薄膜晶體管及使用該薄膜晶體管之顯示陣列基板的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜晶體管的制造方法，該制造方法包括：于一基板上形成柵極及覆蓋該柵極的柵極絕緣層；在該柵極絕緣層上對應柵極處形成溝道層，且于該溝道層上涂布蝕刻阻擋層；對該蝕刻阻擋層進行高溫硬烤處理；于該蝕刻阻擋層上涂布光阻層；圖案化該光阻層，顯影出二穿導孔；以該圖案化光阻層做屏蔽蝕刻該蝕刻阻擋層至該溝道層以形成二接觸孔；移除剩余的光阻層；及于該二接觸孔處形成源極與漏極。
【專利說明】薄膜晶體管及使用該薄膜晶體管之顯示陣列基板的制造方 法

【技術(shù)領域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管及使用該薄膜晶體管之顯示陣列基板的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 利用金屬氧化物半導體（MetalOxideSemiconductor)形成溝道的薄膜晶體管 (ThinFilmTransistor,TFT)已被逐漸廣泛應用于顯示領域作為開關(guān)組件使用。在薄膜 晶體管制程中由于金屬氧化物半導體對后段制程，如用來形成薄膜晶體管之源、漏極之濕 蝕刻（Wet-Etching)制程反應敏感，故會在金屬氧化物半導體層上形成一蝕刻阻擋層借以 保護該金屬氧化物半導體層之特性。然而，由于蝕刻阻擋層必須滿足一定的厚度需求，如大 于1微米，在用黃光曝光形成接觸孔時受厚度之影響使得源極與漏極之間的通道寬度通常 維持在10微米左右，無法降低到一更小范圍內(nèi)，不僅導致薄膜晶體管本身的特性，如頻率 特性受到影響，而且也無法滿足高分辨率（HighResolutionHD)等面板的要求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，有必要提供一種具有較小通道長度的薄膜晶體管的制造方法。
[0004] 更進一步地，提供一種具有該薄膜晶體管之顯示陣列基板的制造方法。
[0005] -種薄膜晶體管的制造方法，該制造方法包括： 于一基板上形成柵極及覆蓋該柵極的柵極絕緣層； 在該柵極絕緣層上對應柵極處形成溝道層，且于該溝道層上涂布蝕刻阻擋層； 對該蝕刻阻擋層進行高溫硬烤處理； 于該蝕刻阻擋層上涂布光阻； 圖案化該光阻，顯影出二穿導孔； 以該圖案化光阻做屏蔽蝕刻該蝕刻阻擋層至該溝道層以形成二接觸孔； 移除該圖案化光阻；及 于該二接觸孔處形成源極與漏極。
[0006] 一種顯示陣列基板的制造方法，該制造方法包括： 提供一基板，并于該基板上形成薄膜晶體管，其中該薄膜晶體管的制造方法為前述薄 膜晶體管制造方法。
[0007] 相較于先前技術(shù)，本發(fā)明的薄膜晶體管及使用該薄膜晶體管陣列基板的制造方法 將蝕刻阻擋層作高溫硬烤處理，且利用較短通道設計之光阻進行曝光顯影出穿導孔，進一 步利用干蝕刻技術(shù)對蝕刻阻擋層進行蝕刻以獲得具有較短距離之接觸孔以減小薄膜晶體 管之源、漏極間之溝道寬度，達到提高TFT性能及滿足面板的高分辨率之需求。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 圖1是本發(fā)明第一實施方式的顯示陣列基板一畫素區(qū)域的局部平面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖2是圖1所示顯示陣列基板沿II-II線的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010] 圖3至圖8描述了圖2所示的薄膜晶體管各制作步驟之結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011] 圖9是圖2所示的薄膜晶體管制造流程示意圖。
[0012] 圖10是本發(fā)明第二實施方式的薄膜晶體管之剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013] 圖11至圖17描述了圖10所示的薄膜晶體管各制作步驟之結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014] 圖18是圖10所示的薄膜晶體管制造流程示意圖。
[0015] 主要元件符號說明

【權(quán)利要求】
1. 一種薄膜晶體管的制造方法，該制造方法包括： 于一基板上形成柵極及覆蓋該柵極的柵極絕緣層； 在該柵極絕緣層上對應柵極處形成溝道層，且于該溝道層上形成覆蓋該溝道層之蝕刻 阻擋層； 對形成有該蝕刻阻擋層之基板進行高溫硬烤處理； 于該蝕刻阻擋層上形成光阻層； 圖案化該光阻層從而在該圖案化的光阻層上定義出二貫穿該光阻層之穿導孔； 以該圖案化光阻做屏蔽干蝕刻該蝕刻阻擋層，以形成沿厚度方向貫穿該蝕刻阻擋層并 曝露出該溝道層之二接觸孔； 移除剩余的光阻層；及 在該蝕刻阻擋層上形成源極與漏極，該源極與漏極經(jīng)由該接觸孔與該溝道層相接觸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于，該蝕刻阻擋層為一透明 有機材料層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于，該透明有機材料層具有 光敏特性，且該透明有機材料之光敏特性弱于該光阻層之光敏特性。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于，高溫硬烤的溫度根據(jù)該 蝕刻阻擋層材料于l〇〇°C ~400°C范圍內(nèi)設定。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于，該二穿導孔之間的距離 小于10微米。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于，該二穿導孔之間的距離 在3-5微米之間。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于，圖案化該光阻層的步驟 進一步包括：提供一光罩，該光罩包括二透光部分與不透光部分，其特征在于，二透光部分 之間距用于界定該穿導孔之間的間距；以該光罩為屏蔽曝光、顯影該光阻層，從而在該光阻 層上定義該二穿導孔。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于，以該圖案化光阻層做屏 蔽干蝕刻該蝕刻阻擋層之方法選自電漿蝕刻、反應離子蝕刻或等離子蝕刻法。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于，該蝕刻阻擋層包括層迭 設置之有機阻擋層與一硬遮罩層，該有機阻擋層為經(jīng)固化處理之透明有機材料層，該硬遮 罩層形成在該有機阻擋層背離該溝道層的表面上，用于增強該有機阻擋層之硬度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于，該有機阻擋層為具有光 敏特性的有機材料，且該有機阻擋層之光敏特性弱于該光阻層的光敏特性。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于，該硬遮罩層之厚度小 于該有機阻擋層的厚度。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管制造方法，其特征在于，該硬庶罩層材料為氮 氧化硅、氮化硅、氧化硅或氟化硅。
13. -種顯示陣列基板的制造方法，該制造方法包括： 提供一基板，并于該基板上形成多個薄膜晶體管，其中該薄膜晶體管的制造方法為請 求項1-12項任意一項所述的制造方法。
【文檔編號】H01L21/336GK104425266SQ201310371920
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月23日
【發(fā)明者】吳逸蔚, 陸一民, 張煒熾, 林輝巨, 高逸群, 方國龍 申請人:業(yè)鑫科技顧問股份有限公司, 新光電科技有限公司