技術(shù)特征：
1.一種超級結(jié)晶體管的形成方法，其特征在于，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有第二摻雜離子；在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成若干第一溝槽，所述第一溝槽的側(cè)壁相對于半導(dǎo)體襯底表面傾斜，且所述第一溝槽的頂部尺寸大于底部尺寸；在所述第一溝槽內(nèi)形成填充滿所述第一溝槽的第一半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)具有第一摻雜離子；在相鄰第一半導(dǎo)體層之間的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成第二溝槽，所述第二溝槽的側(cè)壁相對于半導(dǎo)體襯底表面傾斜，且所述第二溝槽的頂部尺寸大于底部尺寸；在所述第二溝槽內(nèi)形成填充滿所述第二溝槽的第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層內(nèi)具有第二摻雜離子；在形成第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層之后，在第二半導(dǎo)體層表面形成柵極結(jié)構(gòu)；在相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的第一半導(dǎo)體層內(nèi)形成體區(qū)，所述體區(qū)內(nèi)具有第一摻雜離子，且部分體區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)重疊；在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的體區(qū)內(nèi)形成源區(qū)，所述源區(qū)內(nèi)具有第二摻雜離子。2.如權(quán)利要求1所述超級結(jié)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一溝槽的形成方法為：在半導(dǎo)體襯底表面形成第一掩膜層，所述第一掩膜層暴露出需要形成第一溝槽的半導(dǎo)體襯底表面；以所述第一掩膜層為掩膜，采用各向異性干法刻蝕工藝刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，形成第一溝槽。3.如權(quán)利要求2所述超級結(jié)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層的形成工藝為：在形成所述第一溝槽之后，以所述第一掩膜層為掩膜，采用選擇性外延沉積工藝在第一溝槽內(nèi)形成第一半導(dǎo)體層；在所述選擇性外延沉積工藝過程中，采用原位摻雜工藝在所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)摻雜第一摻雜離子；在形成第一半導(dǎo)體層之后，去除所述第一掩膜層。4.如權(quán)利要求1所述的超級結(jié)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二溝槽的形成方法為：在第一半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體襯底表面形成第二掩膜層，所述第二掩膜層暴露出需要形成第二溝槽的半導(dǎo)體襯底表面；以所述第二掩膜層為掩膜，采用各向異性干法刻蝕工藝刻蝕所述半導(dǎo)體襯底，形成第二溝槽。5.如權(quán)利要求4所述超級結(jié)晶體管的形成方法，其特征在于，所述第二半導(dǎo)體層的形成工藝為：在形成所述第二溝槽之后，以所述第二掩膜層為掩膜，采用選擇性外延沉積工藝在第二溝槽內(nèi)形成第二半導(dǎo)體層；在所述選擇性外延沉積工藝過程中，采用原位摻雜工藝在所述第二半導(dǎo)體層內(nèi)摻雜第二摻雜離子；在形成第二半導(dǎo)體層之后，去除所述第二掩膜層。6.一種超級結(jié)晶體管，其特征在于，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有第二摻雜離子；位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的若干第一溝槽，所述第一溝槽的側(cè)壁相對于半導(dǎo)體襯底表面傾斜，且所述第一溝槽的頂部尺寸大于底部尺寸；位于所述第一溝槽內(nèi)的第一半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層內(nèi)具有第一摻雜離子；位于相鄰第一半導(dǎo)體層之間的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的第二溝槽，所述第二溝槽的側(cè)壁相對于半導(dǎo)體襯底表面傾斜，且所述第二溝槽的頂部尺寸大于底部尺寸；位于所述第二溝槽內(nèi)的第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層內(nèi)具有第二摻雜離子；位于第二半導(dǎo)體層表面的柵極結(jié)構(gòu)；位于相鄰柵極結(jié)構(gòu)之間的第一半導(dǎo)體層內(nèi)的體區(qū)，所述體區(qū)內(nèi)具有第一摻雜離子，且部分體區(qū)與所述柵極結(jié)構(gòu)重疊；位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的體區(qū)內(nèi)的源區(qū)，所述源區(qū)內(nèi)具有第二摻雜離子。7.如權(quán)利要求6所述的超級結(jié)晶體管，其特征在于，所述第一摻雜離子為P型離子，所述第二摻雜離子為N型離子。8.如權(quán)利要求6所述的超級結(jié)晶體管，其特征在于，所述第一溝槽的深度大于40微米，所述第一溝槽的側(cè)壁相對于半導(dǎo)體襯底表面傾斜的角度為80度～90度；所述第二溝槽的深度大于40微米，所述第二溝槽的側(cè)壁相對于半導(dǎo)體襯底表面傾斜的角度為80度～90度。9.如權(quán)利要求6所述超級結(jié)晶體管，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層的材料為硅、硅鍺、碳化硅中的一種或多種，所述第二半導(dǎo)體層的材料為硅、硅鍺、碳化硅中的一種或多種。