薄膜晶體管的制作方法
【專利摘要】一種薄膜晶體管的制作方法，首先于形成半導(dǎo)體材料、介電材料及導(dǎo)體材料等層體的基板上用第一灰階光罩形成由光阻構(gòu)成且各種不同厚度的第一圖案層，逐步移除該第一圖案層，并自厚度最薄處供所述層體表面裸露，再搭配蝕刻所述層體及對半導(dǎo)體材料摻雜載子，而形成第一型摻雜區(qū)，再移除剩余的第一圖案層結(jié)構(gòu)，得到一具有由對應(yīng)該第一中心部的導(dǎo)電層、介電層和半導(dǎo)體層，及該第一型摻雜區(qū)的晶體管，本發(fā)明利用一個(gè)灰階光罩，即可制作出一個(gè)晶體管的基本架構(gòu)，較現(xiàn)有使用多個(gè)光罩的制程而言，節(jié)省更多的材料成本與制程時(shí)間。
【專利說明】薄膜晶體管的制作方法【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶體管的制作方法，特別是涉及一種薄膜晶體管的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示 器中，晶體管主要應(yīng)用于控制畫素電極的η型薄膜晶體管，及控制畫素電極的驅(qū)動(dòng)電路中各式η型薄膜晶體管、P型薄膜晶體管，及互補(bǔ)式晶體管。而近幾年來，多晶硅晶體管更漸成為應(yīng)用于顯示器的主流晶體管之一。
[0003]參閱圖1，以控制畫素電極(圖未示出)與其電連接的η型薄膜晶體管為例，主要包含一個(gè)基板11、一層形成于該基板11上的η型的半導(dǎo)體層12、一層形成于該η型的半導(dǎo)體層12上的介電層13、一層設(shè)置于該介電層13上的導(dǎo)電層14，及與外界電連接的電極15 ；除此之外，還包括一層電連接該電極與該η型半導(dǎo)體層12的源/漏極金屬16，及一個(gè)絕緣的中間材料17。
[0004]該η型的半導(dǎo)體層12以半導(dǎo)體材料所構(gòu)成，其中，多晶硅是主要構(gòu)成該η型的半導(dǎo)體層12的半導(dǎo)體材料，并包括一個(gè)中心部121、及一個(gè)第一型摻雜區(qū)122。該第一型摻雜區(qū)122具有二個(gè)自該中心部121兩側(cè)延伸的低外摻雜部123，及二個(gè)分別自所述低外摻雜部123向外延伸且摻雜濃度大于所述低外摻雜部123的摻雜濃度的外摻雜部124。更詳細(xì)地說，該中心部121 —般稱為本質(zhì)型(intrinsic);第一型摻雜區(qū)122 —般稱為非質(zhì)型(extrinsic),可為η_、η或n+ ;而該低外摻雜部123作為過渡的用途,可為本質(zhì)型、η或η_,通常為η或η_，該外摻雜部124為了與該源/漏極金屬16電連，通常為η+。
[0005]該介電層13遮覆于該中心部121頂面，且以介電材料構(gòu)成，并選自氧化硅、氮化硅，及前述的一組合，而作為該η型薄膜晶體管柵極介電層13。
[0006]該導(dǎo)電層14以導(dǎo)電材料構(gòu)成，并設(shè)置于該介電層13頂面，且對應(yīng)地位于該η型薄膜晶體管的中心部121上。
[0007]該電極15配合該源/漏極金屬16，自該第一型摻雜區(qū)122的外摻雜部124向上延伸并與外界電連接。
[0008]以電特性而言，該η型薄膜晶體管的外摻雜部124分別作為源極(source)與漏極(drain)，且該中心部121為通道，而該介電層13柵極絕緣層。
[0009]當(dāng)與該其中一電極15及該柵極接受正電壓時(shí)，η型薄膜晶體管為開啟狀態(tài)，電流自該電極15經(jīng)低外摻雜部123及通道至該其中之另一電極15 ;當(dāng)該柵極不受電壓或所受電壓低于柵極導(dǎo)通電壓時(shí)，η型薄膜晶體管為關(guān)閉狀態(tài)，電流不導(dǎo)通，進(jìn)而可利用η型薄膜晶體管I的開啟狀態(tài)與關(guān)閉狀態(tài)控制電信號。
[0010]以下簡略說明η型薄膜晶體管的制作方法。
[0011]首先，先于該基板上依序沉積一層以半導(dǎo)體材料構(gòu)成的第一層體、一層以介電材料構(gòu)成的第二層體，及一層第三層體，該第三層體選自金屬、多晶娃、高摻雜濃度的多晶娃，及經(jīng)各式回火制程而形成的多晶硅構(gòu)成，且該多晶硅具備可導(dǎo)電的特性。
[0012]接著，于該第三層體頂面涂布光阻，再配合一個(gè)第一光罩定義欲成為η型薄膜晶體管的區(qū)域，并在曝光、顯影后使光阻覆蓋η型薄膜晶體管的預(yù)定區(qū)域，再移除未被該光阻覆蓋而裸露的第一層體，及其下方的第二、三層體，留下界定為η型薄膜晶體管的預(yù)定區(qū)域的半導(dǎo)體層、介電層，及導(dǎo)電層；再移除光阻。
[0013]再來，于該η型薄膜晶體管的預(yù)定區(qū)域頂面涂布光阻，再配合一個(gè)第二光罩定義欲成為η型薄膜晶體管的η型半導(dǎo)體層的外摻雜部的區(qū)域，并在曝光、顯影后供硬化的光阻覆蓋η型薄膜晶體管的預(yù)定區(qū)域中非為外摻雜部的預(yù)定區(qū)域(S卩外摻雜部的預(yù)定區(qū)域裸露)，且將裸露的導(dǎo)電層移除；再以離子植入、鐳射摻雜或是擴(kuò)散的方式摻雜高濃度的η型載子，而成為該η型薄膜晶體管的外摻雜部；再移除光阻。
[0014]再來，于該η型薄膜晶體管的預(yù)定區(qū)域頂面涂布光阻，再配合一個(gè)第三光罩定義欲成為η型薄膜晶體管的η型半導(dǎo)體層的低外雜摻部的區(qū)域，并在曝光、顯影后供硬化的光阻覆蓋η型薄膜晶體管的預(yù)定區(qū)域中非為η型半導(dǎo)體層的預(yù)定區(qū)域(即η型半導(dǎo)體區(qū)裸露)，并移除裸露的區(qū)域中剩余的導(dǎo)電層；再以離子植入或是擴(kuò)散的方式摻雜η型載子，而形成摻雜濃度較該外摻雜部摻雜濃度低的低外摻雜部，且由于摻雜進(jìn)低外摻雜部的載子濃度較低，所以，雖然也植入外摻雜部中，卻不影響外摻雜部原有的摻雜濃度；再移除光阻，則初步構(gòu)成η型薄膜晶體管基本結(jié)構(gòu)的制作。
