一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板、結(jié)晶型有機(jī)層、陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述結(jié)晶型有機(jī)層的材質(zhì)為結(jié)晶型材料和非結(jié)晶型材料形成的混合材料，所述結(jié)晶型有機(jī)層的設(shè)置可以提高器件的出光效率，本發(fā)明還公開(kāi)了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光（OrganicLightEmissionDiode,以下簡(jiǎn)稱0LED)，具有亮度高、材 料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速 度快等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā) 展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國(guó)內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)的OLED發(fā)光裝置，由于陽(yáng)極材料ITO與玻璃基板之間的折射率不匹配， 比如ITO折射率可達(dá)到2. 1，而普通的玻璃基板只有1. 6左右，導(dǎo)致光線在ITO與玻璃基板 的界面產(chǎn)生全反射的臨界角非常小，容易發(fā)生全反射的現(xiàn)象，從而使光線從ITO向玻璃基 板的傳輸效率較低，這是導(dǎo)致現(xiàn)有技術(shù)OLED發(fā)光裝置出光效率低的一個(gè)重要原因。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻 璃基板、結(jié)晶型有機(jī)層、陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述結(jié)晶型有機(jī)層 的材質(zhì)為結(jié)晶型材料和非結(jié)晶型材料形成的混合材料，所述非結(jié)晶型材料作為晶核，所述 結(jié)晶型材料以晶核為中心呈輻射狀生長(zhǎng)，形成大顆粒的球晶，能夠改變光線在所述結(jié)晶型 有機(jī)層內(nèi)的傳輸方向，提高器件的出光效率。
[0005] 第一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板、結(jié)晶 型有機(jī)層、陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述結(jié)晶型有機(jī)層的材質(zhì)為結(jié)晶 型材料和非結(jié)晶型材料按質(zhì)量比為1:0. 2?1的比例形成的混合材料；所述結(jié)晶型材料為 N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4' -二胺（TPD)、4, 7-二苯基-鄰菲 咯啉出口1^11)、9,9'-(1，3-苯基）二-9!1-咔唑（11￡?)、2-(4-聯(lián)苯基）-5-(4-叔丁基）苯 基-1，3, 4-噁二唑（PBD)或2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)，所述非結(jié)晶 型材料為1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)、4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯 基氨基）三苯基胺（2-ΤΝΑΤΑ)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、8_羥基喹啉鋁 (Alq3)或Ν，Ν' -二苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）_1，Γ-聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)。
[0006] 在結(jié)晶型有機(jī)層制備過(guò)程中，所述非結(jié)晶型材料作為晶核，所述結(jié)晶型材料以晶 核為中心呈輻射狀生長(zhǎng)得到球晶。
[0007] 優(yōu)選地，所述結(jié)晶型有機(jī)層的厚度為100?250nm。
[0008] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4, 4'，4''-三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺 (2-ΤΝΑΤΑ)、Ν,Ν' -二苯基-N,Ν' -二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三 (^3-甲基苯基4-苯基氨基）三苯胺（111-]\01^了六)、1^-二苯基，州'-二（3-甲基苯 基）_1，1'-聯(lián)苯-4, 4'-二胺（TPD)或 4, 4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0009] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的厚度為20?60nm。
[0010] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質(zhì)為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3, 4-噁 二唑（？80)、4,7-二苯基-鄰菲咯啉（8口1^11)、1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯 (TPBi)或 2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)。
[0011] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的厚度為20?60nm。
[0012] 優(yōu)選地,所述發(fā)光層的材質(zhì)為熒光材料,或客體材料摻雜到主體材料形成的混合 材料，所述客體材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-4H-吡喃（DCJTB)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二 氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合銥（Ir(MDQ) 2 (acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq) 3)或三（2-苯基吡啶） 合銥（11"(--7)3)，所述主體材料為4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)、8-羥基喹啉鋁（443)、 1,3,5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)或N,Ν'-二苯基-N,Ν'-二（1-萘 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)，所述客體材料和主體材料的質(zhì)量比為0. 02:1?0. 2:1 ; 所述熒光材料為4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯（DPVBi)、4, 4'-雙[4-(二對(duì)甲 苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi)、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖 啶酮（DMQA)。
