有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極；所述散射層包括形成于所述陽極表面的氧化鋅層和形成于所述氧化鋅層表面的銫鹽層，所述銫鹽層的材料為銫鹽、聚3,4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物。這種有機(jī)電致發(fā)光器件的散射層包括氧化鋅層和銫鹽層，利用氧化鋅的晶體結(jié)構(gòu)對光發(fā)生散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光可以回到中間。相對于傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，這種有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還公開了一種上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]1987年，美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報(bào)道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)。1V下亮度達(dá)到1000cd/m2，其發(fā)光效率為1.511m/W、壽命大于100小時(shí)。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光效率較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極；
[0006]所述散射層包括形成于所述陽極表面的氧化鋅層和形成于所述氧化鋅層表面的銫鹽層，所述銫鹽層的材料為銫鹽、聚3，4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩和所述聚苯磺酸鹽的質(zhì)量比為3:1，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩和所述銫鹽的質(zhì)量比為1:10?20，所述銫鹽為CsF、Cs2C03、CsN3或CsCl。
[0007]在一個(gè)實(shí)施例中，所述氧化鋅層的厚度為1nm?300nm ；
[0008]所述銫鹽層的厚度為20nm?lOOnm。
[0009]在一個(gè)實(shí)施例中，所述玻璃基底的折射率為1.8?2.2，并且所述玻璃基底在400nm的透過率大于90%。
[0010]在一個(gè)實(shí)施例中，所述陽極的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；
[0011]所述陽極的厚度為80nm?300nm。
[0012]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0013]提供玻璃基底，并在所述玻璃基底表面磁控濺射制備陽極；
[0014]在所述陽極的表面電子束蒸鍍制備氧化鋅層，接著在所述氧化鋅層上涂覆銫鹽、聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物的水溶液，干燥后得到銫鹽層，所述氧化鋅層和所述銫鹽層組成散射層，所述混合物的水溶液中，所述聚3，4- 二氧乙烯噻吩和所述聚苯磺酸鹽的質(zhì)量比為3:1，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩和所述銫鹽的質(zhì)量比為1:10?20，所述銫鹽占所述混合物的水溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1/6?2/7，所述銫鹽為CsF、Cs2C03、CsN3或CsCl ；
[0015]在所述銫鹽層上依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
[0016]在一個(gè)實(shí)施例中，在所述玻璃基底表面磁控濺射制備陽極的操作中，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為lW/cm2?40W/cm2。
[0017]在一個(gè)實(shí)施例中，在所述陽極的表面電子束蒸鍍制備氧化鋅層的操作中，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2?lOOW/cm2，制備得到的所述氧化鋅層的厚度為1nm?300nm。
[0018]在一個(gè)實(shí)施例中，在所述氧化鋅層上涂覆銫鹽、聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物的水溶液，干燥后得到銫鹽層的操作為:
[0019]將銫鹽溶解在質(zhì)量比為3:1的聚3，4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合溶液中，得到銫鹽、聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物的水溶液；
[0020]將所述混合物的水溶液旋涂在所述氧化鋅層的表面，干燥后得到所述銫鹽層，其中，旋涂的轉(zhuǎn)速為2000rpm?6000rpm，旋涂的時(shí)間為1s?60s，所述銫鹽層的厚度為20nm ?lOOnm。
[0021]在一個(gè)實(shí)施例中，在所述銫鹽層上依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極的操作中，工作壓強(qiáng)為2X 10_3?5X 10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為I?10nm/s。
[0022]在一個(gè)實(shí)施例中，所述玻璃基底的折射率為1.8?2.2，并且所述玻璃基底在400nm的透過率大于90%。
[0023]這種有機(jī)電致發(fā)光器件的散射層包括氧化鋅層和銫鹽層，利用氧化鋅的晶體結(jié)構(gòu)對光發(fā)生散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光可以回到中間，銫鹽功函數(shù)較高且性質(zhì)穩(wěn)定，不易與空氣中的水氧結(jié)合，同時(shí)可阻擋電子的穿越，有效避免了電子到達(dá)陽極與空穴復(fù)合產(chǎn)生漏電流，同時(shí)聚3，4- 二氧乙烯噻吩可提高器件的載流子濃度并提高導(dǎo)電性。相對于傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，這種有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0026]圖3為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關(guān)系圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0028]請參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊的玻璃基底10、陽極20、散射層30、空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0029]玻璃基底10的折射率為1.8?2.2，并且玻璃基底10在400nm的透過率大于90%。玻璃基底10優(yōu)選為牌號為N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。
