利用陶瓷厚膜電阻器單元修復厚膜混合集成電路的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種利用陶瓷厚膜電阻器單元修復厚膜混合集成電路的方法，包括以下步驟：（1）制作標準阻值的陶瓷厚膜電阻器單元，（2）修復厚膜混合集成電路，a.隔離不合格厚膜電阻；b.將陶瓷厚膜電阻器單元粘接于不合格的厚膜電阻上；c.將陶瓷厚膜電阻器單元與厚膜電路鍵合；d.激光有源微調(diào)陶瓷厚膜電阻器單元的阻值。本發(fā)明顯著優(yōu)點是：利用陶瓷厚膜電阻器單元能夠替代直接淀積在基板上的厚膜電阻器，易于更換，能夠修復激光功能微調(diào)不合格的電路，一旦微調(diào)失敗，只需要更換新的陶瓷厚膜電阻器單元對電路進行修復即可，而不需要報廢整只電路。能有效提高激光功能微調(diào)后的電路成品率。
【專利說明】利用陶瓷厚膜電阻器單元修復厚膜混合集成電路的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于厚膜混合集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及利用陶瓷厚膜電阻器單元修復厚膜混合集成電路的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前混合集成電路激光有源微調(diào)的對象都是厚膜基板上通過成膜工序淀積的厚膜電阻，該厚膜電阻是無法更換的，而且激光調(diào)阻具有不可逆性，因此一旦有源微調(diào)失敗則電路只能報廢?？傊?，現(xiàn)有技術(shù)的缺陷為:現(xiàn)有混合集成電路激光有源微調(diào)的對象是無法更換的淀積厚膜電阻，一旦調(diào)阻失敗將無法修復，造成質(zhì)量損失。經(jīng)廣泛檢索，尚未發(fā)現(xiàn)解決該問題的有效技術(shù)方案。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種可激光微調(diào)并且易于更換的單個的陶瓷厚膜電阻器單元的設計和制作方法，用于替代直接淀積在基板上的厚膜電阻器，能有效提高激光功能微調(diào)后的電路成品率。
[0004]實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)解決方案為:
一種利用陶瓷厚膜電阻器單元修復厚膜混合集成電路的方法，其特征在于包括以下步
驟:
(I)、制作標準阻值的陶瓷厚膜電阻器單元，
(2 )、修復厚膜混合集成電路，
a.隔離不合格厚膜電阻，將不合格厚膜電阻用激光切割的方法使其斷開與厚膜混合集成電路的電學連接；
b.粘片，將陶瓷厚膜電阻器單元粘接于不合格的厚膜電阻上；
c.鍵合，將陶瓷厚膜電阻器單元通過鍵合使其與厚膜電路形成電連接；
d.激光有源微調(diào)陶瓷厚膜電阻器單元的阻值。
[0005]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，可以有以下進一步的技術(shù)方案:
所述的制作標準阻值的陶瓷厚膜電阻器單元，包括以下步驟:
a.陶瓷基板的版圖設計，整塊陶瓷基板上設計有縱橫交錯的網(wǎng)格，每一網(wǎng)格為一個陶瓷基板單元，陶瓷基板單元長度不大于2.5mm,寬度不大于1.5mm ；
單個陶瓷厚膜電阻器單元版圖設計，陶瓷厚膜電阻器單元包括陶瓷基板單元，陶瓷基板單元兩端由導體漿料印刷的矩形端電極，兩個矩形端電極中間由電阻漿料印刷的矩形電阻塊；
b.將陶瓷基板版圖及陶瓷厚膜電阻器單元版圖光繪底片；
c.將底片制版；
