一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、透明陰極、結晶型材料層和反射電極，所述結晶型材料層的材質為主動結晶材料和誘導結晶材料形成的混合材料，所述結晶型材料層能夠改變光線在反射電極表面的諧振狀態(tài)，大大減少表面等離子激元波，從而提高了出光效率。本發(fā)明還公開了該有機電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領域，特別涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術】
[0002] 有機電致發(fā)光（OrganicLightEmissionDiode,以下簡稱0LED)，具有亮度高、材 料選擇范圍寬、驅動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時擁有高清晰、廣視角，以及響應速 度快等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā) 展趨勢，以及綠色照明技術的要求，是目前國內外眾多研究者的關注重點。
[0003] 現(xiàn)有技術的OLED發(fā)光器件，由于均使用了具有高反射率的反射電極作為陰極，在 發(fā)光層發(fā)出的光線的光子頻率和反射電極金屬表面等離子體振動頻率一致，發(fā)生共振時， 入射的光子將被金屬所吸收，激發(fā)出高能的金屬表面等離子激元波，使得入射光被消耗，據(jù) 文獻報道，因在反射電極表面產(chǎn)生表面等離子激元波導致的光損失可超過50%，這是導致現(xiàn) 有技術OLED發(fā)光器件出光效率低的一個重要原因。


【發(fā)明內容】

[0004] 為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻 璃基板、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、透明陰極、結晶型材料層和反射電極，所述 結晶型材料層的材質為主動結晶材料和誘導結晶材料形成的混合材料，所述結晶型材料層 能夠改變光線在反射電極表面的諧振狀態(tài)，大大減少表面等離子激元波，提高了器件的出 光效率。
[0005] 第一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板、陽 極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、透明陰極、結晶型材料層和反射電極，所述結晶型材 料層的材質為主動結晶材料和誘導結晶材料按質量比為1:0. 2?1的比例形成的混合材 料；所述主動結晶材料為酞菁鋅（ZnPc)或酞菁銅（CuPc)，所述誘導結晶材料為Ν，Ν'-二 苯基-Ν，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)或 4, 7-二（4-三-苯胺 基）-2，1，3-苯并噻二唑（ΤΒΤ)，所述反射電極的材質為金、銀、鋁、銅、鎳、鉬、鉻或其任意組 合形成的合金薄膜。
[0006] 在結晶型材料層制備過程中，所述主動結晶材料作為晶核，所述誘導結晶材料以 晶核為中心呈輻射狀生長得到球晶。
[0007] 優(yōu)選地，所述結晶型材料層的厚度為120?200nm。
[0008] 優(yōu)選地，所述反射電極的厚度為100?500nm。
[0009] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材質為4, 4'，4''-三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺 (2-ΤΝΑΤΑ)、Ν,Ν' -二苯基-N,Ν' -二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三 (^3-甲基苯基4-苯基氨基）三苯胺（111-]\01^了六)、1^-二苯基，州'-二（3-甲基苯 基）_1，1'-聯(lián)苯-4, 4'-二胺（TPD)或 4, 4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0010] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的厚度為20?60nm。
[0011] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3,4-噁 二唑（？80)、4,7-二苯基-鄰菲咯啉（8口1^11)、1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯 (TPBi)或 2, 9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)。
[0012] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的厚度為20?60nm。
[0013] 優(yōu)選地,所述發(fā)光層的材質為熒光材料,或客體材料摻雜到主體材料形成的混合 材料，所述客體材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-4H-吡喃（DCJTB)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二 氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合銥（Ir(MDQ) 2 (acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq) 3)或三（2-苯基吡啶） 合銥（11"(--7)3)，所述主體材料為4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)、8-羥基喹啉鋁（443)、 1,3,5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)或N,Ν'-二苯基-N,Ν'-二（1-萘 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)，所述客體材料和主體材料的質量比為0. 02:1?0. 2:1; 所述熒光材料為4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯（DPVBi)、4, 4'-雙[4-(二對甲 苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi)、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖 啶酮（DMQA)。