[0030]陽極20的材料為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極20的厚度為80nm?300nm，優(yōu)選為120nm。
[0031]散射層30包括形成于陽極20表面的氧化鋅層32和形成于氧化鋅層32表面的銫鹽層34。
[0032]氧化鋅層32通過粒徑為50?200nm的氧化鋅顆粒，在電子束蒸鍍的能量密度為10ff/cm2?100W/cm2的條件下電子束蒸鍍制備。
[0033]氧化鋅層32的厚度為1nm?300nm。
[0034]銫鹽層34的材料為銫鹽、聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸鹽(PSS)的混合物。其中，聚3，4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的質(zhì)量比為3:1，聚3，4-二氧乙烯噻吩和銫鹽的質(zhì)量比為1: 10?20。
[0035]銫鹽為CsF、Cs2CO3> CsN3 或 CsCl。
[0036]銫鹽層34的厚度為20nm?lOOnm。
[0037]空穴注入層40的材料為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5),厚度為20?80nm。優(yōu)選的，空穴注入層40的材料為MoO3,空穴注入層40厚度為35nm。
[0038]空穴傳輸層50的材料為I, 1-二 [4_[N,N' -二(p_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N，- (1_萘基)州，N，-二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)，厚度為20?60nm。優(yōu)選的，空穴傳輸層50的材料為NPB，空穴傳輸層50的厚度為50nm。
[0039]發(fā)光層60的材料為4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)貨8-羥基喹啉鋁(Alq3),厚度為5?40nm。優(yōu)選的，發(fā)光層60的材料為Alq3，發(fā)光層60的厚度為18nm。
[0040]電子傳輸層70的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，厚度為40?300nm。優(yōu)選的，電子傳輸層70的材料為TAZ,電子傳輸層70的厚度為180nm。
[0041]電子注入層80的材料為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF),厚度為0.5?10nm。優(yōu)選的，電子注入層80的材料為CsF，電子注入層80的厚度為0.7nm。
[0042]陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Ag。陰極90的厚度為80nm?250nm，優(yōu)選為120nm。
[0043]這種有機(jī)電致發(fā)光器件的散射層30包括氧化鋅層32和銫鹽層34，利用氧化鋅的晶體結(jié)構(gòu)對光發(fā)生散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光可以回到中間，銫鹽功函數(shù)較高且性質(zhì)穩(wěn)定，不易與空氣中的水氧結(jié)合，同時(shí)可阻擋電子的穿越，有效避免了電子到達(dá)陽極與空穴復(fù)合產(chǎn)生漏電流，同時(shí)聚3，4- 二氧乙烯噻吩可提高器件的載流子濃度并提高導(dǎo)電性，最終提高了出光效率。
[0044]此外，通過采用折射率為1.8?2.2、在可見光透過率(一般標(biāo)準(zhǔn)為400nm處)為90%以上的玻璃基底10，可以使更多的光入射到玻璃基底10中。
[0045]可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0046]請同時(shí)參閱圖2，上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其包括以下步驟:
[0047]步驟S10、提供玻璃基底10，并在玻璃基底10表面磁控濺射制備陽極20。
[0048]玻璃基底10為折射率為1.8?2.2的玻璃，在400nm透過率高于90%。玻璃基底10 優(yōu)選為牌號為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0049]陽極20形成于玻璃基底10的一側(cè)表面。陽極20的材料為銦錫氧化物(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物(AZO)或銦鋅氧化物(ΙΖ0)，優(yōu)選為ΙΤ0。陽極20的厚度為80nm?300nm，優(yōu)選為120nm。陽極20采用磁控派射制備。磁控派射的加速電壓為300?800V,磁場為50?200G，功率密度為I?40W/cm2。
[0050]本實(shí)施方式中，玻璃基底10在使用前用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡12小時(shí)?24小時(shí)。
[0051]步驟S20、在陽極20的表面電子束蒸鍍制備氧化鋅層32，接著在氧化鋅層32上涂覆銫鹽、聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物的水溶液，干燥后得到銫鹽層34，氧化鋅層32和銫鹽層34組成散射層30。
[0052]電子束蒸鍍制備氧化鋅層32的操作中，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2?100W/cm2，制備得到的氧化鋅層32的厚度為1nm?300nm。
[0053]其中，氧化鋅的晶體結(jié)構(gòu)對光發(fā)生散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光可以回到中間。
[0054]混合物的水溶液中，聚3，4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的質(zhì)量比為3:1，聚3，4-二氧乙烯噻吩和銫鹽的質(zhì)量比為1:10?20，銫鹽占混合物的水溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1/6 ?2/7，銫鹽為 CsF、Cs2CO3> CsN3 或 CsCl。