[0013] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為2?20nm。
[0014] 優(yōu)選地，所述陰極為氟化物層和設(shè)置在所述氟化物層表面上的金屬層組成，所述 氟化物層的材質(zhì)為氟化銫（CsF)或氟化鋰（LiF)，所述金屬層的材質(zhì)為銀（Ag)、鋁（Al)、 鎂-鋁合金（Mg-Al)或鎂-銀合金（Mg-Ag)，所述氟化物層設(shè)置在所述電子傳輸層表面上。
[0015] 優(yōu)選地，所述氟化物層的厚度為〇· 5?2nm，所述金屬層的厚度為70?200nm。
[0016] 優(yōu)選地，所述陽(yáng)極為銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物（AZO)或鎵 鋅氧化物（GZO)。
[0017] 優(yōu)選地，所述陽(yáng)極的厚度為70?200nm。
[0018] 所述結(jié)晶型有機(jī)層的材質(zhì)包括結(jié)晶型材料和非結(jié)晶型材料，在制備結(jié)晶型有機(jī)層 時(shí)，非結(jié)晶型材料成為結(jié)晶型材料在結(jié)晶時(shí)的晶核，通過(guò)加熱，結(jié)晶型材料圍繞這個(gè)晶核形 成了大顆粒的球晶，所述結(jié)晶型有機(jī)層的折射率介于所述陽(yáng)極和玻璃基板之間，可以在陽(yáng) 極和結(jié)晶型有機(jī)層之間、結(jié)晶型有機(jī)層和玻璃基板之間形成折射率不同的梯度層，減少現(xiàn) 有技術(shù)中光線直接從陽(yáng)極傳輸?shù)讲ＡЩ瀹a(chǎn)生全反射的現(xiàn)象，從而提高了出光效率。
[0019] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步 驟：
[0020] (1)將潔凈的玻璃基板置于真空度為IXKT5Pa?IXKT3Pa的真空鍍膜室中，采用 熱阻蒸發(fā)的方法在所述基板上制備結(jié)晶型有機(jī)層；然后將所述結(jié)晶型有機(jī)層以2?KTC/ min的速度加熱到70?90°C，然后保持溫度10?30分鐘，冷卻到室溫；所述熱阻蒸發(fā)速率 為 0· 1 ?lnm/s;
[0021] 所述結(jié)晶型有機(jī)層的材質(zhì)為結(jié)晶型材料和非結(jié)晶型材料按質(zhì)量比為1:0. 2?1的 比例形成的混合材料；所述結(jié)晶型材料為Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（3-甲基苯基）-1，Γ-聯(lián) 苯-4, 4'-二胺、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、9, 9'-(1，3-苯基）二-9Η-咔唑、2- (4-聯(lián)苯 基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-By惡_卩坐或2, 9- _甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，IO-鄰_氣雜菲， 所述非結(jié)晶型材料為1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯、4, 4'，4' ' -三（2-萘 基苯基氨基）三苯基胺、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺、8-羥基喹啉鋁或Ν，Ν' -二苯 基，州'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺；
[0022] (2)在所述結(jié)晶型有機(jī)層上依次制備陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰 極，得到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0023] 優(yōu)選地，所述結(jié)晶型有機(jī)層的厚度為100?250nm。
[0024] 所述結(jié)晶型材料和非結(jié)晶型材料的蒸發(fā)速率比為1:0. 2?1。
[0025] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為4, 4'，4''-三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺 (2-ΤΝΑΤΑ)、Ν,Ν' -二苯基-N,Ν' -二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三 (^3-甲基苯基4-苯基氨基）三苯胺（111-]\01^了六)、1^-二苯基，州'-二（3-甲基苯 基）_1，1'-聯(lián)苯-4, 4'-二胺（TPD)或 4, 4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0026] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的厚度為20?60nm。
[0027] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質(zhì)為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3, 4-噁 二唑（？80)、4,7-二苯基-鄰菲咯啉（8口1^11)、1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯 (TPBi)或 2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)。
[0028] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的厚度為20?60nm。