[0015]繼續(xù)，再于該外摻雜部利用光罩搭配蝕刻的方式，形成供外摻雜部與外界電連接的電極。
[0016]由上述關(guān)于η型薄膜晶體管基本結(jié)構(gòu)的制作方法可以了解，通常需花費(fèi)三道光罩才能完成η型薄膜晶體管基本結(jié)構(gòu)的制作；若欲于同一個(gè)基板上制作P型薄膜晶體管，則還需再花費(fèi)至少二道光罩能制作出P型薄膜晶體管。且現(xiàn)有的液晶顯示器或有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)的熒幕尺寸愈來愈大，若經(jīng)過愈多道光罩制程，相對的在涂布光阻、曝光、顯影，再移除光阻等重復(fù)步驟所需的制程成本會(huì)提高許多，制程時(shí)間也相對拉長。再者，每道光罩間的黃光制程間還需經(jīng)過精確的對準(zhǔn)過程，而愈多道光罩也增加黃光對不準(zhǔn)的發(fā)生機(jī)率，而導(dǎo)致所制作出晶體管良率不佳的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]本發(fā)明的目的在于提供一種可以減少所使用光罩?jǐn)?shù)量，進(jìn)而降低制程成本及制程時(shí)間的薄膜晶體管的制作方法。
[0018]于是，本發(fā)明薄膜晶體管的制作方法，包含以下6個(gè)步驟。
[0019](a)于一個(gè)基板上依序以半導(dǎo)體材料、介電材料、導(dǎo)體材料形成一個(gè)第一層體、一
個(gè)第二層體，及一個(gè)第三層體。
[0020](b)用一個(gè)第一灰階光罩于該第三層體上形成一層由光阻構(gòu)成的第一圖案層，該第一圖案層具有一個(gè)第一中心部、一個(gè)自該第一中心部外圍向外延伸且厚度小于該第一中心部厚度的第一翼部，及一個(gè)讓該第三層體預(yù)定表面區(qū)域裸露的第一鏤空部。
[0021](C)往該基板的方向蝕刻移除該第一層體、第二層體、第三層體對應(yīng)于該第一鏤空部的結(jié)構(gòu)，而定義將形成至少一個(gè)晶體管的一層半導(dǎo)體層、一層介電層，及一層導(dǎo)電層。
[0022](d)借該第一圖案層的遮覆自該第一圖案層的第一中心部和第一翼部向該基板方向剝除直到對應(yīng)該第一翼部的導(dǎo)電層裸露，再繼續(xù)蝕刻移除對應(yīng)該第一翼部的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)，并于對應(yīng)該第一翼部的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜而形成一個(gè)第一型摻雜區(qū)。[0023](e)移除剩余的第一圖案層結(jié)構(gòu)，得到一層具有由對應(yīng)該第一中心部的導(dǎo)電層、介電層和半導(dǎo)體層，及該第一型摻雜區(qū)的第一型薄膜晶體管。
[0024]較佳地，前述薄膜晶體管的制作方法，其中該步驟(b)形成的該第一圖案層還具有一個(gè)與該第一中心部實(shí)質(zhì)等厚度的第一遮覆部，而在該步驟(C)移除對應(yīng)該第一鏤空部的第一層體、第二層體、第三層體后定義一個(gè)對應(yīng)第一中心部及第一翼部的第一型薄膜晶體管的區(qū)域，及一個(gè)對應(yīng)該第一遮覆部的第二型薄膜晶體管的區(qū)域，且該薄膜晶體管的制作方法還包含:(f)用一個(gè)第二灰階光罩形成一層由光阻構(gòu)成的第二圖案層，該第二圖案層具有一個(gè)遮覆該第一型薄膜晶體管的第二遮覆部，及位于該第一遮覆部的一個(gè)第二中心部和一個(gè)供該第二中心部周圍的導(dǎo)電層裸露的第二鏤空部，(g)移除對應(yīng)該第二鏤空部的導(dǎo)電層，并于對應(yīng)該第二鏤空部的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜而成一第二型摻雜區(qū)，及(h)移除剩除的第二圖案層結(jié)構(gòu)，則對應(yīng)該第二中心部的導(dǎo)電層、介電層和半導(dǎo)體層，及該第二型摻雜區(qū)成為一個(gè)第二型薄膜晶體管。
[0025]較佳地，前述薄膜晶體管的制作方法，其中該步驟(b)形成的該第一圖案層還具有一個(gè)與該第一中心部實(shí)質(zhì)等厚度的第一遮覆部，而在該步驟(C)移除對應(yīng)該第一鏤空部的第一層體、第二層體、第三層體后定義一個(gè)對應(yīng)第一中心部及第一翼部的第一型薄膜晶體管的區(qū)域，及一個(gè)對應(yīng)該第一遮覆部的第二型薄膜晶體管的區(qū)域，且該薄膜晶體管的制作方法還包含:(f)用一個(gè)第二灰階光罩形成一層由光阻構(gòu)成的第二圖案層，該第二圖案層具有一個(gè)遮覆該第一型薄膜晶體管的第二遮覆部，及對應(yīng)該第一遮覆部的一個(gè)第二中心部、一個(gè)自該第二中心部外圍向外延伸且厚度小于該第二中心部的第二翼部，和一個(gè)供該第二中心部周圍的導(dǎo)電層裸露的第二鏤空部，(g)移除對應(yīng)該第二鏤空部的導(dǎo)電層，并于對應(yīng)該第二鏤空部的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜而成一第二型摻雜區(qū)的外摻雜部，(h)借該第二圖案層的遮覆自該第二圖案層的第二中心部和第二翼部向該基板方向剝除直到對應(yīng)該第二翼部的導(dǎo)電層裸露，再繼續(xù)蝕刻移除對應(yīng)該第二翼部的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)，并于對應(yīng)該第二翼部的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜而形成一第二型摻雜區(qū)的低外雜摻部，及(i)移除剩除的第二圖案層結(jié)構(gòu)，則對應(yīng)該第二中心部的導(dǎo)電層、介電層和半導(dǎo)體層，及該第二型摻雜區(qū)成為一第二型薄膜晶體管。