[0055]在氧化鋅層32上涂覆銫鹽、聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物的水溶液，干燥后得到銫鹽層34的操作具體為:
[0056]將銫鹽溶解在質(zhì)量比為3:1的聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合溶液中，得到銫鹽、聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物的水溶液；
[0057]將混合物的水溶液旋涂在氧化鋅層32的表面，干燥后得到銫鹽層34，其中，旋涂的轉(zhuǎn)速為2000rpm?6000rpm，旋涂的時(shí)間為1s?60s，所述銫鹽層的厚度為20nm?10nm0
[0058]其中，銫鹽功函數(shù)較高且性質(zhì)穩(wěn)定，不易與空氣中的水氧結(jié)合，同時(shí)可阻擋電子的穿越，有效避免了電子到達(dá)陽極與空穴復(fù)合產(chǎn)生漏電流，同時(shí)聚3，4-二氧乙烯噻吩可提高器件的載流子濃度并提高導(dǎo)電性。
[0059]S30、在銫鹽層34上依次蒸鍍制備空穴注入層40、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80和陰極90。
[0060]蒸鍍過程中，工作壓強(qiáng)為2 X 10_3?5 X W5Pa,有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為I?10nm/s。
[0061]空穴注入層40的材料為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5),厚度為20?80nm。優(yōu)選的，空穴注入層40的材料為MoO3,空穴注入層40厚度為35nm。
[0062]空穴傳輸層50的材料為I, 1-二 [4_[N,N' -二(p_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N，- (1_萘基)州，N，-二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)，厚度為20?60nm。優(yōu)選的，空穴傳輸層50的材料為NPB，空穴傳輸層50的厚度為50nm。
[0063]發(fā)光層60的材料為4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)貨8-羥基喹啉鋁(Alq3),厚度為5?40nm。優(yōu)選的，發(fā)光層60的材料為Alq3，發(fā)光層60的厚度為18nm。
[0064]電子傳輸層70的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，厚度為40?300nm。優(yōu)選的，電子傳輸層70的材料為TAZ,電子傳輸層70的厚度為180nm。
[0065]電子注入層80的材料為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF),厚度為0.5?10nm。優(yōu)選的，電子注入層80的材料為CsF，電子注入層80的厚度為0.7nm。
[0066]陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Ag。陰極90的厚度為80nm?250nm，優(yōu)選為120nm。
[0067]這種有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，制備工藝簡單；制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的散射層30包括氧化鋅層32和銫鹽層34，利用氧化鋅的晶體結(jié)構(gòu)對光發(fā)生散射，使向兩側(cè)發(fā)射的光可以回到中間，銫鹽功函數(shù)較高且性質(zhì)穩(wěn)定，不易與空氣中的水氧結(jié)合，同時(shí)可阻擋電子的穿越，有效避免了電子到達(dá)陽極與空穴復(fù)合產(chǎn)生漏電流，同時(shí)聚3，4-二氧乙烯噻吩可提聞器件的載流子濃度并提聞導(dǎo)電性，最終提聞了出光效率。
[0068]此外，通過采用折射率為1.8?2.2、在可見光透過率(一般標(biāo)準(zhǔn)為400nm處)為90%以上的玻璃基底10，可以使更多的光入射到玻璃基底10中。
[0069]以下結(jié)合具體實(shí)施例對有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0070]本發(fā)明實(shí)施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時(shí)利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測試亮度和色度。
[0071]實(shí)施例1
[0072]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/ITO/ZnO/CsF: PEDOT: PSS/Mo03/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件。其中，“/”表不層疊，“:”表不混合。
[0073]提供牌號為N-LASF44的玻璃作為玻璃基底，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。接著在加速電壓為700V，磁場為120G，功率密度為250W/cm2的條件下，在玻璃基底表面磁控濺射制備陽極。陽極的材料為ΙΤ0，厚度為120nm。
[0074]提供市售的粒徑為150nm的氧化鋅，在電子束能量密度為30W/cm2的條件下，在陽極上電子束蒸鍍制備厚度為200nm的氧化鋅層。將CsF溶解在質(zhì)量比為3:1的聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合溶液中，得到CsF、聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物的水溶液?；旌衔锏乃芤褐?，聚3，4-二氧乙烯噻吩和CsF的質(zhì)量比為1:12.5, CsF的占混合物的水溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1/5。將混合物的水溶液旋涂在氧化鋅層的表面，轉(zhuǎn)速為4000rpm,時(shí)間為30s，干燥后得到厚度為80nm的銫鹽層。