[0029] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質(zhì)為熒光材料，或客體材料摻雜到主體材料形成的混合 材料，所述客體材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-4H-吡喃（DCJTB)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二 氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合銥（Ir(MDQ) 2 (acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq) 3)或三（2-苯基吡啶） 合銥（11"(--7)3)，所述主體材料為4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)、8-羥基喹啉鋁（443)、 1,3,5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)或N,Ν'-二苯基-N,Ν'-二（1-萘 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)，所述客體材料和主體材料的質(zhì)量比為0. 02:1?0. 2:1; 所述熒光材料為4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯（DPVBi)、4, 4'-雙[4-(二對(duì)甲 苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi)、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖 啶酮（DMQA)。
[0030] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為2?20nm。
[0031] 優(yōu)選地，所述陰極為氟化物層和設(shè)置在所述氟化物層表面上的金屬層組成，所述 氟化物層的材質(zhì)為氟化銫（CsF)或氟化鋰（LiF)，所述金屬層的材質(zhì)為銀（Ag)、鋁（Al)、 鎂-鋁合金（Mg-Al)或鎂-銀合金（Mg-Ag)，所述氟化物層設(shè)置在所述電子傳輸層表面上。
[0032] 所述氟化物層起到將陰極產(chǎn)生的電子注入到電子傳輸層的作用。
[0033] 優(yōu)選地，所述氟化物層的厚度為〇· 5?2nm，所述金屬層的厚度為70?200nm。
[0034] 優(yōu)選地，所述陽(yáng)極為銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物（AZO)或鎵 鋅氧化物（GZO)。
[0035] 優(yōu)選地，所述陽(yáng)極的厚度為70?200nm。
[0036] 優(yōu)選地，所述陽(yáng)極采用磁控濺射的方法制備，所述磁控濺射的速率為0. 2nm/s? 2nm/s〇
[0037] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層和電子傳輸層采用熱阻蒸發(fā)的方法制備，所述蒸發(fā)條件 均為：蒸鍍壓強(qiáng)為IXKT5Pa?IX10_3Pa，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。
[0038] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層采用熱阻蒸發(fā)的方法制備，所述蒸鍍壓強(qiáng)為IX KT5Pa? I X 103Pa,蒸鍛速率為0· 01nm/s?lnm/s。
[0039] 優(yōu)選地，所述客體材料和主體材料的蒸鍍速率比為0. 02:1?0. 2:1。
[0040] 優(yōu)選地，所述陰極的制備方法為：
[0041] 首先在電子傳輸層上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備氟化物層，然后在所述氟化物層上 采用熱阻蒸發(fā)的方法制備金屬層，所述氟化物層的蒸鍍速率為〇.Ol?〇.lnm/s，所述金屬 層的蒸鍍速率為〇. 2?2nm/s。
[0042] 優(yōu)選地，所述潔凈的操作為將玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水中進(jìn)行超聲清 洗，清洗干凈后依次在使用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮?dú)獯蹈伞?br> [0043] 實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，具有以下有益效果：
[0044] ( 1)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，在玻璃基板表面設(shè)置了結(jié)晶型有機(jī)層，所述 結(jié)晶型有機(jī)層的折射率介于所述陽(yáng)極和玻璃基板之間，可以在陽(yáng)極和結(jié)晶型有機(jī)層之間、 結(jié)晶型有機(jī)層和玻璃基板之間形成折射率不同的梯度層，從而提高了出光效率；
[0045] (2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝簡(jiǎn)單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模 使用。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0046] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施方式中所需要使用的附圖作 簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普 通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0047]圖1是本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0048] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清 楚、完整地描述。
[0049] 實(shí)施例1
[0050] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0051] (1)將潔凈的玻璃基板置于真空度為IXKT5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā) 的方法在玻璃基板上同時(shí)蒸發(fā)結(jié)晶型材料Bphen和非結(jié)晶材料NPB，Bphen與NPB的質(zhì)量比 為1 :0. 2,其中Bphen的蒸發(fā)速度為lnm/s，NPB的蒸發(fā)速度為0. 2nm/s，制得結(jié)晶型有機(jī)層， 結(jié)晶型有機(jī)層的厚度為250nm ;
[0052] 將結(jié)晶型有機(jī)層以2°C /min的速度加熱到70°C的溫度，然后在此溫度保持30分 鐘。隨后移除加熱裝置，冷卻至室溫；
[0053] (2)在真空度為IXKT5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用濺射技術(shù)在結(jié)晶型有機(jī)層上制 備陽(yáng)極，陽(yáng)極材質(zhì)為ITO,厚度為70nm，#i射速度為0. 2nm/s ;
[0054] 在陽(yáng)極上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為 20nm，蒸發(fā)速度為0· lnm/s ;
[0055] 在空穴傳輸層上米用熱阻蒸發(fā)的方法制備發(fā)光層，發(fā)光層的材質(zhì)為Ir(ppy) 3摻 雜TPBi形成的混合材料，Ir(ppy) 3與TPBi的質(zhì)量比為10:100,發(fā)光層厚度為15nm，其中 TPBi的蒸發(fā)速度為0.lnm/s，Ir(ppy) 3蒸發(fā)速度為0.Olnm/s;
