層，發(fā)光層和電子傳輸層。
【文檔編號】H01L51/50GK104425721SQ201310369720
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月22日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 張娟娟, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司