一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括透光基底和依次層疊設(shè)置在透光基底上的光提取層、陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，光提取層由無(wú)機(jī)材料區(qū)和有機(jī)材料區(qū)構(gòu)成，所述光提取層鋪滿透光基底的平面，所述有機(jī)材料區(qū)包括多個(gè)陣列設(shè)置的有機(jī)材料子單元區(qū)，所述光提取層的厚度為2～10μm。該有機(jī)電致發(fā)光器件通過(guò)設(shè)置光提取層，改變了光線入射到透光基底的入射角，使陽(yáng)極向透光基底的入射角范圍增大，從而增加了透光基底與陽(yáng)極之間的出光效率，提高了器件發(fā)光效率。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光（OrganicLightEmissionDiode)，以下簡(jiǎn)稱(chēng)0LED，具有亮度高、材 料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速 度快等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā) 展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國(guó)內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)的OLED發(fā)光裝置中，由于陽(yáng)極材料與玻璃基板之間的折射率不匹配，t匕 如ITO折射率可達(dá)到2. 1，而普通的玻璃基板只有1. 6左右，導(dǎo)致光線在ITO與玻璃基板的 界面產(chǎn)生全反射的臨界角非常小，從而使光線從ITO向玻璃基板的傳輸效率較低，這也是 導(dǎo)致現(xiàn)有技術(shù)OLED發(fā)光裝置出光效率低的一個(gè)重要原因。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方 法。通過(guò)在透光基底與陽(yáng)極之間設(shè)置一個(gè)光提取層，增加了透光基底與陽(yáng)極之間的出光效 率，提高了有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。
[0005] -方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括透光基底和依次層疊設(shè)置在 透光基底上的光提取層、陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，所述有機(jī)發(fā)光功能層包括依次層疊 的空穴傳輸層，發(fā)光層和電子傳輸層，所述光提取層由無(wú)機(jī)材料區(qū)和有機(jī)材料區(qū)構(gòu)成，所述 光提取層鋪滿所述透光基底的平面，所述有機(jī)材料區(qū)包括多個(gè)陣列設(shè)置的有機(jī)材料子單元 區(qū)，所述光提取層的厚度為2?10μm。
[0006] 優(yōu)選地，所述無(wú)機(jī)材料區(qū)的材質(zhì)為W03,ReO3,MoO3,V2O5,Sb2O3和Nd2O5中的一種或 多種。
[0007] 優(yōu)選地，所述有機(jī)材料區(qū)的材質(zhì)為4, 4'，4''-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基） 三苯胺（m-MTDATA)，8-羥基喹啉鋁（Alq3)，l，3,5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯 (TPBi)、Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺（NPB)和二（2-甲 基-8-喹啉）_ (4-苯基苯酚）鋁（BAlq)中的一種或多種。
[0008] 優(yōu)選地，相鄰兩個(gè)所述有機(jī)材料子單元區(qū)之間的間隔為2?10μm。
[0009] 優(yōu)選地，多個(gè)所述有機(jī)材料子單元區(qū)為方形，長(zhǎng)寬尺寸為5?30μm。
[0010] 優(yōu)選地，多個(gè)所述有機(jī)材料子單元區(qū)為正方形。
[0011] 優(yōu)選地，所述陽(yáng)極的材質(zhì)為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物和鎵鋅氧化物中 的一種或多種，所述陽(yáng)極的厚度為70?200nm.