[0014] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為2?20nm。
[0015] 優(yōu)選地，所述陰極為氟化物層和設置在所述氟化物層表面上的金屬層組成，所述 氟化物層的材質為氟化銫（CsF)或氟化鋰（LiF)，所述金屬層的材質為銀（Ag)、鋁（Al)、鎂 (Mg)或鈣（Ca),所述氟化物層設置在所述電子傳輸層表面上。
[0016] 優(yōu)選地，所述氟化物層的厚度為0· 5?2nm，所述金屬層的厚度為18?30nm。
[0017] 優(yōu)選地，所述陽極為銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物（AZO)或鎵 鋅氧化物（GZO)。
[0018] 優(yōu)選地，所述陽極的厚度為70?200nm。
[0019] 現(xiàn)有技術中，發(fā)光層發(fā)出的光線的光子頻率和反射電極金屬表面等離子體振動頻 率一致，發(fā)生共振時，入射的光子將被金屬所吸收，激發(fā)出高能的金屬表面等離子激元波， 使得入射光被消耗。
[0020] 本發(fā)明所述結晶型材料層的材質包括主動結晶材料和誘導結晶材料，在制備結晶 型材料層過程中，所述主動結晶材料會誘導誘導結晶材料結晶，導致所述誘導結晶材料以 主動結晶材料為晶核，以晶核為中心呈輻射狀生長，形成一些大顆粒的球晶，從而產(chǎn)生光散 射作用，改變光線在反射電極表面的諧振狀態(tài)，使光線的光子頻率和反射電極金屬表面等 離子體振動頻率不一致，大大減少表面等離子激元波，從而提高了出光效率。
[0021] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步 驟：
[0022] (1)將潔凈的玻璃基板置于真空度為IXKT5Pa?IXKT3Pa的真空鍍膜室中，在 玻璃基板上依次制備陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和透明陰極；
[0023] (2)在透明陰極上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備結晶型材料層，所述結晶型材料層的 材質為主動結晶材料和誘導結晶材料按質量比為1:0. 2?1的比例形成的混合材料；所 述主動結晶材料為酞菁鋅或酞菁銅，所述誘導結晶材料為Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺或4, 7-二（4-三-苯胺基）-2, 1，3-苯并噻二唑，所述熱阻蒸 發(fā)速率為0. 1?lnm/s;
[0024] 在所述結晶型材料層上采用熱阻蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)的方法制備反射電極，得到所 述有機電致發(fā)光器件，所述反射電極的材質為金、銀、鋁、銅、鎳、鉬、鉻或其任意組合形成的 合金薄膜；所述反射電極的蒸發(fā)速率為〇. 2?2nm/s。
[0025] 優(yōu)選地，所述結晶型材料層的厚度為120?200nm。
[0026] 所述主動結晶材料和誘導結晶材料的蒸發(fā)速率比為1:0. 2?1。
[0027] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材質為4, 4'，4''-三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺 (2-ΤΝΑΤΑ)、Ν,Ν' -二苯基-N,Ν' -二（1-萘基）-1，Γ-聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三 (^3-甲基苯基4-苯基氨基）三苯胺（111-]\01^了六)、1^-二苯基，州'-二（3-甲基苯 基）_1，1'-聯(lián)苯-4, 4'-二胺（TPD)或 4, 4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0028] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的厚度為20?60nm。
[0029] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材質為2_(4_聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基_1，3, 4_B,惡 二唑（？80)、4,7-二苯基-鄰菲咯啉（8口1^11)、1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯 (TPBi)或 2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲（BCP)。
[0030] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的厚度為20?60nm。
[0031] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材質為熒光材料，或客體材料摻雜到主體材料形成的混合 材料，所述客體材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯 基）-4H-吡喃（DCJTB)、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥（FIrpic)、雙（4, 6-二 氟苯基吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合銥（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰 丙酮）合銥（Ir(MDQ) 2 (acac))、三（1-苯基-異喹啉）合銥（Ir(piq) 3)或三（2-苯基吡啶） 合銥（11"(--7)3)，所述主體材料為4,4'-二（9-咔唑）聯(lián)苯（08?)、8-羥基喹啉鋁（443)、 1,3,5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)或N,Ν'-二苯基-N,Ν'-二（1-萘 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)，所述客體材料和主體材料的質量比為0. 02:1?0. 2:1; 所述熒光材料為4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，Γ-聯(lián)苯（DPVBi)、4, 4'-雙[4-(二對甲 苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯（DPAVBi)、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘（Rubrene)或二甲基喹吖 啶酮（DMQA)。