[0056] 在發(fā)光層上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為T(mén)PBi，厚 度為20nm，蒸發(fā)速度為0·lnm/s;
[0057] 在電子傳輸層上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備陰極，首先在電子傳輸層上制備LiF 層，厚度為〇. 5nm，蒸發(fā)速度為0.Olnm/s，然后在LiF層上制備Ag層，厚度為70nm，蒸發(fā)速度 為 0· 2nm/s;
[0058] 圖1為本實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例制備的有機(jī)電 致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板10、結(jié)晶型有機(jī)層11、陽(yáng)極12、空穴傳輸層13、發(fā)光 層14、電子傳輸層15和陰極16。
[0059] 對(duì)比例1
[0060] 對(duì)比實(shí)施例1與實(shí)施例1的區(qū)別在于，對(duì)比例1在陽(yáng)極與玻璃基板之間不設(shè)置結(jié) 晶型有機(jī)層。
[0061] 實(shí)施例2
[0062] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0063] (1)將潔凈的玻璃基板置于真空度為IXKT3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā) 的方法在玻璃基板上同時(shí)蒸發(fā)結(jié)晶型材料CBP和非結(jié)晶材料2-TNATA，CBP與2-TNATA的質(zhì) 量比為1 :1，其中CBP的蒸發(fā)速度為0.lnm/s，2-TNATA的蒸發(fā)速度為0.lnm/s，形成結(jié)晶型 有機(jī)層，厚度為lOOnm，將結(jié)晶型有機(jī)層以10°C/min的速度加熱到90°C的溫度，然后在此溫 度保持20分鐘。隨后移除加熱裝置，冷卻至室溫；
[0064] (2)在真空度為IXKT3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用濺射技術(shù)在結(jié)晶型有機(jī)層上制 備陽(yáng)極，陽(yáng)極材質(zhì)為IZ0,厚度為200nm，#i射速度為2nm/s;
[0065] 在陽(yáng)極上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為2-TNATA，厚 度為60nm，蒸發(fā)速度為lnm/s;
[0066] 在空穴傳輸層上米用熱阻蒸發(fā)的方法制備發(fā)光層，發(fā)光層的材質(zhì)為 Ir(MDQ) 2 (acac)摻雜到NPB形成的混合材料，Ir(MDQ) 2 (acac)與NPB的質(zhì)量比為20:100， 其中NPB的蒸發(fā)速度為lnm/s，Ir(MDQ)2(acac)蒸發(fā)速度為0. 2nm/s.發(fā)光層厚度為20nm;
[0067] 在發(fā)光層上米用熱阻蒸發(fā)的方法制備電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為Bphen，厚 度為60nm，蒸發(fā)速度為lnm/s;
[0068] 在電子傳輸層上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備陰極，首先在電子傳輸層上制備LiF 層，厚度為2nm，蒸發(fā)速度為lnm/s，然后在LiF層上制備Al層，厚度為200nm，蒸發(fā)速度為 2nm/s〇
[0069] 對(duì)比例2
[0070] 對(duì)比實(shí)施例2與實(shí)施例2的區(qū)別在于，對(duì)比例2在陽(yáng)極與玻璃基板之間不設(shè)置結(jié) 晶型有機(jī)層。
[0071] 實(shí)施例3
[0072] -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0073] (1)將潔凈的玻璃基板置于真空度為IXKT4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用熱阻蒸發(fā) 的方法在玻璃基板上同時(shí)結(jié)晶型材料PBD和非結(jié)晶材料Alq3,PBD與Alq3的質(zhì)量比為1 : 0. 5,其中PBD的蒸發(fā)速度為lnm/s，Alq3的蒸發(fā)速度為0. 5nm/s，形成結(jié)晶型有機(jī)層，厚度 為 150nm〇
[0074] 將上述結(jié)晶型有機(jī)層以5°C /min的速度加熱到80°C的溫度，然后在此溫度保持10 分鐘。隨后移除加熱裝置，冷卻至室溫；
[0075] (2)在真空度為IXKT4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，采用濺射技術(shù)在結(jié)晶型有機(jī)層上制 備陽(yáng)極，陽(yáng)極材質(zhì)為ΑΖ0,厚度為100nm，#i射速度為lnm/s;
[0076] 在陽(yáng)極上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質(zhì)為m-MTDATA， 厚度為30nm，蒸發(fā)速度為0· 5nm/s;
[0077] 在空穴傳輸層上米用熱阻蒸發(fā)的方法制備發(fā)光層，發(fā)光層的材質(zhì)為DCJTB摻雜 Alq3形成的混合材料，DCJTB與Alq3的質(zhì)量比為2:100,其中Alq3的蒸發(fā)速度為lnm/s， DCJTB蒸發(fā)速度為0. 02nm/s;
[0078] 在發(fā)光層上米用熱阻蒸發(fā)的方法制備電子傳輸層，電子傳輸層的材質(zhì)為BCP，厚度 為40nm，蒸發(fā)速度為0. 5nm/s;電子傳輸層厚度為2nm;
[0079] 在電子傳輸層上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備陰極，首先在電子傳輸層上制備CsF 層，厚度為lnm，蒸發(fā)速度為0·lnm/s，然后在CsF層上制備Mg-Al合金層，厚度為IOOnm,蒸 發(fā)速度為lnm/s。
[0080] 對(duì)比例3
[0081] 對(duì)比實(shí)施例3與實(shí)施例3的區(qū)別在于，對(duì)比例3在陽(yáng)極與玻璃基板之間不設(shè)置結(jié) 晶型有機(jī)層。
[0082] 效果實(shí)施例
[0083] 本發(fā)明測(cè)試與制備設(shè)備為高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽(yáng)科學(xué)儀器研制中心有限公司），美 國(guó)海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國(guó)吉時(shí)利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試亮度和色度。
[0084] 將實(shí)施例和對(duì)比例的發(fā)光器件進(jìn)行測(cè)試比較，測(cè)試發(fā)光亮度，發(fā)光效率是在6V的 驅(qū)動(dòng)電壓下進(jìn)行的。
[0085]表1