[0012] 優(yōu)選地，所述陰極為氟化銫或氟化鋰層與金屬層組成的疊層電極，所述氟化銫或 氟化鋰層的厚度為0. 5?2nm，所述金屬層的厚度為70?200nm，所述金屬層為銀、鋁、銀鎂 合金或鋁鎂合金，所述氟化銫或氟化鋰層靠近所述電子傳輸層。
[0013] 所述透光基底為透明玻璃或透明聚合物薄膜。
[0014] 空穴傳輸層、電子傳輸層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用 于本發(fā)明。
[0015] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4,4'，4''_三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺 (2-TNATA)，N,Ν' -二苯基-N,Ν' -二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)，4, 4'，4' ' -三 (Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)，Ν,Ν' -二苯基-N,Ν' -二（3-甲基苯 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（TPD)或4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，厚度為 20 ?60nm。
[0016] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、雙（4,6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、 雙（4,6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥^1冰），二（2-甲基-二苯基[匕11]喹喔 啉)(乙酰丙酮)合銥（Ir (MDQ)2(acac))、三（1-苯基-異喹啉)合銥（Ir (piq)3)和三（2-苯基 批陡)合銥（Ir(ppy) 3)中的一種或幾種發(fā)光材料與主體材料摻雜而成的混合材料。所述主 體材料可選用4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)，8-羥基喹啉鋁（4193)，了?8丨（1，3,5-三（1-苯 基-IH-苯并咪唑-2-基）苯）或Ν,Ν' -二苯基-Ν,Ν' -二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二 胺（NPB)，發(fā)光材料在主體材料中的質(zhì)量比為2?20:100。
[0017] 又優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為熒光材料4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯 (DPVBi)，4,4'_雙[4-(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi)、5,6,11，12-四苯基萘 并萘（Rubrene)和二甲基喹吖啶酮（DMQA)中的至少一種。
[0018] 優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?20nm。
[0019] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為2_(4_聯(lián)苯基）_5_(4_叔丁基）苯基_1，3,4_B,惡 二唑（？80)、4,7-二苯基-1，10-菲羅啉（8?1^11)、^芳基苯并咪唑（了?81)或2,9-二甲 基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)，厚度為20?60nm。
[0020] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0021] 提供一透光基底及一掩膜板，所述掩膜板貼合于所述透光基底表面，
[0022] 采用真空鍍膜法在所述透光基底貼合有掩膜板的一面制備多個(gè)陣列排布的有機(jī) 材料子單元區(qū)形成有機(jī)材料區(qū)，蒸發(fā)速度為1?l〇nm/S;
[0023] 取下所述掩膜板，再取另一預(yù)制備好的掩膜板將所述有機(jī)材料區(qū)覆蓋，然后采用 真空鍍膜法在所述透光基底表面制備無(wú)機(jī)材料區(qū)，蒸發(fā)速度為1?l〇nm/S;所述有機(jī)材料 區(qū)與所述無(wú)機(jī)材料區(qū)構(gòu)成光提取層，所述光提取層鋪滿所述透光基底的平面，所述光提取 層的厚度為2?10μm;
[0024] 采用磁控濺射法在所述光提取層表面制備陽(yáng)極，再采用真空熱鍍膜法，在所述陽(yáng) 極表面依次制備有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，從而制備得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī) 發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴傳輸層，發(fā)光層和電子傳輸層。
[0025] 優(yōu)選地，所述無(wú)機(jī)材料區(qū)的材質(zhì)為W03,ReO3,MoO3,V2O5,Sb2O3和Nd2O5中的一種或 多種。
[0026]優(yōu)選地，所述有機(jī)材料區(qū)的材質(zhì)為4, 4'，4''-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基） 三苯胺（m-MTDATA)，8-羥基喹啉鋁（Alq3)，1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯 (TPBi)、N，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二胺（NPB)和二（2-甲 基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁（BAlq)中的一種或多種。
[0027] 優(yōu)選地，相鄰兩個(gè)所述有機(jī)材料子單元區(qū)之間的間隔為2?10μm。
[0028] 優(yōu)選地，所述多個(gè)有機(jī)材料子單元區(qū)為方形，長(zhǎng)寬尺寸為5?30μm。
[0029] 優(yōu)選地，所述多個(gè)有機(jī)材料子單元區(qū)為正方形。
[0030] 優(yōu)選地，所述陽(yáng)極的材質(zhì)為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物和鎵鋅氧化物中 的一種或多種，所述陽(yáng)極的厚度為70?200nm.