[0026]較佳地，前述薄膜晶體管的制作方法，其中該步驟(b)的第一圖案層的第一翼部具有一個(gè)自該第一中心部外圍向外延伸的第一區(qū)，及一個(gè)自該第一區(qū)向外延伸且厚度小于該第一區(qū)的第二區(qū)，該步驟(d)移除該第一翼部的第二區(qū)及對應(yīng)該第二區(qū)的導(dǎo)電層，并于對應(yīng)該第二區(qū)的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜而成該第一型摻雜區(qū)的外摻雜部，再移除該第一翼部的第一區(qū)及對應(yīng)該第一區(qū)的導(dǎo)電層，并于對應(yīng)該第一區(qū)的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜而成載子濃度低于該第一型摻雜區(qū)的低外雜摻部。
[0027]較佳地，前述薄膜晶體管的制作方法還包含一個(gè)步驟(j)，該步驟(j)于該晶體管的摻雜區(qū)表面以導(dǎo)電材料形成與外界電連接的電極。
[0028]較佳地，前述薄膜晶體管的制作方法，其中該步驟(a)是于該基板設(shè)置一層非晶硅層體，再對該非晶硅層體以選自雷射、爐管、及快速回火的方式進(jìn)行回火，而形成該第一層體。
[0029]較佳地，前述薄膜晶體管的制作方法，其中該步驟(a)的第一層體以多晶硅構(gòu)成。
[0030]較佳地，前述薄膜晶體管的制作方法，其中該步驟(a)是于該基板設(shè)置一層多晶硅層體，再對該多晶硅層體以選自雷射、爐管、及快速回火的方式進(jìn)行回火，而形成該第一層體。
[0031]較佳地，前述薄膜晶體管的制作方法，其中該步驟(a)的第二層體選自氧化硅、氮化硅及氧化氮硅，或由氧化硅及氮化硅交錯(cuò)疊置。
[0032]較佳地，前述薄膜晶體管的制作方法，其中該步驟(a)的第三層體選自多晶硅及金屬。
[0033]本發(fā)明的有益效果在于:利用一個(gè)灰階光罩，再配合多次蝕刻及摻雜，即可制作出薄膜晶體管，而可簡化制繁復(fù)度、降低成本，及縮短制程時(shí)間。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1是一剖視示意圖，說明現(xiàn)有一薄膜晶體管；
[0035]圖2是一流程圖，說明本發(fā)明薄膜晶體管的制作方法的該第一較佳實(shí)施例；
[0036]圖3是一剖視示意圖，說明該第一較佳實(shí)施例中基板上形成第一、第二與第三層體的步驟；
[0037]圖4是一剖視示意圖，說明該第一較佳實(shí)施例中形成第一圖案層的步驟；
[0038]圖5—剖視示意圖，說明該第一較佳實(shí)施例中形成半導(dǎo)體層、介電層及導(dǎo)電層的步驟；
[0039]圖6 —剖視示意圖，說明該第一較佳實(shí)施例中先形成一第一型摻雜區(qū)的外摻雜部的步驟；
[0040]圖7 —剖視示意圖，說明該第一較佳實(shí)施例中再形成一第一型摻雜區(qū)的低外雜摻部的步驟；
[0041]圖8 一剖視示意圖，說明該第一較佳實(shí)施例中移除第一圖案層的步驟；
[0042]圖9 一剖視示意圖，說明該第一較佳實(shí)施例也可根據(jù)第一圖案層的第一翼部而同時(shí)一具有外摻雜部及低外雜摻部的第一型薄膜晶體管，及一僅具有外摻雜部的第一型薄膜晶體管；
[0043]圖10是一流程圖，說明本發(fā)明薄膜晶體管的制作方法的一第二較佳實(shí)施例；
[0044]圖11是一剖視示意圖，說明該第二較佳實(shí)施例中基板上形成第一、第二與第三層體的步驟；
[0045]圖12是一剖視示意圖，說明該第二較佳實(shí)施例中形成第一圖案層的步驟；
[0046]圖13是一剖視示意圖，說明該第二較佳實(shí)施例的中形成半導(dǎo)體層、介電層及導(dǎo)電層的步驟；
[0047]圖14 一剖視示意圖，說明該第二較佳實(shí)施例中先形成該第一型摻雜區(qū)的外摻雜部的步驟；
[0048]圖15—剖視示意圖，說明該第二較佳實(shí)施例中再形成該第一型摻雜區(qū)的低外雜摻部的步驟；
[0049]圖16是一剖視示意圖，說明該第二較佳實(shí)施例中移除第一圖案層的步驟；
[0050]圖17是一剖視示意圖，說明該第二較佳實(shí)施例中形成第二圖案層的步驟；
[0051]圖18是一剖視示意圖，說明該第二較佳實(shí)施例中形成第二型摻雜區(qū)的外摻雜部的步驟；[0052]圖19是一剖視示意圖，說明該第二較佳實(shí)施例中形成第二型摻雜區(qū)的低外摻雜部的步驟；
[0053]圖20是一剖視示意圖，說明該第二較佳實(shí)施例中移除第二圖案層的步驟；
[0054]圖21是一剖視示意圖，說明該第二較佳實(shí)施例也可于同一基材上形成具有有外摻雜部及低外雜摻部的第一型薄膜晶體管和第二型薄膜晶體管，及一僅具有外摻雜部的第一型薄膜晶體管和第二型薄膜晶體管；
[0055]圖22是一剖視示意圖，說明于該第二較佳實(shí)施例所制得的薄膜晶體管上形成一中間材料；
[0056]圖23是一剖視示意圖，說明該第二較佳實(shí)施例于該中間材料上形成一源/漏極金屬；
[0057]圖24是一剖視示意圖，說明該第二較佳實(shí)施例于該源/漏極金屬上形成一電極?！揪唧w實(shí)施方式】
[0058]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0059]參閱圖2，本發(fā)明薄膜晶體管的制作方法的一第一較佳實(shí)施例制作出至少一個(gè)第一型薄膜晶體管，并在以下說明中，制作該第一型薄膜晶體管以制作出如圖1所示的η型薄膜晶體管為例，但不以η型薄膜晶體管為限，也可以是P型薄膜晶體管。該η型薄膜晶體管的制作方法包含一個(gè)步驟21、一個(gè)步驟22、一個(gè)步驟23、一個(gè)步驟24，及一個(gè)步驟25。