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基板、結(jié)晶型有機(jī)層、 陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，所述結(jié)晶型有機(jī)層的材質(zhì)為結(jié)晶型材 料和非結(jié)晶型材料按質(zhì)量比為1:0.2?1的比例形成的混合材料；所述結(jié)晶型材料為 乂^-二苯基，州'-二（3-甲基苯基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、4,7-二苯基-鄰菲咯 啉、9, 9'-(1，3-苯基）二-9H-咔唑、2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁二 唑或2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲，所述非結(jié)晶型材料為1，3, 5-三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺、4, 4'，4' ' -三 (咔唑-9-基）三苯胺、8-羥基喹啉鋁或N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，1'-聯(lián) 苯 _4, 4, _ 二胺。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述結(jié)晶型有機(jī)層的厚度為 100 ?250nm。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材質(zhì)為 4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺、N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺、N，N' -二苯 基-N，N' -二（3-甲基苯基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺或4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯 胺。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材質(zhì)為 2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁二唑、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯或2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材質(zhì)為突光材 料，或客體材料摻雜到主體材料形成的混合材料，所述客體材料為4-(二腈甲基）-2- 丁 基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡 啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h] 喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉)合銥或三（2-苯基吡啶）合銥，所述主體材 料為4, 4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯或N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺，所述客體材料和主體材 料的質(zhì)量比為0.02:1?0.2:1 ;所述熒光材料為4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，1'-聯(lián)苯、 4, 4'-雙[4-(二對(duì)甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘或二甲基喹吖 啶酮。
6. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陰極為氟化物層和設(shè)置 在所述氟化物層表面上的金屬層組成，所述氟化物層的材質(zhì)為氟化銫或氟化鋰，所述金屬 層的材質(zhì)為銀、鋁、鎂-鋁合金或鎂-銀合金，所述氟化物層設(shè)置在所述電子傳輸層表面上。
7. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽(yáng)極為銦錫氧化物、銦鋅 氧化物、鋁鋅氧化物或鎵鋅氧化物。
8. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟： (1)將潔凈的玻璃基板置于真空度為lXl(T5Pa?lXl(T3Pa的真空鍍膜室中，采用熱 阻蒸發(fā)的方法在所述基板上制備結(jié)晶型有機(jī)層；然后將所述結(jié)晶型有機(jī)層以2?10°C /min 的速度加熱到70?90°C，然后保持溫度10?30分鐘，最后冷卻到室溫；所述熱阻蒸發(fā)速 率為0. 1?lnm/s ; 所述結(jié)晶型有機(jī)層的材質(zhì)為結(jié)晶型材料和非結(jié)晶型材料按質(zhì)量比為1:0. 2?1的比 例形成的混合材料；所述結(jié)晶型材料為N，N' -二苯基-N，N' -二（3-甲基苯基）-1，1' -聯(lián) 苯-4, 4'-二胺、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、9, 9'-(1,3-苯基）二-9H-咔唑、2- (4-聯(lián)苯 基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4- 惡_卩坐或2, 9- _甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰_氣雜菲， 所述非結(jié)晶型材料為1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、4, 4'，4' ' -三（2-萘 基苯基氨基）三苯基胺、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺、8-羥基喹啉鋁或N，N' -二苯 基，州'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺； (2)在所述結(jié)晶型有機(jī)層上依次制備陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極，得 到所述有機(jī)電致發(fā)光器件。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述結(jié)晶型有機(jī) 層的厚度為100?250nm。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104425722SQ201310369872
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月22日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 張娟娟, 王平 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司