[0031] 優(yōu)選地，所述陰極為氟化銫或氟化鋰層與金屬層組成的疊層電極，所述氟化銫或 氟化鋰層的厚度為0. 5?2nm，所述金屬層的厚度為70?200nm，所述金屬層為銀、鋁、銀鎂 合金或鋁鎂合金，所述氟化銫或氟化鋰層靠近所述電子傳輸層。
[0032] 優(yōu)選地，所述磁控濺射法和真空鍍膜法的過(guò)程中，真空度為IXKT5Pa? IXKT3Pa。
[0033] 所述透光基底為透明玻璃或透明聚合物薄膜。
[0034] 優(yōu)選地，所述陽(yáng)極的濺射速率為0. 2?2nm/s;所述陰極的氟化銫或氟化鋰層的蒸 發(fā)速度為〇. 01?〇.lnm/s，金屬層的蒸發(fā)速度為0. 2?2nm/s。
[0035] 所述有機(jī)發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴傳輸層，發(fā)光層和電子傳輸層?？昭▊?輸層、電子傳輸層和發(fā)光層的材質(zhì)不作具體限定，本領(lǐng)域現(xiàn)有材料均適用于本發(fā)明。
[0036] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4,4'，4''_三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺 (2-TNATA)，N,Ν' -二苯基-N,Ν' -二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)，4, 4'，4' ' -三 (Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)，Ν,Ν' -二苯基-N,Ν' -二（3-甲基苯 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（TPD)或4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)，厚度為 20?60nm。優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的蒸發(fā)速度為0. 1?lnm/s。
[0037] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、雙（4,6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、 雙（4,6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥^1冰），二（2-甲基-二苯基[匕11]喹喔 啉)(乙酰丙酮)合銥（Ir(MDQ)2(acac))、三（1-苯基-異喹啉)合銥（Ir(piq)3)和三（2-苯基 批陡)合銥（Ir(ppy) 3)中的一種或幾種發(fā)光材料與主體材料摻雜而成的混合材料。所述主 體材料可選用4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)，8-羥基喹啉鋁（4193)，了?8丨（1，3,5-三（1-苯 基-IH-苯并咪唑-2-基）苯）或Ν,Ν' -二苯基-Ν,Ν' -二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4'-二 胺（NPB)，發(fā)光材料在主體材料中的質(zhì)量比為2?20:100。
[0038] 又優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為熒光材料4, 4' -二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯 (DPVBi)，4,4'_雙[4-(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi)、5,6, 11，12-四苯基萘 并萘（Rubrene)和二甲基喹吖啶酮（DMQA)中的至少一種。
[0039] 優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?20nm。優(yōu)選地，所述發(fā)光層的蒸發(fā)速度為0.01? lnm/s〇
[0040] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材料為2_ (4_聯(lián)苯基）_5_ (4_叔丁基）苯基_1，3, 4_B,惡 二唑（？80)、4,7-二苯基-1，10-菲羅啉（8?1^11)、^芳基苯并咪唑（了?81)或2,9-二甲 基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)，厚度為20?60nm。優(yōu)選地，所述電子傳輸層的蒸 發(fā)速度為〇. 1?lnm/s。
[0041] 本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果：
[0042] (I)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，在透光基底與陽(yáng)極之間設(shè)置光提取層，該光 提取層由有機(jī)材料區(qū)和無(wú)機(jī)材料區(qū)構(gòu)成，鋪滿透光基底的平面，由于光提取層具有兩種不 同折射率的材料，無(wú)機(jī)材料區(qū)為高折射率區(qū)，有機(jī)材料區(qū)為低折射率區(qū)，當(dāng)光從陽(yáng)極向透光 基底傳輸時(shí)，普通的器件會(huì)存在波導(dǎo)模態(tài)，使陽(yáng)極與基底之間的出射光角度較小，出光效率 低，而本發(fā)明設(shè)置光提取層后，入射光從陽(yáng)極進(jìn)入光提取層，由于有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料的折 射率不一致，因此光線在光提取層不斷發(fā)生折射現(xiàn)象，改變了入射透光基底的入射角，使從 陽(yáng)極向透光基底之間的入射角范圍增大，因而出光效率提高；此外，有機(jī)材料區(qū)包括多個(gè)陣 列排布的有機(jī)材料子單元區(qū)，即有機(jī)材料區(qū)和無(wú)機(jī)材料區(qū)呈規(guī)律性設(shè)置，這樣，在無(wú)機(jī)材料 區(qū)中橫向傳播的可見(jiàn)光不斷發(fā)生I禹合作用，使橫向傳播的光減少，而縱向傳播，即向出光面 發(fā)射的光增多，從而進(jìn)一步提高了出光效率；因此，本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件具有出 光效率高，發(fā)光效率較優(yōu)的特點(diǎn)；