[0060]首先，進(jìn)行該步驟21，于一個(gè)基板依序以半導(dǎo)體材料、介電材料、導(dǎo)電材料分別形成一層第一層體、一層第二層體，及一層第三層體。繼續(xù)，進(jìn)行該步驟22，用一個(gè)第一灰階光罩于該第三層體上形成一層由光阻構(gòu)成的第一圖案層，該第一圖案層具有一個(gè)第一中心部、一個(gè)自該第一中心部外圍向外延伸且厚度小于該第一中心部厚度第一翼部，及一個(gè)讓該第三層體預(yù)定表面區(qū)域裸露的第一鏤空部。再來，進(jìn)行該步驟23，往該基板的方向等向蝕刻移除該第一、二、三層體對應(yīng)于該第一鏤空部的結(jié)構(gòu)，而定義將形成至少一個(gè)晶體管的一層半導(dǎo)體層、一層介電層，及一層導(dǎo)電層。接著，進(jìn)行該步驟24，借該第一圖案層的遮覆自該第一圖案層的第一中心部和第一翼部向該基板方向剝除直到對應(yīng)該第一翼部的導(dǎo)電層裸露，再繼續(xù)蝕刻移除對應(yīng)該第一翼部下的結(jié)構(gòu)，并于對應(yīng)該第一翼部的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜而形成一個(gè)第一型摻雜區(qū)。最后，進(jìn)行該步驟25，移除剩余的第一圖案層結(jié)構(gòu)，得到一層具有由對應(yīng)該第一中心部的導(dǎo)電層、介電層和半導(dǎo)體層，及該第一型摻雜區(qū)的第一型薄膜晶體管。
[0061]以下對該第一較佳實(shí)施例做更詳細(xì)地說明，以充分了解η型薄膜晶體管實(shí)際制作過程。
[0062]配合參閱圖3，首先，進(jìn)行該步驟21，于該以玻璃為主要構(gòu)成材料的基板11頂面依序沉積該第一層體51、并于該第一層體51表面沉積該第二層體52,再于該第二層體52表面形成該第三層體53，其中，該第一層體51是半導(dǎo)體特性的半導(dǎo)體材料，該第二層體52是具備絕緣特性的介電材料，該第三層體53是具備導(dǎo)電特性的導(dǎo)體材料。
[0063]需說明地，構(gòu)成該第一層體51的半導(dǎo)體材料選自硅及鍺，但不以此為限，只要具備半導(dǎo)體特性即可；且較佳地，為維持薄膜晶體管中載子的穩(wěn)定性，該半導(dǎo)體材料選自非晶硅及多晶硅的其中的一者；更佳地，該半導(dǎo)體材料為多晶硅，而符合該薄膜晶體管所需具備的電特性。
[0064]在該第一較佳實(shí)施例中，是以多晶硅作為該第一層體51。其中，當(dāng)該第一層體51以多晶硅構(gòu)成時(shí)，可選自下述三種形成方式:第一種形成方式是直接于該基板11上形成一多晶娃層體，以作為該第一層體51 ;第二種形成方式于該基板11設(shè)置一層非晶娃層體，再對該非晶硅層體以選自雷射、爐管、及快速回火的方式進(jìn)行回火，而形成該第一層體51 ；第三種形成方式是先于該基板51設(shè)置一層多晶硅層體，再對該多晶硅層體以選自雷射、爐管、及快速回火的方式進(jìn)行回火，成為更穩(wěn)定或重新排列晶格的多晶硅層體，而形成該第一層體51。
[0065]較佳地，該第二層體52選自氧化硅、氮化硅及氧化氮硅，或由氧化硅及氮化硅交錯(cuò)疊置構(gòu)成，而更適用于本發(fā)明薄膜晶體管的制作過程及設(shè)備。
[0066]較佳地，該第三層體53的導(dǎo)電材料選自可導(dǎo)電的多晶硅及金屬，例如鋁、銅等。
[0067]參閱圖2、圖4，接著，進(jìn)行該步驟22，先于該第三層體53的表面涂布一層光阻，再搭配一個(gè)第一灰階光罩實(shí)施曝光、顯影等的微影制程，而在該第三層體53頂面形成一層由硬化的光阻構(gòu)成的第一圖案層54。該第一圖案層54具有一個(gè)第一中心部541、一個(gè)自該第一中心部541外圍向兩側(cè)延伸的第一翼部542，及一個(gè)供該第三層體53預(yù)定區(qū)域裸露的第一鏤空部543，且該第一中心部541的厚度大于該第一翼部542的厚度。
[0068]此外，該第一翼部542具有一個(gè)鄰接該第一中心部541的第一區(qū)544，及一自該第一區(qū)544外圍向外延伸的第二區(qū)545，且該第一區(qū)544的厚度大于該第二區(qū)545的厚度。
[0069]參閱圖2、圖4、圖5，接著，所進(jìn)行的該步驟23是以蝕刻的方式自該第三層體53頂面往該基板11的方向蝕刻移除該第一層體51、該第二層體52，及該第三層體53對應(yīng)該第一鏤空部543的區(qū)域，也就是蝕刻移除該第一、二、三層體51、52、53不受該第一圖案層54遮覆的部份，則剩余的區(qū)域界定為晶體管的預(yù)定區(qū)域，且自該基板11往上依序?yàn)橐粚影雽?dǎo)體層12、一層介電層13,及一層導(dǎo)電層14。
[0070]參閱圖2、圖5、圖6，接著進(jìn)行該步驟24，往該基板11的方向移除(strip)該第一圖案層54，并利用該第一圖案層54的厚度差異，直到該第一翼部542的第二區(qū)545首先完全移除，而使對應(yīng)該第二區(qū)545的導(dǎo)電層14裸露，而由于第一翼部542的第一區(qū)544及第一中心部541的厚度大于該第一翼部542的第二區(qū)545，所以雖然被移除部分光阻，但仍覆蓋于所對應(yīng)的該導(dǎo)電層14表面。
[0071]繼續(xù)，再以蝕刻的方式移除對應(yīng)該第二區(qū)545的導(dǎo)電層14，并以離子植入、鐳射摻雜或熱擴(kuò)散的方式自對應(yīng)該第二區(qū)545的介電層13表面于該半導(dǎo)體層12植入η型載子，則對應(yīng)該第二區(qū)545的半導(dǎo)體層12成為如圖1所示第一型摻雜區(qū)122的摻雜濃度高的外摻雜部124。