d.將陶瓷基板沿著網(wǎng)格預先激光切割，切割深度不小于陶瓷基板厚度的一半；
e.基板清洗； f.在陶瓷基板上絲網(wǎng)印刷矩形端電極和矩形電阻塊，然后干燥、燒結(jié)；
g.燒結(jié)好的陶瓷基板沿著網(wǎng)格線端裂成獨立的陶瓷厚膜電阻器單元。
[0006]本發(fā)明的原理是:利用現(xiàn)有成膜工藝制作單個陶瓷厚膜電阻器單元，用于替代直接淀積在基板上的厚膜電阻器來修復激光功能微調(diào)不合格的電路。
[0007]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，其顯著優(yōu)點是:利用陶瓷厚膜電阻器單元能夠替代直接淀積在基板上的厚膜電阻器，易于更換，能夠修復激光功能微調(diào)不合格的電路，一旦微調(diào)失敗，只需要更換新的陶瓷厚膜電阻器單元對電路進行修復即可，而不需要報廢整只電路。能有效提聞激光功能微調(diào)后的電路成品率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明制作陶瓷厚膜電阻器單元的流程圖以及厚膜電路修復過程流程圖； 圖2是制作陶瓷厚膜電阻器單元的激光預切割基板聯(lián)片圖形示意圖；
圖3是陶瓷厚膜電阻器單元結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0009]以下結(jié)合附圖，詳細說明本發(fā)明的實施方式。
[0010]一、陶瓷厚膜電阻器單元的制作
結(jié)合圖1，陶瓷厚膜電阻器單元的制作流程主要包括以下幾部分:
結(jié)構(gòu)和版圖設計一光繪底片一制版一陶瓷基板預先激光切割一基板清洗一絲網(wǎng)印刷、干燥、燒成一裂片。
[0011]陶瓷厚膜電阻器單元結(jié)構(gòu)和版圖設計的步驟為:
步驟1.結(jié)構(gòu)和版圖設計:
1.1基板設計:激光切割基板外形設計為矩形，其聯(lián)片圖形如圖2中I所示，按橫縱方向進行激光切割，橫向切割方向如圖2中2所指，縱向切割方向如圖中3所指，切割深度不小于基板厚度的一半；陶瓷單兀長度不大于2.5mm,寬度不大于1.5_。
[0012]1.2單個厚膜單元電阻版圖設計，陶瓷厚膜電阻器單元外框如圖3中4所示，陶瓷厚膜電阻器設計圖形如圖3中5所示，由兩端2個導體漿料印刷的矩形端電極5和中間電阻漿料印刷的矩形電阻塊6共同組成，該電阻的長寬比設計根據(jù)厚膜電阻的標稱阻值和電阻方數(shù)合并進行；
步驟2.光繪步驟具體方法為將單個厚膜單元電阻版圖按激光預切割基板所示的聯(lián)片形狀拼制成聯(lián)片圖形后，再將完成拼制的電子版圖調(diào)入光繪機進行版圖數(shù)據(jù)文件的光繪，制作菲林。
[0013]步驟3.制版步驟具體方法為利用步驟2獲得的菲林制作絲網(wǎng)掩模版；
步驟4.陶瓷基板預先激光切割步驟的具體方法為按照圖2的要求在陶瓷基板上進行激光切割；
步驟5.基板清洗步驟的具體方法為使用酒精或丙酮分別對基板進行超聲清洗以去除空白陶瓷基片上的粉末、油污及其它污染物，達到對空白陶瓷基片清潔程度的要求；
步驟6.絲網(wǎng)印刷、干燥、燒成的具體方法是按照厚膜加工的常規(guī)要求絲網(wǎng)印刷、干燥、燒成厚膜電阻； 步驟7.裂片的具體方法是將已完成步驟6的陶瓷基板，沿激光切割線斷裂為長度不大于2.5mm,寬度不大于1.5mm的陶瓷厚膜電阻器單兀。
[0014]二、厚膜電路修復步驟
步驟8.隔離電阻的具體方法是將待修復電路中原微調(diào)不合格的厚膜電阻用激光切割的方法使其斷路，使其不會再對電路起作用。