[0043] (2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝簡(jiǎn)單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模 使用。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0044] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1的光提取層11在玻璃基底10上的設(shè)置示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0046] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于 本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0047] 實(shí)施例1
[0048] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0049] (1)提供一透明玻璃基底及一掩膜板，所述掩膜板貼合于所述玻璃基底表面；將 玻璃基底置于IXKT5Pa的真空鍍膜室中，采用真空鍍膜法在透光基底貼合有掩膜板的一 面制備25個(gè)陣列排布的有機(jī)材料子單元區(qū)形成有機(jī)材料區(qū)，材質(zhì)為m-MTDATA，蒸發(fā)速度為 lnm/s;有機(jī)材料子單元區(qū)呈正方形，正方形邊長(zhǎng)為5μm，相鄰兩個(gè)有機(jī)材料子單元區(qū)之間 的間隔為為2μηι;
[0050] (2)取下所述掩膜板，再取另一預(yù)制備好的掩膜板將有機(jī)材料區(qū)覆蓋，然后在真空 度為IXKT3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用真空鍍膜法在透光基底表面制備無(wú)機(jī)材料區(qū)，材質(zhì) 為WO3，蒸發(fā)速度為lnm/s;有機(jī)材料區(qū)與無(wú)機(jī)材料區(qū)構(gòu)成光提取層，光提取層鋪滿透光基底 的平面，光提取層的厚度為2μm，即有機(jī)材料區(qū)與無(wú)機(jī)材料區(qū)的厚度一致；
[0051] (3)在真空度為IXKT3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射法在光提取層表面制 備陽(yáng)極，材料為ΙΤ0,厚度為70nm，濺射速度為0. 2nm/s;再采用真空熱鍍膜法，在陽(yáng)極表面 制備有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，從而制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0052] 其中，有機(jī)發(fā)光功能層依次包括空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；空穴傳輸層米 用NPB，厚度為20nm，蒸發(fā)速度為0.lnm/s;發(fā)光層材料為T(mén)PBi摻雜Ir(ppy) 3形成的混合 材料，Ir(ppy)3與TPBi的質(zhì)量比為10:100,發(fā)光層厚度為15nm，其中TPBi的蒸發(fā)速度為 0.lnm/s，Ir(ppy)3的蒸發(fā)速度為0. 01nm/s;電子傳輸層材質(zhì)為T(mén)PBi,厚度為20nm，蒸發(fā)速 度為0.lnm/s;陰極為L(zhǎng)iF-Ag疊層陰極，首先在電子傳輸層上制備LiF層，厚度為0. 5nm，蒸 發(fā)速度為〇. 〇lnm/s，然后制備金屬Ag層，厚度為70nm，蒸發(fā)速度為0. 2nm/s。
[0053] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí) 施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括透明玻璃基底10、光提取層11、陽(yáng)極12、空穴傳輸層13、 發(fā)光層14、電子傳輸層15和陰極16。所述光提取層11包括陣列設(shè)置在透明玻璃基底10 上的有機(jī)材料區(qū)Ila和無(wú)機(jī)材料區(qū)lib。由于有機(jī)材料區(qū)Ila和無(wú)機(jī)材料區(qū)Ilb具有不同 折射率，因此當(dāng)入射光從陽(yáng)極12進(jìn)入光提取層11時(shí)，光線將在光提取層11不斷發(fā)生折射 現(xiàn)象，從而改變光線入射透光基底10的入射角，使從陽(yáng)極12向透光基底10之間的入射角 范圍增大，因而出光效率提高；此外，有機(jī)材料區(qū)Ila和無(wú)機(jī)材料區(qū)Ilb呈規(guī)律性設(shè)置，這 樣，在無(wú)機(jī)材料區(qū)Ilb中橫向傳播的可見(jiàn)光將不斷發(fā)生耦合作用，使橫向傳播的光減少，而 縱向傳播，即向出光面透光基底10發(fā)射的光增多，從而進(jìn)一步提高了出光效率。圖2是本 發(fā)明實(shí)施例1的光提取層11在玻璃基底10上的設(shè)置示意圖。從圖2中可以看出，光提取 層11包括有機(jī)材料區(qū)Ila和無(wú)機(jī)材料區(qū)11b，有機(jī)材料區(qū)Ila包括25個(gè)陣列設(shè)置的正方形 有機(jī)材料子單元區(qū)。