[0072]參閱圖2、圖6、圖7，接著，再繼續(xù)往該基板11的方向移除該第一圖案層54，并利用該第一圖案層54的厚度差異，直到該第一翼部542的第一區(qū)544完全移除，而使對應(yīng)該第一區(qū)544的導(dǎo)電層14裸露，而由于該第一中心部541的厚度大于該第一翼部542的第一區(qū)544的厚度，所以雖然移除該第一中心部541的部分光阻，該第一中心部541仍覆蓋于所對應(yīng)的該導(dǎo)電層14頂面。再持續(xù)以蝕刻的方式移除對應(yīng)該第一區(qū)544的導(dǎo)電層14，并以離子植入或是熱擴(kuò)散的方式自對應(yīng)該第一區(qū)544的介電層13表面于該半導(dǎo)體層12植入η型載子，則對應(yīng)該第一區(qū)544的半導(dǎo)體層12成為該第一型摻雜區(qū)122的低外雜摻部123，且該低外雜摻部123的摻雜濃度小于該外摻雜部124的摻雜濃度。此外，由于該低外雜摻部123的摻雜濃度小于該外摻雜部124的摻雜濃度，所以，即使形成該低外雜摻部123時(shí)，η型載子植入外摻雜部124，仍不影響該外摻雜部124的摻雜濃度。
[0073]參閱圖2、圖7、圖8，接著進(jìn)行該步驟25，移除剩余的該第一圖案層54，即該第一中心部541,供對應(yīng)該第一中心部541的導(dǎo)電層14表面裸露,則該導(dǎo)電層14為柵極,對應(yīng)該第一中心部541的半導(dǎo)體層12為通道121，而共同形成具有對應(yīng)該第一中心部541的導(dǎo)電層14、介電層13和半導(dǎo)體層12，及該第一型摻雜區(qū)122的第一型薄膜晶體管31。
[0074]由于本發(fā)明該第一較佳實(shí)施例僅需利用一次的第一灰階光罩搭配微影制程，即可制作出η型薄膜晶體管的基本架構(gòu)，相較于現(xiàn)有制作晶體管還需使用多個(gè)光罩搭配微影制程，省下許多制造光罩的成本，及每多一次曝光、顯影等微影制程所需花費(fèi)的時(shí)間，且也不需要在階段性地完成某一步驟后，還需先將光阻完全移除，才能進(jìn)行下一次不同光罩的曝光及顯影，進(jìn)而節(jié)省更多的制程成本與制程周期。
[0075]特別地，也可配合液晶顯示器、二極管發(fā)光顯示器，及主動(dòng)型有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)顯示器等顯示器所需的電特性，而制作符合條件的薄膜晶體管。例如，若該第一翼部542的厚度皆相等，而僅需經(jīng)過一次依序?yàn)橐瞥谝灰聿?42、對應(yīng)該第一翼部542的導(dǎo)電層14,再自對應(yīng)該第一翼部542的介電層13對該半導(dǎo)體層12進(jìn)行摻雜而成為該第一型摻雜區(qū)122，也可制作出第一型摻雜區(qū)122為同一摻雜濃度的η型薄膜晶體管。
[0076]參閱圖9，再者，也可配合第一灰階光罩形成如圖9所示的第一圖案層54，而同時(shí)形成第一型摻雜區(qū)122為同一摻雜濃度，及第一型摻雜區(qū)122具有相異濃度的外摻雜部124及低外雜摻部123的η型薄膜晶體管。
[0077]需說明的是，該第一較佳實(shí)施例的第一型薄膜晶體管是以η型薄膜晶體管為例，也可以是P型薄膜晶體管，其不同處在于所植入的載子為P型載子。
[0078]參閱圖10，本發(fā)明一個(gè)第二較佳實(shí)施例是制作具有至少一個(gè)第一型薄膜晶體管及至少一個(gè)第二型薄膜晶體管的薄膜晶體管的制作方法，包含一個(gè)步驟41、一個(gè)步驟42、一個(gè)步驟43、一個(gè)步驟44、一個(gè)步驟45、一個(gè)步驟46、一個(gè)步驟47、一個(gè)步驟48，及一個(gè)步驟49。在該第二較佳實(shí)施例中，該第一型薄膜晶體管是η型薄膜晶體管，該第二型薄膜晶體管是P型薄膜晶體管。
[0079]以下對該第二較佳實(shí)施例做更詳細(xì)地說明，以充分了解具有η型薄膜晶體管及P型薄膜晶體管實(shí)際制作過程。
[0080]配合參閱圖10、圖11，首先，進(jìn)行該步驟41，于該以玻璃為主要構(gòu)成材料的基板11頂面依序沉積該第一層體51、并于該第一層體51表面沉積該第二層體52，再于該第二層體52表面形成該第三層體53，其中，該第一層體51是具備半導(dǎo)體特性的半導(dǎo)體材料，該第二層體52是具備絕緣特性的介電材料，該第三層體53是具備導(dǎo)電特性的導(dǎo)體材料。
[0081]較佳地，該第三層體53的導(dǎo)電材料選自可導(dǎo)電的多晶硅及金屬。
[0082]較佳地，該第二層體52選自氧化硅、氮化硅及氧化氮硅，或由氧化硅及氮化硅交錯(cuò)疊置構(gòu)成，而更適用于本發(fā)明薄膜晶體管的制作過程及設(shè)備。
[0083]參閱圖10、圖11、圖12，接著，該步驟42是先于該第三層體53的表面涂布一層光阻，再搭配一個(gè)第一灰階光罩實(shí)施曝光、顯影等的微影制程，而在該第三層體53頂面形成一層由硬化的光阻構(gòu)成的第一圖案層54。該第一圖案層54具有一個(gè)第一中心部541、一個(gè)自該第一中心部541外圍向兩側(cè)延伸的第一翼部542、一個(gè)與該第一中心部541及該第一翼部542間隔的第一遮覆部546，及一個(gè)供該第三層體53預(yù)定區(qū)域裸露的第一鏤空部543。該第一中心部541的厚度大于該第一翼部542的厚度，該第一遮覆部546與該第一中心部541實(shí)質(zhì)等厚，或大于該第一翼部542的厚度。此外，該第一翼部542具有一個(gè)鄰接該中心部的第一區(qū)544，及一個(gè)自該第一區(qū)544外圍向外延伸的第二區(qū)545，且該第一區(qū)544的厚度大于該第二區(qū)545的厚度。
[0084]參閱圖10、圖12、圖13，該步驟43是以蝕刻的方式自該第三層體53頂面往該基板
11的方向移除該第一層體51、該第二層體52,及該第三層體53對應(yīng)該第一鏤空部543的區(qū)域，也就是蝕刻移除該第三層體53不受該第一圖案層54遮覆的部份，則自該基板11往上依序?yàn)橐粚影雽?dǎo)體層12、一層介電層13，及一層導(dǎo)電層14。對應(yīng)該第一圖案層54的第一中心部541及第一翼部542的半導(dǎo)體層12、介電層13，及導(dǎo)電層14界定為如圖20的第一型薄膜晶體管31，對應(yīng)該第一圖案層54的第一遮覆部546的半導(dǎo)體層12、介電層13，及導(dǎo)電層14界定為如圖20第二型薄膜晶體管32的預(yù)定區(qū)域。