[0032] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的厚度為2?20nm。
[0033] 優(yōu)選地，所述陰極為氟化物層和設置在所述氟化物層表面上的金屬層組成，所述 氟化物層的材質為氟化銫（CsF)或氟化鋰（LiF)，所述金屬層的材質為銀（Ag)、鋁（Al)、鎂 (Mg)或鈣（Ca),所述氟化物層設置在所述電子傳輸層表面上。
[0034] 所述氟化物層起到將陰極產(chǎn)生的電子注入到電子傳輸層的作用。
[0035] 優(yōu)選地，所述氟化物層的厚度為〇· 5?2nm，所述金屬層的厚度為18?30nm。
[0036] 優(yōu)選地，所述陽極為銦錫氧化物（ΙΤ0)、銦鋅氧化物（ΙΖ0)、鋁鋅氧化物（AZO)或鎵 鋅氧化物（GZO)。
[0037] 優(yōu)選地，所述陽極的厚度為70?200nm。
[0038] 優(yōu)選地，所述陽極采用磁控濺射的方法制備，所述磁控濺射的速率為0. 2nm/s? 2nm/s〇
[0039] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層和電子傳輸層采用熱阻蒸發(fā)的方法制備，所述蒸發(fā)條件 均為：蒸發(fā)壓強為IX!(T5Pa?IXKT3Pa,蒸發(fā)速率為0·lnm/s?lnm/s。
[0040] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層采用熱阻蒸發(fā)的方法制備，所述蒸發(fā)壓強為IXKT5Pa? IX10 3Pa,蒸發(fā)速率為 0· 01nm/s?lnm/s。
[0041] 優(yōu)選地，所述客體材料和主體材料的蒸發(fā)速率比為0. 02:1?0. 2:1。
[0042] 優(yōu)選地，所述陰極的制備方法為：
[0043] 首先在電子傳輸層上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備氟化物層，然后在所述氟化物層上 采用熱阻蒸發(fā)的方法制備金屬層，所述氟化物層的蒸發(fā)速率為〇.Ol?〇.lnm/s，所述金屬 層的蒸發(fā)速率為〇. 1?lnm/s。
[0044] 優(yōu)選地，所述潔凈的操作為將玻璃基板放在含有洗滌劑的去離子水中進行超聲清 洗，清洗干凈后依次在使用異丙醇，丙酮在超聲波中處理20分鐘，然后再用氮氣吹干。
[0045] 實施本發(fā)明實施例，具有以下有益效果：
[0046] ( 1)本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，在玻璃基板表面設置了結晶型材料層，所述 結晶型材料層能夠改變光線在反射電極表面的諧振狀態(tài)，大大減少表面等離子激元波，從 而提1? 了出光效率；
[0047] (2)本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的制備工藝簡單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模 使用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0048] 為了更清楚地說明本發(fā)明的技術方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作 簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領域普 通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。 [0049] 圖1是本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的結構示意圖。

【具體實施方式】
[0050] 下面將結合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術方案進行清 楚、完整地描述。
[0051] 實施例1
[0052] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0053] ( 1)將潔凈的玻璃基板置于真空度為IXKT5Pa的真空鍍膜室中，采用濺射的方法 在玻璃基板上制備陽極，陽極材質為ITO,厚度為70nm，濺射速率為0. 2nm/s;
[0054] 在陽極上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備空穴傳輸層，空穴傳輸層的材質為NPB，厚度為 20nm，蒸發(fā)速率為0·lnm/s;
[0055] 在空穴傳輸層上米用熱阻蒸發(fā)的方法制備發(fā)光層，發(fā)光層的材質為Ir(ppy) 3摻 雜TPBi形成的混合材料，Ir(ppy) 3與TPBi的質量比為10:100,發(fā)光層厚度為15nm，其中 TPBi的蒸發(fā)速率為0.lnm/s;Ir(ppy) 3蒸發(fā)速率為0.Olnm/s;
[0056] 在發(fā)光層上米用熱阻蒸發(fā)的方法制備電子傳輸層，電子傳輸層的材質為TPBi,厚 度為20nm，蒸發(fā)速率為0·lnm/s;
[0057] 在電子傳輸層上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備透明陰極，首先在電子傳輸層上制備 LiF層，厚度為0. 5nm，蒸發(fā)速率為0.Olnm/s，然后在LiF層上制備Ag層，厚度為30nm，蒸發(fā) 速率為lnm/s;