[0054] 實(shí)施例2
[0055] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0056] (1)提供一透明玻璃基底及一掩膜板，所述掩膜板貼合于所述玻璃基底表面；將玻 璃基底置于IXKT3Pa的真空鍍膜室中，采用真空鍍膜法在透光基底貼合有掩膜板的一面 制備25個(gè)陣列排布的有機(jī)材料子單元區(qū)形成有機(jī)材料區(qū)，材質(zhì)為NPB，蒸發(fā)速度為lOnm/s; 有機(jī)材料子單元區(qū)呈正方形，正方形邊長(zhǎng)為30μm，相鄰兩個(gè)有機(jī)材料子單元區(qū)之間的間隔 為 10μm;
[0057] (2)取下所述掩膜板，再取另一預(yù)制備好的掩膜板將有機(jī)材料區(qū)覆蓋，然后在真空 度為IXKT3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用真空鍍膜法在透光基底表面制備無(wú)機(jī)材料區(qū)，材質(zhì) 為ReO3，蒸發(fā)速度為lOnm/s;有機(jī)材料區(qū)與無(wú)機(jī)材料區(qū)構(gòu)成光提取層，光提取層鋪滿透光基 底的平面，光提取層的厚度為10μm，即有機(jī)材料區(qū)與無(wú)機(jī)材料區(qū)的厚度一致；
[0058] (3)在真空度為IXKT3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射法在光提取層表面制 備陽(yáng)極，材料為IZ0,厚度為200nm，濺射速度為2nm/s;再采用真空熱鍍膜法，在陽(yáng)極表面制 備有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，從而制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0059] 其中，有機(jī)發(fā)光功能層依次包括空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；空穴傳輸層米 用2-TNATA，厚度為60nm，蒸發(fā)速度為lnm/s;發(fā)光層材料為NPB摻雜Ir(MDQ) 2 (acac)形成 的混合材料，Ir(MDQ)2(acac)與NPB的質(zhì)量比為20:100,發(fā)光層厚度為20nm，其中NPB的 蒸發(fā)速度為lnm/s,Ir(MDQ) 2 (acac)蒸發(fā)速度為0. 2nm/s.;電子傳輸層材質(zhì)為Bphen，厚度 為60nm，蒸發(fā)速度為lnm/s;陰極為CsF-Al疊層陰極，首先在電子傳輸層上制備CsF層，厚 度為2nm，蒸發(fā)速度為lnm/s,然后制備金屬Al層，厚度為200nm，蒸發(fā)速度為2nm/s。
[0060] 實(shí)施例3
[0061] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0062] (1)提供一透明玻璃基底及一掩膜板，所述掩膜板貼合于所述玻璃基底表面；將玻 璃基底置于IXKT4Pa的真空鍍膜室中，采用真空鍍膜法在透光基底貼合有掩膜板的一面 制備25個(gè)陣列排布的有機(jī)材料子單元區(qū)形成有機(jī)材料區(qū)，材質(zhì)為BAlq,蒸發(fā)速度為5nm/s; 有機(jī)材料子單元區(qū)呈正方形，正方形邊長(zhǎng)為20μm，相鄰兩個(gè)有機(jī)材料子單元區(qū)之間的間隔 為 5μm;
[0063] (2)取下所述掩膜板，再取另一預(yù)制備好的掩膜板將有機(jī)材料區(qū)覆蓋，然后在真空 度為IXKT3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用真空鍍膜法在透光基底表面制備無(wú)機(jī)材料區(qū)，材質(zhì) 為Sb2O3，蒸發(fā)速度為5nm/s;有機(jī)材料區(qū)與無(wú)機(jī)材料區(qū)構(gòu)成光提取層，光提取層鋪滿透光基 底的平面，光提取層的厚度為5μm，即有機(jī)材料區(qū)與無(wú)機(jī)材料區(qū)的厚度一致；
[0064] (3)在真空度為IXKT4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用磁控濺射法在光提取層表面制 備陽(yáng)極，材料為ΑΖ0,厚度為lOOnm，濺射速度為lnm/s;再采用真空熱鍍膜法，在陽(yáng)極表面制 備有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，從而制備得到有機(jī)電致發(fā)光器件；
[0065] 其中，有機(jī)發(fā)光功能層依次包括空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層；空穴傳輸層米 用m-MTDATA，厚度為30nm，蒸發(fā)速度為0. 5nm/s;發(fā)光層材料為Alq3摻雜DCJTB形成的混 合材料，DCJTB與Alq3的質(zhì)量比為2:100,發(fā)光層厚度為5nm，其中Alq3的蒸發(fā)速度為Inm/ s，DCJTB蒸發(fā)速度為0. 02nm/s.;電子傳輸層材質(zhì)為BCP，厚度為40nm，蒸發(fā)速度為0. 5nm/ s;陰極為CsF-Mg-Al疊層陰極，首先在電子傳輸層上制備CsF層，厚度為lnm，蒸發(fā)速度為 0.lnm/s，然后制備金屬M(fèi)g-Al合金層，厚度為IOOnm,蒸發(fā)速度為lnm/s。
[0066] 對(duì)比例1
[0067]對(duì)比例1與實(shí)施例1的區(qū)別在于，在陽(yáng)極與玻璃基底之間不設(shè)置光提取層。
[0068]對(duì)比例2
[0069]對(duì)比例2與實(shí)施例2的區(qū)別在于，在陽(yáng)極與玻璃基底之間不設(shè)置光提取層。
[0070]對(duì)比例3