[0085]參閱圖10、圖13、圖14,接著進(jìn)行該步驟44,等向移除(strip)該第一圖案層54,并利用該第一圖案層54的厚度差異直到該第一翼部542的第二區(qū)545完全移除，而使對應(yīng)該第二區(qū)545的導(dǎo)電層14裸露，由于該第一中心部541、第一遮覆部546及該第一翼部542的第一區(qū)544的厚度大于該第一翼部542的第二區(qū)545的厚度，所以雖然該第一中心部541、第一遮覆部546及該第一翼部542的第一區(qū)544也移蝕部分光阻，仍然覆蓋于所對應(yīng)的該半導(dǎo)體層12頂面，再以蝕刻的方式移除對應(yīng)該第二區(qū)545的導(dǎo)電層14，并以離子植入、錯(cuò)射摻雜或熱擴(kuò)散的方式自對應(yīng)該第二區(qū)545的介電層13表面于該半導(dǎo)體層12植入η型載子，則對應(yīng)該第二區(qū)545的半導(dǎo)體層12成為該如圖1所示第一型摻雜區(qū)122的外摻雜部124。
[0086]參閱圖10、圖14、圖15，接著，再繼續(xù)等向移除該第一圖案層54，并利用該第一圖案層54的厚度差異直到該第一翼部542的第一區(qū)544完全移除，而使對應(yīng)該第一區(qū)544的導(dǎo)電層14裸露，由于該第一中心部541及第一遮覆部546的厚度大于該第一翼部542的第一區(qū)544的厚度，所以雖然該第一中心部541及第一遮覆部546也移除部分光阻，且仍然覆蓋于所對應(yīng)的該導(dǎo)電層14頂面，再持續(xù)以蝕刻的方式移除對應(yīng)該第一區(qū)544導(dǎo)電層14，并以離子植入、鐳射摻雜或是熱擴(kuò)散的方式自對應(yīng)該第一區(qū)544的介電層13表面于該半導(dǎo)體層12植入η型載子，則對應(yīng)該第一區(qū)544的半導(dǎo)體層12成為該第一型摻雜區(qū)122的低外雜摻部123，且該低外雜摻部123的摻雜濃度小于該外摻雜部124的摻雜濃度。此外，由于該低外雜摻部123的摻雜濃度小于該外摻雜部124的摻雜濃度(Lightly Doped Drain，簡稱LDD)，所以，即使形成該低外雜摻部123時(shí)，η型載子植入外摻雜部124，仍不影響該外摻雜部124的摻雜濃度。
[0087]參閱圖10、圖15、圖16，接著進(jìn)行該步驟45，移除剩余的該第一圖案層54，即該第一中心部541和該第一遮覆部546，則對應(yīng)該第一中心部541的導(dǎo)電層14為柵極，對應(yīng)該第一中心部541的半導(dǎo)體層12為通道121，而共同形成具有對應(yīng)該第一中心部541的導(dǎo)電層
14、介電層13和半導(dǎo)體層12，及該第一型摻雜區(qū)122的η型晶硅薄膜晶體管。
[0088]參閱圖10、圖16、圖17，繼續(xù)進(jìn)行該步驟46，于該基板11、介電層13，及導(dǎo)電層14共同形成的表面涂布光阻，并配合一個(gè)第二灰階光罩，經(jīng)過曝光、顯影等制程而形成一層第二圖案層55。該第二圖案層55具有一個(gè)遮覆該η型薄膜晶體管的第二遮覆部553、一個(gè)位于對應(yīng)該第一遮覆部546 (如圖12)的導(dǎo)電層14頂面的第二中心部551、一個(gè)自該第二中心部551兩側(cè)向外延伸且厚度小于該第二中心部551的第二翼部552，及一個(gè)供該第二中心部551周圍的導(dǎo)電層14裸露的第二鏤空部554，且該第二遮覆部553與該η型薄膜晶體管頂面的間距實(shí)質(zhì)不小于該第二中心部551的厚度。
[0089]參閱圖10、圖17、圖18，繼續(xù)進(jìn)行該步驟47，以蝕刻的方式移除對應(yīng)該第二鏤空部554的導(dǎo)電層14，而使對應(yīng)該第二鏤空部554的介電層13表面裸露，再以離子植入、鐳射摻雜或熱擴(kuò)散的方式自該介電層13而于該半導(dǎo)體層12植入P型載子，則對應(yīng)該第二鏤空部554的半導(dǎo)體層12成為一第二型摻雜區(qū)18(如圖19)的外摻雜部182。
[0090]參閱圖10、圖18、圖19，繼續(xù)進(jìn)行該步驟48，借該第二圖案層55的遮覆，且自該第二圖案層55的表面移除(strip)該第二圖案層55直到對應(yīng)該第二翼部552的導(dǎo)電層14裸露，再繼續(xù)以蝕刻的方式移除該第二翼部552的導(dǎo)電層14結(jié)構(gòu)；再自對應(yīng)該第二翼部552的介電層13表面對該半導(dǎo)體層12進(jìn)行離子植入、鐳射摻雜或是熱擴(kuò)散P型載子，而于對應(yīng)該第二翼部552的半導(dǎo)體層12形成第二型摻雜區(qū)18的低外雜摻部181，且該第二型摻雜區(qū)18的低外雜摻部181的摻雜濃度小于該第二型摻雜區(qū)18的外摻雜部182的摻雜濃度，且由于該低外雜摻部181的摻雜濃度小于該外摻雜部182的摻雜濃度，所以即使在形成低外雜摻部181時(shí)外摻雜部182未受光阻遮覆，仍不影響外摻雜部182的摻雜濃度。
[0091]參閱圖10、圖19、圖20，接著進(jìn)行該步驟49，移除剩余的第二圖案層55結(jié)構(gòu)，即該第二中心部551與該第二遮覆部553，而供該η型薄膜晶體管重新裸露，且形成具有對應(yīng)圖17的第二中心部551、第二翼部552，及第二鏤空部554的導(dǎo)電層14、介電層13，及半導(dǎo)體層
12的P型薄膜晶體管。
[0092]需說明的是，該第二較佳實(shí)施例是以η型薄膜晶體管作為第一型薄膜晶體管31，ρ型薄膜晶體管作為第二型薄膜晶體管32，當(dāng)然，視所植入載子種類為P型或η型，第一型薄膜晶體管31也可是P型薄膜晶體管，而第二型薄膜晶體管32也可是η型薄膜晶體管。