[0058] (2)在真空度為IXKT5Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在透明陰極上采用熱阻蒸發(fā)的方法 同時蒸發(fā)主動結晶材料CuPc和誘導結晶材料NPB，形成結晶型材料層，CuPc和NPB的質量 比為1:0. 2,其中CuPc的蒸發(fā)速率為lnm/s;NPB的蒸發(fā)速率為0. 2nm/s;結晶型材料層的厚 度為200nm。
[0059] 在結晶型材料層上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備反射電極，反射電極材質為Ag,厚度 為IOOnm,蒸發(fā)速率為0· 2nm/s。
[0060] 圖1為本實施例制備的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖，本實施例制備的有機電 致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基板10、陽極11、空穴傳輸層12、發(fā)光層13、電子傳輸層 14、陰極15、結晶型材料層16和反射電極17。
[0061] 對比例1
[0062] 對比實施例1與實施例1的區(qū)別在于，對比例1陰極為厚度為0. 5nm的LiF層和 厚度為IOOnm的Ag層組成，且對比例1器件中未設置結晶型材料層和反射電極。
[0063] 實施例2
[0064] 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0065] (1)將潔凈的玻璃基板置于真空度為IXKT3Pa的真空鍍膜室中，在玻璃基板上采 用磁控溉射的方法制備陽極，陽極材質為IZ0,厚度為200nm，#i射速率為2nm/s;
[0066] 在陽極上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備空穴傳輸層，材質為2-TNATA，厚度為60nm，蒸 發(fā)速率為lnm/s;
[0067] 在空穴傳輸層上米用熱阻蒸發(fā)的方法制備發(fā)光層，發(fā)光層的材質為 Ir(MDQ) 2 (acac)摻雜CBP形成的混合材料，Ir(MDQ) 2 (acac)與NPB的質量比為20:100,其 中NPB的蒸發(fā)速率為lnm/s，Ir(MDQ)2(acac)蒸發(fā)速率為0. 2nm/s;
[0068] 在發(fā)光層上米用熱阻蒸發(fā)的方法制備電子傳輸層，電子傳輸層材質為Bphen，厚度 為60nm，蒸發(fā)速率為lnm/s;
[0069] 在電子傳輸層上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備透明陰極，首先在電子傳輸層上制備 CsF層，厚度為2nm，蒸發(fā)速率為lnm/s，然后在CsF層上制備Al層，厚度為18nm，蒸發(fā)速率 為 0·lnm/s;
[0070] (2)在真空度為IXKT3Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在透明陰極上同時蒸發(fā)主動結晶材 料ZnPc和誘導結晶材料TBT，得到結晶型材料層，ZnPc和TBT的質量比為1:2,其中ZnPc的 蒸發(fā)速率為〇.lnm/s;TBT的蒸發(fā)速率為0. 2nm/s，結晶型材料層的厚度為120nm。
[0071] 在結晶型材料層上采用電子束蒸發(fā)的方法制備反射電極，反射電極材質為Ni,厚 度為500nm，蒸發(fā)速率為2nm/s。
[0072] 對比例2
[0073] 對比實施例2與實施例2的區(qū)別在于，對比例2的陰極為厚度為2nm的CsF層和 厚度為IOOnm的Ni層組成，且對比例2器件中未設置結晶型材料層和反射電極。
[0074] 實施例3
[0075] -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下操作步驟：
[0076] (1)將潔凈的玻璃基板置于真空度為IXKT4Pa的真空鍍膜室中，在玻璃基板上采 用磁控溉射的方法制備陽極，陽極材質為AZ0,厚度為100nm，#i射速率為lnm/s;
[0077] 在陽極上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備空穴傳輸層，材質為m-MTDATA，厚度為30nm， 蒸發(fā)速率為0. 5nm/s;
[0078] 在空穴傳輸層上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備發(fā)光層，發(fā)光層的材質為DCJTB摻雜 八43形成的混合材料，0(：1^與443的質量比為2:100，其中443的蒸發(fā)速率為111111/ 8， DCJTB蒸發(fā)速率為0. 02nm/s。
[0079] 在發(fā)光層上米用熱阻蒸發(fā)的方法制備電子傳輸層，電子傳輸層材質為BCP，厚度為 40nm，蒸發(fā)速率為0· 5nm/s;
[0080] 在電子傳輸層上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備透明陰極，首先在電子傳輸層上制備 CsF層，厚度為lnm，蒸發(fā)速率為0.lnm/s，然后在CsF層上制備Ca層，厚度為20nm，蒸發(fā)速 率為 0. 2nm/s;
[0081] (2)在真空度為IXKT4Pa的真空鍍膜系統(tǒng)中，在透明陰極采用熱阻蒸發(fā)的方法同 時蒸發(fā)主動結晶材料CuPc和誘導結晶材料TPT，得到結晶型材料層，CuPc和TPT的質量比 為1: 1，其中CuPc的蒸發(fā)速率為0. 5nm/s，TBT的蒸發(fā)速率為0. 5nm/s，結晶型材料層的厚度 為 150nm〇
[0082] 在結晶型材料層采用電子束蒸發(fā)的方法制備反射電極，反射電極材質為Pt,厚度 為200nm，蒸發(fā)速率為lnm/s。
[0083] 對比例3
[0084] 對比實施例3與實施例3的區(qū)別在于，對比例3的陰極為厚度為Inm的CsF和厚 度為IOOnm的Ag層組成，且對比例3器件中未設置結晶型材料層以及反射電極。
[0085] 效果實施例
[0086] 本發(fā)明測試與制備設備為高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學儀器研制中心有限公司），美 國海洋光學OceanOptics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時利公司的Keithley2400測試電學性能，日本柯尼卡美能達公司的CS-100A色度計測試亮度和色度， [0087] 將實施例和對比例的發(fā)光器件進行測試比較，測試發(fā)光亮度，發(fā)光效率是在6V的 驅動電壓下進行測試的。