[0075]在工作壓強(qiáng)為8X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為2nm/s的條件下，在銫鹽層的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟镸oO3,厚度為35nm?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镹PB，厚度為50nm。發(fā)光層的材料為Alq3,厚度為18nm。電子傳輸層的材料為TAZ，厚度為180nm。電子注入層的材料為CsF，厚度為0.7nm。陰極的材料為Ag，厚度為120nm。
[0076]請參閱圖3，所示為實(shí)施例1中制備的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結(jié)構(gòu)為玻璃基底/IT0/Mo03/NPB/Alq3/TAZ/CsF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線2)的流明效率與亮度的關(guān)系。對比例制備有機(jī)電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實(shí)施例1均相同。
[0077]從圖3可以看到，在不同亮度下，實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率都比對比例的要大，實(shí)施例1的最大流明效率為5.31m/W，而對比例的僅為3.61m/W。同時(shí)，對比例的流明效率隨著電流密度的增大而快速下降。這說明，這種散射層結(jié)構(gòu)對光發(fā)生散射，阻擋電子的穿越，提聞導(dǎo)電性，有利于提聞出光效率。
[0078]以下各個(gè)實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率都與實(shí)施例1相類似，各有機(jī)電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0079]實(shí)施例2
[0080]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/IZ0/Zn0/Cs2C03: PEDOT: PSS/Mo03/TAPC/DCJBT/TAZ/Cs2C03/Pt的有機(jī)電致發(fā)光器件。其中，“/”表示層疊，“:”表示混合。
[0081]提供牌號為N-LAF36的玻璃作為玻璃基底，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。接著在加速電壓為300V，磁場為50G，功率密度為40W/cm2的條件下，在玻璃基底表面磁控濺射制備陽極。陽極的材料為ΙΖ0，厚度為80nm。
[0082]提供市售的粒徑為50nm的氧化鋅，在電子束能量密度為100W/cm2的條件下，在陽極上電子束蒸鍍制備厚度為1nm的氧化鋅層。將Cs2CO3溶解在質(zhì)量比為3:1的聚3，4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合溶液中，得到Cs2CO3、聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物的水溶液?；旌衔锏乃芤褐校?，4- 二氧乙烯噻吩和Cs2CO3的質(zhì)量比為1:10，Cs2CO3占混合物的水溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1/6。將混合物的水溶液旋涂在氧化鋅層的表面，轉(zhuǎn)速為6000rpm，時(shí)間為10s，干燥后得到厚度為20nm的銫鹽層。
[0083]在工作壓強(qiáng)為2X 10_3Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為10nm/S的條件下，在銫鹽層的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟镸oO3,厚度為40nm?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門APC，厚度為45nm。發(fā)光層的材料為DCJBT，厚度為8nm。電子傳輸層的材料為TAZ，厚度為65nm。電子注入層的材料為Cs2CO3，厚度為10nm。陰極的材料為Pt，厚度為80nm。
[0084]實(shí)施例3
[0085]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/AZO/ZnO/CsN3: PEDOT: PSS/V205/TCTA/ADN/Bphen/LiF/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件。其中，“/”表示層疊，“:”表示混合。
[0086]提供牌號為N-LASF31A的玻璃作為玻璃基底，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。接著在加速電壓為800V，磁場為200G，功率密度為IW/cm2的條件下，在玻璃基底表面磁控濺射制備陽極。陽極的材料為AZO，厚度為300nm。
[0087]提供市售的粒徑為200nm的氧化鋅，在電子束能量密度為10W/cm2的條件下，在陽極上電子束蒸鍍制備厚度為300nm的氧化鋅層。將CsN3溶解在質(zhì)量比為3:1的聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合溶液中，得到CsN3、聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物的水溶液?；旌衔锏乃芤褐校?，4- 二氧乙烯噻吩和CsN3的質(zhì)量比為1:20，CsN3占混合物的水溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2/7。將混合物的水溶液旋涂在氧化鋅層的表面，轉(zhuǎn)速為2000rpm，時(shí)間為60s，干燥后得到厚度為10nm的銫鹽層。
[0088]在工作壓強(qiáng)為5X10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s的條件下，在銫鹽層的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。空穴注入層的材料為V2O5，厚度為20nm?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門CTA，厚度為60nm。發(fā)光層的材料為ADN，厚度為10nm。電子傳輸層的材料為Bphen，厚度為200nm。電子注入層的材料為LiF，厚度為0.5nm。陰極的材料為Al，厚度為lOOnm。
[0089]實(shí)施例4
[0090]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/ITO/ZnO/CsCl: PEDOT: PSS/Mo03/NPB/BCzVBi/Bphen/CsN3/Au的有機(jī)電致發(fā)光器件。其中，“/”表不層疊,“:”表不混合。