[0093]值得一提的是，也可配合各式顯示器所需的電特性，而制作符合條件的第二型薄膜晶體管32。例如，若以一個(gè)第二灰階光罩配合曝光、顯影等制程所制作的第二圖案層55的第二中心部551與第二鏤空部554相鄰，且該第二遮覆部553覆蓋該第一型薄膜晶體管31，則僅需經(jīng)過一次對應(yīng)該第二鏤空部554的導(dǎo)電層14表面于該半導(dǎo)體層12摻雜成為該第二型摻雜區(qū)18，也可制作出第二型摻雜區(qū)18為同一摻雜濃度的第二型薄膜晶體管32。
[0094]再者，參閱圖21，也可配合第一灰階光罩形成的第一圖案層54，及第二灰階光罩形成的第二圖案層55，而同時(shí)形成第一型摻雜區(qū)122為同一摻雜濃度的第一型薄膜晶體管31 (圖21左二，也就是不具有LDD)，及第一型摻雜區(qū)122具有相異濃度的外摻雜部124及低外雜摻部123的第一型薄膜晶體管31 (圖21左一)，與第二型摻雜區(qū)18為同一摻雜濃度的第二型薄膜晶體管32 (圖21右一，也就是不具有LDD)，第二型摻雜區(qū)18具有相異濃度的外摻雜部182及低外雜摻部181的第二型薄膜晶體管(圖21右二)。
[0095]該第二較佳實(shí)施例僅使用兩道光罩配合微影制程便制作包含第一型薄膜晶體管31及第二型薄膜晶體管的薄膜晶體管32，較現(xiàn)有至少需六道光罩的制程才能制作出薄膜晶體管基本架構(gòu)的制作方法節(jié)省更多的制程成本與制程時(shí)間，也降低每道光罩于曝光時(shí)可能發(fā)生對不準(zhǔn)所導(dǎo)致成品良率不佳的缺點(diǎn)。[0096]特別地，若需供該第一型薄膜晶體管，及/或該第二型薄膜晶體管的基本結(jié)構(gòu)與外界電連接，則可再于該作為源極及漏極的半導(dǎo)體層12上設(shè)置電極15，以下以該第二較佳實(shí)施例為例說明設(shè)置電極15的過程。
[0097]參閱圖22,于導(dǎo)電層14及裸露的介電層13和基板11共同形成的表面沉積一層以絕緣材料構(gòu)成的中間材料17( interlayer material),再于中間材料17的表面涂布一層光阻，并搭配一個(gè)第三光罩對該光阻562進(jìn)行曝光、顯影等微影制程，供該中間材料17的預(yù)定表面區(qū)域裸露，再自該中間材料17裸露的預(yù)定表面區(qū)域以蝕刻的方式蝕刻該中間材料17及介電層13，直到所對應(yīng)的半導(dǎo)體層12表面(即第一型薄膜晶體管的外摻雜部124及第二型薄膜晶體管的外摻雜部182)裸露，再移除該光阻562，再形成一以半導(dǎo)體層12裸露的表面與中間材料17共同界定的穿孔(contact hole) 563。
[0098]參閱圖22、圖23，接著，于該中間材料17與裸露的半導(dǎo)體層12共同形成的表面沉積一層以金屬構(gòu)成的導(dǎo)體層564,再于該導(dǎo)體層564表面涂布一層光阻,并搭配一第四光罩對該光阻565進(jìn)行曝光、顯影等微影制程，而留下遮覆導(dǎo)體層564預(yù)定區(qū)域的光阻565 ;繼續(xù)，蝕刻移除未被該光阻565遮覆的導(dǎo)體層564，再移除該光阻565，留下形成于該穿孔中的源/漏極金屬16。
[0099]參閱圖23、圖24，最后，于該源/漏極金屬16及該中間材料17共同形成的表面沉積一層以導(dǎo)電材料構(gòu)成的電極層566,再于該電極層566表面涂布一層光阻,并搭配一第五光罩對該光阻進(jìn)行曝光、顯影等微影制程，而留下遮覆該電極層566預(yù)定區(qū)域的光阻567，其中，該電極層566可為透明或不透明；繼續(xù)，蝕刻移除未被該光阻567遮覆的電極層566，再移除該光阻567，留下與該源/漏極金屬16，及畫素電極(圖未示)電連接的電極15。
[0100]綜上所述，本發(fā)明利用一個(gè)灰階光罩搭配一次微影制程及所需要的蝕刻及離子植入制程，即可制作出薄膜晶體管，較現(xiàn)有需使用至少三個(gè)光罩及三次微影制程及移除光阻，才能制作出其中一種型態(tài)的晶體管的制作方法而言，節(jié)省更多的制程成本與制程時(shí)間，也減少多道光罩間黃光對不準(zhǔn)導(dǎo)致的良率差的問題，所以，確實(shí)能達(dá)成本發(fā)明的目的。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜晶體管的制作方法；其特征在于:該薄膜晶體管的制作方法包含: (a)于一個(gè)基板上依序以半導(dǎo)體材料、介電材料、導(dǎo)體材料形成一層第一層體、一層第二層體，及一層第三層體； (b)用一個(gè)第一灰階光罩于該第三層體上形成一由光阻構(gòu)成的第一圖案層，該第一圖案層具有一個(gè)第一中心部、一個(gè)自該第一中心部外圍向外延伸且厚度小于該第一中心部厚度的第一翼部，及一個(gè)讓該第三層體預(yù)定表面區(qū)域裸露的第一鏤空部； (C)往該基板的方向蝕刻移除該第一層體、第二層體、第三層體對應(yīng)于該第一鏤空部的結(jié)構(gòu)，而定義將形成至少一個(gè)晶體管的一個(gè)半導(dǎo)體層、一個(gè)介電層，及一個(gè)導(dǎo)電層； (d)借該第一圖案層的遮覆自該第一圖案層的第一中心部和第一翼部向該基板方向剝除直到對應(yīng)該第一翼部的導(dǎo)電層裸露，再繼續(xù)蝕刻移除對應(yīng)該第一翼部的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)，并于對應(yīng)該第一翼部的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜而形成一個(gè)第一型摻雜區(qū)；及 (e)移除剩余的第一圖案層結(jié)構(gòu)，得到一個(gè)具有由對應(yīng)該第一中心部的導(dǎo)電層、介電層和半導(dǎo)體層，及該第一型摻雜區(qū)的第一型薄膜晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于:該步驟(b)形成的該第一圖案層還具有一個(gè)與該第一中心部實(shí)質(zhì)等厚度的第一遮覆部，而在該步驟(C)移除對應(yīng)該第一鏤空部的第一層體、第二層體、第三層體后定義一個(gè)對應(yīng)第一中心部及第一翼部的第一型薄膜晶體管的區(qū)域，及 一個(gè)對應(yīng)該第一遮覆部的第二型薄膜晶體管的區(qū)域，且該薄膜晶體管的制作方法還包含: (f)用一個(gè)第二灰階光罩形成一層由光阻構(gòu)成的第二圖案層，該第二圖案層具有一個(gè)遮覆該第一型薄膜晶體管的第二遮覆部，及位于該第一遮覆部的一個(gè)第二中心部和一個(gè)供該第二中心部周圍的導(dǎo)電層裸露的第二鏤空部， (g)移除對應(yīng)該第二鏤空部的導(dǎo)電層，并于對應(yīng)該第二鏤空部的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜而成一個(gè)第二型摻雜區(qū)，及 (h)移除剩除的第二圖案層結(jié)構(gòu)，則對應(yīng)該第二中心部的導(dǎo)電層、介電層和半導(dǎo)體層，及該第二型摻雜區(qū)成為一個(gè)第二型薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于:該步驟(b)形成的該第一圖案層還具有一個(gè)與該第一中心部實(shí)質(zhì)等厚度的第一遮覆部，而在該步驟(C)移除對應(yīng)該第一鏤空部的第一層體、第二層體、第三層體后定義一個(gè)對應(yīng)第一中心部及第一翼部的第一型薄膜晶體管的區(qū)域，及一個(gè)對應(yīng)該第一遮覆部的第二型薄膜晶體管的區(qū)域，且該薄膜晶體管的制作方法還包含: (f)用一個(gè)第二灰階光罩形成一層由光阻構(gòu)成的第二圖案層，該第二圖案層具有一個(gè)遮覆該第一型薄膜晶體管的第二遮覆部，及對應(yīng)該第一遮覆部的一個(gè)第二中心部、一個(gè)自該第二中心部外圍向外延伸且厚度小于該第二中心部的第二翼部，和一個(gè)供該第二中心部周圍的導(dǎo)電層裸露的第二鏤空部， (g)移除對應(yīng)該第二鏤空部的導(dǎo)電層，并于對應(yīng)該第二鏤空部的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜而成一個(gè)第二型摻雜區(qū)的外摻雜部， (h)借該第二圖案層的遮覆自該第二圖案層的第二中心部和第二翼部向該基板方向剝除直到對應(yīng)該第二翼部的導(dǎo)電層裸露，再繼續(xù)蝕刻移除對應(yīng)該第二翼部的導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)，并于對應(yīng)該第二翼部的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜而形成一個(gè)第二型摻雜區(qū)的低外雜摻部，及(i)移除剩除的第二圖案層結(jié)構(gòu)，則對應(yīng)該第二中心部的導(dǎo)電層、介電層和半導(dǎo)體層，及該第二型摻雜區(qū)成為一第二型薄膜晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于:該步驟(b)的第一圖案層的第一翼部具有一個(gè)自該第一中心部外圍向外延伸的第一區(qū)，及一個(gè)自該第一區(qū)向外延伸且厚度小于該第一區(qū)的第二區(qū)，該步驟(d)移除該第一翼部的第二區(qū)及對應(yīng)該第二區(qū)的導(dǎo)電層，并于對應(yīng)該第二區(qū)的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜而成該第一型摻雜區(qū)的外摻雜部，再移除該第一翼部的第一區(qū)及對應(yīng)該第一區(qū)的導(dǎo)電層，并于對應(yīng)該第一區(qū)的半導(dǎo)體層進(jìn)行摻雜而成載子濃度低于該第一型摻雜區(qū)的低外雜摻部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4其中任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于:該薄膜晶體管的制作方法還包含一個(gè)步驟(j)，該步驟(j)于該晶體管的摻雜區(qū)表面以導(dǎo)電材料形成與外界電連接的電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于:該步驟(a)是于該基板設(shè)置一層非晶硅層體，再對該非晶硅層體以選自雷射、爐管、及快速回火的方式進(jìn)行回火，而形成該第一層體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于:該步驟(a)的第一層體以多晶硅構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于:該步驟(a)是于該基板設(shè)置一層多晶硅層體，再對該多晶硅層體以選自雷射、爐管、及快速回火的方式進(jìn)行回火，而形成該第一層體。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于:該步驟(a)的第二層體選自氧化硅、氮化硅及氧化氮硅，或由氧化硅及氮化硅交錯(cuò)疊置。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄`膜晶體管的制作方法，其特征在于:該步驟(a)的第三層體選自多晶娃及金屬。
【文檔編號】H01L21/77GK103681350SQ201310370062
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月17日
【發(fā)明者】薛英家 申請人:薛英家