[0088] 表 1
[0089]

【權利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基板、陽極、空穴傳輸層、 發(fā)光層、電子傳輸層、透明陰極、結晶型材料層和反射電極，所述結晶型材料層的材質為主 動結晶材料和誘導結晶材料按質量比為1:0. 2?1的比例形成的混合材料；所述主動結晶 材料為酞菁鋅或酞菁銅，所述誘導結晶材料為N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺或4, 7-二（4-三-苯胺基）-2, 1，3-苯并噻二唑，所述反射電極的材質為金、 銀、鋁、銅、鎳、鉬、鉻或其任意組合形成的合金薄膜。
2. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述結晶型材料層的厚度為 120 ?200nm。
3. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述反射電極的厚度為100? 500nm。
4. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材質為 4, 4'，4' ' -三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺、N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺、N，N' -二苯 基-N，N' -二（3-甲基苯基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺或4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯 胺。
5. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材質為 2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-噁二唑、4, 7-二苯基-鄰菲咯啉、1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯或2, 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲。
6. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材質為突光材 料，或客體材料摻雜到主體材料形成的混合材料，所述客體材料為4-(二腈甲基）-2- 丁 基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、雙（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡 啶甲酰合銥、雙（4, 6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合銥、二（2-甲基-二苯基[f，h] 喹喔啉）（乙酰丙酮）合銥、三（1-苯基-異喹啉)合銥或三（2-苯基吡啶）合銥，所述主體材 料為4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯、8-羥基喹啉鋁、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基） 苯或N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺，所述客體材料和主體材 料的質量比為0.02:1?0.2:1 ;所述熒光材料為4, 4'-二（2, 2-二苯乙烯基）-1，1'-聯(lián)苯、 4, 4'-雙[4-(二對甲苯基氨基）苯乙烯基]聯(lián)苯、5, 6, 11，12-四苯基萘并萘或二甲基喹吖 啶酮。
7. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述透明陰極為氟化物層和 設置在所述氟化物層表面上的金屬層組成，所述氟化物層的材質為氟化銫或氟化鋰，所述 金屬層的材質為銀、鋁、鎂或鈣，所述氟化物層設置在所述電子傳輸層表面上。
8. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極為銦錫氧化物、銦鋅 氧化物、鋁鋅氧化物或鎵鋅氧化物。
9. 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下操作步驟： (1) 將潔凈的玻璃基板置于真空度為lXl(T5Pa?lXl(T3Pa的真空鍍膜室中，在玻璃 基板上依次制備陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和透明陰極； (2) 在透明陰極上采用熱阻蒸發(fā)的方法制備結晶型材料層，所述結晶型材料層的材 質為主動結晶材料和誘導結晶材料按質量比為1:0. 2?1的比例形成的混合材料；所述 主動結晶材料為酞菁鋅或酞菁銅，所述誘導結晶材料為N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘 基）-1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺或4, 7-二（4-三-苯胺基）-2, 1，3-苯并噻二唑，所述熱阻蒸 發(fā)速率為〇. 1?lnm/s ; 在所述結晶型材料層上采用熱阻蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)的方法制備反射電極，所述反射電 極的材質為金、銀、鋁、銅、鎳、鉬、鉻或其任意組合形成的合金薄膜，所述反射電極的蒸發(fā)速 率為0. 2?2nm/s。
10.如權利要求9所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述結晶型材料 層的厚度為120?200nm。
【文檔編號】H01L51/56GK104425768SQ201310369960
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月22日 優(yōu)先權日:2013年8月22日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 張娟娟, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司