[0091]提供牌號為N-LASF41A的玻璃作為玻璃基底，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。接著在加速電壓為600V，磁場為100G，功率密度為30W/cm2的條件下，在玻璃基底表面磁控濺射制備陽極。陽極的材料為IT0，厚度為180nm。
[0092]提供市售的粒徑為180nm的氧化鋅，在電子束能量密度為60W/cm2的條件下，在陽極上電子束蒸鍍制備厚度為180nm的氧化鋅層。將CsCl溶解在質(zhì)量比為3:1的聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合溶液中，得到CsCl、聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物的水溶液?；旌衔锏乃芤褐校?，4-二氧乙烯噻吩和CsCl的質(zhì)量比為1: 14，CsCl占混合物的水溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7/32。將混合物的水溶液旋涂在氧化鋅層的表面，轉(zhuǎn)速為5000rpm,時(shí)間為20s，干燥后得到厚度為60nm的銫鹽層。
[0093]在工作壓強(qiáng)為2X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.5nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為6nm/s的條件下，在銫鹽層的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟镸oO3，厚度為80nm?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镹PB，厚度為60nm。發(fā)光層的材料為BCzVBi，厚度為40nm。電子傳輸層的材料為Bphen，厚度為35nm。電子注入層的材料為CsN3,厚度為3nm。陰極的材料為Au，厚度為250nmo
[0094]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、散射層、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極； 所述散射層包括形成于所述陽極表面的氧化鋅層和形成于所述氧化鋅層表面的銫鹽層，所述銫鹽層的材料為銫鹽、聚3，4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩和所述聚苯磺酸鹽的質(zhì)量比為3:1，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩和所述銫鹽的質(zhì)量比為1:10?20，所述銫鹽為CsF、Cs2C03、CsN3或CsCl。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化鋅層的厚度為1nm ?300nm ； 所述銫鹽層的厚度為20nm?lOOnm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為1.8?2.2，并且所述玻璃基底在400nm的透過率大于90%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極的材料為銦錫氧化物、招鋅氧化物或銦鋅氧化物； 所述陽極的厚度為80nm?300nm。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供玻璃基底，并在所述玻璃基底表面磁控濺射制備陽極； 在所述陽極的表面電子束蒸鍍制備氧化鋅層，接著在所述氧化鋅層上涂覆銫鹽、聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物的水溶液，干燥后得到銫鹽層，所述氧化鋅層和所述銫鹽層組成散射層，所述混合物的水溶液中，所述聚3，4- 二氧乙烯噻吩和所述聚苯磺酸鹽的質(zhì)量比為3 所述聚3，4-二氧乙烯噻吩和所述銫鹽的質(zhì)量比為1:10?20,所述銫鹽占所述混合物的水溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1/6?2/7，所述銫鹽為CsF、Cs2C03、CsN3或CsCl ； 在所述銫鹽層上依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述玻璃基底表面磁控濺射制備陽極的操作中，磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為 lW/cm2 ?40W/cm2。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述陽極的表面電子束蒸鍍制備氧化鋅層的操作中，電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2?lOOW/cm2，制備得到的所述氧化鋅層的厚度為1nm?300nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述氧化鋅層上涂覆銫鹽、聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物的水溶液，干燥后得到銫鹽層的操作為: 將銫鹽溶解在質(zhì)量比為3:1的聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合溶液中，得到銫鹽、聚3，4- 二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽的混合物的水溶液； 將所述混合物的水溶液旋涂在所述氧化鋅層的表面，干燥后得到所述銫鹽層，其中，旋涂的轉(zhuǎn)速為2000rpm?6000rpm，旋涂的時(shí)間為1s?60s，所述銫鹽層的厚度為20nm?10nm0
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，在所述銫鹽層上依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極的操作中，工作壓強(qiáng)為2 X 10_3?5 X 10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為I?lOnm/s。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為1.8?2.2，并且所述玻璃基底在400nm的透過率大于90%。
【文檔編號】H01L51/54GK104425746SQ201310370421
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月22日
【發(fā)明者】周明杰, 黃輝, 鐘鐵濤, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司