[0071]對(duì)比例3與實(shí)施例3的區(qū)別在于，在陽(yáng)極與玻璃基底之間不設(shè)置光提取層。
[0072] 效果實(shí)施例
[0073] 本發(fā)明測(cè)試與制備設(shè)備為高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司），美 國(guó)海洋光學(xué)OceanOptics的USB4000光纖光譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國(guó)吉時(shí)利公司的 Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試亮度和色度。
[0074] 將本發(fā)明實(shí)施例1?3和對(duì)比例1?3所制得的有機(jī)電致發(fā)光器件進(jìn)行發(fā)光亮度 的測(cè)試，以及在6V驅(qū)動(dòng)電壓下進(jìn)行發(fā)光效率測(cè)試，測(cè)試結(jié)果如表1所示：
[0075]表1
[0076]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括透光基底和依次層疊設(shè)置在透光基底上的光提取層、 陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，所述有機(jī)發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴傳輸層，發(fā)光層和 電子傳輸層，其特征在于，所述光提取層由無(wú)機(jī)材料區(qū)和有機(jī)材料區(qū)構(gòu)成，所述光提取層鋪 滿所述透光基底的平面，所述有機(jī)材料區(qū)包括多個(gè)陣列設(shè)置的有機(jī)材料子單元區(qū)，所述光 提取層的厚度為2?10 iim。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無(wú)機(jī)材料區(qū)的材質(zhì)為 W03, Re03, M〇03, V205, Sb203 和 Nd205 中的一種或多種。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)材料區(qū)的材質(zhì)為 4,4'，4''_三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺，8-羥基喹啉鋁，1，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺 和二（2-甲基-8-喹啉）-(4-苯基苯酚）鋁中的一種或多種。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，相鄰兩個(gè)所述有機(jī)材料子單 元區(qū)之間的間隔為2?10 iim。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，多個(gè)所述有機(jī)材料子單元區(qū) 為方形，長(zhǎng)寬尺寸為5?30 ii m。
6. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，多個(gè)所述有機(jī)材料子單元區(qū) 為正方形。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽(yáng)極的材質(zhì)為銦錫氧 化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物和鎵鋅氧化物中的一種或多種，所述陽(yáng)極的厚度為70? 200nm.
8. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述透光基底為透明玻璃或 透明聚合物薄膜。
9. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極為氟化銫或氟化鋰 層與金屬層組成的疊層電極，所述氟化銫或氟化鋰層的厚度為〇. 5?2nm，所述金屬層的厚 度為70?200nm，所述金屬層為銀、鋁、銀鎂合金或鋁鎂合金，所述氟化銫或氟化鋰層靠近 所述電子傳輸層。
10. -種如權(quán)利要求1?9任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于， 包括步驟如下： 提供一透光基底及一掩膜板，所述掩膜板貼合于所述透光基底表面， 采用真空鍍膜法在所述透光基底貼合有掩膜板的一面制備多個(gè)陣列排布的有機(jī)材料 子單元區(qū)形成有機(jī)材料區(qū)，蒸發(fā)速度為1?l〇nm/S ; 取下所述掩膜板，再取另一預(yù)制備好的掩膜板將所述有機(jī)材料區(qū)覆蓋，然后采用真空 鍍膜法在所述透光基底表面制備無(wú)機(jī)材料區(qū)，蒸發(fā)速度為1?l〇nm/S ;所述有機(jī)材料區(qū)與 所述無(wú)機(jī)材料區(qū)構(gòu)成光提取層，所述光提取層鋪滿所述透光基底的平面，所述光提取層的 厚度為2?lOiim ; 采用磁控濺射法在所述光提取層表面制備陽(yáng)極，再采用真空熱鍍膜法，在所述陽(yáng)極表 面依次制備有機(jī)發(fā)光功能層和陰極，從而制備得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件，所述有機(jī)發(fā)光 功能層包括依次層疊的空穴傳輸層，發(fā)光層和電子傳輸層。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK104425767SQ201310369827
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月22日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 張娟娟, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司