[0015]步驟9.粘片的具體方法是將裂片后的陶瓷厚膜電阻器單元使用絕緣環(huán)氧膠粘接在厚膜電路原微調(diào)不合格的厚膜電阻的相應位置；
步驟10.鍵合的具體方法是將陶瓷厚膜電阻器單元的兩端印刷電極通過鍵合的方法使其和厚膜電路形成電連接，替代已隔離不合格厚膜電阻。
[0016]步驟11.激光有源微調(diào)的具體方法是利用激光微調(diào)機按照規(guī)定的調(diào)阻程序和方法對陶瓷厚膜電阻器單元上印刷的厚膜電阻進行有源調(diào)阻，使電路合格。如果微調(diào)失敗，還可按照厚膜加工的常規(guī)工藝去除陶瓷厚膜電阻器單元后重新粘接新的陶瓷厚膜電阻器單元，并重新進行激光有源微調(diào)直至電路合格。
[0017]采用以上工藝過程在實際操作中實現(xiàn)了利用厚膜陶瓷基板印刷導電漿料和電阻漿料，并通過燒結(jié)、裂片等工序完成制作一種可激光微調(diào)的單個陶瓷厚膜電阻器單元，最終利用該單元通過粘片、鍵合、有源微調(diào)等工序?qū)崿F(xiàn)了厚膜電路的修復。
[0018]結(jié)合圖2，實現(xiàn)本發(fā)明所使用的激光預切割基板外形設計為矩形，其聯(lián)片圖形如圖2中I所示，按橫縱方向進行激光切割，橫向切割方向如圖2中2所指，縱向切割方向如圖中3所指，切割深度不小于基板厚度的一半。
[0019]結(jié)合圖3，實現(xiàn)本發(fā)明所制作的陶瓷厚膜電阻器單元版圖圖形由兩端2個導體漿料印刷的矩形端電極5和中間電阻漿料印刷的矩形電阻塊6共同組成，該電阻的長寬比設計根據(jù)厚膜電阻的標稱阻值和電阻方數(shù)合并進行。
【權(quán)利要求】
1.利用陶瓷厚膜電阻器單元修復厚膜混合集成電路的方法，其特征在于包括以下步驟: (I)、制作標準阻值的陶瓷厚膜電阻器單元， (2 )、修復厚膜混合集成電路， a.隔離不合格厚膜電阻，將不合格厚膜電阻用激光切割的方法使其斷開與厚膜混合集成電路的電學連接； b.粘片，將陶瓷厚膜電阻器單元粘接于不合格的厚膜電阻上； c.鍵合，將陶瓷厚膜電阻器單元通過鍵合使其與厚膜電路形成電連接； d.激光有源微調(diào)陶瓷厚膜電阻器單元的阻值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用陶瓷厚膜電阻器單元修復厚膜混合集成電路的方法，其特征在于所述的制作標準阻值的陶瓷厚膜電阻器單元，包括以下步驟: a.陶瓷基板的版圖設計，整塊陶瓷基板上設計有縱橫交錯的網(wǎng)格，每一網(wǎng)格為一個陶瓷基板單元，陶瓷基板單元長度不大于2.5mm,寬度不大于1.5mm ； 單個陶瓷厚膜電阻器單元版圖設計，陶瓷厚膜電阻器單元包括陶瓷基板單元(4)，陶瓷基板單元(4 )兩端由導體漿料印刷的矩形端電極(5 )，兩個矩形端電極(5 )中間由電阻漿料印刷的矩形電阻塊(6); b.將陶瓷基板版圖及陶瓷厚膜電阻器單元版圖光繪底片； c.將底片制版； d.將陶瓷基板沿著網(wǎng)格預先激光切割，切割深度不小于陶瓷基板厚度的一半； e.基板清洗； f.在陶瓷基板上絲網(wǎng)印刷矩形端電極(5)和矩形電阻塊(6)，然后干燥、燒結(jié)； g.燒結(jié)好的陶瓷基板沿著網(wǎng)格線端裂成獨立的陶瓷厚膜電阻器單元。
【文檔編號】H01L21/78GK103441102SQ201310371881
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月23日
【發(fā)明者】李壽勝, 鄒建安, 謝年生 申請人:華東光電集成器件研究所